一种掩膜版及过渡掩膜版的制作方法

1.本技术涉及蒸镀领域，特别涉及一种掩膜版及过渡掩膜版。


背景技术：

2.有机电致发光器件(oled)由于具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲等优点在显示面板领域占比逐渐增大。
3.随着oled显示对于窄边框及无边框的需求越来越高，对于公共层掩膜版的精度需求也越来越高，为了满足高精度的蒸镀需求，掩膜版制作厂商正努力提高公共层掩膜版制作精度。
4.现有技术中，公共层掩膜版通过照相平板印刷术在金属基板上刻蚀出贯通孔，形成基板的开口，此种工艺制作出的公共层掩膜版如图1，图1中，基板1经两步刻蚀在基板1上形成若干贯通孔，贯通孔朝向面a的为第一凹部2，贯通孔朝向面b的为第二凹部3，第一凹部2的深度为h1,第二凹部3的深度为h2,第二凹部3的宽度《第一凹部2的宽度，h2》h1,第一凹部2与第二凹部3的底面并不在同一平面，第一凹部2的底面与第二凹部3的底面之间为尖锐部5，尖锐部5深度为h3，h3＝基板1的高度-h1-h2，h3为10μm左右，尖锐部5围成开口4，开口4形状为由面b至面a渐扩，第二凹部3弧线的端点连线与水平面的夹角与面b的夹角为α，尖锐部5与垂直方向(或法线方向)的夹角为θ。
5.图1的公共层掩膜版用于蒸镀，形成的产品在要求较高的显示屏发光时出现显示异常。


技术实现要素：

6.基于上述问题，本技术提供一种掩膜版，该掩膜版使得内阴影宽度减小,从而蒸镀膜厚均匀，消除了要求较高的显示屏发光时出现显示异常的现象。
7.一种掩膜版，包括基板，该基板上由面a到面b方向设置有若干贯通孔，每一贯通孔朝向面a的为第一凹部，贯通孔朝向面b的为第二凹部，第一凹部的深度为h1,第二凹部的深度为h2，所述第一凹部的底面与第二凹部的底面之间距离h3＝基板的高度h
0-h
1-h2，h3趋近于0。
8.可选地，所述第二凹部的宽度《第一凹部的宽度。
9.可选地，所述h2》h1。
10.可选地，所述第一凹部的水平截面外轮廓线为圆形，第二凹部的水平截面外轮廓线为圆形。
11.可选地，所述第一凹部的水平截面外轮廓线为偶数边形的凸多边形，第二凹部的水平截面外轮廓线为偶数边形的凸多边形。
12.可选地，所述第一凹部由面a向面b方向收缩，第二凹部由面b向面a方向收缩掩膜版。
13.可选地，所述基板材料为invar或sus。
14.本技术还提供一种过渡掩膜版。
15.一种过渡掩膜版，所述过渡掩膜版包括基板，该基板上设置有朝向面a开口的若干第一凹部，该基板上还设置有与每一第一凹部相对应的朝向面b开口的至少1个预凹部，预凹部的深度与第一凹部的深度之和小于基板高度。
16.可选地，所述预凹部为两个。
17.可选地，所述预凹部的深度为10～20μm，宽度为1～4mm。
18.发明原理及有益效果：
19.本技术发明人经研究发现，图1的公共层掩膜版用于蒸镀，形成的产品在要求较高的显示屏发光时出现显示异常的原因在于：h2厚度不利于控制蒸镀内阴影，而内阴影会导致内阴影区域蒸镀膜厚相对正常区域薄，从而使得蒸镀膜厚不均匀，最终导致要求较高的显示屏发光时出现显示异常。
20.本技术通过两次蚀刻，形成h3高度更小(基本为0)的断面，从而使得内阴影宽度减小,从而蒸镀膜厚均匀，消除了要求较高的显示屏发光时出现显示异常的现象。
附图说明
21.图1为本实用新型背景技术掩膜版结构示意图；
22.图2为本实用新型基板结构示意图；
23.图3为本实用新型第一步蚀刻后的结构示意图；
24.图4为本实用新型第二次蚀刻后的结构示意图(面b朝上)；
25.图5为本实用新型为本实用新型第二次蚀刻后的结构示意图(面a朝上)。
具体实施方式
26.下面将结合附图对本技术作进一步说明。
27.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖向”、“纵向”、“侧向”、“水平”、“内”、“外”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
28.在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“开有”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
29.一种掩膜版的制备方法，包括以下步骤：
30.s1:取100～200μm金属原材(材料优选为invar或sus)，如图2，基板1高度为h0,面a向上，面b为面a的相对面。
31.s2:分别在面a及面b上涂覆光阻膜(干法或湿法)，曝光，显影，同时对面a及面b喷刻蚀液同步刻蚀，刻蚀完成后去除光阻膜，形成如图3的结构，图3中，为了满足无划伤效果
和尽可能减小蒸镀阴影的需求，第一凹部2的深度h1为10～20μm，第一凹部2的宽度l1为客户要求或设计的宽度，预凹部4至少有1个，预凹部4的深度hy为10～20μm，每一个预凹部4的宽度ly优选为1～4mm。
32.s3:再次在面a及面b上涂覆光阻膜(干法或湿法)，曝光，显影(显影后，面a待蚀刻区域的面积小于面b待蚀刻区域的面积)，然后将掩膜版翻转，翻转后面b向上(翻转180度)，面a向下，然后向面a方向向上喷刻蚀液刻蚀，刻蚀完成后去除光阻膜，形成如图4的掩膜版结构，将图4的掩膜版的面a向上(翻转180度)，为图5的结构图，图5中，基板1上形成若干贯通孔，贯通孔朝向面a的为第一凹部2，贯通孔朝向面b的为第二凹部3，第一凹部2的深度为h1,第二凹部3的深度为h2,第二凹部3的宽度《第一凹部2的宽度，h2》h1,第一凹部2与第二凹部3的底面基本上在同一平面，第一凹部2的底面与第二凹部3的底面之间距离h3＝基板1的高度-h
1-h2，h3为基本等于0。
33.本步骤中，当面a刻蚀进行时，首先蚀刻完成的部位为预凹部4，预凹部4先贯通，从下面来的蚀刻液流经截面，将棱角部分去除，不会有尖锐部分，防止因两面刻蚀形成很薄的尖锐部，导致开口过刻或少刻，因此，开口断面更整齐。此时，药液通过刻蚀开口进入面b，在面b开口形成同步刻蚀，由于采用下部喷射药液的方式，进入面b的药液量较少，形成了缓慢刻蚀，更易于控制刻蚀断面的形成，即更易控制角度α、开口精度和h3的厚度，通过本法制作的h3厚度几乎可以忽略，因此在图5中h3基本为0。
34.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。