用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件的制作方法

1.本发明的技术领域是集成光子器件的技术领域，该集成光子器件使用能够发光的半导体材料的特性和在实现逻辑和/或模拟功能的集成电路中常规使用的半导体材料的特性两者。本发明具体地涉及用于建立包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件。其可以具体是硅上的异质激光器。


背景技术：

2.光收发器通常由有源光学器件(例如激光器、调制器、光电二极管)和无源光学器件(例如波导、滤光器)构成，可选地补充有电子电路。可以使用通常用于制造集成电子电路的技术和材料将这些块集成到光子器件中。
3.在这种光子器件中，并且以本身已知的方式，由iii-v材料的叠层形成的有源区域形成激光器的光放大介质。该有源区域可以包括至少一个量子阱、量子点或量子盒，或多个这样的阱、点或盒。其由选自以下非穷举列表的材料制成：inp、asga、ingaalas、ingaasp、inasp、inas。
4.该有源区域被设置成夹在n型半导体层和p型半导体层之间。通常基于inp或asga的这些层使得可以在有源区域中循环电流，并且对放大介质进行电泵浦以允许生成光。为了在有源区域中注入和提取电荷并允许该泵浦，将导电金属焊盘分别设置成与p型和n型半导体层欧姆接触。这些焊盘还电连接到电互连迹线，这些迹线允许电荷在器件中循环。
5.有源区域被设置成与波导的例如由硅形成的称为“混合部分”的部分对齐。在这种设置中生成的光学模式被称为“混合的”，因为该模式部分地位于有源区域中而且位于波导中。波导在混合部分的至少一侧上延伸，以允许所生成的模式传播。m.seifried等人的论文“monolithically integrated cmos-compatible iii-v on silicon lasers”，ieee journal of selected topics in quantum electronics,vol.24,no.6,pp.1-9,nov.-dec.2018,art no.8200709回顾了光学模式与有源区域中的电流注入区的交叠越大，放大越大。
6.为了允许这种激光效应，光子器件还包括光学反馈结构，使得可以形成用于放大介质的谐振腔。该结构可以由设置在有源区域中或者优选地设置在波导中的分布式反射器(例如布拉格光栅)来产生。
7.通常，我们对在所选应用领域中具有有用波长的光辐射感兴趣。因此，在电信领域中，这种波长通常在1200nm至1600nm之间。刚刚提出的光子器件的各种元件被配置成发射选定波长范围内的辐射。
8.图1示出了根据现有技术的光子器件的实施方式。在薄层dl中(薄层在这里置于支架(未示出)上)，形成了由硅制成的波导2。后者在图1的坐标系(x，y，z)中在主方向x上的平面中纵向延伸。
9.波导在边缘处具有轮廓(即，其在垂直于被引导光的主传播方向的平面中的轮廓)。因此波导由具有延伸的横向尺寸(在y方向上)的带2a和横向尺寸较小的肋2b组成，肋
2b设置在带2a下面并在该带2a上横向居中。带2a和肋2b的厚度(在z方向上)各为约100nm，通常在50nm至500nm之间。n型半导体层1n设置在薄层dl上，覆盖波导2。可以在波导2和n型半导体层1n之间提供电绝缘体，例如氧化硅层。该层1n具有100nm量级的厚度。
10.在n型半导体层1n上存在有源区域qw，p型半导体层1p置于该有源区域qw上。该组件设置成与n型层1n接触，与波导2的混合部分2h对齐，特别是与该波导2的肋2b对齐。波导的混合部分被构造为限定布拉格光栅，该布拉格光栅例如通过如图1所示的波导2的横向波纹来限定器件的光学反馈结构。
11.由有源区域qw和p型半导体层1p形成的组件采取板(slab)的形式，其横向尺寸小于n型半导体层1n的横向尺寸，使得该层1n的设置在有源区域qw的两侧的自由部分既不被有源区域qw覆盖，也不被p型半导体层1p覆盖。有源区域qw具有大约200nm的相对小的厚度，并且其沿着波导的混合部分2h延伸，其可以具有大约500微米的纵向距离。
12.在n型半导体层1n的自由部分上，设置了与该层欧姆接触的金属焊盘，这里是设置在有源区域qw的两侧的两个通孔3n、3'n。金属通孔3n、3'n提供n型半导体层1n和悬于组件之上的电互连迹线ic之间的电连接。类似地，另一通孔形式的金属焊盘3p与p型半导体层1p欧姆接触，以确保该层和另一互连迹线ic之间的电连接(这些迹线在图1的顶视图中未示出，以保持该视图的可读性)。
13.当电流经由p型半导体层1p注入到有源区域qw中时由光子器件生成的光学模式m在图1的截面图上以虚线示出。可以观察到，该模式在与限定波导的平面(x，y)垂直的方向上具有非常大的范围。为了防止这种模式截取器件的金属元件，特别是第二金属焊盘3p，p型层1p的厚度特别大，大于1微米并且高达几个微米。这样，金属焊盘3n、3'n、3p与有源区域qw充分隔开，从而避免了在构成焊盘的金属中吸收光辐射。
14.然而，这种构造不是有利的。其首先需要形成p型半导体层1p的材料的显著厚度，这在光子器件的制造期间是不利的。实际上，这种显著厚度的蚀刻是长的并且还产生高表面拓扑，这对于其余的制造操作，特别是对于金属焊盘的形成是麻烦的。此外，p型半导体层1p，通常地由例如掺杂有大约2
e 18at/cm3的锌的inp形成，具有特别高的吸收系数(特别是在光通信领域中的有用波长范围内)，其在-40db/cm到-70db/cm的量级上。该因数应与基于例如以2
e 18/cm3的硫掺杂的inpn的n型半导体层的因数(约为-15db/cm)进行比较，并且与硅的因数(约为-2db/cm)进行比较。
15.因此，图1所示的光子器件的结构不是最佳的，因为一方面所产生的辐射在p型半导体层1p中被大量吸收，另一方面当旨在提供平坦表面时其制造是麻烦的。
16.为了对此进行补救，上述文献提出提供有源区域qw和p型半导体层1p的沿y方向的横向尺寸延伸，这使得可以加宽在该方向上产生的光学模式并使其在与限定波导2的平面垂直的z方向上变平。为了电流的注入以及因此的电泵浦与光学模式交叠，该方案需要存在设置在有源区域qw和p型半导体层1p之间的横向阻挡层。电流注入因此位于结构的中心，因为其被阻挡层横向阻挡。这样，光辐射具有不延伸到形成金属焊盘的金属的模式。这种方法的缺点是其需要外延生长以形成覆盖横向阻挡层的p型半导体层。该步骤在非常高的温度下执行，在有源区域qw中产生应力，这导致其退化。
17.本发明目的是提供一种现有技术的另选方案，以补救由于存在绝对厚的p型层而引起的问题。


技术实现要素：

18.为了实现这些目的之一，本发明的目的提出了一种光子器件，所述光子器件用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射，所述器件包括：
[0019]-波导，所述波导在沿着所述光学模式的主传播方向的平面中延伸；
[0020]-n型半导体层，所述n型半导体层被设置成覆盖所述波导；
[0021]-有源区域，所述有源区域由iii-v材料制成的叠层形成，所述有源区域被设置在所述n型层的与所述波导的部分对齐的部分上并与该部分接触，所述n型层的称为自由部分的另一部分不与所述有源区域接触；
[0022]-多个p型半导体柱，所述多个p型半导体柱设置在所述有源区域上并与所述有源区域接触，所述p型半导体材料具有第一光学指数并且所述p型柱由具有比所述第一光学指数低的第二光学指数的封裹材料彼此分开；
[0023]-与所述n型层的所述自由部分欧姆接触的至少一个第一金属焊盘和与所述p型柱欧姆接触的至少一个第二金属焊盘。
[0024]
通过以由较低光学指数的封裹材料彼此横向分开的多个柱的形式制成p型层，可以使光子器件生成的光学模式整形，以防止其在与波导所在平面垂直的z方向上延伸(或限制该范围)，与其将被强烈吸收的金属焊盘交叠。同时，与现有技术的p型层的厚度相比，可以限制p型柱的厚度，并且不需要阻挡层。这提高了光子器件的效率。
[0025]
根据本发明的其他有利和非限制性特征，单独地或以任何技术上可行的组合来考虑：
[0026]-所述波导被配置成形成光学反馈结构；
[0027]-所述光学反馈结构是横向波纹或纵向波纹布拉格光栅；
[0028]-所述光子器件包括设置在所述n型层和所述波导之间的由电介质材料制成的组件层；
[0029]-所述光子器件包括至少三个p型柱；
[0030]-所述p型柱中的至少一个p型柱不与第二金属焊盘欧姆接触；
[0031]-封裹材料包括空气、二氧化硅、氮化硅或氧化铝；
[0032]-所述p型柱具有不同的宽度，或者以不同间距彼此横向分开。
[0033]-p型柱与所述有源区域的横向居中区对齐设置；
[0034]-所述p型柱具有小于1微米的高度；
[0035]-所述有源层具有在0.5微米至5微米之间的宽度；
[0036]-所述光子器件包括设置在所述有源区域qw的两侧的两个第一金属焊盘；
[0037]-所述有源区域包括设置在两个p型柱之间的破坏区。
附图说明
[0038]
本发明的其他特征和优点将从以下参照附图对本发明的详细描述中变得明显，在附图中：
[0039]-图1示出了现有技术的光子器件；
[0040]-图2示出了根据本发明的光子器件dp的第一实施方式；
[0041]-图3a至图3c示出了光子器件的三种仿真架构，以使得根据本发明的光子器件的
优点变得明显。
[0042]-图4示出了根据p型半导体材料的厚度，三个仿真架构的金属焊盘中的吸收损耗。
[0043]-图5示出了在本发明的准备的框架内进行的仿真的结果的概要。
[0044]-图6和图7示出了根据本发明的光子器件的其他实施方式。
具体实施方式
[0045]
为了简化以下描述，相同的附图标记用于相同的元件或用于在现有技术中或在所描述的光子器件的不同实施方式中执行相同功能的元件。
[0046]
图2示出了根据本说明书的光子器件dp的第一实施方式。
[0047]
在可以是绝缘体上硅型衬底的衬底s中，存在设置在该衬底s的薄层dl中的硅波导2。波导2沿主方向(图2中的x方向)纵向延伸，例如将光引导到光子器件1的其它部件，例如调制器。在图2的示例中，波导2包括带2a。它具有可以在2和500微米之间的最大宽度(沿y方向，横向于主方向)。所示的波导还包括肋2b，肋2b在带2a上横向居中，并在主方向上从该带2a的一端延伸到另一端。肋2b的宽度可以在0.05微米至20微米之间。波导具有可以在5nm至5微米之间的厚度(沿z方向)。
[0048]
在这个示例中，带2a和肋2b的组合构成波导2，其轮廓是边缘。其以本身公知的方式构造，以形成光学反馈结构。从图2的顶视图中可以看出，这里的波导2被配置成具有横向波纹布拉格光栅的形式，但是该光栅可以具有垂直波纹，或者甚至将光学反馈结构集成到光子器件dp的光学放大介质中。
[0049]
波导2嵌入在通常为二氧化硅的电介质材料中，波导2中的光学限制由波导2的硅和光学指数低于硅的电介质材料之间的光学指数差获得。由该电介质和波导2组成的组件形成衬底s的薄层dl。
[0050]
当然，本发明决不限于图2所示形状的波导2，其可以具有不同于这里作为示例的轮廓。衬底s也不必须是绝缘体上硅型的，虽然这种衬底的使用极大地促进了波导2的制造。波导2也不必须由硅制成。例如，可以设想波导2由淀积在具有表面氧化物层的硅衬底上的氮化硅形成，该氮化物波导由淀积的氧化硅层封裹。因此，波导不必须完全由电介质材料封裹，并且薄层dl可以具有表面拓扑，这导致当补充光子器件dp时在结构中形成空腔，如同例如在文献us8110823中的情况。
[0051]
继续描述图2的实施方式，波导2的顶部是由夹在n型半导体材料层1n和p型半导体材料层1p之间的有源区域qw构成的发射结构。
[0052]
更具体地，图2的光子器件包括被设置成与波导2交叠的n型半导体层1n，也就是说，在该波导的两侧在其长度的至少一部分上横向延伸。其具有通常为20微米至200微米(沿y方向)的宽度。当波导2由硅制成时，n型半导体层可以由掺杂硫的inp形成，并且其可以具有通常在50nm至500nm之间的厚度。n型半导体层1n可以与波导2直接接触，更一般地与薄层dl直接接触，或者如图2中的情况，可以在薄层dl和n型半导体层1n之间设置组件层bl。该组件层优选地是薄的，厚度在几纳米至150nm之间。
[0053]
为了简洁起见，在本说明书的其余部分中，n型半导体层将用表述“n型层”来表示，应当理解，该层由半导体材料构成。
[0054]
在n型层1n上存在由iii-v材料的叠层形成的有源区域qw。有源区域qw仅设置在n
型层1n的与波导2的纵向部分2h(称为混合部分)对齐的部分上并与该部分接触。因此，n型层1n的所谓“自由”部分不与有源层qw接触，并且该自由部分(这里横向设置在有源区域qw的两侧)可以被用于形成欧姆接触。
[0055]
有源区域qw具有通常包括在10nm至500nm之间的厚度，通常地在50nm的量级，并且其沿着波导2的混合部分2h在通常包括在100微米至2000微米之间的长度上延伸。其宽度可以在0.5微米至30微米之间，例如等于5微米。
[0056]
根据本说明书的光子器件dp还包括与n型层1n的自由部分接触的至少一个第一金属焊盘。在所示的示例中，填充有金属材料(例如钨)的两个通孔3n、3'n设置在有源层qw的两侧。这些金属通孔确保n型层1n和光子器件dp的互连迹线ic之间的电连接(迹线在图2的顶视图中未示出，以保持该视图的可读性)。
[0057]
最后，图2的光子器件dp包括设置在有源区域qw上并与有源区域qw接触的由p型半导体材料1p制成的多个柱。在本说明书的剩余部分中，这些柱将由表述“p型柱”表示，应当理解，它们在所有情况下由半导体材料制成。因此，该图示出了第一p型柱1p和第二p型柱1'p，第一p型柱1p由沿着有源区域qw的第一侧设置的p掺杂inp制成，第二p型柱1'p沿着该区域的另一侧设置。这些柱1p、1'p的下表面与有源区域qw接触，上表面分别与第二金属焊盘3p、3'p欧姆接触。p型柱1p、1'p由具有比形成柱的半导体材料的光学指数低的光学指数的封裹材料彼此分开。因此，封裹材料可以是基于氧化硅、氮化硅的电介质材料、基于苯并环丁烯的聚合物电介质、或者甚至是空气。在所有情况下，形成p型柱的半导体材料具有第一光学指数，而分离p型柱的封裹材料具有比第一指数低的第二指数。
[0058]
p型柱中的这种设置使得可以对由光子器件产生的光学模式进行整形，以防止其沿与波导2所在平面垂直的z方向延伸(或限制其范围)。
[0059]
p型柱1p和1'p在有源区域qw的整个长度上延伸，或者至少在该长度的主要部分上延伸。各个柱的宽度wb和各个柱1p、1'p之间的间距e当然依赖于有源层qw的宽度和柱的数量。柱的宽度或两个柱之间的间距不必须都相同。作为示例，并且依赖于其所在的有源区域qw的宽度，柱的宽度wb可以在0.5微米至3微米之间，并且两个柱之间的间距e可以在0.1微米至2微米之间。
[0060]
如已经提到的，n型层1n、有源区域qw和p型柱1p嵌入在通常为氧化硅的封裹材料中。第一金属焊盘和第二金属焊盘设置在该材料中，以将各个元件电连接到设置在封裹材料上并悬于组件之上的电互连迹线ic。
[0061]
图2所示的光子器件dp在有源层qw和波导2中以混合方式产生的光学模式m在该图的截面上以虚线示出。多个p型柱1p、1'p使得可以对该光学模式m整形，使得光学模式在图2的y方向上以优先方式横向延伸，并且防止在与有源区域qw所在平面垂直的z方向上延伸。这降低了该光学模式覆盖金属区、特别是与p型柱1p、1'p欧姆接触的金属焊盘3p、3'p的风险。
[0062]
通常，p型柱的数量、这些柱的宽度wb和两个p型柱之间的间距e与波导2的宽度相适应。其被选择成加工混合光学模式的形状，使得光学模式横向延伸。
[0063]
因此，与现有技术的器件中遇到的1或2微米或更大的厚度相比，可以减小这些柱1p、1'p的高度。该特征是特别有利的，因为形成这些柱的p型半导体材料具有特别高的光学吸收系数。由于该结构没有任何阻挡层，这些柱的形成容易实现，不需要外延恢复步骤，并
且容易提供具有平坦表面的光子器件。如将在本说明书的下一部分中呈现的结果中变得明显的，可以形成高度小于1微米，或甚至500nm，或300nm的p型柱1p、1'p，同时将金属焊盘中的吸收损耗限制在0.1db以下。
[0064]
为了显示通过用由较低指数的封裹材料分开的多个p型柱1p、1'p代替现有技术的连续p型层而获得的全部益处，申请人继续对结构在图3a至图3c中示出的多个结构dp1、dp2、dp3进行了仿真。
[0065]
图3a的第一结构dp1对应于现有技术的基于inp形成的光子器件。有源层qw在3微米的宽度上延伸。以有源层为中心并与波导2的肋对齐的连续p型inp层1p具有2微米的宽度。该层厚度为1微米，由500nm的金属焊盘3p覆盖。组件层bl置于n型层1n和波导2之间。
[0066]
图3b的第二结构dp2是根据本发明的。有源区域qw为2微米宽并悬于波导2的肋上。在该第二结构dp2中，还提供了两个由p型掺杂inp制成的p型柱1p，各个p型柱具有0.5微米的宽度wb，并且间隔0.5微米的距离e。p型柱各自设置在距有源层qw的边缘0.25微米处。该第二结构的两个p型柱1p具有500nm的高度。
[0067]
图3c的第三结构dp3也是根据本发明的并且类似于第二结构dp2的结构，但是这次提供四个由p掺杂的inp制成的p型柱，各个p型柱具有0.25微米的宽度。彼此间隔开0.25微米的距离e。该第三结构dp3的四个p型柱具有250nm的高度。
[0068]
针对各个这些结构中，通过仿真来测量所生成的光学模式m与构成结构的各种元件(波导2、有源区域qw、p型层或柱1p)的交叠。下表总结了所获得的结果。
[0069]
[表1]
[0070][0071]
可以观察到，通过将由封裹材料分开的柱引入到器件的结构中，可以将模式m的增加部分限制在波导2和有源区域qw中。同时，限制了用形成第一结构dp1的连续层或第二结构dp2和第三结构dp3的p型柱的p型半导体材料对该辐射的限制。记住，p掺杂的inp具有大约50db/cm的光辐射吸收因数，有源区域qw在由inn形成时具有大约15db/cm的吸收因子，并且硅波导具有大约2db/cm的因子。因此，限制用p型半导体材料对所生成的辐射的覆盖是非常有利的，如当这种材料以柱的形式构造时所观察到的。
[0072]
在第二系列仿真中，针对三个结构dp1、dp2、dp3中的各个结构，改变p掺杂的inp柱1p的高度。然后随着该厚度估计悬于p掺杂半导体材料上的金属焊盘3p中的吸收损耗。图4中的图示出了这些结果。形成第一结构dp1的柱1p或第二结构dp2和第三结构dp3的p型柱1p的p型半导体材料的厚度(nm)沿着该图的x轴排列。y轴表示在这些结构的金属焊盘3p中的吸收损耗(以db为单位)。在该图上观察到，为了在诸如第一dp1结构的常规结构中将这些损耗降低到低于0.1db的水平，必须为p型层1p提供大于1微米的厚度，如现有技术中所报道
的。针对根据本发明的结构dp2、dp3，当如在第二结构dp2中那样提供两个p型柱1p时，该半导体材料的厚度可以减小到小于650nm，并且当如在第三结构dp3的情况下那样提供四个p型柱1p时，该厚度可以减小到小于300nm。
[0073]
最后，图5示出了已经执行的仿真结果的概要，并且对于图3a至图3b所示的三个结构dp1、dp2、dp3中的各个结构，比较了吸收损耗。如图5所示，结构dp1、dp2、dp3中的各个结构具有足够厚度的p型半导体材料，以限制金属焊盘3p中的吸收损耗，从而对于这些结构中的各个结构，这些损耗被限制在远低于1db/cm。在所生成的光学模式在相对厚的p型材料中广泛延伸的第一结构dp1的情况下，该材料中的吸收损耗接近10db/cm。在第二结构dp2和第三结构dp3中不是这种情况，其中光学模式的延伸和柱1p中的p型半导体材料的减小的厚度将该材料中的吸收损耗限制到小于5db/cm。
[0074]
当我们观察图5所示的总损耗时，我们测量本发明的全部优点。
[0075]
在不脱离本说明书的范围的情况下，可以对图2所示的实施方式进行许多变化。因此，如结合仿真结果的表示已经注意到的，提供超过两个p型柱1p、1'p可以是有利的。因此，我们可以提供任意数量的p型柱1p，偶数个或奇数个，例如3、4、5或更多。在有源区域qw上沿着y方向基本上居中地设置p型柱是有利的。其通过柱中的热传导促进了热量的排出，该热量显著地是在有源区域qw的该中心区中生成的。例如，可以通过选择奇数个p型柱1p，然后将其中一个柱设置成与该中心区对齐来实现。该构造是图7的示例中所示的构造，但是当然其它构造也是可能的。
[0076]
如已经描述的，柱可以具有可变的宽度wb和之间的间隔e。当提供至少3个p型柱1p时，还可以设想使这些柱1p中的仅多个与至少一个第二金属焊盘电接触，而其余p型柱1p则不与互连迹线ic电连接。通过提供由嵌入在封裹材料中的半导体材料制成的不被电连接的柱，有助于限制光学模式m并对其整形从而光学模式横向展开。
[0077]
图6因此示出了具有4个p型柱1p的光子器件dp’的截面图。外部p型柱不与第二金属焊盘3p连接，因此不与互连迹线ic连接。中部p型柱分开的距离e大于外部柱与中部柱分开的距离e’。
[0078]
通常，通常的仿真装置可用于确定多个p型柱的几何参数、其数量以及其相对位置，来赋予光学模式合适的形状。
[0079]
还可以设想使波导2相对于图2的设置翻转，如图6所示的光子器件dp’的情况。在这种构造中，将带2a设置在n型层1n和肋2b之间。图6的光子器件dp’的组件层bl是可选的。
[0080]
为了帮助限制光学模式并使其成形为使其主要横向延伸，可以设想破坏有源区域qw的一部分，特别是该区域qw的未被p型柱1p覆盖的部分，以使其具有光学惰性。对有源区域qw的晶体结构的这种破坏可通过注入重物质例如硅来实现。
[0081]
用于制造根据刚刚提出的各种实施方式的光子器件dp、dp’的方法非常类似于现有技术的方法。
[0082]
首先将波导2以完全常规的方式通过蚀刻、淀积、氧化等形成在衬底中。该步骤可以包括将波导2从起始衬底转移到衬底s，然后衬底s将用于形成光子器件。或者，波导2可以直接形成在该衬底s中。
[0083]
将覆盖波导2的标签转移到该波导2所在的衬底s上，所述标签包括由n型半导体层、有源层和p型半导体层形成的叠层。该标签用于形成光子器件的发射结构。因此，该p型
半导体层的厚度基本上等于目标光子器件的p型柱的厚度，例如小于1微米，或小于500nm。通常，标签具有小于2微米的小的厚度。
[0084]
标签形成这些叠层的板(slab)，并且与波导2交叠地设置在衬底s上，n型半导体层设置在波导2侧。可以将组件层bl设置在该波导2和n型半导体层之间。
[0085]
在随后的局部蚀刻步骤中，处理该标签以精确限定发射结构。为此，去除p型半导体层的部分以形成p型柱1p并露出有源层。去除该层的侧部以限定有源区域qw并露出n型半导体层的至少一个自由部分。也可以部分地去除该自由部分以按照最终尺寸形成n型层。
[0086]
然后通过淀积封裹材料来封裹该组件，然后例如使用机械-化学抛光步骤使该封裹材料变得平坦。应注意，由于标签最初具有相对较小的厚度，所以局部蚀刻步骤很迅速地执行，这些步骤之后的表面拓扑较小，减少了覆盖发射结构所需的封裹材料的厚度，且促进了旨在使最终表面平坦的抛光步骤。
[0087]
在用于制造光子器件的方法的互补步骤中，通过在填充有金属材料的封裹材料中蚀刻来产生凹陷，以产生与n型层1n的自由部分以及与至少一些p型柱1p欧姆接触的第一金属焊盘和第二金属焊盘。
[0088]
当然，本发明不限于所描述的实施方式，并且在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以添加不同的实施方式。
[0089]
因此，虽然这里已经提出了由具有较低光学指数的封裹材料彼此完全分离的p型半导体柱，但并不必须总是这种情况。因此，可以设想至少有一些p型柱仅在其高度的一部分上固定于在脚部水平面上与其相邻接的柱。在所有情况下，将标签的p型半导体材料层构造在波导上，以加工所生成的光学模式的形状，使得光学模式在横向方向上以优先方式延伸，如在本说明书中详细呈现的。