粘接剂组合物、层叠体、以及经加工的半导体基板的制造方法与流程

本发明涉及粘接剂组合物、层叠体、以及经加工的半导体基板的制造方法。

背景技术：

1、就以往在二维平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步在三维方向上集成（层叠）的半导体集成技术。该三维层叠是一边通过硅通孔电极（tsv：through silicon via）接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧（即背面）薄化，将经薄化的半导体晶片层叠。

2、薄化前的半导体晶片（在此也简称为晶片）为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体解除，当为了解除而施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不发生这样的情况而容易被解除。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易被解除。

3、作为用于这样的临时粘接的临时粘接剂，提出了含有聚二甲基硅氧烷的粘接剂（专利文献1）、含有环氧改性聚硅氧烷的临时粘接剂（专利文献2）等。在这些技术中，支承体与半导体晶片的剥离通过向临时粘接剂的层插入被称为剥离器（debonder）的具有尖锐部的器材的尖锐部来进行。

4、另一方面，提出了利用红外线的支承体与半导体晶片的剥离。

5、例如，提出了一种红外线剥离用粘接剂组合物，其是能通过照射红外线而剥离的红外线剥离用粘接剂组合物，含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分（a）、和选自由含有环氧改性聚有机硅氧烷的成分、含有含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及含有含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种的成分（b）（专利文献3）。

6、此外，提出了一种层叠体的剥离方法，其包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层和设于所述第二基体侧的第二粘接层进行接合而制成层叠体时，将所述第一粘接层设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂（a）固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层设为使用作为在主链和侧链中的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂（b）而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离（专利文献4）。

7、在利用了红外线的剥离中，通过照射红外线使粘接剂变质，容易进行剥离。

8、现有技术文献

9、专利文献

10、专利文献1：国际公开第2017/221772号小册子

11、专利文献2：国际公开第2018/216732号小册子

12、专利文献3：国际公开第2020/100966号小册子

13、专利文献4：国际公开第2020/100965号小册子

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、在专利文献1和专利文献2中记载的技术中的利用具有尖锐部的器材进行的剥离需要一定程度的插入力，因此有时花费处理时间、以及半导体晶片或支承基板产生损伤会成为问题。

3、在专利文献3和专利文献4中记载的技术中，为了容易剥离需要充分照射红外线激光，但在该情况下，有时花费处理时间、以及因粘接剂的变质而清洗性下降会成为问题。

4、本发明的目的在于，提供在使用了红外线激光的剥离中不花费处理时间、对基体的损伤少且清洗性良好的粘接剂组合物、使用了该粘接剂组合物的层叠体、以及使用了所述层叠体的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法。

5、用于解决问题的方案

6、本发明人等为了解决所述技术问题而进行了深入研究，结果发现能解决所述技术问题，完成了具有以下主旨的本发明。

7、即，本发明包含以下内容。

8、［1］一种粘接剂组合物，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层用于：对具有第一基体、第二基体以及所述粘接剂层的层叠体中的所述第一基体进行加工后，从所述第二基体侧对所述粘接剂层照射所述红外线激光，之后，将所述第一基体与所述第二基体分离，所述第一基体为半导体基板或电子器件层，所述第二基体为使红外线激光透射的支承基板，所述粘接剂层设于所述第一基体与所述第二基体之间，所述粘接剂组合物含有剥离剂成分、红外线吸收剂以及具有硅氧烷键的粘接剂成分。

9、［2］根据［1］所述的粘接剂组合物，其中，所述粘接剂成分是通过氢化硅烷化反应而固化的成分。

10、［3］根据［2］所述的粘接剂组合物，其中，所述通过氢化硅烷化反应而固化的成分含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的成分（a－1）；以及具有si－h基的成分（a－2）。

11、［4］根据［3］所述的粘接剂组合物，其中，所述成分（a－1）含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷（a1）。

12、［5］根据［3］或［4］所述的粘接剂组合物，其中，所述成分（a－2）含有：具有si－h基的聚有机硅氧烷。

13、［6］根据［1］至［5］中任一项所述的粘接剂组合物，其中，所述剥离剂成分为聚有机硅氧烷。

14、［7］根据［1］至［6］中任一项所述的粘接剂组合物，其中，与对所述粘接剂层未照射所述红外线激光而将具有尖锐部的器材的所述尖锐部插入至所述第一基体与所述第二基体之间并将所述第一基体与所述第二基体分离时所需的插入力相比，对所述粘接剂层照射所述红外线激光之后将所述尖锐部插入至所述第一基体与所述第二基体之间并将所述第一基体与所述第二基体分离时所需的插入力更小。

15、［8］一种层叠体，其具有：第一基体，其为半导体基板或电子器件层；第二基体，其为使红外线激光透射的支承基板；以及粘接剂层，设于所述第一基体与所述第二基体之间，所述粘接剂层为由如［1］至［7］中任一项所述的粘接剂组合物形成的粘接剂层。

16、［9］一种经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，其包括：加工工序，对如［8］所述的层叠体的所述第一基体进行加工；以及分离工序，从所述第二基体侧对所述粘接剂层照射所述红外线激光，之后，将经加工的所述第一基体与所述第二基体分离。

17、［10］根据［9］所述的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，其中，通过对所述粘接剂层照射所述红外线激光，与对所述粘接剂层未照射所述红外线激光的情况相比，将具有尖锐部的器材的所述尖锐部插入至所述第一基体与所述第二基体之间并将所述第一基体与所述第二基体分离时所需的插入力降低。

18、发明效果

19、根据本发明，能提供在使用了红外线激光的剥离中不花费处理时间、对基体的损伤少且清洗性良好的粘接剂组合物、使用了该粘接剂组合物的层叠体、以及使用了所述层叠体的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法。

1.一种粘接剂组合物，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层用于：对具有第一基体、第二基体以及所述粘接剂层的层叠体中的所述第一基体进行加工后，从所述第二基体侧对所述粘接剂层照射所述红外线激光，之后，将所述第一基体与所述第二基体分离，所述第一基体为半导体基板或电子器件层，所述第二基体为使红外线激光透射的支承基板，所述粘接剂层设于所述第一基体与所述第二基体之间，

2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

3.根据权利要求2所述的粘接剂组合物，其中，

4.根据权利要求3所述的粘接剂组合物，其中，

5.根据权利要求3所述的粘接剂组合物，其中，

6.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

7.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

8.一种层叠体，其具有：

9.一种经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，其包括：

10.根据权利要求9所述的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，其中，