半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：衬底，形成着配线；第1半导体元件，设置在所述衬底；第2半导体元件，设置在所述第1半导体元件上；第1树脂，设置在所述第1半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分；第2树脂，设置在所述第2半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分；及构件，具有比所述第1树脂的热导率及所述第2树脂的热导率大的热导率，设置在所述第1树脂与所述第2树脂之间，且在俯视下，一部分与所述第1半导体元件的上表面重叠并且另一部分与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述构件与所述第1半导体元件的上表面及所述第1配线部连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进而具备设置在所述配线上的阻焊剂，且所述构件通过形成在所述阻焊剂的至少一个开口连接于所述第1配线部。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其进而具备设置在所述配线上的阻焊剂，且所述构件将形成在所述阻焊剂的至少一个开口封闭且形成在所述第1配线部上。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1树脂从所述第1半导体元件与所述衬底间的区域经由所述第1配线部与所述构件间的区域延伸到所述构件的外侧。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底进而具备：电极，形成在下表面上；及第2配线部，将所述电极与所述第1配线部连接。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1配线部在俯视下包围所述第1半导体元件。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述配线进而具备与所述第1配线部绝缘地形成的第3配线部，且所述构件进而与所述第3配线部连接。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述构件具有绝缘性。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述构件具备绝缘性树脂、及所述树脂中所含的金属粉体。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述构件的热导率为10w/m
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k以上。12.一种半导体装置，具备：衬底，在上表面形成配线，在下表面设置着连接于所述配线的电极；第1半导体元件，设置在所述衬底的上表面；第1间隔件，设置在所述衬底的所述配线上；第1构件，设置在所述衬底与所述第1间隔件之间；第2半导体元件，设置在所述第1半导体元件及所述第1间隔件上；第2构件，设置在所述第1半导体元件及所述第1间隔件与所述第2半导体元件之间；及
密封树脂，将所述第1半导体元件、所述第1间隔件及所述第2半导体元件密封，且具有比所述第1构件的热导率及所述第2构件的热导率低的热导率。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其进而具备粘接构件，该粘接构件粘接于所述第2构件的上表面且粘接于所述第2半导体元件的下表面。14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第2构件具备绝缘性树脂、及所述树脂中所含的金属粉体。15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中在所述衬底，在俯视下与所述第1间隔件重叠的位置形成用来将所述配线与所述电极连接的通孔。16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述配线连接于电源线或形成为与所述衬底平行的面状的区域。17.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第1构件及所述第2构件的热导率为10w/m
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k以上。18.一种半导体装置的制造方法，其中将第1树脂配设在形成着配线的衬底上，将第1半导体元件设置在所述衬底，将所述第1树脂配设在所述第1半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分，将构件配设在所述第1树脂上，该构件具有比所述第1树脂的热导率大的热导率，且在俯视下，一部分与所述第1半导体元件的上表面重叠并且另一部分与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠，将第2半导体元件配设在所述第1半导体元件上，且将具有比所述构件的所述热导率小的热导率的树脂配设在所述第2半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分。19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其中将所述第1半导体元件设置在所述衬底，将所述构件配设在所述第1树脂上的情况包括：将所述构件配设在设置着端部及从所述端部凹陷地形成的凹部的附件的表面上，在所述凹部内，将所述第1半导体元件配设在所述构件上，且在所述附件的表面与所述衬底的上表面对向的状态下，将所述第1半导体元件设置在所述衬底，并且将所述端部上的所述构件朝向所述第1配线部压抵。

技术总结
本申请涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备：衬底，形成着配线；第1半导体元件，覆晶连接于所述衬底；第2半导体元件，设置在所述第1半导体元件上；第1树脂，设置在所述第1半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分；第2树脂，设置在所述第2半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分；及构件，具有比所述第1树脂的热导率及所述第2树脂的热导率大的热导率，设置在所述第1树脂与所述第2树脂之间，且在俯视下，一部分与所述第1半导体元件的上表面重叠并且另一部分与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。


技术研发人员：丹羽恵一 后藤善秋
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2022.02.22
技术公布日：2023/2/6