一种用于钴互连集成电路钴CMP的碱性抛光液及其制备方法

技术特征：
1.一种用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液，其特征为该抛光液由下述组分构成，按质量百分比计：所述的组分比例之和为100％；所述络合剂为甘氨酸；所述抑制剂为苯甲羟肟酸(bha)；所述氧化剂为过氧化氢(h2o2)。2.如权利要求1所述的用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液，其特征为所述硅溶胶的平均粒径为60-70nm，分散度在
±
5％之间，并使用100微米孔径滤芯进行超滤。3.如权利要求1所述的用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液，其特征为所述碱性抛光液的ph值为8.0-9.0。4.如权利要求1所述的用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液的制备方法，其特征为该方法包括如下步骤：将硅溶胶、络合剂、抑制剂、氧化剂和按所述配比依次加入去离子水中，搅拌后得到抛光液。

技术总结
本发明为一种用于钴互连集成电路钴CMP的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液由下述组分构成，按质量百分比计为：硅溶胶1-8wt％、络合剂0.1-0.5wt％、抑制剂0.002-0.03wt％、氧化剂0.20-1.00wt％、去离子水为余量；所述抑制剂为苯甲羟肟酸(BHA)。本发明PH值为8-9，对设备腐蚀很小，钴和氮化钛的去除速率选择比显著提高；并且方法简单，适用于工业生产。适用于工业生产。适用于工业生产。


技术研发人员：潘国峰 曹静伟 夏荣阳 方淇 叶博
受保护的技术使用者：河北工业大学
技术研发日：2022.07.27
技术公布日：2022/10/11