集成电路及其形成方法与流程

本公开的实施例涉及集成电路及其形成方法。

背景技术：

1、半导体集成电路工业已经经历了指数级增长。集成电路材料和设计中的技术进步已经产生了多代集成电路，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在集成电路演进过程中，功能密度（即每芯片面积的互连器件的数量）通常增大，而几何尺寸（即使用制造工艺可以创建的最小组件（或线））减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造集成电路的复杂性。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种形成集成电路的方法，包括：在第一有源区域处的第一半导体鳍和第二有源区域处的第二半导体鳍之间沉积隔离结构，其中，所述隔离结构与所述第一半导体鳍的第一鳍基底区域和所述第二半导体鳍的第二鳍基底区域相接；通过在所述第一半导体鳍中形成第一源极/漏极沟槽和第二源极/漏极沟槽，从所述第一半导体鳍的多个堆叠半导体层在所述第一有源区域处限定晶体管的多个堆叠沟道；在所述第一源极/漏极沟槽中沉积所述晶体管的第一源极/漏极部件；在所述第一半导体鳍中的所述第二源极/漏极沟槽中沉积所述晶体管的第二源极/漏极部件；在所述沟道上沉积界面栅极介电层；在所述界面栅极介电层上沉积高k栅极介电层；在所述高k栅极介电层上沉积栅极金属，栅极间隔件层沿着栅极结构的侧壁延伸，其中，所述高k栅极介电层的介电常数大于所述栅极间隔件层的介电常数；在所述晶体管的所述第一源极/漏极部件上沉积源极/漏极接触件；在所述沟道上方的所述栅极金属上沉积互连结构；在所述互连结构和所述源极/漏极接触件上方沉积第一层间介电层；在所述第一层间介电层中形成暴露所述互连结构的第一开口； 在所述第一开口中沉积栅极接触通孔，所述栅极接触通孔落在所述互连结构上并且电耦合至所述栅极金属；在所述第一层间介电层中形成暴露所述源极/漏极接触件的第二开口；以及在所述第二开口中沉积源极/漏极通孔，所述源极/漏极通孔电耦合至所述源极/漏极接触件。

2、本公开的另一实施例提供一种形成集成电路的方法，包括：形成在第一横向方向上延伸的第一有源区域；形成在所述第一横向方向上延伸的第二有源区域；在所述第一有源区域和所述第二有源区域之间沉积隔离结构；在所述第一有源区域中沉积晶体管的第一源极/漏极部件，所述第一源极/漏极部件悬于所述隔离结构上方； 在所述第一有源区域中沉积所述晶体管的第二源极/漏极部件，所述晶体管的多个沟道在所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件之间在所述第一横向方向上延伸；沉积在第二横向方向上横跨所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述隔离结构延伸并且包裹所述沟道的栅极结构；沉积源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件通过硅化物层电耦合至所述源极/漏极部件，其中，所述硅化物层的电导率大于所述源极/漏极部件的电导率；在所述栅极结构上沉积第一介电层；在所述第一介电层中形成第一开口；在所述栅极结构上的所述第一开口中沉积金属层，所述金属层在所述沟道和所述隔离结构上方在所述第二横向方向上延伸；以及在所述金属层上沉积第一栅极接触通孔，所述第一栅极接触通孔通过所述金属层电耦合至所述栅极金属。

3、本公开的又一实施例提供一种集成电路，包括：有源区域，在第一横向方向上延伸；第一源极/漏极部件，位于所述有源区域中； 第二源极/漏极部件，位于所述有源区域中；多个堆叠沟道，位于所述有源区域中，所述多个堆叠沟道在所述第一横向方向上在所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件之间延伸；接触蚀刻停止层，位于所述第一源极/漏极部件上方； 第一层间介电层，位于所述接触蚀刻停止层上方，其中，所述接触蚀刻停止层的介电常数大于所述第一层间介电层的介电常数；硅化物层，位于所述第一源极/漏极部件上；第一源极/漏极接触件，位于所述硅化物层上，所述第一源极/漏极接触件设置在所述第一层间介电层中，其中，所述硅化物层具有弯曲轮廓；栅极金属，包裹所述沟道；第二源极/漏极接触件，位于所述第二源极/漏极部件上；第二层间介电层，位于所述栅极金属上方；互连结构，位于所述栅极金属上； 栅极接触通孔，延伸穿过所述第二层间介电层并且落在所述互连结构上，其中，所述互连结构在所述第二横向方向上的长度大于所述栅极接触通孔在所述第二横向方向上的长度；以及源极/漏极通孔，延伸穿过所述层间介电层，电耦合至所述第一源极/漏极接触件。

1.一种形成集成电路的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在第二层间介电层上形成所述第一层间介电层，其中，所述第二层间介电层的顶面与所述互连结构的顶面对准。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括用相同的沉积工艺形成所述源极/漏极通孔和所述栅极接触通孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述源极/漏极接触件和所述栅极金属的顶面对准，其中，所述源极/漏极通孔的顶面与所述栅极接触通孔的顶面对准，其中，所述源极/漏极通孔具有比所述栅极接触通孔更大的高度。

5. 根据权利要求3所述的方法，还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，包括在同一沉积工艺中沉积所述局部源极/漏极互连结构和所述互连结构。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括通过去除所述栅极金属的部分并且在所述栅极金属的第一段和第二段之间形成栅极隔离结构代替所述栅极金属的所述去除部分，将所述栅极金属的所述第一段与所述栅极金属的所述第二段电隔离，其中，所述第一段包裹所述沟道，其中，所述互连结构与所述第一段和所述栅极隔离结构重叠。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述栅极接触通孔至少部分地位于所述栅极隔离结构上方。

9.一种形成集成电路的方法，包括：

10.一种集成电路，包括：