一种防腐防污抗静电涂料及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种防腐防污抗静电涂料，其特征在于，主要由甲组分和乙组分制得，所述甲组分包括以下重量份计的组分：丙烯酸树脂52～56份、憎水恢复剂5～8份、二甲苯12～15份、乙酸丁酯15～17份、润湿分散剂0.5～1份、消泡剂0.15～0.25份、流平剂0.25～0.35份、白色浆7～8份、防沉剂0.15～0.25份、改性氧化石墨烯3～5份、纳米二氧化钛1～3份；所述乙组分包括以下重量份计的组分：固化剂45～55份、乙酸丁酯40～50份。2.如权利要求1所述防腐防污抗静电涂料，其特征在于，所述甲组分包括以下重量份计的组分：丙烯酸树脂54份、憎水恢复剂6份、二甲苯13份、乙酸丁酯16份、润湿分散剂0.8份、消泡剂0.20份、流平剂0.30份、白色浆7.5份、防沉剂0.2份、改性氧化石墨烯4份、纳米二氧化钛2份；所述乙组分包括以下重量份计的组分：固化剂50份、乙酸丁酯45份。3.如权利要求1所述防腐防污抗静电涂料，其特征在于，所述甲组分和乙组分的质量比为100：(10～12)。4.如权利要求1所述防腐防污抗静电涂料，其特征在于，所述改性氧化石墨烯的制备方法包括以下步骤：将氧化石墨烯加入到正硅酸乙酯和氨基丙基三乙氧基硅烷的混合溶液中，搅拌，超声，调节溶液ph值至4.0～4.5，静置，之后调节溶液ph值至8.0～8.5，在水浴下进行凝胶，最后将产物进行冷冻干燥，制得改性氧化石墨烯。5.如权利要求4所述防腐防污抗静电涂料，其特征在于，至少包括以下(1)～(7)中的一项：(1)所述正硅酸乙酯和氨基丙基三乙氧基硅烷的质量比为(5～7)：(3～5)；(2)所述搅拌的转速为500-600r/min，时间为1～3h；(3)所述超声的时间为1～2h；(4)所述静置的时间为24～48h；(5)所述调节溶液ph值至4.0～4.5所选用的溶剂为冰醋酸；(6)所述调节溶液ph值至8.0～8.5所选用的溶剂为质量分数为2.5wt.％的naoh溶液；(7)所述水浴的温度为60～70℃。6.如权利要求1所述防腐防污抗静电涂料，其特征在于，至少包括以下(1)～(6)中的一项：(1)所述憎水恢复剂包括含羟基官能团的聚二甲基硅氧烷；(2)所述润湿分散剂包括磷酸酯；(3)所述消泡剂包括有机硅；(4)所述流平剂包括聚醚改性聚二甲基硅氧烷；(5)所述防沉剂包括气相二氧化硅；(6)所述固化剂包括异氰酸酯固化剂。7.一种如权利要求1～6任一所述防腐防污抗静电涂料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、甲组分的制备：
s11、称取二甲苯、憎水恢复剂，搅拌混合，再加入乙酸丁酯，持续搅拌，依次加入润湿分散剂、消泡剂和流平剂，搅拌；s12、称取丙烯酸树脂加入步骤s11的溶液中，搅拌分散，加入改性氧化石墨烯，搅拌，再加入纳米二氧化钛，搅拌，形成均匀分散液；s13、称取白色浆加入步骤s12的分散液中，搅拌，再加入防沉剂，继续搅拌，过滤，得到甲组分；s2、乙组分的制备：称取乙酸丁酯、固化剂，进行搅拌混合，制得乙组分；s3、使用时，将步骤s1制得的甲组分和步骤s2中制得的乙组分均匀混合，得到所述防腐防污抗静电涂料。8.如权利要求7所述制备方法，其特征在于，至少包括以下(1)～(3)项中的一项：(1)所述步骤s11中搅拌混合的转速为500-600r/min，时间为8～10min；(2)所述步骤s11中持续搅拌的时间为12～15min；(3)所述步骤s11中搅拌的速度为600-800r/min，搅拌时间为15～20min。9.如权利要求7所述制备方法，其特征在于，至少包括以下(1)～(2)项中的一项：(1)所述步骤s12中搅拌分散的速度为1500-1700r/min，时间为25～35min；(2)所述步骤s12中搅拌的时间均为20～25min。10.如权利要求7所述制备方法，其特征在于，至少包括以下(1)～(3)项中的一项：(1)所述步骤s13中搅拌的时间为30～35min；所述继续搅拌的时间为20～25min；(2)所述步骤s13中过滤选用的滤网为80～100目；(3)所述步骤s2中搅拌混合的转速为600-700r/min，时间为25～30min。

技术总结
本发明属于涂料技术领域，具体涉及一种防腐防污抗静电涂料及其制备方法。所述防腐防污抗静电涂料，主要由甲组分和乙组分制得，所述甲组分包括以下重量份计的组分：丙烯酸树脂52～56份、憎水恢复剂5～8份、二甲苯12～15份、乙酸丁酯15～17份、润湿分散剂0.5～1份、消泡剂0.15～0.25份、流平剂0.25～0.35份、白色浆7～8份、防沉剂0.15～0.25份、改性氧化石墨烯3～5份、纳米二氧化钛1～3份；所述乙组分包括以下重量份计的组分：固化剂45～55份、乙酸丁酯40～50份。本发明制得的防腐防污抗静电涂料具有憎水恢复性优异、抗静电效果好、防腐性能较强等的特点，且制备工艺简单。且制备工艺简单。


技术研发人员：盘思伟 赵耀洪 王青 钱艺华
受保护的技术使用者：广东电网有限责任公司电力科学研究院
技术研发日：2022.11.22
技术公布日：2023/2/3