嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器

技术特征：
1.一种嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：包括下二氧化硅保护层、以及设置于所述下二氧化硅保护层上的硅基体和外围电极，所述硅基体包括基体部分和嵌套部分，所述基体部分的横截面与所述下二氧化硅保护层的相同，所述嵌套部分内嵌在外围电极内，所述外围电极内侧的所述下二氧化硅保护层上设有中心电极，所述中心电极与所述外围电极之间、以及所述嵌套部分与所述外围电极之间均填充有隔离硅体，所述外围电极和所述中心电极的顶部均设有电极接触层，所述电极接触层上设有电极接触端口，所述隔离硅体顶部设有上二氧化硅保护层，所述隔离硅体顶端由凸台与凹槽相间呈回字型排列。2.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述隔离硅体的宽度为50μm，所述的凸台的高度和宽度均为10μm，所述凹槽的深度和宽度均为10μm。3.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器的高度为300-500μm。4.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述的外围电极为中空的直四棱柱状的外围电极；所述外围电极为n

重掺杂磷硅或p

重掺杂硼硅，所述外围电极的宽度为10μm，掺杂浓度为10
19
cm-3
。5.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述中心电极为半径等于5μm的圆柱形，高度为300μm，所述中心电极为p

重掺杂硼硅或n

重掺杂磷硅，掺杂浓度为10
19
cm-3
。6.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述嵌套部分的高度为30-50μm；所述嵌套部分的横截面为圆形。7.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述电极接触层的厚度为1μm；所述电极接触层为铝层。8.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述下二氧化硅保护层的厚度为1μm，所述下二氧化硅保护层为横截面为四边形的二氧化硅保护层。9.根据权利要求1所述的嵌套式x射线三维沟槽电极硅探测器，其特征在于：所述基体部分为p型硅基体，所述p型硅基体为p型轻掺杂硼硅，掺杂浓度为10
12
cm-3
。

技术总结
本发明公开了一种嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器，属于光电探测器技术领域。本发明的嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器包括下二氧化硅保护层、硅基体、外围电极、中心电极、电极接触层和隔离硅体；所述硅基体包括基体部分和嵌套部分；所述隔离硅体的顶端由凸台与凹槽相间回字型排列结构，具有显著增加顶部接收表面积的效果，对比可知新型嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器方波状凸起表面积增加后远大于原探测器的二倍，从而证明新型嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器对X射线的有效吸收和利用。用。用。


技术研发人员：刘美萍 唐勇 宋俊
受保护的技术使用者：黄淮学院
技术研发日：2022.08.16
技术公布日：2022/12/12