蚀刻液组合物、布线形成方法及显示装置用阵列基板的制造方法与流程
本发明涉及一种用于金属膜蚀刻的蚀刻液组合物、利用所述蚀刻液组合物的布线形成方法及显示装置用阵列基板的制造方法。
背景技术:
1、半导体装置、tft-lcd、oled等微细电路是通过如下一系列光刻工序完成的:在形成于基板上的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘膜上均匀涂布光致抗蚀剂后,通过刻有图案的掩模照射光后,通过显影来形成期望的图案的光致抗蚀剂,并通过干式或湿式蚀刻将图案转印至位于光致抗蚀剂下方的金属膜或绝缘膜上后,通过剥离工序去除不需要的光致抗蚀剂。
2、过去,显示器的栅极及数据金属布线使用了与以往的铝及铬布线相比电阻更低且对环境无害的铜金属。然而,铜存在与玻璃基板及硅绝缘膜的粘接力低且扩散至硅膜的问题,因此近来使用钛、钼等作为下部阻挡金属。相应地,当前正在开发多种能够蚀刻铜膜和钼合金膜的蚀刻液组合物。
3、例如,韩国授权专利10-2058679公开的内容涉及一种铜膜、钼膜及铜-钼合金膜的蚀刻液组合物,相对于组合物总重量,铜膜、钼膜及铜-钼合金膜的蚀刻液组合物包含:20至30重量%的过氧化氢、0.1至1.0重量%的蚀刻抑制剂、1至3重量%的螯合剂、0.1至3重量%的蚀刻添加剂、0.01至2重量%的氟化合物、0.1至2重量%的蚀刻稳定剂、以及使整体组合物总重量达到100重量%的水,其中,所述蚀刻添加剂为硫酸盐。
4、以往所使用的玻璃基板由于不包含钡(ba),即使使用上述文献中公开的包含硫酸盐的蚀刻液组合物也不会产生特殊的问题。然而,近来在oled之类的高性能显示装置的制造过程中包含的玻璃有添加钡(ba)的倾向,以便能够满足耐热性。因此,当对这样的玻璃基板使用现有的包含硫酸盐(so4)的蚀刻液组合物时,会发生ba因氟化合物而溶解之后,与so4反应而致使不溶性固体成分baso4析出的问题,从而引发过滤器更换周期缩短,并因析出物产生而导致不良率增加等问题,因此当前需要解决这一问题。
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1:韩国授权专利第10-2058679号
技术实现思路
1、要解决的技术课题
2、本发明旨在改善上述现有技术的问题,其目的在于提供一种蚀刻液组合物,该组合物在进行蚀刻的过程中不会产生硫酸钡(baso4)析出物,并且对金属膜的蚀刻速度处于适当的水平,从而实现充分的蚀刻,并且生产产能(capa)优异的同时,易于进行工序控制。
3、此外,本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物,该组合物能够显示出优异的锥角(taper angle),且铜浓度上升时的处理张数优异。
4、此外,本发明的目的在于提供一种利用所述蚀刻液组合物的布线形成方法及显示装置用阵列基板的制造方法。
5、然而,本发明要解决的课题不限于以上提及的课题,本领域一般技术人员将可以从下面的记载中清楚地理解未提及的其他课题。
6、技术方案
7、为实现上述目的,本发明提供一种蚀刻液组合物,相对于蚀刻液组合物总重量,包含:(a)过氧化氢5.0至25.0重量%;(b)氟化合物0.01至1.0重量%;(c)唑类化合物0.1至1.0重量%;(d)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物1.0至5.0重量%;(e)膦酸衍生物及其盐0.01至1.0重量%;(f)多元醇型表面活性剂0.01至5.0重量%;(g)磺酸化合物0.1至3.0重量%;以及余量的(h)水,所述(g)磺酸化合物的pka小于0,并且(e)膦酸衍生物及其盐与(g)磺酸化合物的重量比为1:5至1:40。
8、此外,本发明提供一种利用所述蚀刻液组合物的布线形成方法。
9、此外,本发明提供一种利用所述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。
10、发明效果
11、本发明的蚀刻液组合物在蚀刻工序中防止硫酸钡(baso4)析出以防止过滤器堵塞现象,并提供不会因此而导致良率下降的效果。
12、此外,本发明的蚀刻液组合物不仅可以蚀刻铜膜或铜合金膜的单层膜,而且还可以一并蚀刻进一步包含钼或钼合金膜的多层膜,并且能够在多层膜中对上部铜金属膜形成直进性优异的锥形轮廓(taper profile)。
13、不仅如此,铜浓度上升时的处理张数优异,并通过适当的铜蚀刻速度提供确保充分的处理产能及易于控制蚀刻工序的效果。
1.一种蚀刻液组合物,相对于蚀刻液组合物总重量,包含:
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,
9.根据权利要求8所述的蚀刻液组合物,其中,
10.一种布线形成方法,其包括:
11.一种显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
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