EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物的制作方法

技术特征：
1.一种euv抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有(甲基)丙烯酸类聚合物以及有机溶剂，所述(甲基)丙烯酸类聚合物为(甲基)丙烯酸类聚合物在侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，并且，所述euv抗蚀剂下层膜形成用组合物不包含所述(甲基)丙烯酸类聚合物以外的聚合物。2.根据权利要求1所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述有机基团为具有被保护基取代的氨基的酰氧基或具有被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。3.根据权利要求1或2中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述保护基选自叔丁氧基羰基、苄氧基羰基、9-芴基甲氧基羰基、2,2,2-三氯乙氧基羰基及烯丙氧基羰基。4.根据权利要求1～3中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述(甲基)丙烯酸类聚合物为具有下述式(1)表示的单元结构的聚合物，式(1)中，r1表示氢原子或甲基，l表示二价的连接基团，x表示具有被保护基取代的氨基的酰氧基或具有被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。5.根据权利要求1～4中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含交联催化剂。6.根据权利要求1～5中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含交联剂。7.一种euv抗蚀剂下层膜，其特征在于，是由权利要求1～6中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。8.一种图案化基板的制造方法，其包含：在半导体基板上涂布权利要求1～6中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烘烤而形成euv抗蚀剂下层膜的工序、在所述euv抗蚀剂下层膜上涂布euv抗蚀剂并进行烘烤而形成euv抗蚀剂膜的工序、对用所述euv抗蚀剂下层膜和所述euv抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序、对曝光后的所述euv抗蚀剂膜进行显影、图案化的工序。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：在半导体基板上形成由权利要求1～6中任一项所述的euv抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的euv抗蚀剂下层膜的工序、在所述euv抗蚀剂下层膜上形成euv抗蚀剂膜的工序、通过对euv抗蚀剂膜进行光照或电子束照射和之后的显影而形成euv抗蚀剂图案的工序、隔着所形成的上述euv抗蚀剂图案对所述euv抗蚀剂下层膜进行蚀刻，从而形成图案化的euv抗蚀剂下层膜的工序、和利用已图案化的上述euv抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。

技术总结
本发明提供用于形成能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述组合物为(甲基)丙烯酸类聚合物的侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，而且还包含有机溶剂的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中不包含上述(甲基)丙烯酸类聚合物以外的聚合物。上述有机基团为具有被保护基取代的氨基或被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。氮杂环的酰氧基。


技术研发人员：清水祥 田村护
受保护的技术使用者：日产化学株式会社
技术研发日：2021.02.05
技术公布日：2022/9/14