一种氧化铟锡薄膜的制备方法与流程

技术特征：
1.一种氧化铟锡薄膜的制备方法，包括：采用原子层沉积法在si基底表面循环制备氧化铟和氧化锡。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化铟的制备方法包括：采用原子层沉积法在si基底表面循环制备氧化铟。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化锡的制备方法包括：采用原子层沉积法在氧化铟表面循环制备氧化锡。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备氧化铟过程中的铟源为三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铟。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备氧化锡过程中的锡源为四(二甲氨基)锡。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子层沉积法过程中的氧源为o2等离子体，载气为惰性气体。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备氧化铟过程中先通入铟源再通入o2等离子体；所述通入铟源的脉冲时间为1～30秒；所述通入o2等离子体的脉冲时间为1～30秒。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备氧化锡过程中先通入锡源再通入o2等离子体；所述通入锡源的脉冲时间为1～30秒；所述通入o2等离子体的脉冲时间为1～30秒。9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述循环制备氧化锡的次数为1次。10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述循环制备氧化铟的次数为1～50次。

技术总结
本发明提供了一种原子层沉积(ALD)制备氧化铟锡(ITO)导电薄膜的方法，通过ALD技术路径制备导电性、锡掺杂含量和薄膜厚度均可精准调控的ITO薄膜。本发明提供的方法包括：在含SiO2表面层的Si基底上利用ALD制备ITO薄膜；以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铟为铟源，以四(二甲氨基)锡为锡源，以O2等离子体为氧源，以惰性气体Ar为载气进行ALD循环；采用超循环程序制备ITO，超循环程序包括In(TMHD)3 O2等离子体制备氧化铟和TDMASn O2等离子体制备氧化锡，通过调整In2O3和SnO2的ALD循环圈数来精准控制Sn的含量，从而调控ITO的导电性能。从而调控ITO的导电性能。从而调控ITO的导电性能。


技术研发人员：赵波 柳俊
受保护的技术使用者：湖北九峰山实验室
技术研发日：2022.06.27
技术公布日：2022/9/13