一种有机电子传输材料及有机电致发光器件的制作方法

1.本公开属于显示技术领域，具体涉及一种有机电子传输材料及有机电致发光器件。


背景技术：

2.近年来，有机电致发光显示器(organic electroluminescence display，oled) 作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。oled器件由于具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，人们对于产品的分辨率要求越来越高，功耗数值要求越来越低，这促使人们开发高效率、低电压、长寿命的器件。而oled器件中的有机电子传输材料对于其性能的影响重大，到目前为止，已有大量的有机电子传输材料被公开报道，但应用于高效稳定的oled器件的电子传输材料设计，仍具有挑战性。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种有机电子传输材料及有机电致发光器件。
4.第一方面，解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种有机电子传输材料，其结构通式如下述通式(ⅰ)所示：
[0005][0006]
其中，r1、r2、r3、ar1和ar2均独立地表示为氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳烷基、经取代或未经取代的芳烯基、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的芳烷基胺基、经取代或未经取代的杂芳基胺基、经取代或未经取代的芳基胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化膦基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂环基中的任意一种；m表示r1的数量，m≥0，且m为整数，n表示r2的数量，n≥0，且n为整数，q表示r3的数量，q≥0，且q为整数。
[0007]
在一些实施例中，所述m、n和q的数量均为0～4中的任一值。
[0008]
在一些实施例中，所述r1、r2、r3、ar1和ar2中至少含有一个吸电子基，所述吸电子基包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基、砜基及其衍生物中的任意一种。
[0009]
在一些实施例中，所述r1、r2、r3、ar1和ar2中至少有一者包括如下述结构(ⅲ)：
[0010][0011]
其中，r6和r7为烷基或芳基；l独立地表示为亚环烷基、亚杂环烷基、亚环烯基、亚杂环烯基、亚芳基、亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基中的任意一种。
[0012]
在一些实施例中，所述r1、r2、r3、ar1和ar2中，相邻的基团任选地彼此结合形成环。
[0013]
在一些实施例中，所述ar1和ar2彼此结合形成环时，所述有机电子传输材料的结构通式如下述通式(ⅱ)所示：
[0014][0015]
其中，r4和r5的取代情况与r1、r2、r3、ar1和ar2相同；p表示r4的数量，p≥0，且p为整数，s表示r5的数量，s≥0，且s为整数；x为直接键、o、 s、c、n和si中的任意一种；a和b均独立地表示为取代或未取代的单环或多环的芳族环。
[0016]
在一些实施例中，所述p和s的数量均为0～4中的任一值。
[0017]
在一些实施例中，所述a和b包括取代或未取代的苯基、萘基、菲、荧蒽、芴、噻吩、呋喃基中的任意一种。
[0018]
在一些实施例中，所述r1、r2、r3、r4、r5、ar1和ar2中至少含有一个吸电子基，所述吸电子基包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基、砜基及其衍生物中的任意一种。
[0019]
在一些实施例中，所述r1、r2、r3、r4、r5、ar1和ar2中至少有一者包括如下述结构(ⅲ)：
[0020][0021]
其中，r6和r7为烷基或芳基；l独立地表示为亚环烷基、亚杂环烷基、亚环烯基、亚杂环烯基、亚芳基、亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基中的任意一种。
[0022]
第二方面，本公开实施例还提供了一种有机电致发光器件，其包括：第一电极、第二电极，和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层；所述有机功能层至少包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，以及位于所述发光层和第二电极之间的电子传输层；所述电子传输层的材料包括上述实施例中任一项所述的有机电子传输材料。
[0023]
在一些实施例中，所述发光层的材料包括芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物和金属配合物中的任意一种。
[0024]
在一些实施例中，所述有机功能层还包括位于所述第一电极和所述发光层之间的沿所述第一电极指向所述第二电极的方向上依次设置的空穴注入层和空穴传输层；其中，所述空穴注入层的材料包括无机氧化物，所述空穴传输层的材料包括芳胺类、二甲基芴和咔唑材料中的任意一种。
附图说明
[0025]
图1为本公开实施例提供的一种有机电致发光器件膜层结构示意图。
[0026]
其中附图标记为：第一电极10；第二电极20；有机功能层30；空穴注入层 hil；空穴传输层htl；电子阻挡层ebl；发光层eml；空穴阻挡层hbl；电子传输层etl；电子注入层eil。
具体实施方式
[0027]
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本公开实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本公开的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本公开的范围，而是仅仅表示本公开的选定实施例。基于本公开的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0028]
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其
和ar2均独立地表示为氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳烷基、经取代或未经取代的芳烯基、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的芳烷基胺基、经取代或未经取代的杂芳基胺基、经取代或未经取代的芳基胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化膦基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂环基中的任意一种；m 表示r1的数量，m≥0，且m为整数，n表示r2的数量，n≥0，且n为整数，q 表示r3的数量，q≥0，且q为整数。
[0039]
需要说明的是，本公开实施例中对于r1的数量m、r2的数量n、r3的数量 q均不做限制。当r1的数量m、r2的数量n、r3的数量q均为0时，即为通式 (ⅰ)中苯环结构上未有取代基团，即通式(ⅰ)中化合物为三苯并七元环结构，此结构同样具有增强分子刚性的性能。为便于描述和理解，本公开实施例中均以m、n和q的数量均取0时为例进行说明。
[0040]
本公开实施例中，具有通式(ⅰ)的化合物可以包括以下化合物1和2：
[0041]
化合物1的结构式为：
[0042][0043]
化合物2的结构式为：
[0044][0045]
需要说明的是，通式(ⅰ)的化合物的结构不限于以上的结构。
[0046]
本公开实施例中，通过采用苯并七元环结构，使分子刚性增强，有利于提升玻璃换转变温度tg，从而提升电子传输材料在蒸镀中的热稳定性，进而提升 oled器件发光效率及使用寿命。同时，由于本公开实施例中具有通式(ⅰ)的化合物的结构上的修饰位点较多，从而有利于对分子性质，例如分子的空间立体结构、homo-lumo能级、三线态能级t1等进行调整，从而更进一步提升 oled器件发光效率及使用寿命。
[0047]
在一些实施例中，m、n和q的数量均为0～4中的任一值，这样可以使得化合物的结构的复杂性增强，分子刚性增强，有利于提高电子传输材料的稳定性，从而能够提升oled器件发光效率及使用寿命。此处，m、n和q的数量可以相同，也可以不同，例如m的数量可以为1，n的数量可以为2，q的数量可以为 3。
[0048]
在一些实施例中，r1、r2、r3、ar1和ar2中至少含有一个吸电子基，吸电子基包括但不限于吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基、砜基及其衍生物中的任意一种。
[0049]
具体的，本公开实施例中通过引入吸电子基，可以增加材料极性，从而提升电子传输材料的电子注入性能，在使得载流子传输更加顺畅的同时降低oled 器件的驱动电压，进而提升oled器件的显示性能。
[0050]
在一些实施例中，r1、r2、r3、ar1和ar2中至少有一者包括如下述结构(ⅲ)：
[0051][0052]
其中，r6和r7为烷基或芳基；l独立地表示为亚环烷基、亚杂环烷基、亚环烯基、亚杂环烯基、亚芳基、亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基中的任意一种。
[0053]
具体的，本公开实施例中引入了磷氧基团，利用磷氧基团所具有的强吸电的性能，相较于普通吸电子基，可以更进一步的增加材料极性，提升电子传输材料的电子注入性能，在使得载流子传输更加顺畅的同时降低oled器件的驱动电压，进一步提升oled器件的显示性能。此外，注入强吸电基团可以搭配电子传输材料实现无喹啉锂盐(liq)电子传输膜层的构建。
[0054]
在一些实施例中，r1、r2、r3、ar1和ar2中，相邻的基团任选地彼此结合形成环。
[0055]
具体的，在本公开实施例中，r1、r2、r3、ar1和ar2中相邻的基团任选地彼此结合形成环是指，在空间内任意相邻的基团均可彼此结合形成环，例如，其可以是以平面中顺时针或逆时针为规定方向的相邻的基团彼此结合形成环，也可以是在立体空间内任一相邻的取代基团彼此结合形成环，本公开对其成环方式不做限制。
[0056]
在一些实施例中，ar1和ar2彼此结合形成环时，有机电子传输材料的结构通式如下述通式(ⅱ)所示：
[0057][0058]
其中，r4和r5的取代情况与r1、r2、r3、ar1和ar2相同；p表示r4的数量，p≥0，且p为整数，s表示r5的数量，s≥0，且s为整数；x为直接键、o、 s、c、n和si中的任意一种；a和b均独立地表示为取代或未取代的单环或多环的芳族环。
[0059]
具体的，r4和r5的取代情况与r1、r2、r3、ar1和ar2相同是指，r1、r2、 r3、r4、r5、ar1和ar2均独立地表示为氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳烷基、经取代或未经取代的芳烯基、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的芳烷基胺基、经取代或未经取代的杂芳基胺基、经取代或未经取代的芳基胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化膦基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂环基中的任意一种；其中，需要说明的是，当通式(ⅱ)中x为直接键是指，未被基团取代，即为五元环结构。
[0060]
本公开实施例中，在化合物结构通式(ⅰ)的基础上，进一步引入了螺环结构，使得分子具有立体的空间构型，这能够降低分子间作用力，从而能够避免含有该种螺环化合物的电子传输材料结晶，进而能够提升oled器件的显示性能。同时，螺环结构本身具有高三线态能级t1，具有这种结构的化合物所组成的电子传输材料也具有比较高的三线态能级t1，从而可以阻挡激子向电子传输区域进行扩散，相当于减小其湮灭，使得激子的利用率和发光效率提高，进而提高oled器件的显示性能。
[0061]
需要说明的是，a和b均独立地表示为取代或未取代的单环或多环的芳族环是指，a和b各自独立地表示为取代的单环的芳族环、未取代的单环的芳族环、取代的多环的芳族环或未取代的多环的芳族环；其中，多环意为至少为两个环。
[0062]
需要说明的是，本公开实施例中对于r4的数量p和r5的数量s均不做限制。当r4的数量p和r5的数量s均为0时，即为通式(ⅱ)中a和b上均未有取代基团。此结构同样具有立体的空间构型，这能够降低分子间作用力，从而能够避免含有该种螺环化合物的电子传输材料结晶，进而能够提升oled器件的显示性能。
[0063]
在一些实施例中，p和s的数量均为0～4中的任一值。这样可以使得化合物的结构的复杂性增强，分子刚性增强，有利于提高电子传输材料的稳定性，从而能够提升oled器件发光效率及使用寿命。此处，p和s的数量可以相同，也可以不同，例如p的数量可以为1，s的数量可以为2。
[0064]
在一些实施例中，a和b包括但不限于取代或未取代的苯基、萘基、菲、荧蒽、芴、噻吩、呋喃基中的任意一种。
[0065]
本公开实施例中，a和b各自独立地表示为下述结构式中任意一种：
[0066][0067][0068]
需要说明的是，a和b的结构不限于以上的结构，其可以根据实际情况选择合适的结构。
[0069]
在一些实施例中，r1、r2、r3、r4、r5、ar1和ar2中至少含有一个吸电子基，吸电子基包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基、砜基及其衍生物中的任意一种。
[0070]
具体的，本公开实施例中通过在化合物结构通式(ⅱ)的基础上进一步引入吸电子基，可以增加材料极性，从而提升电子传输材料的电子注入性能，在使得载流子传输更加顺畅的同时降低oled器件的驱动电压，进而提升oled 器件的显示性能。
[0071]
在一些实施例中，r1、r2、r3、r4、r5、ar1和ar2中至少有一者包括如下述结构(ⅲ)：
[0072][0073]
其中，r6和r7为烷基或芳基；l独立地表示为亚环烷基、亚杂环烷基、亚环烯基、亚杂环烯基、亚芳基、亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基中的任意一种。
[0074]
具体的，本公开实施例中在螺环化合物中引入了磷氧基团，利用磷氧基团所具有的强吸电的性能，相较于普通吸电子基，可以更进一步的增加材料极性，提升电子传输材料的电子注入性能，在使得载流子传输更加顺畅的同时降低oled器件的驱动电压，进一步提升oled器件的显示性能。此外，注入强吸电基团可以搭配电子传输材料实现无喹啉锂盐(liq)电子传输膜层的构建。
[0075]
本公开中，具有结构(ⅲ)且具有螺环结构的化合物可以包括以下化合物 3-23：
[0076]
化合物3的结构式为：
[0077][0078]
化合物4的结构式为：
[0079][0080]
化合物5的结构式为：
[0081][0082]
化合物6的结构式为：
[0083][0084]
化合物7的结构式为：
[0085][0086]
化合物8的结构式为：
[0087][0088]
化合物9的结构式为：
[0089][0090]
化合物10的结构式为：
[0091]
化合物11的结构式为：
[0092][0093]
化合物12的结构式为：
[0094][0095]
化合物13的结构式为：
[0096][0097]
化合物14的结构式为：
[0098][0099]
化合物15的结构式为：
[0100][0101]
化合物16的结构式为：
[0102][0103]
化合物17的结构式为：
[0104][0105]
化合物18的结构式为：
[0106]
[0107]
化合物19的结构式为：
[0108][0109]
化合物20的结构式为：
[0110][0111]
化合物21的结构式为：
[0112][0113]
化合物22的结构式为：
[0114]
化合物23的结构式为：
[0115][0116]
需要说明的是，具有结构(ⅲ)且具有螺环结构的化合物的结构不限于以上的结构。
[0117]
下面将以化合物3的合成实施例为例，对本公开电子传输材料的化合物的制备方法进行详细说明，但可以理解的是，本公开电子传输材料的化合物的制备方法包括但不仅限于这一个合成实施例。
[0118]
化合物3的制备方法具体包括以下步骤：
[0119]
(1)合成中间体1。
[0120]
在氮气气氛-78℃下，在500ml的圆底烧瓶中，将化合物1a(13.52g)和化合物1b(8.07g)完全溶解于200ml的四氢呋喃(thf)后，添加5g正丁基锂(n-buli)，搅拌12小时。将温度恢复至常温，将所得悬浊液抽滤，真空干燥，最终得到中间体1。
[0121][0122]
(2)合成化合物3。
[0123]
在氮气气氛-78℃下，在500ml的圆底烧瓶中，将中间体1(9.21g)和化合物 1c(4.12g，)完全溶解于200ml的四氢呋喃(thf)后，添加5g正丁基锂(n-buli)，搅拌12小时。将温度恢复至常温，加入甲醇抽滤，真空干燥，最终得到化合物 3。
[0124][0125]
需要说明的是，本公开中电子传输材料的不同种类化合物的制备方法中，可以根据实际需要对1a、1b以及反应条件做出调整，可以理解的是，当制成的中间体1不同时，所采用的1c自然不同。
[0126]
第二方面，本公开实施例还提供了一种有机电致发光器件，图1为本公开实施例提供的一种有机电致发光器件膜层结构示意图，如图1所示，其包括：第一电极10、第二电极20，和位于第一电极10和第二电极20之间的有机功能层30；有机功能层30至少包括位于第一电极10和第二电极20之间的发光层 eml，以及位于发光层eml和第二电极20之间的电子传输层etl；电子传输层etl的材料包括上述实施例中任一项的有机电子传输材料。
[0127]
具体的，本公开实施例的有机电致发光器件包括依次层叠设置的第一电极 10、有机功能层30和第二电极20；其中，有机功能层30包括发光层eml和电子传输层etl，电子传输层etl的材料包括上述实施例中任一项的有机电子传输材料。第一电极10为阳极，其可以为透明导电聚合物，例如，其可以为ito；第二电极20为阴极。
[0128]
本公开实施例的有机电致发光器件中，电子传输层etl材料的化合物中含有苯并七元环结构，相比于常见的芴结构，具有更强的分子刚性，有利于提升玻璃换转变温度tg，从而提升电子传输材料在蒸镀中的热稳定性，进而提升 oled器件发光效率及使用寿命。同时，由于电子传输层etl材料的化合物中具有通式(ⅰ)的结构上的修饰位点较多，从而有利于对分子性质，例如分子的空间立体结构、homo-lumo能级、三线态能级t1等进行调整，从而更进一步提升oled器件发光效率及使用寿命。进一步的，电子传输层etl材料的化合物中引入强吸电基团，例如磷氧基团，可以增加材料极性，进而可以提高材料电子注入性能。
[0129]
进一步的，本公开实施例中有机功能层30还包括设置在电子传输层etl靠近第二电极20的一侧的电子注入层eil，设置在电子传输层etl远离电子注入层eil一侧的空穴阻挡层hbl，以及设置在第一电极10靠近空穴阻挡层hbl 的一侧上，依次层叠的空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl。
[0130]
本公开实施例中，空穴注入层hil可以为无机的氧化物，例如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物，也可以为强吸电子体系的掺杂物，例如六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷(f4tcnq)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷等，或者还可以在空穴传输材料进行p型掺杂，空穴注入层hil的厚度可以为5nm～30nm。空穴传输层 htl的材料是具有良好的空穴传输特性的芳胺类以及二甲基芴或者咔唑材料，例如4,4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(npb)、n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基-[1,1
’‑
联苯]-4,4
’‑
二胺(tpd)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(baflp)、 4,4
’‑
双[n-(9,9-二甲基芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(dfldpbi)、4,4
’‑
二(9-咔唑基) 联苯(cbp)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(pczpa)等，空穴传输层 htl的厚度可以为100nm～2000nm。电子阻挡层ebl，即发光辅助层，其材料是具有良好的空穴传输特性的芳胺类或者咔唑类材料，如cbp、pczpa等，电子阻挡层ebl的厚度可以为5nm～100nm。
[0131]
发光层eml的主体材料可以包含一种材料，也可以包含两种以上的混合材料，其中蓝色发光材料可以选自芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等。例如n1,n6-二([1,1
’‑
联苯]-2-基)-n1,n6-二 ([1,1
’‑
联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(madn)、2,5,8,11-四叔丁基苝(tbpe)、4,4
’‑
二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯 (bdav bi)、4,4
’‑
二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(dpavbi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-c2,n)吡啶甲酰合铱(firpic),发光层eml
的厚度可以为20nm～100nm。
[0132]
空穴阻挡层hbl以及电子传输层etl一般为芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物) 等。2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(oxd-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4
‑ꢀ
三唑(taz)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-ettaz)、红菲咯啉(bphen)、(bcp)、4,4
’‑
双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(bzos)等。其中，电子传输层etl也可以包括本技术的电子传输材料。空穴阻挡层hbl的厚度可以为5nm～100nm，电子传输层etl的厚度可以为20nm～100nm。电子注入层eil 一般为碱金属或者金属，例如lif、yb、mg、ca或者他们的化合物等。电子注入层eil的厚度可以为1nm～10nm。
[0133]
本公开实施例中上述提及的各膜层材料，其中部分化合物结构式如下：
[0134][0135][0136]
以图1中有机电致发光器件为例，对其制备过程进行具体说明：
[0137]
(1)将带有ito的玻璃板在清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份。
[0138]
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1
×
10-5
～1
×
10-6
，在上
述阳极层膜上以97:3的比例真空蒸镀m-mtdata和f4tcnq，形成空穴注入层hil。
[0139]
(3)在空穴注入层hil上蒸镀m-mtdata，形成空穴传输层htl。
[0140]
(4)在电子阻挡层ebl远离空穴传输层htl的一侧真空蒸镀发光材料，形成发光层eml。发光层eml包括主体材料和客体材料，可以利用多源共蒸的方法，主体材料和客体材料的重量比为90:10，主体材料为cbp，客体材料为 ir(pyy)3。
[0141]
(5)在发光层eml远离电子阻挡层ebl的一侧真空蒸镀空穴阻挡材料，形成空穴阻挡层hbl。在发光层eml远离电子阻挡层ebl的一侧真空蒸镀 tpbi，形成器件的空穴阻挡层hbl。
[0142]
(6)在空穴阻挡层hbl远离发光层eml的一侧真空蒸镀电子传输材料，形成电子传输层etl。需要说明的是，在形成电子传输层etl时，可以采用本公开中的电子传输层etl材料，而现有技术中常采用在空穴阻挡层hbl远离发光层eml的一侧双源共蒸bcp和liq，且质量比为1:1，以形成器件的电子传输层etl。
[0143]
(7)在电子传输层etl远离空穴阻挡层hbl的一侧真空蒸镀厚度1nm的 yb作为电子注入材料，形成电子注入层eil。
[0144]
(8)在电子注入层eil远离电子传输层etl的一侧双源共蒸mg和al，质量比为8:2，形成器件的阴极。
[0145]
(9)在阴极上蒸镀cpl材料，厚度60nm。(图中未示出)
[0146]
其中，该有机电致发光器件的各膜层厚度可以为：空穴注入层hil10nm，空穴传输层htl100nm；电子阻挡层ebl35nm；发光层eml20nm；空穴阻挡层hbl5nm；电子传输层etl30nm；电子注入层eil1nm。
[0147]
下面采用差示扫描量热仪(differential scanning calorimetry，dsc)为测量仪器，测试气氛为氮气，升温速率为为10℃/min，温度范围为50～300℃；对对比化合物bcp、化合物2-4、化合物7、化合物11、化合物13、化合物20和化合物23测试玻璃化转变温度tg；测试结果如表1所示。
[0148]
etl tg(℃) bcp 101 化合物2 118 化合物3 113 化合物4 125 化合物7 119 化合物11 126 化合物13 122 化合物20 114 化合物23 117 [0149]
表1
[0150]
通过表1可知，本公开实施例中的电子传输材料具有更高的玻璃化转变温度，也即本公开实施例中的电子传输材料在蒸镀中的热稳定性更好，从而有利于提高有机电致发光器件的发光效率及使用寿命。
[0151]
下面在固定的电流密度下测量采用下述九种化合物作为电子传输层etl材料的有
机电致发光器件的器件性能；其中，测试的性能包括驱动电压、发光效率及使用寿命，对比例1中所采用的化合物bcp，实施例1的发光器件中的电子传输材料包括化合物2；实施例2的发光器件中的电子传输层etl材料括化合物3；实施例3的发光器件中的电子传输材料包括化合物4；实施例4的发光器件中的电子传输材料包括化合物7；实施例5的发光器件中的电子传输材料包括化合物11；实施例6的发光器件中的电子传输材料包括化合物13；实施例 7的发光器件中的电子传输材料包括化合物20；实施例8的发光器件中的电子传输材料包括化合物23；测试结果如表2所示。
[0152]
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etl 驱动电压(％) 发光效率(％) 使用寿命(％) 对比例1 bcp 100％ 100％ 100％ 实施例1 化合物2 98.9％ 104.9％ 108.7％ 实施例2 化合物3 99.3％ 104.2％ 106.6％ 实施例3 化合物4 97.2％ 109.9％ 101.9％ 实施例4 化合物7 101.8％ 100.7％ 109.3％ 实施例5 化合物11 100.4％ 103.5％ 105.2％ 实施例6 化合物13 99.4％ 106.4％ 107.6％ 实施例7 化合物20 96.0％ 107.4％ 102.8％ 实施例8 化合物23 98.1％ 107.2％ 101.4％ [0153]
表2
[0154]
通过表2可知，实施例1至实施例3，实施例6至实施例8的驱动电压均比对比例1的驱动电压低，这是因为电子传输层etl中含有本公开实施例中的化合物，其中具有强吸电子基，且结构都具有较高的三线态能级t1，从而提升电子传输材料的电子注入性能，在使得载流子传输更加顺畅的同时降低oled器件的驱动电压，进而提升oled器件的显示性能。而实施例4和5中虽然驱动电压相比较对比例1的驱动电压稍高，但二者发光效率和使用寿命的提升相比较对比例1和其余实施例也更为显著。总之，本公开实施例中的电子传输材料具有较高的玻璃化转变温度tg，有利于提高电子传输材料的稳定性，进而提升发光器件的发光效率和使用寿命。
[0155]
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。