一种芯片转移装置及方法与流程

1.本公开涉及芯片转移技术领域，尤其涉及一种芯片转移装置及方法。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，led)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小等特点，透过不同材料组合及生产方式，可发出不同颜色的光，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域。
3.目前led的制作尺寸具有越来越小型化的趋势。尤其是微型发光二极管(micro light emitting diode，micro led)技术或次毫米发光二极管(mini light emitting diode，mini led)技术，指的是在一个衬底上集成的高密度微小尺寸的led阵列，因其体积小、耗电量小、产品寿命长等优点，日益受到瞩目。其中，如何实现将大量的发光二极管芯片转移到驱动基板上成为目前芯片转移技术领域的重要的技术难点。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本公开提供了一种芯片转移装置及方法。
5.本公开提供了一种芯片转移装置，包括固定设置的第一基板和第二基板；
6.所述第一基板上设置有磁力装置；所述磁力装置位于在所述第一基板与所述第二基板之间；
7.所述第二基板背离所述磁力装置的表面用于吸附包括磁性单元的待转移芯片；
8.所述磁力装置包括导线和多个磁芯；所述导线围绕所述磁芯设置；
9.所述磁芯与所述待转移芯片一一对应设置；
10.所述磁芯用于所述导线通电后提供磁力，将所述待转移芯片固定设置在所述第二基板背离所述磁力装置的表面。
11.在一些实施例中，所述第二基板可拆卸固定设置在所述第一基板上。
12.在一些实施例中，所述导线包括多个环形结构，每个所述环形结构中设置有一个所述磁芯。
13.在一些实施例中，所述磁力装置包括多条所述导线；围绕同一个所述磁芯设置的不同所述导线的电流方向相同。
14.在一些实施例中，所述导线的宽度大于等于2微米。
15.在一些实施例中，所述磁芯与所述磁性单元一一对应设置，所述磁芯的结构与所述磁性单元的结构相同。
16.本公开提供了一种针对本公开提供的装置的芯片转移方法，包括：
17.在所述第一基板上形成所述磁力装置；
18.将所述第二基板固定设置在所述第一基板上；
19.其中，所述第一基板上设置有磁力装置；所述磁力装置位于在所述第一基板与所述第二基板之间；
20.所述第二基板背离所述磁力装置的表面用于吸附包括磁性单元的待转移芯片；
21.所述磁力装置包括导线和多个磁芯；所述导线围绕所述磁芯设置；
22.所述磁芯与所述待转移芯片一一对应设置；
23.所述磁芯用于所述导线通电后提供磁力，将所述待转移芯片固定设置在所述第二基板背离所述磁力装置的表面。
24.在一些实施例中，所述在所述第一基板上形成所述磁力装置，包括：
25.在所述第一基板上形成导体层；
26.蚀刻所述导体层形成所述导线；
27.在所述第一基板上形成所述磁芯。
28.本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
29.本公开实施例提供的技术方案，待转移芯片上设置有磁性单元，由于导线围绕磁芯设置，磁力装置用于当导线通电后，导线的周围会产生磁场，该磁场能够使磁芯磁化，并产生电磁吸力，吸引待转移芯片上设置的磁性单元，使待转移芯片固定设置在第二基板背离磁力装置的表面。其中，磁力装置中的磁芯与待转移芯片中的磁性单元之间的磁力可以对待转移芯片提供一个引导力，引导待转移芯片准确的掉落在第二基板指定的位置处，同时还可以防止待转移芯片发生翻转或者平移。该芯片转移装置可以应用于批量式转移led芯片的场合，不仅能够提高转移效率，还可以降低成本，且结构简单容易实现。
30.且现有的芯片转移装置例如通过磁铁向待转移芯片上设置的磁性单元提供磁力作用，然而通过磁铁虽然可以向待转移芯片提供引导力，但是无法实现对待转移芯片的磁力大小的改变及控制，磁铁只能向待转移芯片提供固定的磁力，继而无法提高芯片转移的位移误差的控制精度。而本公开实施例提供的技术方案，可以通过在芯片转移装置上设置磁力装置，该磁力装置可以实现像素级的电磁铁阵列排布，并与待转移芯片一一对应设置。不仅可以引导芯片准直落到指定位置,还可以通过改变磁力装置中的电流的大小以调整磁力装置向待转移芯片提供的磁力大小，从而能够更精确的控制芯片掉落在临时基板时位移误差，提高对芯片转移的控制精度。
附图说明
31.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
32.为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1为本公开实施例提供的一种芯片转移装置的结构示意图；
34.图2为本公开实施例提供的一种第一基板的结构示意图；
35.图3为本公开实施例提供的又一种第一基板的结构示意图；
36.图4为本公开实施例提供的又一种第一基板的结构示意图；
37.图5为本公开实施例提供的一种芯片转移方法的流程示意图；
38.图6a-图6c为本公开实施例提供的一种第一基板制备方法的流程示意图；
39.图7为本公开实施例提供的又一种第一基板的结构示意图。
具体实施方式
40.为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
41.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
42.目前，led芯片的制作尺寸具有越来越小型化的趋势，例如，micro led或mini led是将传统的led结构通过微缩制程技术进行微小化、阵列化和薄膜化。micro led或mini led显示的主要制造工艺包括三个步骤：预制大量微尺寸的led晶粒，制造驱动基板，通过巨量转移技术将led晶粒一一安装到驱动基板的预定位置上。
43.然而，在led工艺制程中，led晶粒制作工艺结束后，通常面临着把数百万甚至数千万颗的led晶粒精确且高效的转移到驱动基板上，例如，在micro led或mini led的生产中，需要把数百万甚至数千万颗微尺寸的led晶粒精确且高效的转移到驱动基板上，转移良率需达到99.9999％，以一个4k电视的显示面板为例，可能需要转移的led晶粒高达2400万颗，这样即使一次转移1万颗led晶粒，也需要重复2400次。通常采用巨量转移(mass transfer)技术对led晶粒进行大批量的高效转移。巨量转移技术是将形成在晶圆衬底上的led芯片，如micro led芯片或mini led芯片，批量式转移到驱动基板上的技术。鉴于巨量转移技术的重要性，如何实现工艺复杂度较低、成本较低且转移效率较高的巨量转移的技术方案是目前的主要技术难点。
44.图1为本公开实施例提供的一种芯片转移装置的结构示意图，如图1所示，该芯片转移装置包括固定设置的第一基板1和第二基板2。第一基板1上设置有磁力装置。磁力装置位于在第一基板1与第二基板2之间。即磁力装置位于第一基板1的上方，以及磁力装置位于第二基板2的下方。第二基板2背离磁力装置的表面用于吸附包括磁性单元的待转移芯片。磁力装置包括导线11和多个磁芯12。导线11围绕磁芯12设置。磁芯12与待转移芯片一一对应设置。磁芯12用于导线11通电后提供磁力，将待转移芯片固定设置在第二基板2背离磁力装置的表面。即待转移芯片上设置有磁性单元，由于导线11围绕磁芯12设置，磁力装置用于当导线11通电后，导线11的周围会产生磁场，该磁场能够使磁芯12磁化，并产生电磁吸力，吸引待转移芯片上设置的磁性单元，使待转移芯片固定设置在第二基板2背离磁力装置的表面。
45.通常当在制备芯片时，芯片生长阵列的衬底上形成有阵列排布的待转移芯片。待转移芯片需要进行去衬底与转移后，最终与驱动基板上设置的薄膜晶体管进行电连接。一般去除芯片生长阵列中的衬底后待转移芯片会设置在第一转移基板上，设置在第一转移基板上的待转移芯片上的电极与第一转移基板接触设置。然后将第一转移基板上设置的待转移芯片，从第一转移基板上剥离转移至第二转移基板上，使得待转移芯片上的电极背离第二转移基板的表面设置，即使得设置在第二转移基板上的待转移芯片的电极裸露出来，便于后续将第二转移基板上设置的待转移芯片能够与驱动基板上设置的薄膜晶体管进行电连接。
46.示例性地，micro led或mini led芯片在制作时需要将led晶粒(led wafer)利用
激光剥离技术，将待转移芯片转移至第一转移基板上。激光剥离技术是利用激光能量分解gan/蓝宝石接口处的gan缓冲层，从而实现led晶粒从芯片生长阵列的衬底上分离，芯片生长阵列的衬底例如可以是蓝宝石基板。因而，采用激光照射led晶粒，激光与芯片生长阵列的衬底发生反应后可使led待转移芯片剥离。然而当激光照射led晶粒时，激光与芯片生长阵列的衬底间发生作用后，当待转移芯片掉落时，由于待转移芯片没有初始的引导力，很容易受周围环境或镭射影响造成待转移芯片翻转或平移，使得led待转移芯片无法准确掉落在第一转移基板指定位置上。而本公开实施例提供的技术方案，待转移芯片上设置有磁性单元，由于导线围绕磁芯设置，磁力装置用于当导线通电后，导线的周围会产生磁场，该磁场能够使磁芯磁化，并产生电磁吸力，吸引待转移芯片上设置的磁性单元，使待转移芯片固定设置在第二基板背离磁力装置的表面。其中，磁力装置中的磁芯与待转移芯片中的磁性单元之间的磁力可以对待转移芯片提供一个引导力，引导待转移芯片准确的掉落在第二基板指定的位置处，同时还可以防止待转移芯片发生翻转或者平移。该芯片转移装置可以应用于批量式转移led芯片的场合，不仅能够提高转移效率，还可以降低成本，且结构简单容易实现。
47.且现有的芯片转移装置例如通过磁铁向待转移芯片上设置的磁性单元提供磁力作用，然而通过磁铁虽然可以向待转移芯片提供引导力，但是无法实现对待转移芯片的磁力大小的改变及控制，磁铁只能向待转移芯片提供固定大小的磁力，继而无法提高芯片转移的位移误差的控制精度。而本公开实施例提供的技术方案，可以通过在芯片转移装置上设置磁力装置，该磁力装置可以实现像素级的电磁铁阵列排布，并与待转移芯片一一对应设置。不仅可以引导芯片准直落到指定位置,还可以通过改变磁力装置中的电流的大小以调整磁力装置向待转移芯片提供的磁力大小，从而能够更精确的控制芯片掉落在临时基板时位移误差，提高对芯片转移的控制精度。
48.在一些实施例中，第二基板背离磁力装置的表面用于吸附包括磁性单元的待转移芯片。因此，第二基板可以作为第一转移基板，用于承载从芯片生长阵列上转移剥离的待转移芯片。或者，第二基板也可以作为第二转移基板使用，用于承载从第一转移基板上转移剥离的待转移芯片。这样有效的扩大了芯片转移装置的应用范围。
49.在一些实施例中，第二基板可拆卸固定设置在第一基板上。这样随时更换第二基板，使得第一基板可以进行重复使用。例如在进行芯片制作的过程中，若当前的第二基板已经吸附了从芯片生长阵列剥离转移的待转移芯片，则可以将第一基板与第二基板分离开。第二基板上放置着待转移芯片，单独进行下一步工艺流程。该第一基板可以固定设置在芯片制作设备上，此时可以在第一基板上放置一个临时基板，继续向芯片生长阵列上剥离转移的待转移芯片提供磁力，将待转移芯片吸附固定在临时基板上。这样可以有效的提高了芯片转移的效率，且结构简单容易实现。
50.图2为本公开实施例提供的一种第一基板的结构示意图，如图2所示，该磁力装置包括多条导线。每条导线围绕磁芯设置。当导线通电后，导线的周围会产生磁场，该磁场能够使磁芯磁化，并产生电磁吸力，吸引待转移芯片上设置的磁性单元，使待转移芯片固定设置在第二基板背离磁力装置的表面。
51.本公开实施例提供的技术方案，通过在磁力装置中设置多条导线，可以根据磁芯在第一基板上的位置及结构对导线的数量以及位置进行调整，使得导线的数量及位置能够
和磁芯的结构进行匹配，提高了磁力装置的结构设计的灵活性，进而可以提高磁力装置结构设计的多样性。
52.在一些实施例中，图3为本公开实施例提供的一种第一基板的结构示意图，如图3所示，该磁力装置包括一条导线，该导线围绕磁力装置中的所有磁芯设置。本公开实施例提供的技术方案，通过在磁力装置中设置一条导线，同样可以实现磁力装置中的磁芯与待转移芯片中的磁性单元之间产生磁力，并对待转移芯片提供一个引导力，引导待转移芯片准确的掉落在第二基板指定的位置处，同时还可以有效防止待转移芯片发生翻转或者平移。这样可以提高磁力装置结构设计的多样性。
53.在一些实施例中，围绕同一个磁芯设置的不同导线的电流方向相同。
54.其中，电流方向为正电荷定向移动的方向。由于磁芯提供的磁力的大小可以通过调整输入导线的电流的强弱，以及环绕磁芯的导线的数量来控制。因此同一个磁芯周围可以围绕有多条不同的导线，这样可以同增加环绕磁芯的导线的数量来增强磁芯所提供的磁力的大小。但由于磁芯产生的磁极可以由电流的方向来控制，导线中输入的电流的方向不同，则导线产生的磁极也不同。若导线中输入的电流的方向相同，则导线产生的磁极相同。因此围绕同一个磁芯设置的不同导线的电流方向相同，这样可以通过增加环绕磁芯的导线的数量来增强磁芯所提供的磁力的大小，同时又避免由于围绕同一个磁芯设置的不同导线的电流方向不同，而导致磁场抵消的情况发生。当待转移芯片上设置的磁性单元有为极性之分时，例如可是南极或者北极，这样可以通过调整磁力装置内导线的电流方向，以调节磁力装置能够提供的磁力的极性为南极或者北极。当磁力装置的极性与磁性单元的极性相同时，磁力装置与磁性单元之间会相互排斥。当磁力装置的极性与磁性单元的极性不同时，磁力装置与磁性单元之间会相互吸引。因而可以结合待转移芯片上设置的磁性单元的极性，并根据实际待转移芯片的转移需求，通过调整磁力装置内导线的电流方向来调整磁力装置的极性，这样提高了磁力装置使用功能的多样性。
55.图4为本公开实施例提供的又一种第一基板的结构示意图，如图4所示，图4中的箭头方向代表导线11中电流的方向，从图4可以看出，围绕同一个磁芯12设置的不同导线11的电流方向相同。
56.本公开实施例提供的技术方案，围绕同一个磁芯设置的不同导线的电流方向相同。这样可以有效的增强磁芯产生的磁力大小，继而可以增强磁芯与待转移芯片中的磁性单元之间的磁力大小，向待转移芯片提供较强的引导力，引导待转移芯片准确的掉落在第二基板指定的位置处，防止待转移芯片发生翻转或者平移。不仅能够提高转移效率，还可以降低成本，且结构简单容易实现。
57.在一些实施例中，围绕不同磁芯设置的不同导线的电流方向相同或者不同。
58.如图2所示，图2中的箭头方向代表导线中电流的方向，从图2可以看出，围绕不同磁芯12设置的不同导线11的电流方向可以相同或者不同。由于输入不同电流方向的导线围绕不同的磁芯设置，这样不会出现由于电流方向不同而导致磁场抵消的情况发生，因此围绕不同磁芯设置的不同导线的电流方向相同或者不同。
59.本公开实施例提供的技术方案，围绕不同磁芯设置的不同导线的电流方向相同或者不同。导线的电流方向可以根据不同的芯片转移装置的设计需求进行设定，提高了芯片转移装置结构设计的多样性。
60.在一些实施例中，如图2所示，导线11例如包括多个环形结构，每个环形结构中设置有一个磁芯12。这样可以提供多种磁力装置的结构设计方式，提供了磁力装置结构设置的多样性，且结构简单，容易实现。
61.在一些实施例中，导线的形状例如可以曲线，如图3和图4所示的结构，导线11的形状为曲线，围绕着磁芯12设置。
62.其中，导线的形状可以是本领域技术人员所知的能够环绕磁芯设置的任意结构，本公开对此不限定。
63.在一些实施例中，导线的数量以实际磁力装置的结构设计需求进行设定，本公开对此不限定。
64.在一些实施例中，导线的宽度大于等于2微米。这样可以确保导线在通电后可以产生磁芯磁化所需的磁场，确保磁芯磁化后可以向待转移芯片提供足够的吸引力，确保待转移芯片能够准确的掉落在第二基板指定的位置处，同时还可以避免待转移芯片发生翻转或者平移。
65.在一些实施例中，磁芯与磁性单元一一对应设置，磁芯的结构与磁性单元的结构相同。
66.由于磁芯的位置与磁性单元一一对应设置，此时若磁芯的结构与磁性单元的结构相同，这样可以使得磁芯向待转移芯片提供的磁力能够更加均匀，避免由于吸引力大小不均匀而导致待转移芯片发生翻转或者平移的问题。同时，磁芯与磁性单元一一对应设置，这样可以确保待转移芯片能够掉落至第二基板上的指定位置处，确保待转移芯片在第二基板上设置的位置的准确性。
67.在一些实施例中，待转移芯片上设置的磁性单元例如可以是待转移芯片的阳极和/或阴极，该阳极和/或阴极为磁性电极，这样无需改变待转移芯片原有的结构，就可以实现待转移芯片与磁芯之间的磁力作用，简化了待转移芯片结构设计的复杂性。
68.可选地，当待转移芯片的阳极和阴极均为磁性电极时，阳极和阴极的厚度相同，这样可以避免由于当阳极与阴极金属厚度不一致时，造成的待转移芯片与磁力装置之间的磁力大小不一致，而出现芯片翻转的问题。
69.在一些实施例中，待转移芯片上设置的磁性单元例如可以与待转移芯片上的电极同层设置。这样不会限制电极材料的选择范围，例如只能选择磁性电极材料。同时可以通过将待转移芯片上不同位置的磁性单元的厚度设定为相同的数值，并且磁芯的结构与磁性单元的结构相同。这样可以使得磁芯向待转移芯片提供的磁力能够更加均匀，即待转移芯片上不同位置受到的吸引力更加均匀，避免由于吸引力大小不均匀而导致待转移芯片发生翻转或者平移的问题。同时还可以提高待转移芯片结构设计的多样性。
70.本公开实施例还提供一种针对本公开实施例提供的装置的芯片转移方法，图5为本公开实施例提供的一种芯片转移方法的流程示意图，如图5所示，该芯片转移方法包括如下步骤：
71.步骤110：在第一基板上形成磁力装置。
72.步骤210：将第二基板固定设置在第一基板上。
73.其中，参考图1所示的结构，第一基板1上设置有磁力装置。磁力装置位于在第一基板1与第二基板2之间。第二基板2背离磁力装置的表面用于吸附包括磁性单元的待转移芯
片。磁力装置包括导线11和多个磁芯12。导线11围绕磁芯12设置。磁芯12与待转移芯片一一对应设置。磁芯12用于导线11通电后提供磁力，将待转移芯片固定设置在第二基板2背离磁力装置的表面。
74.通常当在制备芯片时，芯片生长阵列的衬底上形成有阵列排布的待转移芯片。待转移芯片需要进行去衬底与转移后，最终与驱动基板上设置的薄膜晶体管进行电连接。一般去除芯片生长阵列中的衬底后待转移芯片会设置在第一转移基板上，设置在第一转移基板上的待转移芯片上的电极与第一转移基板接触设置。然后将第一转移基板上设置的待转移芯片，从第一转移基板上剥离转移至第二转移基板上，使得待转移芯片上的电极背离第二转移基板的表面设置，即使得设置在第二转移基板上的待转移芯片的电极裸露出来，便于后续将第二转移基板上设置的待转移芯片能够与驱动基板上设置的薄膜晶体管进行电连接。
75.示例性地，micro led或mini led芯片在制作时需要将led晶粒(led wafer)利用激光剥离技术，将待转移芯片转移至第一转移基板上。激光剥离技术是利用激光能量分解gan/蓝宝石接口处的gan缓冲层，从而实现led晶粒从芯片生长阵列的衬底上分离，芯片生长阵列的衬底例如可以是蓝宝石基板。因而，采用激光照射led晶粒，激光与芯片生长阵列的衬底发生反应后可使led待转移芯片剥离。然而当激光照射led晶粒时，激光与芯片生长阵列的衬底间发生作用后，当待转移芯片掉落时，由于待转移芯片没有初始的引导力，很容易受周围环境或镭射影响造成待转移芯片翻转或平移，使得led待转移芯片无法准确掉落在第一转移基板指定位置上。而本公开实施例提供的技术方案，待转移芯片上设置有磁性单元，由于导线围绕磁芯设置，磁力装置用于当导线通电后，导线的周围会产生磁场，该磁场能够使磁芯磁化，并产生电磁吸力，吸引待转移芯片上设置的磁性单元，使待转移芯片固定设置在第二基板背离磁力装置的表面。其中，磁力装置中的磁芯与待转移芯片中的磁性单元之间的磁力可以对待转移芯片提供一个引导力，引导待转移芯片准确的掉落在第二基板指定的位置处，同时还可以防止待转移芯片发生翻转或者平移。该芯片转移方法可以应用于批量式转移led芯片的场合，不仅能够提高转移效率，还可以降低成本，且方法简单容易实现。
76.在一些实施例中，第二基板背离磁力装置的表面用于吸附包括磁性单元的待转移芯片。因此，第二基板可以作为第一转移基板，用于承载从芯片生长阵列上转移剥离的待转移芯片。或者，第二基板也可以作为第二转移基板使用，用于承载从第一转移基板上转移剥离的待转移芯片。这样有效的扩大了芯片转移方法的应用范围。
77.图6a-图6c为本公开实施例提供的一种第一基板制备方法的流程示意图，如图6a-图6c所示，步骤110：在第一基板上形成磁力装置，例如包括：
78.如图6a所示，在第一基板1上形成导体层3。
79.如图6b所示，蚀刻导体层3形成导线11。
80.如图6c所示，在第一基板1上形成磁芯12。
81.可选地，该导体层3例如可以是导电层。该导体层3的材料例如可以是金属材料。
82.在一些实施例中，步骤：在第一基板1上形成导体层3。例如可以采用金属蒸镀的工艺，将导体层蒸镀在第一基板上。
83.在一些实施例中，步骤：蚀刻导体层3形成导线11。例如可以采用黄光制程工艺形
成导线。该黄光制程工艺流程包括：在导线上形成光敏性材料层，该光敏性材料层例如可以是光刻胶材料层或者光阻材料层。对该光敏性材料层进行曝光、显影后，蚀刻脱模后形成导线。
84.具体地，光刻胶材料层可以包括丙二醇甲醚醋酸酯(pma)等能通过显影去除掉的材料。光阻材料层中的光阻是利用材料光化学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降解反应，使光阻性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。
85.在一些实施例中，显影液可以包含低浓度的无机碱，如氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠或碳酸氢钾等，或者，可以包含低浓度有机碱，如胺类化合物(如四甲基氢氧化铵、甲醇钠、乙醇钾等)、碱金属盐类或烷基金属锂化合物等。本公开实施例对此不作限定。
86.本公开实施例提供的技术方案，通过在第一基板上形成导线和磁芯，以制备磁力装置，方法简单容易实现。
87.图7为本公开实施例提供的又一种第一基板的结构示意图，如图7所示，第一基板1上设置有绝缘层4，在绝缘层4上设置有磁力装置。磁力装置包括导线11和多个磁芯12。导线11围绕磁芯12设置。磁芯12与待转移芯片一一对应设置。磁芯12用于导线11通电后提供磁力，将待转移芯片固定设置在第二基板2背离磁力装置的表面。即待转移芯片上设置有磁性单元，由于导线11围绕磁芯12设置，磁力装置用于当导线11通电后，导线11的周围会产生磁场，该磁场能够使磁芯12磁化，并产生电磁吸力，吸引待转移芯片上设置的磁性单元，使待转移芯片固定设置在第二基板2背离磁力装置的表面。
88.在一些实施例中，参考图7所示的结构，步骤：在第一基板上形成导体层，例如包括：在第一基板1上形成绝缘层4。在绝缘层4上形成导体层。
89.由于第一基板1例如可以是绝缘基板或者导电基板，当第一基板为导电基板时，需要在第一基板上设置绝缘层，避免第一基板上设置的磁力装置与第一基板导电连接，而无法在磁芯周围形成稳定的磁场。
90.可选地，该绝缘基板例如可以是玻璃基板。
91.本公开实施例提供的技术方案，通过在第一基板上形成绝缘层，在绝缘层上形成导体层，这样可以避免磁力装置与导电材质的第一基板之间导电连接，而无法产生能够吸引待转移芯片的磁力，方法简单容易实现。
92.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
93.以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开
将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。