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一种提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法与流程

2023-02-06 19:11:06 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及烧结钕铁硼磁性材料技术领域,具体为一种提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法。


背景技术:

2.随着新能源汽车、智能机器人等产业迅猛发展,烧结钕铁硼永磁材料的需求与日俱增。但是,由于烧结钕铁硼永磁材料的工作环境经常伴随一定的载荷条件,所以容易导致钕铁硼永磁材料产生裂纹,致使其设备精度与灵敏度降低,严重情况下甚至会失效,为避免这一情况发生,所以要求钕铁硼永磁材料要具备良好的机械性能,然而目前在烧结钕铁硼磁性材料技术领域中,对于这一方向的研究较少,无法提供生产中的可靠参考。因此,亟需一种提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法来解决这个问题。


技术实现要素:

3.本发明的目的在于提供一种提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法,以解决烧结钕铁硼永磁材料抗拉强度不足的问题。
4.为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法,包括以下步骤:将钕铁硼细粉与p粉在不发生化学变化的条件下,按一定比例均匀混合获得混合粉体,在磁场环境中对混合粉体取向成型,将成型坯料真空烧结后加工成所需尺寸产品。
5.在一种较优的实施方式中,混合粉体的混合条件包括:不超过40℃的低温和在惰性气氛中进行;
6.在本实施方式中较优的,低温为10~15℃,惰性气氛包括氮气、惰性气体中的任意一种或多种。
7.在一种较优的实施方式中,p粉占混合粉体的比例为2.0~6.0wt%。
8.在本实施方式中较优的,p粉占混合粉体的比例为2.4~4.0wt%。
9.优选的,真空烧结的条件为900~1000℃条件下真空烧结3~6h。
10.更优的,真空烧结的条件为910℃条件下真空烧结4h。
11.在一种较优的实施方式中,钕铁硼细粉为钕铁硼铸锭合金或速凝薄片经氢破、气流磨两道工序后制成。
12.在任一实施方式中,上述产品抗拉强度均大于450mpa。
13.与现有技术相比,本发明的有益效果是:
14.1、该提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法,在减少对钕铁硼永磁材料的磁性能影响下,通过在钕铁硼粉末中添加p(磷)元素以改善钕铁硼永磁材料的抗拉强度;由于在真空烧结过程中,烧结温度远大于磷元素熔点,因而磷粉熔融包裹于钕铁硼粉末颗粒外,不溶于钕铁硼的第二相p元素颗粒在基体中均匀分布,促进钕铁硼粉末颗粒间的相互键联以及晶粒长大,同时促进了烧结过程,提高了钕铁硼磁体烧结后的致密性,继而提高了烧结钕铁硼
磁体的抗拉强度,从而提高产品承受载荷的能力,减少因出现裂纹导致的性能受损,间接延长产品的使用寿命。
15.2、该提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法,在2.4wt%-4.0wt%这一添加范围内,磷化铁与α-fe发生共晶反应,在液相烧结过程中,物质迁移速率加快,收缩增大,经过一定时间烧结后,p元素扩散到钕铁硼颗粒内部,p元素可使烧结过程中活化能提高,并使孔隙球化和孔隙度减小,促进钕铁硼粉末晶粒长大,从而提高钕铁硼的抗拉强度,同时保持磁性能不受损耗。
16.3、该提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法,步骤简单易操作,原料易获取,且在现有的烧结钕铁硼磁性材料制备方法基础上改动极少,仅需在原料中加入磷粉并在保护环境下混匀即可,对于现有生产企业是极其容易实现的,无需更换和购置新设备,无需重新研究和制定生产方案,改进成本低廉,能够迅速投入应用。
具体实施方式
17.一种提高钕铁硼磁性材料抗拉强度的方法,包括以下步骤:
18.将钕铁硼细粉与p粉在不发生化学变化的条件下,按一定比例均匀混合获得混合粉体,其中钕铁硼细粉可以为钕铁硼铸锭合金或速凝薄片经氢破、气流磨两道工序后制成,也可为直接购买;
19.在磁场环境中对混合粉体取向成型;
20.将成型坯料真空烧结后加工成所需尺寸产品,可选的,真空烧结的条件为900~1000℃条件下真空烧结3~6h。
21.上述的混合粉体的混合条件包括:不超过40℃的低温,以及在惰性气氛中进行,以确保混合粉体仅物理混匀;进一步地,低温宜为10~25℃,最好为10~15℃,惰性气氛包括氮气、惰性气体中的任意一种或多种,例如氩气。
22.可选的,p粉占混合粉体的比例为2.0~6.0wt%,直接采用钕铁硼细粉制备的产品抗拉强度仅420mpa左右,在这一范围内,混合粉体制备的产品抗拉强度均大于450mpa;但是更优的,p粉占混合粉体的比例为2.4~4.0wt%,在这一范围内,产品不仅抗拉强度性能优异,而且磁性能基本未受影响。
23.实施例1:
24.将经过氢破、气流磨两道工序后得到的钕铁硼细粉,与p粉在低温惰性气氛下按(97.6wt%:2.4wt%)比例均匀混合,在磁场环境中对其取向成型,然后在910℃条件下真空烧结4h,风冷后得到烧结钕铁硼毛胚,然后将其进行切片,得到尺寸为60*25*2.4mm的产品。按照《gb/t3217永磁材料磁性试验方法》及《gb/t228-2002金属材料室温拉伸试验方法》中所记载的测试方法进行测试,所得数据如下:
25.[0026][0027]
实施例2:
[0028]
将经过氢破、气流磨两道工序后得到的钕铁硼细粉,与p粉在低温惰性气氛下按(96.8wt%:3.2wt%)比例均匀混合,在磁场环境中对其取向成型,然后在910℃条件下真空烧结4h,风冷后得到烧结钕铁硼毛胚,然后将其进行切片,得到尺寸为60*25*2.4mm的产品。按照《gb/t3217永磁材料磁性试验方法》及《gb/t228-2002金属材料室温拉伸试验方法》中所记载的测试方法进行测试,所得数据如下:
[0029]
序号12345剩磁(br/kgs)13.7013.7013.6813.6913.71矫顽力(hcj/koe)16.8916.9216.9016.8816.89抗拉强度(mpa)483480486481482
[0030]
实施例3:
[0031]
将经过氢破、气流磨两道工序后得到的钕铁硼细粉,与p粉在低温惰性气氛下按(96.0wt%:4.0wt%)比例均匀混合,在磁场环境中对其取向成型,然后在910℃条件下真空烧结4h,风冷后得到烧结钕铁硼毛胚,然后将其进行切片,得到尺寸为60*25*2.4mm的产品。按照《gb/t3217永磁材料磁性试验方法》及《gb/t228-2002金属材料室温拉伸试验方法》中所记载的测试方法进行测试,所得数据如下:
[0032]
序号12345剩磁(br/kgs)13.6813.6713.6813.6913.70矫顽力(hcj/koe)16.8916.9116.9316.9016.90抗拉强度(mpa)488486485488483
[0033]
实施例4:
[0034]
将经过氢破、气流磨两道工序后得到的钕铁硼细粉,与p粉在低温惰性气氛下按(95.2wt%:4.8wt%)比例均匀混合,在磁场环境中对其取向成型,然后在910℃条件下真空烧结4h,风冷后得到烧结钕铁硼毛胚,然后将其进行切片,得到尺寸为60*25*2.4mm的产品。按照《gb/t3217永磁材料磁性试验方法》及《gb/t228-2002金属材料室温拉伸试验方法》中所记载的测试方法进行测试,所得数据如下:
[0035]
序号12345剩磁(br/kgs)13.3113.3513.3313.3013.37矫顽力(hcj/koe)16.7116.7316.7016.7116.73抗拉强度(mpa)489488488490487
[0036]
实施例5:
[0037]
将经过氢破、气流磨两道工序后得到的钕铁硼细粉,与p粉在低温惰性气氛下按(94.5wt%:5.5wt%)比例均匀混合,在磁场环境中对其取向成型,然后在910℃条件下真空烧结4h,风冷后得到烧结钕铁硼毛胚,然后将其进行切片,得到尺寸为60*25*2.4mm的产品。
按照《gb/t3217永磁材料磁性试验方法》及《gb/t228-2002金属材料室温拉伸试验方法》中所记载的测试方法进行测试,所得数据如下:
[0038]
序号12345剩磁(br/kgs)13.0713.1213.0913.1113.10矫顽力(hcj/koe)16.5616.5716.6016.5516.58抗拉强度(mpa)459460455457460
[0039]
对比例:
[0040]
将经过氢破、气流磨两道工序后得到的钕铁硼细粉,在磁场环境中对其取向成型,然后在910℃条件下真空烧结4h,风冷后得到烧结钕铁硼毛胚,然后将其进行切片,得到尺寸为60*25*2.4mm的产品。按照《gb/t3217永磁材料磁性试验方法》及《gb/t228-2002金属材料室温拉伸试验方法》中所记载的测试方法进行测试,所得数据如下:
[0041]
序号12345剩磁(br/kgs)13.7913.7813.8213.7413.76矫顽力(hcj/koe)16.8716.8116.9016.9116.84抗拉强度(mpa)420424419422417
[0042]
根据对比例与实施例1-3可以看出,本发明可以保证p(磷)元素在2.4wt%~4.0wt%这一添加范围内,对钕铁硼永磁材料的磁性能几乎不存在影响,但对其抗拉强度能力提升明显。通过实施例4可以看出,相较于实施例3,虽然随着p(磷)元素含量增高,材料的抗拉强度有所增大,但是此时材料的磁性能下降明显。同时对比实施例5与实施例4可以看出,随着p(磷)元素含量进一步增高,材料的磁性能与抗拉强度均大幅下降,经分析,磁性能下降是由于随着p元素含量逐步提高,p元素颗粒逐步取代主相晶粒nd2fe
14
b导致。
[0043]
以上仅为本发明的较佳实施例,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
[0044]
本发明未详述之处,均为本技术领域技术人员的公知技术。
再多了解一些

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