具有热调谐腔特征的晶片卡盘的制作方法

技术特征：
1.一种装置，其包括：用于晶片卡盘的基板，所述基板包括：一个或多个位于所述基板内的热交换通道，以及位于所述基板内的一个或多个热调谐腔特征，其中：每个热调谐腔特征定位成与所述一个或多个热交换通道的部分或相邻部分相邻，每个热调谐腔特征对应于所述基板内的空隙空间，并且所述一个或多个热调谐腔特征与所述基板内的所述热交换通道流体隔离。2.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述基板在正常使用中时，所述一个或多个热调谐腔特征没有液体。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个是密封的并且在其中具有真空环境。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述真空环境具有小于或等于1托的压强。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个被密封并填充有气体。6.根据权利要求1所述的装置，其中：所述基板具有一个或多个孔特征，其延伸进入或穿过所述基板，与所述基板内的所述一个或多个热交换通道流体隔离，并且被配置为在半导体处理室中的所述基板的正常使用期间使部件的一部分位于其中，所述一个或多个热调谐腔特征至少包括第一热调谐腔特征和第二热调谐腔特征，所述第一热调谐腔特征和所述第二热调谐腔特征基本对称地定位在径向轴的任一侧，所述径向轴从所述基板的中心点延伸穿过所述一个或多个孔特征的第一孔特征的中心轴，并且使得所述一个或多个热交换通道的至少一部分位于所述第一孔特征与第一热调谐腔特征以及所述第二热调谐腔特征两者之间，并且所述基板的所述中心轴穿过与配置所述基板来支撑的圆形半导体晶片的标称中心点相对应的位置。7.根据权利要求1所述的装置，其中：所述基板具有延伸到所述基板中或穿过所述基板的两个或更多个孔特征，与所述基板内的所述一个或多个热交换通道流体隔离，并且被配置为在半导体处理室中的所述基板的正常使用期间使部件的一部分位于其中，所述两个或更多个孔特征包括第一孔特征和第二孔特征，所述第一孔结构和所述第二孔结构都位于所述一个或多个热交换通道的第一部分和所述一个或多个热交换通道的第二部分之间，并且所述一个或多个热调谐腔特征包括至少一个第一热调谐腔特征，所述第一热调谐腔特征介于第一部分和第二部分之间以及所述第一孔特征和所述第二孔特征之间。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个是在所述槽的第一端和所述槽的相对的第二端之间的区域中具有均匀横截面宽度的槽。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个是在所述槽的第一端和所述槽的相对的第二端之间的区域中具有不均匀横截面宽度的槽。10.根据权利要求1所述的装置，其中存在多个热调谐腔特征并且所述热调谐腔特征不
均匀地分布在整个所述基板中。11.根据权利要求1所述的装置，其中，如果(a)所述相应的热调谐腔特征被替换为与所述对应的热调谐腔特征邻接的所述基板的相同材料并且(b)所述基板被加热到使用所述基板的正常处理操作中使用的温度，则热调谐腔特征的每个位置将对应于所述基板的晶片支撑表面上相对于所述基板的所述晶片支撑表面的平均温度的低于所述平均温度的区域。12.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个完全封闭在所述基板内。13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个是从所述基板的所述第一侧延伸到所述基板中并且不延伸穿过所述基板到达所述基板的与所述第一侧相反的一侧的凹槽。14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个热调谐腔特征中的至少一个完全延伸穿过所述基板。15.根据权利要求1至14中任一项所述的装置，其还包括晶片卡盘，所述晶片卡盘包括所述基板。16.根据权利要求15所述的装置，其中，当所述晶片卡盘在正常使用中时，所述一个或多个热调谐腔特征没有液体。17.根据权利要求16所述的装置，其中：所述基板具有一个或多个孔特征，所述孔特征延伸进入或穿过所述基板，与所述基板内的所述一个或多个热交换通道流体隔离，并且被配置为在半导体处理室中的所述晶片卡盘的正常使用期间具有位于其中的部件的一部分，所述一个或多个热调谐腔特征至少包括第一热调谐腔特征和第二热调谐腔特征，所述第一热调谐腔特征和所述第二热调谐腔特征基本对称地定位在径向轴的任一侧，所述径向轴从所述基板的中心点延伸穿过所述一个或多个孔特征的第一孔特征的中心轴，并且使得所述一个或多个热交换通道中的至少一部分位于所述第一孔特征与所述第一热调谐腔特征以及所述第二热调谐腔特征两者之间，并且所述基板的所述中心轴穿过与配置所述晶片卡盘来支撑的圆形半导体晶片的标称中心点相对应的位置。18.根据权利要求16所述的装置，其中：所述基板具有两个或更多个孔特征，所述孔特征延伸进入或穿过所述基板，与所述基板内的所述一个或多个热交换通道流体隔离，并且被配置为在半导体处理室中的所述晶片卡盘的正常使用期间具有位于其中的部件的一部分，所述两个或更多个孔特征包括第一孔特征和第二孔特征，所述第一孔特征和所述第二孔特征都位于所述一个或多个热交换通道的第一部分和所述一个或多个热交换通道的第二部分之间，并且所述一个或多个热调谐腔特征包括至少一个第一热调谐腔特征，所述第一热调谐腔特征介于所述第一部分和所述第二部分之间以及所述第一孔特征和所述第二孔特征之间。19.根据权利要求16所述的装置，其中，如果(a)所述相应的热调谐腔特征被替换为与所述对应的热调谐腔特征邻接的所述基板的相同材料并且(b)所述晶片卡盘被加热到使用所述晶片卡盘的正常处理操作中使用的温度，则热调谐腔特征的每个位置将对应于所述基
板的晶片支撑表面上相对于所述晶片卡盘的所述晶片支撑表面的平均温度的低于所述平均温度的区域。20.根据权利要求16所述的设备，其还包括顶板，其中所述顶板定位在所述晶片卡盘的顶表面上。21.根据权利要求20所述的设备，其中，所述顶板包括一个或多个加热器元件。22.根据权利要求21所述的装置，其中，所述顶板至少部分地由陶瓷材料制成。

技术总结
公开了具有热调谐腔特征的晶片卡盘或用于该晶片卡盘的基板，该热调谐腔特征被定位和确定尺寸以便在这种晶片卡盘的晶片支撑表面上提供更均匀的温度分布。每个热调谐腔特征可以定位成与晶片卡盘的基板内的一个或多个热交换通道的一部分或多个部分相邻。通过将热调谐腔特征定位在晶片卡盘的晶片支撑表面本来会显示出较低温度的局部区域(与晶片卡盘支撑表面的相邻区域相比)的位置下方的位置中，可能导致较低温度区域具有与周围温度更接近匹配的升高的温度，从而提高温度均匀性。从而提高温度均匀性。从而提高温度均匀性。


技术研发人员：田思源 尤马
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.01.28
技术公布日：2022/11/18