半导体腔室的制作方法

1.本技术涉及半导体加工技术领域，具体而言，本技术涉及一种半导体腔室。


背景技术：

2.目前，硅(si)材料受限于自身无法突破高温、高功率、高频等瓶颈，在5g及新能源汽车等各个新兴领域逐步被具有高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率的砷化鎵(gaas)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)材料所替代。上述三种化合物半导体材料因其各具优势，应用领域定位有所不同，其中gaas材料具备禁带宽度大、电子迁移率高的特点，能显著降低射频尺寸及功耗，而由于技术成熟具备成本优势，广泛应用在射频和光电子领域，并且受益于这两大领域需求旺盛，gaas器件需求持续保持高增长。
3.现有技术中，在射频功率器件和大功率激光器件制作工艺中，均涉及正面金属化、减薄后背面金属化工艺，目前这两部分主要由磁控溅射设备进行钛(ti)/金(au)种子层加电镀完成。但是应用于硅晶圆的磁控溅射设备无法满足砷化鎵晶圆的工艺需求，以及应用于砷化鎵晶圆的磁控溅射设备无法满足硅晶圆的工艺需求，从而无法满足代工厂的机台高利用率、低维护成本的需求。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种半导体腔室，用以解决现有技术存在的无法同时满足两种晶圆工艺需求，从而造成机台利用率低及维护成本较高的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种半导体腔室，包括：腔体、进气组件及驱动装置；所述腔体内由上至下依次设置靶材、内衬及基座，所述内衬同轴设置于所述腔体内，并且所述内衬的顶端环绕所述靶材设置，所述内衬的底端在工艺状态时压抵于所述基座上；所述进气组件包括匀流环，所述匀流环设置于所述腔体内，并且所述匀流环的内径大于所述内衬的外径，所述匀流环用于向所述腔体内通入工艺气体；所述腔体的周壁上开设有抽气口，用于对所述腔体内进行抽真空；所述驱动装置设置于所述腔体外侧，并且与所述进气组件连接，用于带动所述匀流环相对于所述内衬作升降动作，以调节所述靶材底部的工艺气压。
6.于本技术的一实施例中，所述匀流环的内周壁上开设有多个匀流孔，多个所述匀流孔沿所述匀流环的周向均匀且间隔分布。
7.于本技术的一实施例中，所述匀流孔的轴向沿水平方向设置，以使所述工艺气体沿水平方向排出。
8.于本技术的一实施例中，所述进气组件还包括有进气轴及限位部件，所述进气轴滑动且密封的穿设于所述腔体的底壁，并且进气轴的一端与所述匀流环连接，另一端位于所述腔体底壁外侧，用于连接气源以向所述匀流环通入工艺气体；所述限位部件设置于所述腔体的底壁外侧，并且所述限位部件的轴向与所述匀流环的轴向平行设置，所述进气轴通过所述限位部件与所述腔体的底壁滑动连接。
9.于本技术的一实施例中，所述进气组件还包括有位于所述腔体外侧的第一密封部件，所述第一密封部件套设于所述进气轴外周，并且一端与所述腔体的底壁密封连接，另一端与所述驱动装置密封连接，用于跟随所述进气轴的升降而伸缩，以使所述进气轴与所述腔体外侧密封隔绝。
10.于本技术的一实施例中，所述进气组件还包括有位于所述腔体内侧的第二密封部件，所述第二密封部件套设于所述进气轴外周，并且一端与所述腔体的底壁密封连接，另一端靠近所述匀流环设置，与所述进气轴的外周密封连接，用于跟随所述进气轴的升降而伸缩，以使所述进气轴与所述腔体内密封隔绝。
11.于本技术的一实施例中，所述第一密封部件及所述第二密封部件均为伸缩波纹管。
12.于本技术的一实施例中，所述驱动装置包括驱动器及传动结构，所述驱动器及所述传动结构均设置于所述腔体的底壁外侧，所述驱动器通过所述传动结构与所述进气轴的另一端连接，所述传动结构用于将所述驱动器的旋转动作转换为升降动作。
13.于本技术的一实施例中，所述驱动器为伺服电机或步进电机，所述传动结构为滚珠丝杠，所述传动结构的抱块与所述进气轴的端部外周固定连接。
14.于本技术的一实施例中，所述驱动装置还包括联轴器，所述驱动器通过所述联轴器与所述传动结构连接。
15.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
16.本技术实施例通过将匀流环可升降地设置于内衬的外周，并且通过驱动装置带动匀流环相对于内衬作升降动作，从而使得工艺气体由不同的位置扩散至靶材底部，实现腔体在不同位置进气，使得腔体内的气压连续可调，因此在同一腔体内不仅能实现硅晶圆的钛薄膜沉积，而且还可以实现砷化镓晶圆的钛薄膜沉积，从而提高了本技术实施例的适用性及适用范围，进而大幅提高机台的利用率及降低维护成本。另外，由于腔体内的工艺气压连续可调，可以为半导体加工工艺发展提供硬件技术储备。
17.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
18.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
19.图1a为本技术实施例提供的一种半导体腔室的纵向剖视示意图；
20.图1b为本技术实施例提供的一种半导体腔室的横向剖视示意图；
21.图2a为本技术实施例提供的一种半导体腔室的匀流环位于第一位置的纵向剖视示意图；
22.图2b为本技术实施例提供的一种半导体腔室的匀流环位于第一位置的横向剖视示意图；
23.图3a为本技术实施例提供的一种半导体腔室的匀流环位于第二位置的纵向剖视示意图；
24.图3b为本技术实施例提供的一种半导体腔室的匀流环位于第二位置的横向剖视
示意图；
25.图4a为本技术实施例提供的一种匀流环与进气轴配合的纵向剖视示意图；
26.图4b为本技术实施例提供的一种匀流环的横向剖视示意图；
27.图5为本技术实施例提供的一种半导体腔室局部放大的纵向剖视示意图；
28.图6a为现有技术中的一种工艺腔室的纵向剖视示意图；
29.图6b为现有技术中的一种工艺腔室的横向剖视示意图；
30.图7a为现有技术中的另一种工艺腔室的纵向剖视示意图；
31.图7b为现有技术中的另一种工艺腔室的横向剖视示意图。
具体实施方式
32.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
33.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
34.现有技术中，图6a及图6b为硅晶圆磁控溅射设备的工艺腔室结构示意图，由于工艺气体的进气口601、抽气口602及靶材603的相对位置关系导致工艺气体大部分被与抽气口602抽出腔体604，只有少部分工艺气到达靶材603表面参与磁控溅射，图中虚线越粗表示沿该扩散路径的工艺气体量越多，靶材603表面工艺气压较低约为1mtorr～5mtorr，溅射的钛薄膜为层状分布且较致密，电阻率60～70μω.cm，与硅晶圆接触粘附力良好。而该工艺腔室制备的钛薄膜与砷化镓晶圆粘附力很差，无法达到工艺要求，因为与砷化镓晶圆有较好粘附力的钛薄膜必须具有较疏松特质的柱状晶结构，电阻率＞80μω.cm，并且满足该需求的工艺条件为靶材603表面工艺气压＞70mtorr。但是如果仅采用增加工艺气体流量来实现靶材603表面的高工艺气压，与抽气口602连接的真空泵将超负荷运行，从而缩短真空泵的寿命，不能满足机台高利用率且低维护成本的需求。
35.图7a及图7b砷化鎵晶圆的磁控溅射设备的工艺腔室结构示意图，由于工艺气体进气口701、抽气口702、靶材703的相对位置关系，可到达靶材703表面工艺气体存留较多，可以实现≥70mtorr的高工艺气压溅射。但是工艺气体从进气口701位置进入腔体704后沿着内衬705与靶材703之间的缝隙进行扩散，工艺气体在腔体704内分布的方式为单点进气方式，图中虚线越粗表示沿该扩散路径的工艺气体量越多。采用上述进气方式造成整个靶材703表面工艺气体分布不均衡，并且工艺气压越大，这种分布不均衡越明显，从而导致溅射的钛薄膜均匀性较差，不仅影响砷化鎵晶圆薄膜沉积的良率，而且也限制了芯片技术代的发展。进一步的，上述进气方式不适用于低气压低电阻率的钛薄膜沉积，无法满足高均匀性要求的硅晶圆钛薄膜沉积。因此为了适应市场需求，急需研制一种既能适用于硅晶圆又能适用于的砷化鎵晶圆的工艺腔室。
36.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
37.本技术实施例提供了一种半导体腔室，该半导体腔室的结构示意图如图1a及图1b所示，包括：腔体1、进气组件2及驱动装置3；
38.腔体1内由上至下依次设置靶材11、内衬12及基座13，内衬12同轴设置腔体1内，并且内衬12的顶端环绕靶材11设置，内衬12的底端在工艺状态时压抵于基座13上；进气组件2包括匀流环21，匀流环21设置于腔体1内，并且匀流环21的内径大于内衬12的外径，匀流环21用于向腔体1内通入工艺气体；腔体1的周壁上开设有抽气口16，用于对腔体1内进行抽真空；驱动装置3设置于腔体1外侧，并且与进气组件2连接，用于通过带动匀流环21相对于内衬12作升降动作，以调节靶材11底部的工艺气压。
39.如图1a及图1b所示，半导体工艺设备可以用于执行磁控溅射工艺，但是本技术实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。腔体1内具有容置空间，用于容置晶圆以执行工艺，腔体1的一侧壁上还设置有抽气口16，用于连接一真空泵以对腔体1进行抽真空，从而实现将腔体1内的工艺气体抽出，并且能为匀流环21向内衬12的内部进气时提供动力。腔体1的顶部设置有靶材11，内衬12为圆柱形套筒结构，并且该内衬12环绕在腔体1的内壁的周向设置，内衬12的顶端环绕靶材11的外周设置，并且与靶材11的外周之间具有第一间隙14。需要说明的是，该第一间隙14为内衬12与靶材11之间的装配间隙，并非预留的间隙。基座13用于承载晶圆(图中未示出)，并且在工艺时上升至内衬12底端，具体参照如图2a及图3a所示，此时内衬12的底端可以环绕基座13的顶部设置，并且内衬12的底端能压抵于基座13的顶面上，使内衬12的底端与基座13之间具有第二间隙15。需要说明的是，该第二间隙15为内衬12与基座13之间的装配间隙，并非预留的间隙。内衬12环绕于基座13的外周设置，以用于对腔体1的内壁进行防护。进气组件2包括有匀流环21，匀流环21设置于腔体1内，匀流环21的内径大于内衬12的外径，以使匀流环21能套设于内衬12的外周。驱动装置3可以设置于腔体1的底壁外侧，并且可与进气组件2传动连接，以用于带动匀流环21在第一位置及第二位置之间的多个位置升降停留，从而实现对靶材11底部的工艺气压进行调整。例如，第一位置靠近第一间隙14设置，使得工艺气体主要由第一间隙14扩散至靶材11底部，从而使得靶材11底部的工艺气压升高；第二位置靠近第二间隙15设置，可以使得工艺气体主要由第二间隙15扩散至靶材11底部，从而使得靶材11底部的工艺气压降低。
40.需要说明的是，基座13为可升降，可从图1a中的低位升至图2a以及图3a所示的高位，在图2a以及图3a中，基座在改位置下于内衬12接触，晶圆承载于基座13上进行工艺。
41.本技术实施例通过将匀流环可升降地设置于内衬的外周，并且通过驱动装置带动匀流环相对于内衬作升降动作，从而使得工艺气体由不同的位置扩散至靶材底部，实现腔体在不同位置进气，使得腔体内的气压连续可调，因此在同一腔体内不仅能实现硅晶圆的钛薄膜沉积，而且还可以实现砷化镓晶圆的钛薄膜沉积，从而提高了本技术实施例的适用性及适用范围，进而大幅提高机台的利用率及降低维护成本。另外，由于腔体内的工艺气压连续可调，可以为半导体加工工艺发展提供硬件技术储备。
42.需要说明的是，本技术实施例并不限定第一位置及第二位置的具体位置，例如两者的位置可以相互调换。因此本技术实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
43.于本技术的一实施例中，如图1a至图3b所示，当驱动装置3带动匀流环21上升至第一位置时，匀流环21靠近第一间隙14，以使靶材11底部的工艺气压维持在第一工艺气压；当驱动装置3带动匀流环21下降至第二位置时，匀流环21靠近第二间隙15，以使靶材11底部的工艺气压维持在第二工艺气压，并且第一工艺气压大于第二工艺气压。
44.如图1a至图3b所示，当驱动装置3带动匀流环21上升至第一位置时，匀流环21可以靠近内衬12的顶端，即匀流环21能靠近第一间隙14设置，以使工艺气体能够由第一间隙14扩散至靶材11的底部，工艺气体的扩散路径具体可以参照如图2a及图2b所示，虚线越粗表示沿该扩散路径的工艺气体量越多，工艺气体主要通过靶材11与内衬12之间的第一间隙14扩散至靶材11的底部，以使靶材11底部工艺气压维持在第一工艺气压，实现采用高气压完成高电阻率及疏松柱状分布的钛薄膜沉积，从而提高钛薄膜的粘附力，以适用于砷化镓晶圆。驱动装置3通过进气轴22带动匀流环21下降至第二位置时，匀流环21可以靠近内衬12的底端，例如匀流环21位于内衬12的底端，即匀流环21能靠近第二间隙15设置，以使工艺气体能够由第二间隙15扩散至靶材11的底部，工艺气体的扩散路径具体可以参照如图3a及图3b所示，虚线越粗表示沿该扩散路径的工艺气体量越多，工艺气体主要通过基座13和内衬12之间的第二间隙15扩散至靶材11的底部，以及小部分工艺气体通过靶材11和内衬12之间的第二间隙14扩散至靶材11的底部，使靶材11底部的工艺气压维持在第二工艺气压，实现采用低气压完成低电阻率及致密层状分布的钛薄膜沉积，从而本技术实施例能够适用于硅晶圆。采用上述设计，由于匀流环21在第一位置及第二位置之间连续可调，不仅能满足不同种类的晶圆的工艺需求，而且还能为半导体加工工艺发展提供硬件支持，从而提高半导体腔室的灵活性和市场竞争力。
45.于本技术的一实施例中，如图1b、图4a至图4b所示，匀流环21的内周壁上开设有多个匀流孔23，多个匀流孔23沿匀流环21的周向均匀且间隔分布。可选地，匀流孔23的轴向沿水平方向设置，以使工艺气体沿水平方向排出。具体来说，匀流环21整体为圆环结构，并且匀流环21的内径大于内衬12的外径，使得匀流环21能在内衬12的外周作升降动作。匀流环21的截面形状可为矩形结构，使得匀流环21易于加工制造，匀流环21的内周壁上开设有多个匀流孔23，多个匀流孔23沿匀流环21的周向均匀且间隔分布。采用上述设计，由于匀流环21上均匀分布有匀流孔23，并且在内衬12的外周环绕一圈，可使工艺气体在腔体1内部及靶材11的底部均匀分布，从而大幅提高薄膜沉积的均匀性，进而提高薄膜沉积的良率。可选地，匀流孔23的轴向均沿水平方向延伸设置，即匀流孔23的轴向均位于匀流环21的径向上，从而进一步提高匀流效果，并且对于工艺气压的调整也更加精确。但是本技术实施例并不限定匀流环21的具体结构，匀流环21的外形也可以采用其它形状，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
46.于本技术的一实施例中，如图1a所示，进气组件2包括有进气轴22限位部件26，进气轴22滑动且密封的穿设于腔体1的底壁，并且进气轴22的一端与匀流环21连接，另一端位于腔体1底壁外侧，用于连接气源(图中未示出)以向匀流环21通入工艺气体；限位部件26设置于腔体1的底壁外侧，并且限位部件26的轴向与匀流环21的轴向平行设置，进气轴22通过限位部件26与腔体1的底壁滑动连接。可选地，限位部件26为直线轴承。
47.如图1a所示，进气轴22的顶端与匀流环21连接，底端穿过腔体1的底壁后与一气源连接，进气轴22的内部设置有管路，以用于将气源内的工艺气体导流至匀流环21内，工艺气
体例如采用氩气，但是本技术实施例并不以此为限。进气轴22的外周与腔体1的底壁之间滑动且密封连接，以避免腔体1内的工艺环境受到污染。限位部件26可以采用直线轴承，限位部件26可以设置于腔体1的底壁外侧，例如限位部件26的顶端与腔体1的底面固定连接，并且限位部件26轴向与匀流环21及腔体1的轴向平行设置，以便于设置进气轴22。进气轴22套设于限位部件26内，以实现与腔体1的底壁滑动连接，并且由于限位部件26的作用，还能使得匀流环21的稳定性较高，从而提高本技术实施例的易用性。另外，由于将限位部件26设置于腔体1的底壁外侧，还能避免限位部件26产生的颗粒污染腔体1内部环境，从而进一步提高薄膜沉积良率。但是本技术实施例并不限定限位部件26的具体类型，只要其能满足对进气轴22进行轴向限位即可，因此本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
48.于本技术的一实施例中，如图1a及图5所示，进气组件2包括有位于腔体1外侧的第一密封部件24，第一密封部件24套设于进气轴22外周，并且一端与腔体1的底壁密封连接，另一端与驱动装置3密封连接，用于跟随进气轴22的升降而伸缩，以使进气轴22与腔体1外侧密封隔绝。
49.如图1a及图5所示，第一密封部件24位于腔体1外侧，并且位于腔体1的底壁与驱动装置3之间。第一密封部件24可以采用伸缩波纹管制成，第一密封部件24的顶端可以通过法兰与腔体1的底壁密封连接，并且可以包覆于上述实施例中限位部件26的外周；而第一密封部件24的底端则可以通过法兰与驱动装置3密封连接，从而实现进气轴22与腔体1外侧实现密封隔绝，避免进气轴22将外界的杂质带入腔体1内。当驱动装置3带动进气轴22上升及下降时，第一密封部件24可以跟随进气轴22的升降而伸缩，从而实现进气轴22与腔体1底壁运动且密封连接。采用上述设计，使得进气轴22能与腔体1外侧密封隔绝，从而确保腔体1内的工艺环境不被污染，以确保薄膜沉积良率。
50.于本技术的一实施例中，如图1a及图5所示，进气组件2包括有位于腔体1内侧的第二密封部件25，第二密封部件25套设于进气轴22外周，并且一端与腔体1的底壁密封连接，另一端靠近匀流环21设置，与进气轴22的外周密封连接，用于跟随进气轴22的升降而伸缩，以使进气轴22与腔体1内密封隔绝。
51.如图1a及图5所示，第二密封部件25位于腔体1内侧，并且位于腔体1底壁与匀流环21之间。第二密封部件25可以采用伸缩波纹管制成，第二密封部件25的顶端可以通过法兰与进气轴22的外周密封连接，并且靠近匀流环21设置；而第二密封部件25的底端则可以通过法兰与腔体1底壁密封连接，从而实现进气轴22与腔体1内侧实现密封隔绝。当驱动装置3带动进气轴22上升及下降时，第一密封部件24及第二密封部件25可以跟随进气轴22的升降而伸缩，从而实现进气轴22与腔体1内外的完全密封隔绝。采用上述设计，使得进气轴22与腔体1的内侧及外侧均密封隔绝，从而确保腔体1内的工艺环境不被污染，以进一步的提高薄膜沉积良率。
52.于本技术的一实施例中，如图1a及图5所示，第一密封部件24及第二密封部件25均为伸缩波纹管。具体来说，第一密封部件24及第二密封部件25均可以采用伸缩波纹管制成，不仅能够提高密封效果，而且还能大幅降低应用及维护成本，从而提高本技术实施例的经济效益。但是本技术实施例并不限第一密封部件24及第二密封部件25的具体实施方式，只要能够实现进气轴22与腔体1的底壁密封即可，因此本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
53.于本技术的一实施例中，如图1a及图5所示，驱动装置3包括驱动器31及传动结构32，驱动器31及传动结构32均设置于腔体1的底壁外侧，驱动器31通过传动结构32与进气轴22的另一端连接，传动结构32用于将驱动器31的旋转动作转换为升降动作。可选地，驱动器31为伺服电机或步进电机，传动结构32为滚珠丝杠，传动结构32的抱块与进气轴22的端部外周固定连接。
54.如图1a及图5所示，驱动装置3整体设置于腔体1底壁的下方，并且驱动装置3可以包括有驱动器31及传动结构32，驱动器31采用伺服电机或者步进电机，以用于为传动结构32提供正反方向的旋转动力，以通过传动结构32带动进气轴22上升及下降。采用上述设计，还能使得匀流环21位置连续可调以及运动精度较高，从而提高工艺气压调节的精确性，进而大幅提高本技术实施例的适用性及适用范围。传动结构32可以采用滚珠丝杠，传动结构32设置于腔体1底壁上，并且驱动器31设置于传动结构32的底部，传动结构32的抱块与进气轴22的底端连接，传动结构32能将驱动器31提供正反方向的旋转动力转换为进气轴22的升降动力。采用上述设计，由于传动结构32采用滚珠丝杠，不仅能进一步提高匀流环21运动的稳定性，而且还能进一步提高匀流环21的位置精确性，从而进一步提高工艺气压调节的精确性。需要说明的是，本技术实施例并不限定驱动装置3的具体实施方式，例如驱动装置3可以采用伸缩缸来实现。因此本技术实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
55.于本技术的一实施例中，如图1a及图5所示，驱动装置3还包括联轴器33，驱动器31通过联轴器33与传动结构32连接。具体来说，驱动器31的旋转轴通过联轴器33与传动结构32连接，以用于补偿驱动器31与传动结构32之间的安装误差，以及工作时变形或膨胀等原因发生的偏移，并且还能用于缓冲两者之间冲击及振动，从而进一步提高工艺气压的调节精度。
56.于本技术的一实施例中，如图2a至图3b所示，第一工艺气压大于等于70mtorr；第二工艺气压大于等于1mtorr，并且小于等于5mtorr。具体来说，由于匀流环21能靠近第一间隙14设置，使得工艺气体能够由第一间隙14扩散至靶材11的底部，以使靶材11底部工艺气压维持在第一工艺气压，并且该第一工艺气压能够大于等于70mtorr，实现采用高气压完成高电阻率及疏松柱状分布的钛薄膜沉积，从而提高钛薄膜的粘附力，以适用于在砷化镓晶圆。由于匀流环21能靠近第二间隙15设置，工艺气体主要通过基座13和内衬12之间的第二间隙15扩散至靶材11的底部，以及小部分工艺气体通过靶材11和内衬12之间的第一间隙14扩散至靶材11的底部，使靶材11底部的工艺气压维持在第二工艺气压，并且该第二工艺气压大于等于1mtorr，并且小于等于5mtorr，实现采用低气压完成低电阻率及致密层状分布的钛薄膜沉积，从而本技术实施例能够适用于硅晶圆。进一步的，由于匀流环21的位置高度连续可调，使得靶材11底部的工艺气压能在第一工艺气压及第二工艺气压之间连续可调，从而满足不同种类晶圆的工艺需求，而且还能为半导体加工工艺发展提供硬件支持，从而高半导体腔室的灵活性和市场竞争力。但是本技术实施例并不限定第一工艺气压及第二工艺气压的具体数值，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
57.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
58.本技术实施例通过将匀流环可升降地设置于内衬的外周，并且通过驱动装置带动匀流环相对于内衬作升降动作，从而使得工艺气体由不同的位置扩散至靶材底部，实现腔
体在不同位置进气，使得腔体内的气压连续可调，因此在同一腔体内不仅能实现硅晶圆的钛薄膜沉积，而且还可以实现砷化镓晶圆的钛薄膜沉积，从而提高了本技术实施例的适用性及适用范围，进而大幅提高机台的利用率及降低维护成本。另外，由于腔体内的工艺气压连续可调，可以为半导体加工工艺发展提供硬件技术储备。
59.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
60.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
61.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
62.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
63.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
64.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。