一种改善衬底片外延后硅渣的方法与流程

技术特征：
1.一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：包括背封步骤以及外延步骤；背封步骤中，控制多晶温度在600℃至650℃，采用硅烷作为原材料，在多晶温度下硅烷分解沉淀，籍以形成多晶膜；经过多晶步骤背封后的衬底硅片，经过抛光后，进入外延步骤。2.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：多晶温度为600℃，抛光后的平整度在2.74～6.05μm之间，翘曲度在70.48～81.34之间，弯曲度在-36.31～-32.17之间。3.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：多晶温度为640℃，抛光后的平整度在4.01～6.33μm之间，翘曲度在38.33～48.84之间，弯曲度在-21.96～-17.71之间。4.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：多晶温度为650℃，抛光后的平整度在2.5～7.4μm之间，翘曲度在20.56～29.37之间，弯曲度在-13.29～-9.26之间。5.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：多晶温度为650℃，抛光后的平整度在2.67～8.47μm之间，翘曲度在10.82～16.78之间，弯曲度在-7.03～-4.15之间。6.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：多晶膜厚固定7.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：背封步骤中还包括用于生成二氧化硅背封膜的步骤，背封膜的厚度为8.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：背封步骤，形成多晶膜中，硅烷的通入流量为：300slm，生长时间：50min，生长厚度9.根据权利要求1所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：外延采用型号为lpe-3061d型的常压平板式外延炉，外延炉基座转速控制在5.0r/min。10.根据权利要求1或9所述的一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：外延步骤包括如下：(1)利用氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀，去除基座上的沉积物，温度设定为1060℃，氯化氢气体流量设定为35slm，刻蚀时间设定为10min；(2)向外延炉基座片坑内装入衬底片；(3)进行本征外延层的生长，采用三氯氢硅在衬底上生长本征外延层，阻止重掺衬底杂质的溢出，本征层生长温度设定为1060℃，用氢气输送气态三氯氢硅进入反应腔室，氢气流量控制在150slm，三氯氢硅流量设定为20slm，生长速率控制在2.25μm/min。(4)进行掺杂外延层的生长，生长温度设定为1060℃。用氢气输送气态三氯氢硅和磷烷掺杂剂进入反应腔室，氢气流量控制在150slm，三氯氢硅流量设定为20slm，磷烷流量设定为147sccm，外延层生长速率控制在2.25μm/min。(5)外延层生长达到预定厚度后开始降温，将氢气和氮气流量设定为150slm，依次吹扫外延炉反应腔室8分钟，然后将外延片从基座上取出。

技术总结
本发明公开了一种改善衬底片外延后硅渣的方法，包括背封步骤以及外延步骤；背封步骤中，控制多晶温度在600℃至650℃，采用硅烷作为原材料，在多晶温度下硅烷分解沉淀，籍以形成多晶膜；经过多晶步骤背封后的衬底硅片，经过抛光后，进入外延步骤。本发明调整多晶背封步骤中的多晶温度，来控制衬底片形成多晶膜后的物理特性，从而改善衬底片外延后的背面硅渣问题。问题。问题。


技术研发人员：封彦朋 赵世印 叶民强 王民安 汪建华 吴海军 胡夏芳 张曈曈
受保护的技术使用者：黄山芯微电子股份有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2023/1/31