粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及经加工的半导体基板或电子器件基板的制造方法与流程

本发明涉及粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及经加工的半导体基板或电子器件基板的制造方法。

背景技术：

1、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成（层叠）的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极（tsv：through silicon via）一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧（即背面）薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

2、为了利用研磨装置进行研磨，将薄化前的半导体晶片（在此也简称为晶片）粘接于支承体。

3、薄化前的半导体晶片（在此也简称为晶片）为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况而容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸。

4、作为用于这样的临时粘接的临时粘接剂，提出了含有聚二甲基硅氧烷的粘接剂（专利文献1）、含有环氧改性聚硅氧烷的临时粘接剂（专利文献2）等。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：国际公开第2017/221772号小册子

8、专利文献2：国际公开第2018/216732号小册子

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、如上所述，在半导体晶片与支承体的临时粘接中，需要：在临时粘接时由临时粘接剂形成的粘接剂层不易从支承体、半导体晶片剥离，另一方面，在将半导体晶片从支承体剥离时，粘接剂层容易从支承体、半导体晶片剥离。

3、再者，在将半导体晶片从支承体剥离时，待剥离的部位有时为半导体晶片与粘接剂层的界面（也将该情况称为器件剥离（器件释放））、有时为支承体与粘接剂层的界面（也将该情况称为载体剥离（载体释放））。

4、例如，在剥离为载体剥离的情况下，粘接剂层残留（附着）于半导体晶片的器件侧，因此与器件剥离的情况相比，剥离后的粘接剂层的清洗变长，可能增加工序时间、可能对作为半导体晶片的器件基板的清洗负担变大。因此，为了避免发生上述的担忧，优选器件剥离。

5、因此，在将半导体晶片从支承体剥离时，成为剥离的部位（剥离界面）为半导体晶片与粘接剂层的界面的器件剥离（器件释放）为好。

6、本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于，提供一种层叠体，其具有：支承基板；半导体基板或电子器件基板；以及设于所述半导体基板或所述电子器件基板与所述支承基板之间的粘接剂层，在将半导体晶片从支承基板剥离时，成为剥离界面为半导体晶片与粘接剂层的界面的器件剥离。

7、用于解决问题的方案

8、本发明人等为了解决所述的技术问题而进行了深入研究，结果发现，在用于形成粘接剂层的粘接剂组合物中，通过将构成该粘接剂组合物的特定的粘接剂成分与构成该粘接剂组合物的特定的剥离成分的含有比例规定为特定的范围，能解决所述的技术问题，完成了具有以下主旨的本发明。

9、即，本发明包含以下内容。

10、［1］一种粘接剂组合物，其用于形成设于支承基板与半导体基板或电子器件基板之间的粘接剂层，所述粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的粘接剂成分（a）和剥离剂成分（b），所述通过氢化硅烷化反应而固化的粘接剂成分（a）包含聚硅氧烷（a1），所述聚硅氧烷（a1）包含选自由sio2所示的硅氧烷单元（q单元）、r1r2r3sio1/2所示的硅氧烷单元（m单元）、r4r5sio2/2所示的硅氧烷单元（d单元）以及r6sio3/2所示的硅氧烷单元（t单元）以及它们中两种以上的组合构成的组中的硅氧烷单元（r1至r6各自独立地表示作为碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基或氢原子的一价化学基团，其中r1至r6各自通过si－c键或si－h键与硅原子键合），所述聚硅氧烷（a1）包含聚有机硅氧烷（a1）（所述聚有机硅氧烷（a1）具有碳原子数2～10的烯基，包含sio2所示的硅氧烷单元（q’单元）和r6’sio3/2所示的硅氧烷单元（t’单元）中的至少任意硅氧烷单元，r6’表示作为碳原子数1～10的烷基或碳原子数2～10的烯基的一价化学基团）和聚有机硅氧烷（a2）（所述聚有机硅氧烷（a2）具有si－h基，包含选自由sio2所示的硅氧烷单元（q”单元）、r1”r2”r3”sio1/2所示的硅氧烷单元（m”单元）、r4”r5”sio2/2所示的硅氧烷单元（d”单元）、r6”sio3/2所示的硅氧烷单元（t”单元）以及它们中两种以上的组合构成的组中的硅氧烷单元，r1”至r6”各自独立地表示碳原子数1～10的烷基或氢原子），所述剥离剂成分（b）包含含环氧基的聚有机硅氧烷，将所述粘接剂组合物中的不包括溶剂的成分的合计中的所述聚有机硅氧烷（a1）的含量的比例设为y％，将所述粘接剂组合物中的不包括溶剂的成分的合计中的所述含环氧基的聚有机硅氧烷的含量的比例设为x％时，满足下述式（i）。

11、y≤2.50in（x）＋70.12（i）

12、［2］根据［1］所述的粘接剂组合物，其中，所述聚硅氧烷（a1）进一步包含聚有机硅氧烷（a3）（所述聚有机硅氧烷（a3）包含r1’r2’r3’sio1/2所示的硅氧烷单元（m’单元）和r4’r5’sio2/2所示的硅氧烷单元（d’单元）中的至少任意硅氧烷单元，r1’至r5’各自独立地表示作为碳原子数1～10的烷基或碳原子数2～10的烯基的一价化学基团）。

13、［3］一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板或电子器件基板；以及设于所述半导体基板或所述电子器件基板与所述支承基板之间的粘接剂层，所述粘接剂层为由如［1］或［2］所述的粘接剂组合物形成的粘接剂层。

14、［4］一种层叠体的制造方法，其中，所述层叠体具有：支承基板；半导体基板或电子器件基板；以及设于所述半导体基板或所述电子器件基板与所述支承基板之间的粘接剂层，所述层叠体的制造方法包括：对所述半导体基板或所述电子器件基板以及所述支承基板中的任意基板涂布如［1］或［2］所述的粘接剂组合物，以形成所述粘接剂层的工序。

15、［5］一种经加工的半导体基板或电子器件基板的制造方法，其中，包括：第五工序，对如［3］所述的层叠体的所述半导体基板或所述电子器件基板进行加工；以及第六工序，将通过所述第五工序加工后的所述半导体基板或所述电子器件基板与所述支承基板分离。

16、发明效果

17、根据本发明，能提供一种层叠体，其具有：支承基板；半导体基板或电子器件基板；以及设于所述半导体基板或所述电子器件基板与所述支承基板之间的粘接剂层，在将半导体晶片从支承基板剥离时，成为剥离界面为半导体晶片与粘接剂层的界面的器件剥离。

1.一种粘接剂组合物，其用于形成设于支承基板与半导体基板或电子器件基板之间的粘接剂层，

2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

3.一种层叠体，具有：

4.一种层叠体的制造方法，其中，所述层叠体具有：

5.一种经加工的半导体基板或电子器件基板的制造方法，其中，包括：