显示装置的制作方法

1.发明涉及一种显示装置。


背景技术：

2.显示装置随着多媒体的发展而变得越来越重要。因此，诸如有机发光显示器和液晶显示器的各种类型的显示装置正在被使用。
3.显示装置包括作为用于显示显示装置的图像的装置的显示面板(诸如有机发光显示面板或液晶显示面板)。它们之中，发光显示面板可以包括诸如发光二极管(led)的发光元件。例如，led可以是使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(oled)，或者可以是使用无机材料作为荧光材料的无机led。
4.使用无机半导体作为荧光材料的无机led即使在高温环境中也是耐用的，并且具有比oled高的蓝光效率。另外，针对已经被指出作为常规无机led的限制的制造工艺，已经开发了使用介电电泳(dep)的转移方法。因此，对具有比oled好的耐久性和效率的无机led的研究正在不断进行。


技术实现要素：

5.技术问题
6.发明旨在提供一种包括无机发光元件的显示装置。
7.发明还旨在提供一种其中发光区域和非发光区域分离使得电路元件和显示元件彼此不叠置的显示装置。
8.应当注意的是，公开的方面不限于此，并且通过以下描述，这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
9.技术方案
10.根据公开的实施例，显示装置包括：第一电压布线，在第一方向上延伸；数据线，与第一电压布线间隔开，并且在第一方向上延伸；扫描线，在第二方向上延伸；感测线，与扫描线间隔开，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；第一内部堤和第二内部堤，设置在第一电压布线和数据线上，在第一方向上延伸，并且被设置为彼此间隔开且彼此面对；第一电极，设置在第一内部堤上，并且在第一方向上延伸；第二电极，设置在第二内部堤上，并且在第一方向上延伸；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，多个发光元件中的每个包括半导体芯和围绕半导体芯的外表面的至少一部分的绝缘膜，半导体芯包括发光层。
11.显示装置还可以包括：参考电压布线，在第二方向上与数据线间隔开，并且在第一方向上延伸；以及参考电压分配线，在第一方向上与感测线间隔开，并且在第二方向上延伸，其中，参考电压分配线可以电连接到参考电压布线。
12.数据线可以设置在第一电压布线与参考电压布线之间，并且感测线可以设置在扫描线与参考电压分配线之间。
13.显示装置还可以包括在第一方向上延伸并且被设置为与参考电压布线间隔开的第二电压布线，其中，第一电极可以通过驱动晶体管电连接到第一电压布线，并且第二电极可以电连接到第二电压布线。
14.第二电压布线还可以包括在第二方向上延伸的部分，并且第二电压布线在第二方向上延伸的部分在平面图中可以与第二电极部分地叠置。
15.第一内部堤在平面图中可以与第一电压布线部分地叠置，并且第二内部堤可以被设置为在厚度方向上不与数据线叠置。
16.显示装置还可以包括被设置为在第一方向和第二方向上延伸以围绕其中设置有第一内部堤和第二内部堤的区域的外部堤，其中，第一电压布线可以在第二内部堤与外部堤之间在第一方向上延伸，并且数据线可以在厚度方向上与外部堤的在第一方向上延伸的部分叠置。
17.显示装置还可以包括具有与第一电极叠置的至少一部分并且被设置为围绕其中设置有发光元件的区域的屏蔽电极，其中，屏蔽电极可以被设置为覆盖第一电极和第一内部堤中的每个的相对于其中设置有多个发光元件的区域的外侧的部分。
18.显示装置还可以包括：第三内部堤，被设置为与第一内部堤间隔开，并且面对第一内部堤；以及修复电极，设置在第三内部堤上，其中，发光元件还可以包括设置在第一电极与第二电极之间的第一发光元件和设置在第一电极与修复电极之间的第二发光元件。
19.发光元件的半导体芯可以包括第一半导体层、第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发光层，并且绝缘膜可以被设置为至少围绕发光层的外表面。
20.显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上，并且电连接到第一电极和发光元件的一端部；以及第二接触电极，设置在第二电极上，并且电连接到第二电极和发光元件的另一端部。
21.根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；半导体层，设置在第一基底上，并且包括驱动晶体管的第一有源层；第一栅极绝缘层，设置在第一基底和半导体层上；第一栅极导电层，设置在第一栅极绝缘层上，并且包括驱动晶体管的第一栅电极；第一层间绝缘层，设置在第一栅极导电层上；第一数据导电层，设置在第一层间绝缘层上，并且包括驱动晶体管的源/漏电极和第一电压布线；第一保护层，设置在第一数据导电层上；第一平坦化层，设置在第一保护层上；第一内部堤和第二内部堤，设置在第一平坦化层上并彼此间隔开，并且彼此面对；第一电极和第二电极，分别设置在第一内部堤和第二内部堤上；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光元件包括半导体芯和围绕半导体芯的外表面的至少一部分的绝缘膜，半导体芯包括发光层。
22.第一电极可以通过穿过第一保护层和第一平坦化层的电极接触孔电连接到驱动晶体管的所述源/漏电极。
23.第一栅极导电层还可以包括第二电压布线，并且第二电极可以电连接到第二电压布线。
24.第一数据导电层还可以包括第二电压布线，并且第二电极可以电连接到第二电压布线。
25.第一数据导电层还可以包括通过穿过层间绝缘层的第一布线接触孔与第二电压布线接触的导电图案，并且第二电极可以通过穿过第一保护层和第一平坦化层的第二布线
接触孔与导电图案接触。
26.显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上，并且电连接到第一电极和发光元件的一端部；以及第二接触电极，设置在第二电极上，并且电连接到第二电极和发光元件的另一端部。
27.显示装置还可以包括：薄膜封装结构，设置在第一接触电极和第二接触电极上；以及滤色器层，设置在薄膜封装结构上。
28.显示装置还可以包括设置在滤色器层与薄膜封装结构之间的颜色控制层。
29.显示装置还可以包括设置在第一平坦化层上并且与第一内部堤和第二内部堤中的每个间隔开的外部堤，其中，外部堤的高度可以比第一内部堤和第二内部堤中的每个的高度大。
30.显示装置还可以包括设置在外部堤的一个表面上的反射层。
31.显示装置还可以包括：缓冲层，设置在第一基底与半导体层之间；以及光阻挡层，设置在缓冲层与第一基底之间，并且被构造为与第一有源层部分地叠置。
32.根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底，在第一基底中限定有发光区域和非发光区域；半导体层，设置在第一基底的非发光区域上，并且包括驱动晶体管的第一有源层；第一栅极导电层，设置在非发光区域中，并且包括被设置为与第一有源层叠置的第一栅电极；第一电压布线，设置在非发光区域和发光区域中，并且在第一方向上延伸；第一内部堤和第二内部堤，设置在发光区域中，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；第一电极，包括设置在第一内部堤上的至少一部分，并且包括在第一方向上延伸的部分；第二电极，包括设置在第二内部堤上的至少一部分，并且包括在第一方向上延伸的部分；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间并且电连接到第一电极和第二电极，其中，多个发光元件中的每个包括半导体芯和围绕半导体芯的外表面的至少一部分的绝缘膜，半导体芯包括发光层。
33.显示装置还可以包括：扫描线，设置在非发光区域中，并且在第二方向上延伸；以及感测线，在第二方向上延伸，并且与扫描线间隔开。
34.显示装置还可以包括：参考电压布线，设置在非发光区域和发光区域中，并且在第一方向上延伸；以及参考电压分配线，设置在非发光区域中，在第二方向上延伸，并且电连接到参考电压布线。
35.第一电极可以包括在第二方向上延伸的第一电极主干部分和从第一电极主干部分沿第一方向分支的第一电极分支部分，并且第二电极可以包括在第二方向上延伸的第二电极主干部分和从第二电极主干部分沿第一方向分支的第二电极分支部分。
36.显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极分支部分上，并且电连接到第一电极和发光元件的一端部；以及第二接触电极，设置在第二电极分支部分上，并且电连接到第二电极和发光元件的另一端部。
37.显示装置还可以包括被设置为覆盖非发光区域并围绕发光区域的外部堤，其中，外部堤的高度可以比第一内部堤和第二内部堤中的每个的高度大。
38.其他实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
39.有益效果
40.根据一个实施例的显示装置包括设置在其中形成有内部堤的区域中的多个发光
元件，因此可以具有从发光元件发射的光从内部堤的侧表面被反射的顶发射结构。
41.此外，根据实施例，在显示装置中，其中设置有发光元件的发光区域不会与其中设置有电路元件的非发光区域叠置，从而显示装置可以具有底发射结构。
42.应当注意的是，发明的目的不限于上述目的，并且通过以下描述，发明的其他目的对于本领域技术人员将是明显的。
43.根据实施例的效果不受上面例示内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
44.图1是根据一个实施例的显示装置的示意性透视图。
45.图2是图1的显示装置的示意性剖视图。
46.图3是根据一个实施例的第一显示基底的平面图。
47.图4是示出包括在根据一个实施例的第一显示基底中的布线的示意图。
48.图5是根据一个实施例的一个子像素的等效电路图。
49.图6是示出根据一个实施例的显示装置的一个像素的示意性平面图。
50.图7是包括在根据一个实施例的显示装置的一个子像素中的电路元件层的示意性平面图。
51.图8是包括在根据一个实施例的显示装置的一个像素中的显示元件层的示意性平面图。
52.图9是沿着图7和图8的线qa-qa'、线qb-qb'和线qc-qc'截取的剖视图。
53.图10是沿着图7和图8的线q1-q1'截取的剖视图。
54.图11是根据一个实施例的发光元件的示意图。
55.图12是根据一个实施例的显示装置的示意性剖视图。
56.图13是根据另一实施例的第一显示基底的部分剖视图。
57.图14是示出根据又一实施例的显示装置的一个子像素的示意性剖视图。
58.图15是沿着图14的线q2-q2'和线q3-q3'截取的剖视图。
59.图16是包括在根据再一实施例的显示装置的一个子像素中的显示元件层的示意性平面图。
60.图17是沿着图16的线q4-q4'截取的剖视图。
61.图18至图20是包括在根据再一实施例的显示装置的一个子像素中的显示元件层的示意性平面图。
62.图21是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的示意性平面图。
63.图22是沿着图21的线q5-q5'和线q6-q6'截取的剖视图。
64.图23是根据再一实施例的显示装置的示意性剖视图。
65.图24是根据再一实施例的显示装置的示意性剖视图。
66.图25是根据一个实施例的显示装置的其中定位有无源区域的部分的示意性剖视图。
67.图26和图27是根据另一实施例的显示装置的其中定位有无源区域的部分的示意性剖视图。
具体实施方式
68.现在在下文中将参照其中示出了发明的优选实施例的附图更全面地描述发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为受限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域的技术人员全面地传达发明的范围。
69.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。贯穿说明书，相同的附图标记指示相同的组件。
70.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离发明的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
71.在下文中，将参照附图描述实施例。
72.图1是根据一个实施例的显示装置的示意性透视图。图2是图1的显示装置的示意性剖视图。
73.参照图1和图2，显示装置1可以应用于各种电子装置，诸如包括平板个人计算机(pc)、智能电话、汽车导航单元、相机、设置在车辆中的中心信息显示器(cid)、腕表型电子装置、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、游戏机等的小型或中型电子装置、以及包括电视、外部广告牌、监视器、pc、笔记本计算机等的中型或大型电子装置。然而，明显的是，这些被提供为实施例，并且可以在不脱离发明的范围的范围内用于其他电子装置中。
74.在一些实施例中，显示装置1在平面图中可以具有矩形形状。显示装置1可以包括在一个方向上延伸的两条第一边和在与所述一个方向交叉的另一方向上延伸的两条第二边。显示装置1的其中第一边与第二边交汇的拐角可以具有直角，但不限于此，其可以具有弯曲表面。在一些实施例中，第一边可以比第二边短，但是本发明不限于此。显示装置1的平面形状不限于示出的形状，而是可以应用圆形形状或其他形状作为平面形状。
75.显示装置1可以包括其中显示图像的显示区域dpa和其中不显示图像的非显示区域nda。在一些实施例中，非显示区域nda可以位于显示区域dpa周围，并且可以围绕显示区域dpa。
76.在一个实施例中，显示装置1可以包括第一显示基底10和与第一显示基底10相对的第二显示基底50，并且还可以包括被构造为将第一显示基底10结合到第二显示基底50的密封部分70以及填充在第一显示基底10与第二显示基底50之间的填料90。
77.第一显示基底10可以包括用于显示图像的元件和电路，例如，诸如开关元件的像素电路、被构造为在显示区域dpa中限定发光区域和非发光区域的像素限定膜(将在下面描述)以及自发光元件。在实施例中，自发光元件可以包括有机发光二极管(led)、量子点led、或无机材料类的微led(例如，微led)和无机材料类的纳米led(例如，纳米led)中的至少一种。
78.第二显示基底50可以位于第一显示基底10上方，并且可以与第一显示基底10相对。第二显示基底50可以包括转换入射光的颜色的颜色转换图案。
79.在一些实施例中，颜色转换图案可以包括滤色器和颜色控制层中的至少一个。下
面将提供其描述。
80.密封部分70可以在非显示区域nda中位于第一显示基底10与第二显示基底50之间。密封部分70可以在非显示区域nda中沿着第一显示基底10和第二显示基底50中的每个的边缘设置，并且在平面图中围绕显示区域dpa。第一显示基底10和第二显示基底50可以通过密封部分70彼此结合。在一些实施例中，密封部分70可以由有机材料制成。作为示例，密封部分70可以由环氧类树脂制成，但是发明不限于此。
81.填料90可以位于由第一显示基底10和第二显示基底50之间的密封部分70围绕的空间中。第一显示基底10与第二显示基底50之间的空间可以被填料90填充。填料90可以由能够透射光的材料制成。在一些实施例中，填料90可以由有机材料制成。作为示例，填料90可以由硅类有机材料、环氧类有机材料等制成，但是发明不限于此。另外，在一些情况下可以省略填料90。
82.图3是根据一个实施例的第一显示基底的平面图。
83.参照图3，第一显示基底10可以包括有效区域aa和无效区域ds。有效区域aa是可以其中显示画面的区域，无效区域ds是其中不显示画面的区域。有效区域aa可以大体上占据第一显示基底10的中心。
84.第一显示基底10可以具有诸如横向边长的矩形形状、纵向边长的矩形形状、正方形形状、拐角部分(顶点)是圆滑的的四边形形状、其他多边形形状、圆形形状等形状。第一显示基底10的有效区域aa的形状也可以类似于第一显示基底10的整体形状。在图3中，示出了具有横向边长的矩形形状的第一显示基底10和有效区域aa。然而，发明不限于此，并且第一显示基底10的形状可以被不同地修改。
85.第一显示基底10的有效区域aa可以包括多个像素px。多个像素px可以以矩阵形式布置。像素px中的每个的形状在平面图中可以是矩形形状或正方形形状，但是发明不限于此，形状可以是其每条边相对于一个方向倾斜的菱形形状。像素px可以以stripe(条带)型或pentile型交替地布置。另外，像素px中的每个可以包括发射特定波长范围内的光的一个或更多个发光元件300，从而显示特定颜色。
86.无效区域ds可以设置在有效区域aa周围。无效区域ds可以完全或部分地围绕有效区域aa。有效区域aa具有矩形形状，无效区域ds可以被设置为与有效区域aa的四条边相邻。无效区域ds可以形成第一显示基底10的边框。在无效区域ds中，可以设置包括在第一显示基底10中的布线或电路驱动器，或者可以安装外部装置。
87.图4是示出包括在根据一个实施例的第一显示基底中的布线的示意图。
88.参照图4，第一显示基底10可以包括多条布线。多条布线可以包括扫描线scl、感测线ssl、数据线dtl、参考电压布线rvl、第一电压布线vdl、第二电压布线vsl等。另外，尽管在附图中未示出，但是第一显示基底10还可以包括设置在其中的其他布线。
89.扫描线scl和感测线ssl可以在第一方向dr1上延伸。扫描线scl和感测线ssl可以连接到扫描驱动器sdr。扫描驱动器sdr可以包括驱动电路。扫描驱动器sdr可以在第一方向dr1上设置在有效区域aa的一侧处，但是发明不限于此。扫描驱动器sdr可以连接到信号连接布线cwl，信号连接布线cwl的至少一个端部可以在无效区域ds中形成垫(pad，或称为“焊盘”)wpd_cw，以连接到外部装置。
90.同时，在说明书中，术语“连接”可以意指一个构件通过物理接触连接到另一构件，
以及一个构件通过又一个构件连接到所述另一构件。另外，可以理解的是，一个构件和另一个构件一体化为一个构件，并且所述一体化构件的一部分连接到所述一体化构件的另一部分。此外，一个构件与另一构件之间的连接可以被解释为除了包括通过直接接触的连接之外还包括通过又一构件的电连接。
91.数据线dtl和参考电压布线rvl可以在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸。另外，参考电压布线rvl还可以包括从在第二方向dr2上延伸的部分沿第一方向dr1分支的部分。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl中的每条也可以包括在第二方向dr2上延伸的部分以及连接到该部分并在第二方向dr2上延伸的部分。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以具有网状结构，但是发明不限于此。另外，尽管在附图中未示出，但是第一显示基底10的像素px中的每个可以连接到至少一条数据线dtl、参考电压布线rvl、第一电压布线vdl和第二电压布线vsl。
92.数据线dtl、参考电压布线rvl、第一电压布线vdl和第二电压布线vsl均可以电连接到一个或更多个布线垫wpd。每个布线垫wpd可以设置在无效区域ds中。在一个实施例中，数据线dtl的布线垫wpd_dt(在下文中，称为“数据垫”)可以设置在位于有效区域aa的在第二方向dr2上的一侧的垫区域pda中，参考电压布线rvl的布线垫wpd_rv(在下文中，称为“参考电压垫”)、第一电压布线vdl的布线垫wpd_vdd(在下文中，称为“第一电力垫”)和第二电压布线vsl的布线垫wpd_vss(在下文中，称为“第二电力垫”)可以设置在位于有效区域aa的在第二方向dr2上的另一侧的垫区域pda中。作为另一示例，数据垫wpd_dt、参考电压垫wpd_rv、第一电力垫wpd_vdd和第二电力垫wpd_vss可以全部设置在同一区域(例如，位于有效区域aa的上侧的无效区域ds)中。外部装置可以安装在布线垫wpd上。外部装置可以通过各向异性导电膜、超声键合等安装在布线垫wpd上。
93.第一显示基底10的每个像素px包括像素驱动电路。上述布线可以在穿过或围绕每个像素px的同时向每个像素驱动电路施加驱动信号。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。每个像素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以被不同地修改。在下文中，将通过采用其中像素驱动电路具有包括3个晶体管和1个电容器的3t1c结构的示例来描述像素驱动电路，但是发明不限于此，可以应用像素px的各种其他修改结构(诸如2t1c结构、7t1c结构和6t1c结构)。
94.图5是根据一个实施例的一个子像素的等效电路图。
95.参照图5，除了发光二极管el之外，根据一个实施例的显示装置的每个像素px或子像素pxn还包括三个晶体管drt、sct和sst以及一个存储电容器cst。
96.发光二极管el根据通过驱动晶体管drt供应的电流发射光。发光二极管el包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的发光元件300(见图11)。由于从第一电极和第二电极发送的电信号，发光元件300可以发射特定波长范围的光。下面将提供其详细描述。
97.发光二极管el的一端部可以连接到驱动晶体管drt的第一源/漏电极，其另一端部可以连接到第二电压布线vsl，通过第二电压布线vsl供应比第一电压布线vdl的高电位电压(第一电力电压vdd)低的低电位电压(第二电力电压vss)。
98.驱动晶体管drt根据其栅电极与源电极之间的电压差来调整从通过其供应第一电力电压vdd的第一电压布线vdl流到发光二极管el的电流。驱动晶体管drt的栅电极可以连
接到扫描晶体管sct的第一源/漏电极，驱动晶体管drt的第一源/漏电极可以连接到发光二极管el的第一电极，驱动晶体管drt的第二源/漏电极可以连接到通过其施加第一电力电压vdd的第一电压布线vdl。
99.扫描晶体管sct通过扫描线scl的扫描信号而导通，以使数据线dtl连接到驱动晶体管drt的栅电极。扫描晶体管sct的栅电极可以连接到扫描线scl，扫描晶体管sct的第一源/漏电极可以连接到驱动晶体管drt的栅电极，扫描晶体管sct的第二源/漏电极可以连接到数据线dtl。
100.感测晶体管sst通过感测线ssl的感测信号而导通，以使参考电压布线rvl连接到驱动晶体管drt的第一源/漏电极。感测晶体管sst可以包括连接到感测线ssl的栅电极、连接到参考电压布线rvl的第一源/漏电极、以及连接到驱动晶体管drt的第一源/漏电极的第二源/漏电极。
101.在一个实施例中，在晶体管drt、sct和sst中的每个中，第一源/漏电极可以是源电极，第二源/漏电极可以是漏电极，但是发明不限于此，上面的描述的互换可以是可行的。
102.电容器cst形成在驱动晶体管drt的栅电极与第一源/漏电极之间。存储电容器cst存储驱动晶体管drt的栅极电压与第一源极/漏极电压之间的电压差。
103.晶体管drt、sct和sst中的每个可以形成为薄膜晶体管。另外，在图5中，晶体管drt、sct和sst中的每个已经被描述为形成为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，但是发明不限于此。也就是说，晶体管drt、sct和sst中的每个可以形成为p型mosfet，或者其中的一些可以形成为n型mosfet，而其中的另一些可以形成为p型mosfet。
104.在下文中，将进一步参照其他附图详细描述根据一个实施例的第一显示基底10的一个像素px的结构。
105.图6是示出根据一个实施例的显示装置的一个像素的示意性平面图。图7是包括在根据一个实施例的显示装置的一个子像素中的电路元件层的示意性平面图。图8是包括在根据一个实施例的显示装置的一个像素中的显示元件层的示意性平面图。图9是沿着图7和图8的线qa-qa'、线qb-qb'和线qc-qc'截取的剖视图。图10是沿着图7和图8的线q1-q1'截取的剖视图。
106.在图6中，部分地省略并示出了设置在每个子像素pxn中的电路元件和显示元件(图6中的区域“r”、“g”和“b”)，图7示出了一个子像素(例如，第三子像素px3)的电路元件层，图8示出了包括在一个像素px中的显示元件层。图9和图10示出了子像素pxn的电路元件层和显示元件层的部分剖面。在下文中，图6至图8的第一方向dr1的两侧可以分别被称为左侧和右侧，其第二方向dr2的两侧可以分别被称为上侧和下侧。
107.参照图6至图10，像素px中的每个可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。第一子像素px1可以发射第一颜色的光，第二子像素px2可以发射第二颜色的光，第三子像素px3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，发明不限于此，子像素pxn可以发射具有相同颜色的光。另外，在图6中，像素px被示出为包括三个子像素pxn，但不限于此，可以包括更多数量的子像素pxn。
108.第一显示基底10的子像素pxn中的每个可以包括被限定为发光区域ema的区域。第一子像素px1可以包括第一发光区域ema1，第二子像素px2可以包括第二发光区域ema2，第三子像素px3可以包括第三发光区域ema3。发光区域ema可以被限定为其中设置有包括在第
一显示基底10中的发光元件300以发射特定波长范围内的光的区域。从发光元件300的发光层330发射的光可以发射到发光元件300的两个端部表面和侧表面。发光区域ema可以包括其中设置有发光元件300的区域，并且可以包括与发光元件300相邻且从发光元件300发射的光发射通过的区域。
109.发明不限于此，发光区域ema还可以包括其中从发光元件300发射的光由于另一构件而被反射或折射并且被发射的区域。多个发光元件300可以设置在每个子像素pxn中，其中设置有发光元件300的区域和与所述区域相邻的区域可以形成发光区域ema。
110.尽管未在附图中示出，但是第一显示基底10的子像素pxn中的每个可以包括被限定为除了发光区域ema之外的区域的非发光区域。非发光区域可以是其中未设置有发光元件300并且从发光元件300发射的光不到达从而不发射光的区域。
111.在根据一个实施例的第一显示基底中，每个像素px或子像素pxn可以包括电路元件层和显示元件层。显示元件层可以是其中设置有包括发光元件300的第一电极210和第二电极220的层，电路元件层可以是其中设置有包括用于驱动发光元件300的像素电路元件的多条布线的层。例如，除了驱动晶体管drt、扫描晶体管sct、感测晶体管sst和存储电容器cst之外，电路元件层还可以包括扫描线scl、感测线ssl、数据线dtl、参考电压布线rvl、第一电压布线vdl、第二电压布线vsl等。
112.具体地，第一显示基底10可以包括第一基底101，电路元件层和显示元件层可以设置在第一基底101上。第一基底101可以由诸如玻璃、石英、聚合物树脂等的绝缘材料制成。另外，第一基底101可以是刚性基底，但是也可以是可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性基底。
113.光阻挡层bml可以设置在第一基底101上。光阻挡层bml可以被设置为与驱动晶体管drt的第一有源层drt_act的一部分叠置，这将在下面描述。光阻挡层bml可以包括阻挡光的材料，从而防止光入射在第一有源层drt_act上。作为示例，光阻挡层bml可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。然而，发明不限于此，在一些情况下，光阻挡层bml可以被省略，或者可以以更大的数量设置以与其他晶体管的有源层叠置。
114.缓冲层102设置在第一基底101和光阻挡层bml上。缓冲层102可以完全地设置在第一基底101上。缓冲层102可以形成在第一基底101上以保护像素px的晶体管免受渗透过易受湿气渗透的第一基底101的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层102可以形成为交替地堆叠的多个无机层。例如，缓冲层102可以由其中氧化硅(sio
x
)层、氮化硅(sin
x
)层和氮氧化硅(sion)层中的一个或更多个无机层交替地堆叠的多层形成。
115.半导体层设置在缓冲层102上。半导体层可以形成晶体管中的每个的有源层。半导体层可以包括驱动晶体管drt的第一有源层drt_act、扫描晶体管sct的第二有源层sct_act和感测晶体管sst的第三有源层sst_act。有源层中的每个可以被设置为与第一栅极导电层的栅电极部分地叠置，这将在下面描述。在附图中，第一有源层drt_act和第三有源层sst_act可以设置在相对于每个子像素pxn的中心的下侧，第二有源层sct_act可以设置在相对于每个子像素pxn的中心的上侧。另外，第一有源层drt_act和第三有源层sst_act可以整体地形成为一个半导体层，驱动晶体管drt和感测晶体管sst可以彼此电连接。
116.此外，半导体层还可以包括第一半导体图案sp1。第一半导体图案sp1可以连接到感测晶体管sst的栅电极和感测线ssl，这将在下面描述。
117.同时，在实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。当半导体
层包括多晶硅时，有源层中的每个可以包括掺杂区和沟道区。例如，第一有源层drt_act可以包括第一掺杂区drt_acta、第二掺杂区drt_actb和第一沟道区drt_actc。每个掺杂区可以是掺杂有杂质的区域，沟道区可以设置在掺杂区之间。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。结晶方法的示例可以包括快速热退火(rta)方法、固相结晶(spc)方法、准分子激光退火(ela)方法、金属诱导横向结晶(milc)方法和顺序横向固化(sls)方法等，但是发明不限于此。作为另一示例，半导体层可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅等。
118.然而，半导体层不必局限于以上描述。在实施例中，半导体层也可以包括氧化物半导体。在这种情况下，每个掺杂区可以是导体区域。在实施例中，当半导体层包括氧化物半导体时，氧化物半导体可以是包含铟(in)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铟镓锌锡(igzto)等。然而，发明不限于此。
119.第一栅极绝缘层103设置在半导体层和缓冲层102上。第一栅极绝缘层103可以用作晶体管中的每个的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层103可以形成为包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)的无机材料的无机层，或者形成为无机层的堆叠结构。
120.第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层103上。第一栅极导电层可以包括晶体管中的每个的栅电极、扫描线scl、感测线ssl、第二电压布线vsl、参考电压分配线rvt和存储电容器cst的第一电容器电极cse1。
121.晶体管中的每个的栅电极可以被设置为与相应的有源层部分地叠置。例如，驱动晶体管drt的第一栅电极drt_g可以与第一有源层drt_act的一部分叠置，扫描晶体管sct的第二栅电极sct_g可以与第二有源层sct_act的一部分叠置，感测晶体管sst的第三栅电极sst_g可以与第三有源层sst_act的一部分叠置。第一栅电极drt_g可以连接到第一电容器电极cse1以形成单个图案。第二栅电极sct_g可以电连接到扫描线scl，第三栅电极sst_g可以通过第一半导体图案sp1电连接到感测线ssl。
122.扫描线scl可以在第一方向dr1上延伸，并且可以被设置为超过相邻子像素pxn的边界。扫描线scl可以设置在相对于子像素pxn的中心的上侧。扫描线scl可以通过在下面将要描述的第一数据导电层的导电图案电连接到第二栅电极sct_g，并且可以向扫描晶体管sct传输扫描信号。
123.感测线ssl可以在第一方向dr1上延伸，并且可以被设置为超过相邻子像素pxn的边界。感测线ssl可以设置在相对于子像素pxn的中心的第二方向dr2上的下侧。感测线ssl可以通过第一半导体图案sp1电连接到第三栅电极sst_g，并且可以向感测晶体管sst传输感测信号。
124.参考电压分配线rvt可以设置在感测线ssl的下侧，并且可以在第一方向dr1上延伸。参考电压分配线rvt可以被设置为从第一子像素px1延伸到第三子像素px3，并且每个像素px(即，三个子像素pxn)可以共享一条参考电压分配线rvt。参考电压分配线rvt可以电连接到参考电压布线rvl和每个子像素pxn的感测晶体管sst的第一源/漏电极，这将在下面描述。参考电压分配线rvt可以向感测晶体管sst传输从参考电压布线rvl施加的参考电压。
125.第二电压布线vsl可以在第二方向dr2上延伸，并且可以被设置为超过在第二方向dr2上相邻的子像素pxn的边界。一条第二电压布线vsl可以设置在每一个像素px中，即，针对每三个子像素pxn设置一条第二电压布线vsl。例如，第二电压布线vsl可以设置在第三子
像素px3的右侧以在第二方向dr2上延伸，并且可以不设置在第一子像素px1和第二子像素px2中。如上所述，第二电压布线vsl可以电连接到布线垫wpd，使得第二电力电压vss可以连接到第二电压布线vsl。第二电压布线vsl可以电连接到将在下面描述的第二电极220，使得第二电力电压vss可以施加到发光元件300。
126.然而，发明不限于此。在一些实施例中，第二电压布线vsl还可以包括在第一方向dr1上延伸的部分。每个子像素pxn的第二电极220可以电连接到第二电压布线vsl的在第一方向dr1上延伸的部分。另外，第二电压布线vsl不必设置在第一栅极导电层中，而是可以设置在第一数据导电层中，这将在下面描述。
127.存储电容器cst的第一电容器电极cse1设置在扫描线scl与感测线ssl之间。存储电容器cst的第一电容器电极cse1可以电连接到第一栅电极drt_g和扫描晶体管sct的第一源/漏电极sct_sd1。另外，如下面将描述的，在平面图中，第一电容器电极cse1可以位于第一电压布线vdl与数据线dtl之间。
128.扫描晶体管sct的第一源/漏电极sct_sd1可以在与第二有源层sct_act的一侧叠置的区域中通过第五接触孔ct5与第二有源层sct_act接触。扫描晶体管sct可以连接到存储电容器cst的第一电容器电极cse1。例如，扫描晶体管sct的第一源/漏电极sct_sd1可以与存储电容器cst的第一电容器电极cse1成一体。
129.第一栅极导电层可以形成为由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或其合金制成的单层或多层。然而，发明不限于此。
130.第一层间绝缘层105设置在第一栅极导电层上。第一层间绝缘层105可以用作第一栅极导电层与设置在其上的其他层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层105可以形成为包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)的无机材料的无机层，或者形成为无机层的堆叠结构。
131.同时，尽管在附图中未示出，但是可以在第一栅极导电层和第一层间绝缘层105上设置更多的绝缘层和导电层。导电层的至少一部分可以被设置为与第一栅极导电层叠置，且绝缘层置于它们之间。
132.第一数据导电层设置在第一层间绝缘层105上。第一数据导电层可以包括数据线dtl、第一电压布线vdl、参考电压布线rvl、晶体管中的每个的源/漏电极、多个导电图案sdp1和vcp、以及存储电容器cst的第二电容器电极cse2。
133.数据线dtl可以在第二方向dr2上延伸，并且可以被设置为超过相邻子像素pxn的边界。数据线dtl可以设置在相对于子像素pxn的中心的右侧。数据线dtl可以通过第四接触孔ct4与第二有源层sct_act的一侧接触。数据线dtl的一部分可以是扫描晶体管sct的第二源/漏电极，施加到数据线dtl的数据信号可以传输到扫描晶体管sct。
134.第一电压布线vdl可以在第二方向dr2上延伸，并且可以被设置为超过相邻子像素pxn的边界。第一电压布线vdl可以设置在相对于子像素pxn的中心的左侧。第一电压布线vdl可以通过第一接触孔ct1与第一有源层drt_act的一侧接触。也就是说，第一电压布线vdl的一部分可以连接到驱动晶体管drt的第一源/漏电极drt_sd1(见图9)，施加到第一电压布线vdl的第一电力电压vdd可以传输到驱动晶体管drt。
135.第一电压布线vdl和数据线dtl可以设置在每个子像素pxn中。第一电压布线vdl和数据线dtl可以分别设置在相对于每个子像素pxn的中心的左侧和右侧，并且可以被设置为
在第二方向dr2上延伸。
136.参考电压布线rvl可以在第二方向dr2上延伸，并且可以被设置为超过在第二方向dr2上相邻的子像素pxn的边界。一条参考电压布线rvl可以设置在每一个像素px中，即，针对每三个子像素pxn设置一条参考电压布线rvl。例如，参考电压布线rvl可以在第三子像素px3中设置在数据线dtl的左侧，并且可以不设置在第一子像素px1和第二子像素px2中。参考电压布线rvl可以电连接到上述参考电压分配线rvt。参考电压布线rvl可以通过第十接触孔ct10电连接到参考电压分配线rvt。通过参考电压布线rvl施加的参考电压可以通过参考电压分配线rvt传输到每个子像素pxn的感测晶体管sst。
137.存储电容器cst的第二电容器电极cse2设置在第一电压布线vdl与数据线dtl之间。存储电容器cst的第二电容器电极cse2可以被设置为与第一电容器电极cse1叠置，并且在第二电容器电极cse2与第一电容器电极cse1之间可以形成存储电容器(见图10中的“cst”)。也就是说，在一个实施例中，在平面图中，第一电容器电极cse1和第二电容器电极cse2中的每个可以位于第一电压布线vdl与数据线dtl之间。存储电容器cst的第二电容器电极cse2可以连接到驱动晶体管drt的第二源/漏电极drt_sd(或图9中的“drt_sd2”)。例如，存储电容器cst的第二电容器电极cse2可以与驱动晶体管drt的第二源/漏电极drt_sd2成一体。驱动晶体管drt的第二源/漏电极drt_sd2可以通过第二接触孔ct2与第一有源层drt_act的一部分接触，并且可以通过第三接触孔ct3与光阻挡层bml的一部分接触。另外，驱动晶体管drt的第二源/漏电极drt_sd2也可以通过第八接触孔ct8与第三有源层sst_act的一侧接触，并且所述一侧可以构成感测晶体管sst的源/漏电极。
138.感测晶体管sst的第一源/漏电极sst_sd可以与第三有源层sst_act的另一侧和参考电压分配线rvt接触。感测晶体管sst的第一源/漏电极sst_sd可以通过第七接触孔ct7与第三有源层sst_act接触，并且可以通过第十接触孔ct10与参考电压分配线rvt接触。
139.第一数据导电层的第一导电图案sdp1和第二导电图案vcp可以连接到第一栅极导电层的一部分。第一导电图案sdp1可以连接到扫描线scl和第二栅电极sct_g，从扫描线scl施加的扫描信号可以传输到扫描晶体管sct。第一导电图案sdp1可以通过穿过第一层间绝缘层105的第六接触孔ct6与扫描线scl和扫描晶体管sct的第二栅电极sct_g接触。第二栅电极sct_g可以通过第一导电图案sdp1电连接到扫描线scl，扫描信号可以传输到扫描晶体管sct。
140.第二导电图案vcp可以被设置为与第二电压布线vsl叠置。第二导电图案vcp可以通过穿过第一层间绝缘层105的第一布线接触孔cts1与第二电压布线vsl接触。另外，第二导电图案vcp可以通过第二布线接触孔cts2与第二电极220接触，这将在下面描述。第二电极220可以通过第二导电图案vcp电连接到第二电压布线vsl。
141.第一数据导电层可以形成为由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或其合金制成的单层或多层。然而，发明不限于此。
142.第一保护层107设置在第一数据导电层上。第一保护层107可以被设置为覆盖第一数据导电层，并且可以执行保护第一数据导电层的功能。第一保护层107可以形成为包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)的无机材料的无机层，或者形成为无机层的堆叠结构。
143.第一平坦化层109设置在第一保护层107上。第一平坦化层109可以包括有机绝缘
材料(例如，诸如聚酰亚胺(pi)的有机材料)，并且可以执行表面平坦化功能。然而，发明不限于此。可以在第一平坦化层109与第一保护层107之间设置更多数量的导电层。
144.包括内部堤410和420、多个电极210和220、外部堤450、多个接触电极261和262以及发光元件300的显示元件层设置在第一平坦化层109上。另外，多个绝缘层il1、il2和il3可以进一步设置在第一平坦化层109上。
145.内部堤410和420直接设置在第一平坦化层109上。内部堤410和420可以包括被设置为与每个像素px或子像素pxn的中心部分相邻的第一内部堤410和第二内部堤420。
146.第一内部堤410和第二内部堤420可以被设置为彼此间隔开并且在第一方向dr1上彼此面对。另外，第一内部堤410和第二内部堤420可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在子像素pxn之间的边界处分开并终止以便不延伸到在第二方向dr2上相邻的另一子像素pxn。第一内部堤410和第二内部堤420可以设置在每个子像素pxn中，以在有效区域aa的整个表面上形成图案。通过将内部堤410和420设置为彼此间隔开并彼此面对，其中设置有发光元件300的区域可以形成在内部堤410和420之间。在附图中，示出了设置了两个第一内部堤410和设置在两个第一内部堤410之间的一个第二内部堤420，但是发明不限于此。在一些情况下，可以根据电极210和220的数量进一步设置更多数量的内部堤410和420。
147.根据一个实施例，在平面图中，第一内部堤410和第二内部堤420可以位于第一电压布线vdl与数据线dtl之间。如下面将描述的，外部堤450可以设置在子像素pxn中的每个的边界处，第一电压布线vdl和数据线dtl可以设置在每个子像素pxn中并且可以在厚度方向上与外部堤450部分地叠置。第一内部堤410和第二内部堤420均可以被设置为与外部堤450间隔开，并且可以位于第一电压布线vdl与数据线dtl之间。也就是说，第一电压布线vdl在平面图中可以在第二内部堤440和邻近第二内部堤440的外部堤450之间在第二方向dr2上延伸，并且在一些情况下，第一电压布线vdl可以在厚度方向上与第一内部堤410叠置。数据线dtl在平面图中可以在第一内部堤410和邻近第一内部堤410的外部堤450之间在第二方向dr2上延伸，并且在一些情况下，数据线dtl可以在厚度方向上与第二内部堤420叠置。如在这里使用的，术语“厚度方向”可以指在剖面中的竖直方向，或者多个层叠置的方向。在厚度方向上叠置的构件可以意指构件中的至少一部分被设置为在平面图中彼此叠置。换言之，第一电压布线vdl和数据线dtl可以被设置为在平面图中分别与第一内部堤410和第二内部堤420部分叠置，但是发明不限于此。
148.此外，在一些实施例中，第一内部堤410的至少一部分可以在厚度方向上与第一电压布线vdl叠置，第二内部堤420可以在厚度方向上不与数据线dtl叠置。另一方面，数据线dtl可以在厚度方向上与外部堤450的在第二方向dr2上延伸的部分叠置，第一电压布线vsl可以在厚度方向上不与外部堤450的在第二方向dr2上延伸的部分叠置。然而，发明不限于此。
149.第一内部堤410和第二内部堤420中的每个可以具有预定的宽度，并且可以具有其中其至少一部分相对于第一平坦化层109的上表面突出的结构。第一内部堤410和第二内部堤420中的每个可以具有相同的宽度，其突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从设置在第一内部堤410与第二内部堤420之间的发光元件300发射的光可以朝向内部堤410和420的倾斜的侧表面行进。如下面将描述的，分别设置在内部堤410和420上的电极210和220可以包括具有高反射率的材料，并且从发光元件300发射的光可以从设置在内部堤410和420的侧
表面上的电极210和220反射以在相对于第一基底101的向上方向上发射。也就是说，内部堤410和420可以提供其中设置有发光元件300的区域，并且同时可以用作使从发光元件300发射的光向上反射的反射分隔壁。在实施例中，内部堤410和420可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，但是发明不限于此。
150.多个电极210和220设置在内部堤410和420以及第一平坦化层109上。多个电极210和220可以包括设置在第一内部堤410上的第一电极210和设置在第二内部堤420上的第二电极220。
151.第一电极210和第二电极220可以分别包括在第一方向dr1上延伸的电极主干部分210s和220s以及分别从电极主干部分210s和220s沿第二方向dr2分支的一个或更多个电极分支部分210b和220b。
152.具体地，第一电极210可以包括被设置为在第一方向dr1上延伸的第一电极主干部分210s和从第一电极主干部分210s分支以沿第二方向dr2延伸的一个或更多个第一电极分支部分210b。任何一个子像素pxn的第一电极主干部分210s的两个端部可以在子像素pxn之间彼此间隔开并终止，并且与在同一行中的相邻子像素pxn(例如，其在第一方向dr1上相邻)的第一电极主干部分210s基本上放置在同一直线上。由于设置在每个子像素pxn中的第一电极主干部分210s中的每个的两个端部彼此间隔开，因此电信号可以独立地传输到第一电极分支部分210b中的每个。
153.第一电极分支部分210b从第一电极主干部分210s的至少一部分分支，并且被设置为在第二方向dr2上延伸。第一电极分支部分210b可以在与被设置为面对第一电极主干部分210s的第二电极主干部分220s间隔开的状态下终止。
154.第一电极210可以电连接到驱动晶体管drt。例如，第一电极210可以通过电极接触孔ctd与第二源/漏电极drt_sd2接触，电极接触孔ctd形成在与第一电极主干部分210s叠置的部分处并穿过第一平坦化层109以暴露驱动晶体管drt的第二源/漏电极drt_sd2的上表面的一部分。然而，发明不限于此。在一些实施例中，可以在第一平坦化层109和第一数据导电层之间设置更多数量的导电层，并且第一电极210可以通过导电层电连接到驱动晶体管drt。
155.第二电极220可以包括被设置为在第一方向dr1上延伸的第二电极主干部分220s和从第二电极主干部分220s分支以在第二方向dr2上延伸的一个或更多个第二电极分支部分220b。第二电极主干部分220s可以被设置为在第二方向dr2上与第一电极主干部分210s间隔开并且面对第一电极主干部分210s，第二电极分支部分220b可以被设置为在第一方向dr1上与一个或更多个第一电极分支部分210b间隔开并且面对一个或更多个第一电极分支部分210b。作为示例，第二电极分支部分220b可以设置在两个第一电极分支部分210b之间，第二电极分支部分220b的两侧可以分别与第一电极分支部分210b间隔开并且面对第一电极分支部分210b。
156.与第一电极主干部分210s不同，第二电极主干部分220s可以被设置为在第一方向dr1上延伸以横穿子像素pxn中的每个。第二电极分支部分220b可以在第二方向dr2上从第二电极主干部分220s分支，并且以与第一电极主干部分210s间隔开的状态终止。多个发光元件300可以设置在第二电极分支部分220b与第一电极分支部分210b之间。
157.第二电极220可以电连接到第二电压布线vsl。例如，第二电极220可以通过第二布
线接触孔cts2与第二导电图案vcp接触，第二布线接触孔cts2形成在第三子像素px3与在第一方向dr1上相邻的子像素pxn之间并且穿过第一平坦化层109以暴露第二导电图案vcp的上表面的一部分。第二电极220可以通过第二导电图案vcp电连接到第二电压布线vsl。然而，发明不限于此。当第二电压布线vsl设置在第一数据导电层中时，可以省略第二导电图案vcp，并且第二电极220可以与第二电压布线vsl直接接触。
158.在附图中，示出了两个第一电极分支部分210b和一个第二电极分支部分220b设置在一个子像素pxn中，并且第一电极210以围绕第二电极分支部分220b的外表面的形状设置。然而，发明不限于此。可以在每个子像素pxn中设置更多或更少数量的电极分支部分210b和220b。在这种情况下，第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b可以彼此间隔开地交替地设置。
159.同时，第一电极210和第二电极220中的每个可以不必具有在一个方向上延伸的形状，而是可以具有各种形状。例如，第一电极210和第二电极220均可以具有部分弯曲或弯折的形状，第一电极210和第二电极220中的一个电极也可以被设置为围绕其另一电极。只要第一电极210的至少一部分区域和第二电极220的至少一部分区域彼此间隔开并且彼此面对以形成其中发光元件300将要设置在第一电极210与第二电极220之间的区域，第一电极210和第二电极220的布置结构和形状就不受特别限制。
160.多个电极210和220可以电连接到发光元件300，并且可以接收预定的电压以允许发光元件300发射光。例如，多个电极210和220可以通过下面将描述的接触电极261和262电连接到发光元件300，并且可以通过接触电极261和262向发光元件300传输施加到电极210和220的电信号。
161.在实施例中，第一电极210可以是针对每个子像素pxn分开的像素电极，第二电极220可以是沿着每个子像素pxn公共连接的共电极。第一电极210和第二电极220中的一个可以是发光元件300的阳极，而其中的另一个可以是发光元件300的阴极。然而，发明不限于此，并且上面的描述的互换可以是可行的。
162.此外，电极210和220中的每个可以用来在子像素pxn中形成电场，从而使发光元件300对准。发光元件300可以通过向第一电极210和第二电极220施加对准信号经由在第一电极210与第二电极220之间形成电场的工艺而设置在第一电极210与第二电极220之间。发光元件300可以通过喷墨印刷工艺以分散在墨中的状态喷射到第一电极210和第二电极220上，并且可以通过在第一电极210与第二电极220之间施加对准信号经由向发光元件300施加介电泳力的方法在第一电极210与第二电极220之间对准。
163.第一电极210和第二电极220可以分别设置在第一内部堤410和第二内部堤420上，并且可以彼此间隔开且在第一方向dr1上彼此面对。多个发光元件300可以设置在第一内部堤410与第二内部堤420之间，并且发光元件300中的每个的至少一端部可以电连接到第一电极210和第二电极220。设置在第一内部堤410和第二内部堤420上的第一电极210和第二电极220可以分别是第一电极分支部分210b的一部分和第二电极分支部分220b的一部分。
164.在一些实施例中，第一电极210和第二电极220可以形成为分别具有比第一内部堤410和第二内部堤420的宽度大的宽度。例如，第一电极210和第二电极220可以被设置为分别覆盖第一内部堤410和第二内部堤420的外表面。第一电极210和第二电极220可以分别设置在第一内部堤410和第二内部堤420的侧表面上，第一电极210与第二电极220之间的分隔
距离可以比第一内部堤410与第二内部堤420之间的分隔距离小。另外，第一电极210和第二电极220中的每个的至少部分区域可以直接设置在第一平坦化层109上。
165.电极210和220中的每个可以包括透明导电材料。作为示例，电极210和220中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)等的材料，但是发明不限于此。在一些实施例中，电极210和220中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极210和220中的每个可以包括诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)等的金属作为具有高反射率的材料。在这种情况下，电极210和220中的每个可以相对于每个子像素pxn在向上方向上反射从发光元件300发射并行进到第一内部堤410和第二内部堤420的侧表面的光。
166.发明不限于此，电极210和220中的每个可以以其中透明导电材料和具有高反射率的金属层中的一层或更多层堆叠的结构形成，或者形成为包括透明导电材料和金属层的单层。在实施例中，电极210和220中的每个可以具有ito/ag/ito/izo的堆叠结构，或者可以是包括al、ni、镧(la)等的合金。
167.第一绝缘层il1设置在第一平坦化层109、第一电极210和第二电极220上。除了彼此间隔开的电极210与220之间或内部堤410与420之间的区域之外，第一绝缘层il1还可以相对于内部堤410和420设置在与内部堤410和420之间的区域相对的一侧。例如，第一绝缘层il1可以完全地设置在包括第一电极210和第二电极220的第一平坦化层109上，并且可以被设置为暴露第一电极210和第二电极220中的每个的上表面的一部分。部分地暴露第一电极210和第二电极220的开口(未示出)可以形成在第一绝缘层il1中，第一绝缘层il1可以被设置为仅覆盖第一电极210和第二电极220中的每个的一侧和另一侧。第一电极210和第二电极220的分别设置在内部堤410和420上的部分中的一些部分可以由于开口而部分地暴露。
168.第一绝缘层il1可以保护第一电极210和第二电极220，并且同时使第一电极210与第二电极220绝缘。另外，第一绝缘层il1可以防止设置在第一绝缘层il1上的发光元件300通过与其他构件直接接触而被损坏。然而，第一绝缘层il1的形状和结构不限于此。
169.在一些实施例中，可以在第一绝缘层il1的上表面的在第一电极210与第二电极220之间的部分上形成台阶差。在一些实施例中，第一绝缘层il1可以包括无机绝缘材料，第一绝缘层il1的上表面的被设置为部分地覆盖第一电极210和第二电极220的部分可能因设置在第一绝缘层il1下方的电极210和220而为台阶状。因此，可能在发光元件300(发光元件300在第一电极210与第二电极220之间设置在第一绝缘层il1上)和第一绝缘层il1的上表面之间形成空的空间。空的空间可以填充形成第二绝缘层il2的材料，这将在下面描述。
170.然而，发明不限于此。第一绝缘层il1可以形成为使得其设置在第一电极210与第二电极220之间的部分具有平坦的上表面。上表面在朝向第一电极210和第二电极220的一个方向上延伸，第一绝缘层il1也可以设置在其中电极210和220分别与第一内部堤410和第二内部堤420的倾斜侧表面叠置的区域中。下面将描述的接触电极261和262可以与第一电极210和第二电极220的暴露区域接触，并且可以与发光元件300的在第一绝缘层il1的平坦上表面上的端部平滑地接触。
171.外部堤450可以设置在第一绝缘层il1上。外部堤450可以设置在子像素pxn中的每个之间的边界处。外部堤450可以被设置为在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸，以围绕内部堤410和420与电极210和220中的包括其中发光元件300设置在内部堤410和420之间以及
电极210和220之间的区域的一些。外部堤450可以在第一显示基底10的有效区域aa的整个表面上形成网格图案。
172.外部堤450可以设置在子像素pxn中的每个之间的边界处，并且可以在厚度方向上与设置在每个子像素pxn或像素px中的布线部分地叠置。在实施例中，外部堤450在平面图中均可以在厚度方向上与设置在每个子像素pxn中的数据线dtl叠置，并且其中一些外部堤450可以在厚度方向上与设置在每个像素px中的参考电压布线rvl叠置。外部堤450的在第二方向dr2上延伸的部分可以与在第二方向dr2上延伸同时设置在沿第一方向dr1相邻的子像素pxn的边界处的布线部分地叠置。另外，即使在第一方向dr1上延伸的布线(例如，扫描线scl和感测线ssl)可以被设置为在厚度方向上与外部堤450的在第二方向dr2上延伸的部分叠置。然而，扫描线scl和感测线ssl可以被设置为在厚度方向上不与外部堤450的在第一方向dr1上延伸的部分叠置。
173.根据一个实施例，外部堤450的高度可以比内部堤410和420中的每个的高度大。与内部堤410和420不同，外部堤450可以划分相邻的子像素pxn，并且同时在第一显示基底10的制造工艺期间在用于设置发光元件300的喷墨印刷工艺中防止墨溢出到相邻的子像素pxn。也就是说，外部堤450可以使不同的子像素pxn中的、不同发光元件300分散在其中的墨彼此分开，以防止墨彼此混合。与内部堤410和420类似，外部堤450可以包括聚酰亚胺(pi)，但是发明不限于此。
174.发光元件300可以设置在第一电极210与第二电极220之间形成的区域或者第一内部堤410与第二内部堤420之间形成的区域中。发光元件300的一端部可以电连接到第一电极210，其另一端部可以电连接到第二电极220。发光元件300可以通过接触电极261和262分别电连接到第一电极210和第二电极220。
175.多个发光元件300可以被设置为彼此间隔开并且基本上彼此平行地对准。发光元件300之间的间隔距离没有特别限制。在一些情况下，多个发光元件300可以彼此相邻地设置以形成组，并且多个其他发光元件300可以以预定的间距间隔开的状态分组，并且可以以不均匀的密度在一个方向上定向并对准。另外，在实施例中，发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状，电极210和220中的每个延伸的方向可以与发光元件300延伸的方向基本上垂直。然而，发明不限于此，发光元件300可以倾斜地设置，而不与电极210和220中的每个延伸的方向垂直。
176.根据一个实施例的发光元件300可以包括具有不同材料的发光层330，以将不同波长范围的光发射到外部。根据一个实施例，子像素pxn中的每个可以包括发射不同波长范围内的光的发光元件300。第一子像素px1的发光元件300可以包括发射具有在中心波长范围内的第一波长的第一颜色的光的发光层330，第二子像素px2的发光元件300可以包括发射具有在中心波长范围内的第二波长的第二颜色的光的发光层330，第三子像素px3的发光元件300可以包括发射具有在中心波长范围内的第三波长的第三颜色的光的发光层330。
177.因此，可以从第一子像素px1发射第一颜色的光，可以从第二子像素px2发射第二颜色的光，并且可以从第三子像素px3发射第三颜色的光。然而，发明不限于此。在一些情况下，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3可以包括相同类型的发光元件300，以发射基本上相同颜色的光。
178.发光元件300可以在内部堤410和420之间或在电极210和220之间设置在第一绝缘
层il1上。另外，发光元件300可以被设置为使得其部分区域在厚度方向上与电极210和220中的每个叠置。发光元件300的一端部可以在厚度方向上与第一电极210叠置并且可以放置在第一电极210上，其另一端部可以在厚度方向上与第二电极220叠置并且可以放置在第二电极220上。然而，发明不限于此，尽管在附图中未示出，但是设置在每个子像素pxn中的发光元件300中的至少一些可以设置在除了形成在内部堤410和420之间的区域之外的区域(例如，内部堤410和420与外部堤450之间的区域)中。
179.同时，发光元件300可以设置在第一内部堤410与第二内部堤420之间，第一电容器电极cse1和第二电容器电极cse2可以设置在第一电压布线vdl与数据线dtl之间。根据一个实施例，发光元件300中的至少一些可以被设置为在厚度方向上与电路元件层的第一电容器电极cse1和第二电容器电极cse2叠置。如上所述，在平面图中，内部堤410和420以及第一电容器电极cse1和第二电容器电极cse2可以位于第一电压布线vdl与数据线dtl之间。设置在内部堤410和420之间的发光元件300中的至少一些可以被设置为与电路元件层的第一电容器电极cse1和第二电容器电极cse2叠置。从发光元件300的两个端部表面发射的光可以被设置在内部堤410和420的侧表面上的电极210和220反射，以在相对于第一基底101的向上方向上发射。
180.然而，发明不限于此。在一些实施例中，其中设置有电路元件的非发光区域和其中设置有发光元件300的发光区域ema可以分开地位于第一显示基底10中，而发光元件300可以在厚度方向上不与电路元件叠置。在第一显示基底10中，从发光元件300发射的光可以在相对于第一基底101的向上或向后方向上发射。
181.发光元件300可以包括在与第一基底101或第一平坦化层109的上表面平行的方向上设置在其中的多个层。根据一个实施例的发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状，并且具有其中多个半导体层在一个方向上顺序地设置的结构。发光元件300可以被设置为使得发光元件300延伸的一个方向与第一平坦化层109平行，并且包括在发光元件300中的多个半导体层可以在与第一平坦化层109的上表面平行的方向上顺序地设置。然而，发明不限于此。在一些情况下，当发光元件300具有不同的结构时，多个层可以在与第一平坦化层109垂直的方向上设置。
182.第二绝缘层il2可以部分地设置在设置于第一电极210与第二电极220之间的发光元件300。第二绝缘层il2可以在第一电极210与第二电极220之间设置在第一绝缘层il1上，发光元件300可以设置在第一绝缘层il1与第二绝缘层il2之间。在实施例中，在发光元件300中，形成在发光元件300的外表面上的绝缘膜380(见图11)可以与第一绝缘层il1和第二绝缘层il2直接接触。例如，第二绝缘层il2可以被设置为部分地围绕发光元件300的外表面，因此在制造工艺期间，可以保护发光元件300，并且同时可以固定发光元件300。
183.第二绝缘层il2的设置在发光元件300上的部分在平面图中可以具有在第一电极210与第二电极220之间在第二方向dr2上延伸的形状。作为示例，第二绝缘层il2可以在每个子像素pxn中形成条带图案或岛型图案。
184.第二绝缘层il2可以设置在发光元件300上，并且可以暴露发光元件300的一端部和另一端部。发光元件300的暴露端部可以分别与接触电极261和262接触，这将在下面描述。第二绝缘层il2的这种形状可以通过利用典型的掩模工艺通过使用形成第二绝缘层il2的材料的图案化工艺而形成。用于形成第二绝缘层il2的掩模具有比发光元件300的长度小
的宽度，形成第二绝缘层il2的材料可以被图案化以暴露发光元件300的两个端部。然而，发明不限于此。
185.此外，在实施例中，第二绝缘层il2的材料的一部分可以设置在第一绝缘层il1与发光元件300的下表面之间。第二绝缘层il2可以形成为填充在制造工艺期间形成的、在第一绝缘层il1与发光元件300之间的空间。因此，第二绝缘层il2可以形成为围绕发光元件300的外表面。然而，发明不限于此。
186.多个接触电极261和262以及第三绝缘层il3可以设置在第二绝缘层il2上。
187.多个接触电极261和262均可以具有在一个方向上延伸的形状。多个接触电极261和262可以分别与电极210和220以及发光元件300接触，发光元件300可以通过接触电极261和262从第一电极210和第二电极220接收电信号。
188.接触电极261和262可以包括第一接触电极261和第二接触电极262。第一接触电极261和第二接触电极262可以分别设置在第一电极210和第二电极220上。例如，第一接触电极261可以设置在第一电极分支部分210b上，第二接触电极262可以设置在第二电极分支部分220b上，第一接触电极261和第二接触电极262均可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一接触电极261和第二接触电极262可以在第一方向dr1上彼此间隔开并彼此面对，并且可以在每个子像素pxn的发光区域ema中形成条带图案。
189.在一些实施例中，第一接触电极261和第二接触电极262中的每个在一个方向上测量的宽度可以大于或等于第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b中的每个在所述一个方向上测量的宽度。第一接触电极261和第二接触电极262可以被设置为分别与发光元件300的一端部和另一端部接触，并且同时分别覆盖第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b的两个侧表面。如上所述，第一电极210和第二电极220中的每个的上表面可以部分地暴露，第一接触电极261和第二接触电极262可以分别与第一电极210和第二电极220的暴露的上表面接触。第一接触电极261可以与第一电极210的位于第一内部堤410上的部分接触，第二接触电极262可以与第二电极220的位于第二内部堤420上的部分接触。然而，发明不限于此，在一些情况下，第一接触电极261和第二接触电极262的宽度可以形成为分别比第一电极210和第二电极220的宽度小，第一接触电极261和第二接触电极262可以设置为分别仅覆盖第一电极210和第二电极220的上表面的暴露部分。另外，第一接触电极261和第二接触电极262中的每个的至少部分区域设置在第一绝缘层il1上。
190.根据一个实施例，发光元件300具有在延伸方向上在其两个端部表面上暴露的半导体层，第一接触电极261和第二接触电极262可以在半导体层的端部表面(半导体层在端部表面上被暴露)上与发光元件300接触。然而，发明不限于此。发光元件300的两个端部侧表面可以被部分地暴露。在形成覆盖发光元件300的外表面的第二绝缘层il2的工艺中，围绕发光元件300的半导体层的外表面的绝缘膜380(见图11)可以被部分地去除，发光元件300的半导体层的暴露的侧表面可以与第一接触电极261和第二接触电极262接触。发光元件300的一端部可以通过第一接触电极261电连接到第一电极210，其另一端部可以通过第二接触电极262电连接到第二电极220。
191.在附图中，示出了两个第一接触电极261和一个第二接触电极262设置在一个子像素pxn中，但是发明不限于此。第一接触电极261和第二接触电极262的数量可以根据设置在每个子像素pxn中的第一电极210和第二电极220的数量而改变。
192.第一接触电极261可以设置在第一电极210和第二绝缘层il2上。第一接触电极261可以与发光元件300的一端部和第一电极210的暴露的上表面接触。发光元件300的一端部可以通过第一接触电极261电连接到第一电极210。
193.第三绝缘层il3设置在第一接触电极261上。第三绝缘层il3可以使第一接触电极261和第二接触电极262彼此电绝缘。第三绝缘层il3可以被设置为覆盖第一接触电极261，并且可以不设置在发光元件300的另一端部上使得发光元件300可以与第二接触电极262接触。第三绝缘层il3可以在第二绝缘层il2的上表面处与第一接触电极261和第二绝缘层il2部分地接触。第三绝缘层il3的在设置第二电极220的方向上的侧表面可以与第二绝缘层il2的一个侧表面对齐。另外，第三绝缘层il3也可以设置在设置于第一平坦化层109上的第一绝缘层il1上。然而，发明不限于此。
194.第二接触电极262设置在第二电极220、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3上。第二接触电极262可以与发光元件300的另一端部和第二电极220的暴露的上表面接触。发光元件300的另一端部可以通过第二接触电极262电连接到第二电极220。
195.换言之，第一接触电极261可以设置在第一电极210与第三绝缘层il3之间，第二接触电极262可以设置在第三绝缘层il3上。第二接触电极262可以与第二绝缘层il2、第三绝缘层il3、第二电极220和发光元件300部分地接触。第二接触电极262的在设置第一电极210的方向上的一端部可以设置在第三绝缘层il3上。第一接触电极261和第二接触电极262可以由于第二绝缘层il2和第三绝缘层il3而彼此不接触。然而，发明不限于此，在一些情况下，可以省略第三绝缘层il3。
196.接触电极261和262可以包括导电材料。例如，接触电极261和262可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等。作为示例，接触电极261和262可以包括透明导电材料，从发光元件300发射的光可以穿过接触电极261和262并朝向电极210和220行进。电极210和220中的每个可以包括具有高反射率的材料，设置在内部堤410和420的倾斜侧表面上的电极210和220可以使入射光在相对于第一基底101的向上方向上反射。然而，发明不限于此。
197.上述第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3均可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3均可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)等的无机绝缘材料。可选地，第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3均可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、pi树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。然而，发明不限于此。
198.薄膜封装结构tfe1、tfe2和tfe3(统称为“tfe”)可以设置在第三绝缘层il3和第二接触电极262上。薄膜封装结构tfe可以包括至少一个薄膜封装层。例如，薄膜封装层可以包括第一无机膜tfe1、有机膜tfe2和第二无机膜tfe3。第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3中的每个可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。有机膜tfe2可以包括诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(bcb)等的有机绝缘材料。
199.同时，发光元件300可以是发光二极管，具体地，可以是具有微米级或纳米级的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。当在彼此面对的两个电极之间在特定方向上形
成电场时，无机发光二极管可以在其中形成有极性的两个电极之间对准。发光元件300可以由于在两个电极之间形成的电场而在两个电极之间对准。
200.根据一个实施例的发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件300可以具有诸如杆、线或管的形状。在实施例中，发光元件300可以具有圆柱形形状或杆形状。然而，发光元件300的形状不限于此，发光元件300可以具有各种形状，所述各种形状包括立方体、长方体、诸如六边形柱的多边形柱等的形状或者在一个方向上延伸并具有部分倾斜的外表面的形状。包括在发光元件300中的多个半导体可以具有其中半导体在一个方向上顺序地设置或堆叠的结构。
201.发光元件300可以包括掺杂有任意的导电类型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部电源施加的电信号并且发射特定波长范围内的光。
202.图11是根据一个实施例的发光元件的示意图。
203.参照图11，发光元件300可以包括半导体芯和围绕半导体芯的外表面的绝缘膜380。半导体芯可以至少包括第一半导体层310、第二半导体层320和发光层330。在一些实施例中，发光元件300的半导体芯还可以包括电极层370。在下文中，将以其中发光元件300包括第一半导体层310、第二半导体层320、发光层330、电极层370和绝缘膜380的情况为例来描述该实施例。
204.第一半导体层310可以是n型半导体。作为示例，当发光元件300发射蓝色波长范围内的光时，第一半导体层310可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有n型杂质的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn之中的一种或更多种。第一半导体层310可以掺杂有n型掺杂剂，作为示例，n型掺杂剂可以是si、ge、、sn等。在实施例中，第一半导体层310可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层310的长度可以在1.5μm至5μm的范围内，但是发明不限于此。
205.第二半导体层320设置在下面将描述的发光层330上。第二半导体层320可以是p型半导体，作为示例，当发光元件300发射蓝色波长范围内或绿色波长范围内的光时，第二半导体层320可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有p型杂质的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn之中的一种或更多种。第二半导体层320可以掺杂有p型掺杂剂，作为示例，p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、se、ba等。在实施例中，第二半导体层320可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层320的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但是发明不限于此。
206.同时，在附图中，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个被示出为形成为一个层，但是发明不限于此。根据一些实施例，根据发光层330的材料，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个还可以包括更多数量的层(例如，盖层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层)。下面将参照其他附图提供其描述。
207.发光层330设置在第一半导体层310与第二半导体层320之间。发光层330可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层330包括具有多量子阱结构的材料时，发光层330可以具有其中量子层和阱层交替地堆叠的结构。发光层330可以响应于通过第一半导体层310和第二半导体层320施加的电信号由于电子-空穴对的结合而发射光。作为示例，当发光层330发射蓝色波长范围内的光时，发光层330可以包括诸如algan、algainn等的材料。特别地，当发光层330具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层
可以包括诸如algan或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。在实施例中，发光层330包括作为量子层的algainn和作为阱层的alinn。如上所述，发光层330可以发射具有中心波长范围在450nm至495nm范围内的蓝光。
208.然而，发明不限于此，发光层330可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者根据发射光的波长范围包括其他iii-v族半导体材料。由发光层330发射的光不限于蓝色波长范围内的光，在一些情况下，发光层330也可以发射红色波长范围内或绿色波长范围内的光。发光层330的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但是发明不限于此。
209.同时，从发光层330发射的光不仅可以发射到发光元件300在长度方向上的外表面，而且可以发射到发光元件300的两个侧表面。从发光层330发射的光的方向性不限于一个方向。
210.电极层370可以是欧姆接触电极。然而，发明不限于此，电极层370也可以是肖特基接触电极。发光元件300可以包括至少一个电极层370。尽管发光元件300在图11中被示出为包括单个电极层370，但是发明不限于此。在一些情况下，发光元件300可以包括更多数量的电极层370，或者可以省略电极层370。即使当改变电极层370的数量或进一步包括另一结构时，也可以同样地应用发光元件300的描述。
211.当发光元件300电连接到电极210和220或接触电极261和262时，电极层370可以减小发光元件300与电极或接触电极之间的电阻。电极层370可以包括导电金属。例如，电极层370可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)之中的至少一种。另外，电极层370可以包括掺杂有n型杂质或p型杂质的半导体材料。电极层370可以包括相同的材料或不同的材料，但是发明不限于此。
212.绝缘膜380被设置为围绕如上所述的半导体芯(例如，多个半导体层)和电极层的外表面。在实施例中，绝缘膜380可以被设置为至少围绕发光层330的外表面，并且可以在发光元件300延伸的一个方向上延伸。绝缘膜380可以用来保护构件。作为示例，绝缘膜380可以形成为围绕构件的侧表面部分并且暴露发光元件300在长度方向上的两个端部。
213.在附图中，绝缘膜380被示出为形成为在发光元件300的长度方向上延伸以从第一半导体层310覆盖至电极层370的侧表面，但是发明不限于此。由于绝缘膜380仅覆盖包括发光层330的一些半导体层的外表面，或者仅覆盖电极层370的外表面的一部分，因此电极层370的外表面可以被部分地暴露。另外，绝缘膜380的上表面可以形成为在与发光元件300的至少一端部相邻的区域中的剖面是圆形。
214.绝缘膜380的厚度可以在10nm至1.0μm的范围内，但是发明不限于此。优选地，绝缘膜380的厚度为约40nm。
215.绝缘膜380可以包括具有绝缘性质的材料，例如，氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln)、氧化铝(al2o3)等。因此，能够防止在发光层330与电信号通过其传输到发光元件300的电极直接接触时可能发生的电短路。另外，由于绝缘膜380保护包括发光层330的发光元件300的外表面，因此能够防止发光效率的劣化。
216.此外，在一些实施例中，可以对绝缘膜380的外表面进行表面处理。发光元件300可以在分散在墨中的状态下通过喷射到电极上来对准。这里，为了保持其中发光元件300分散在墨中而不与另一相邻的发光元件300聚集的状态，可以对绝缘膜380的表面进行疏水处理
或亲水处理。
217.发光元件300的长度h可以在1μm至10μm或2μm至6μm的范围内，优选地在3μm至5μm的范围内。另外，发光元件300的直径可以在300nm至700nm的范围内，发光元件300的宽高比可以在1.2至100的范围内。然而，发明不限于此，多个发光元件300可以根据发光层330的组成差异而具有不同的直径。优选地，发光元件300的直径可以为约500nm。
218.包括在第一显示基底10中的发光元件300可以电连接到第一电极210和第二电极220，以发射在特定波长范围内的光。从第一显示基底10发射的光可以在相对于第一基底101的向上方向上行进，以入射在第二显示基底50上。在下文中，将进一步参照其他附图描述第二显示基底50。
219.图12是根据一个实施例的显示装置的示意性剖视图。
220.参照图12，第二显示基底50可以设置在薄膜封装结构tfe上方以便与其相对。当在附图中以向下的顺序描述第二显示基底50的剖面结构时，第二显示基底50的第二基底501可以包括透明材料。第二基底501可以包括诸如玻璃或石英的透明绝缘材料。第二基底501可以是刚性基底。然而，第二基底501不限于以上示出的材料，第二基底501也可以包括诸如聚酰亚胺的塑料并且可以具有能够扭曲、弯曲、折叠或卷绕的柔性性质。
221.第二基底501可以与第一基底101包括相同的基底，但是第二基底501的材料、厚度、透射率等可以与第一基底101的材料、厚度、透射率等不同。例如，第二基底501可以具有比第一基底101的透射率高的透射率。第二基底501可以比第一基底101厚或薄。
222.上光吸收构件uab可以沿着子像素pxn之间的边界设置在第二基底501的面对第一基底101的一个表面上。上光吸收构件uab可以与第一显示基底10的外部堤450叠置，并且可以位于光阻挡区域ba中。上光吸收构件uab可以包括暴露第二基底501的与第一显示基底10的发光区域ema(见图8)叠置的一个表面的开口。上光吸收构件uab不仅可以用来阻挡从显示装置发射的光，而且可以用来抑制外部光被反射。上光吸收构件uab可以在平面图中以网格形状形成。
223.上光吸收构件uab可以由有机材料制成。在一个实施例中，上光吸收构件uab可以包括吸收可见光波长范围的光吸收材料。例如，上光吸收构件uab可以由用作显示装置的黑矩阵的材料制成。上光吸收构件uab可以是一种光阻挡构件。
224.上光吸收构件uab可以限定光阻挡区域ba和光输出区域ta。其中设置有上光吸收构件uab的区域可以是光阻挡区域ba，未被上光吸收构件uab覆盖或被上光吸收构件uab暴露的第二基底501可以是光输出区域ta。在一些实施例中，在第二显示基底50中，光输出区域ta可以形成为与第一显示基底10的每个像素px或子像素pxn对应。作为示例，第二显示基底50可以包括被设置为与第一显示基底10的第一子像素px1对应的第一光输出区域ta1、被设置为与第二子像素px2对应的第二光输出区域ta2以及被设置为与第三子像素px3对应的第三光输出区域ta3。光输出区域ta1、ta2和ta3中的每个可以以矩阵形式重复地设置，其中设置有上光吸收构件uab的光阻挡区域ba可以设置在光输出区域ta1、ta2和ta3之间。
225.在另一实施例中，上光吸收构件uab可以吸收可见光波长范围的特定波长范围内的光，并且可以透射其他特定波长范围内的光。例如，上光吸收构件uab可以包括与一个滤色器层cfl的材料相同的材料。具体地，上光吸收构件uab可以由与用于蓝色的第三滤色器层(见“cfl_3”)的材料相同的材料制成。在一些实施例中，上光吸收构件uab可以与第三滤
色器层cfl_3一体地形成。可以省略上光吸收构件uab。
226.滤色器层cfl可以设置在第二基底501的其上设置有上光吸收构件uab的一个表面上。滤色器层cfl可以用来阻挡作为与每个子像素pxn不对应的颜色的颜色的光被发射。滤色器层cfl可以设置在第二基底501的通过上光吸收构件uab的开口暴露的一个表面上。此外，滤色器层cfl也可以部分地设置在相邻的上光吸收构件uab上。
227.滤色器层cfl可以包括设置在第一子像素px1中的第一滤色器层cfl_1、设置在第二子像素px2中的第二滤色器层cfl_2和设置在第三子像素px3中的第三滤色器层cfl_3。每个滤色器层cfl可以包括诸如吸收除了对应颜色波长之外的波长的染料或颜料的着色剂。第一滤色器层cfl_1可以是红色滤色器层，第二滤色器层cfl_2可以是绿色滤色器层，第三滤色器层cfl_3可以是蓝色滤色器层。相邻的滤色器层cfl在附图中被示出为在上光吸收构件uab上彼此间隔开。然而，相邻的滤色器层cfl也可以在上光吸收构件uab上彼此部分地叠置。
228.第一盖层cpl1可以设置在滤色器层cfl上。第一盖层cpl1可以防止诸如外部湿气或空气的杂质渗透到滤色器层cfl中以损坏或污染滤色器层cfl。另外，第一盖层cpl1可以防止滤色器层cfl的着色剂扩散到其他组分中。
229.第一盖层cpl1可以与滤色器层cfl的一个表面(图12中的上表面)直接接触。第一盖层cpl1可以由无机材料制成。例如，第一盖层cpl1可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氮氧化硅等制成。
230.同时，下光吸收构件bab可以设置在第一显示基底10的薄膜封装结构tfe上。下光吸收构件bab可以被设置为与外部堤450叠置。下光吸收构件bab可以用来阻挡从发光元件300发射的光混合到相邻子像素pxn的光输出区域ta中。根据一个实施例，显示装置1还可以包括下光吸收构件bab，从而可以进一步阻挡每个子像素pxn的颜色混合。
231.下光吸收构件bab可以由有机材料制成。在一个实施例中，下光吸收构件bab可以包括吸收可见光波长范围的光吸收材料。例如，下光吸收构件bab可以由用作显示装置的黑矩阵的材料制成。下光吸收构件bab可以是一种光阻挡构件。下光吸收构件bab可以在厚度方向上与上光吸收构件uab叠置。下光吸收构件bab的宽度可以小于或等于外部堤450的宽度，或者可以比外部堤450的宽度大。
232.填料90可以设置在第一显示基底10与第二显示基底50之间。填料90可以填充第一显示基底10与第二显示基底50之间的空间，并且可以用来使第一显示基底10和第二显示基底50彼此结合。填料90可以设置在第一显示基底10的薄膜封装结构tfe与第二显示基底50的第一盖层cpl1之间。填料90可以由硅(si)类有机材料、环氧类有机材料等制成，但是发明不限于此。
233.在下文中，将参照其他附图描述显示装置1的各种实施例。
234.图13是根据另一实施例的第一显示基底的部分剖视图。
235.参照图13，显示装置1的第一显示基底10_1还可以包括形成在外部堤450的一个表面上的反射层lrl。图13的实施例与图10的实施例的不同之处在于还包括反射层lrl。
236.发光元件300设置在内部堤410与420之间，从发光元件300发射的光可以被分别放置在内部堤410和420的倾斜侧表面上的电极210和220反射。然而，发明不限于此，从发光元件300发射的光中的至少一些可以不被电极210和220反射，而是可以在相对于第一基底101
的向上方向上发射。另外，所述光中的一些可以朝向位于相邻子像素pxn的边界处的外部堤450行进。
237.根据一个实施例，反射层lrl还可以设置在外部堤450的至少一个表面上，并且从发光元件300发射的光的至少一部分可以由于反射层lrl而朝向第二显示基底50反射。反射层lrl可以包括具有高反射率的材料。在附图中，反射层lrl被示出为仅形成在外部堤450的面对其中设置有发光元件300的区域的一个表面的一部分上，但是发明不限于此。在外部堤450的一个表面上的其中形成有反射层lrl的区域的面积、宽度等可以根据发光元件300的布置和数量来不同地修改。其他描述可以与以上描述相同。
238.图14是示出根据又一实施例的显示装置的一个子像素的示意性剖视图。图15是沿着图14的线q2-q2'和线q3-q3'截取的剖视图。在图14中，为了便于描述，将通过省略半导体层和接触电极261和262来进行描述。
239.参照图14和图15，在根据一个实施例的显示装置1的第一显示基底10_2中，第二电压布线vsl_2还可以包括在第一方向dr1上延伸的部分，可以从第二电极220_2省略第二电极主干部分220s。图14和图15的实施例与其他实施例的不同之处在于，因为第二电压布线vsl_2还包括在第一方向dr1上延伸的部分，所以每个子像素pxn的第二电极220_2可以电连接到第二电压布线vsl_2。
240.尽管在附图中未示出，但是除了如图7的实施例中的在第二方向dr2上延伸的部分之外，第二电压布线vsl_2还可以包括在第一方向dr1上延伸的部分。类似于外部堤450，第二电压布线vsl_2可以在第一基底101上形成网格图案或网状图案。第二电压布线vsl_2可以设置在每个子像素pxn中，每个子像素pxn的第二电极220_2可以电连接到第二电压布线vsl_2。
241.例如，可以从第二电极220_2中省略第二电极主干部分220s。第二电极220_2具有在第二方向dr2上延伸的形状，并且可以设置在第一电极分支部分210b之间。第二导电图案vcp_2可以设置在每个子像素pxn中，并且可以与第二电极220_2和第二电压布线vsl_2中的每个接触。
242.第二导电图案vcp_2可以通过穿过第一层间绝缘层105暴露第二电压布线vsl_2的上表面的一部分的第一布线接触孔cts1_2与第二电压布线vsl_2接触。第二电极220_2可以通过穿过第一平坦化层109和第一保护层107暴露第二导电图案vcp_2的上表面的一部分的第二布线接触孔cts2_2与第二导电图案vcp_2接触。根据一个实施例，由于第二电极220_2可以通过设置在每个子像素pxn中的第二导电图案vcp_2电连接到第二电压布线vsl_2，并且第二电压布线vsl_2设置在每个子像素pxn中，因此具有防止第二电力电压vss的电压降的效果。
243.图16是包括在根据再一实施例的显示装置的一个子像素中的显示元件层的示意性平面图。图17是沿着图16的线q4-q4'截取的剖视图。在图16中，为了便于描述，省略了电路元件层，并且仅示出了显示元件层的平面图。
244.参照图16和图17，根据一个实施例的显示装置1的第一显示基底10_3还可以包括设置在第一电极210_3和第二电极220_3上的部分区域中的屏蔽电极lsp_3。图16和图17的实施例与图8的实施例的不同之处在于，第一显示基底10_3还包括屏蔽电极lsp_3。
245.发光元件300可以设置在第一电极210_3与第二电极220_3之间，或者设置在第一
内部堤410与第二内部堤420之间。例如，发光元件300可以设置在第一电极分支部分210b_3与第二电极分支部分220b_3之间并电连接到第一电极分支部分210b_3和第二电极分支部分220b_3。在将发光元件300设置在第一电极210_3与第二电极220_3之间或第一内部堤410与第二内部堤420之间的工艺中，对准信号可以施加到第一电极210_3和第二电极220_3，从而可以在第一电极210_3和第二电极220_3之间产生电场。放置在电场中的发光元件300可以在改变对准方向和位置的同时设置在第一电极210_3与第二电极220_3之间。然而，可以优选的是，发光元件300不设置在其中发光元件300的至少一端部不电连接到电极210_3和220_3中的每个的部分中，例如，不设置在第一电极分支部分210b_3与外部堤450之间，或者不设置在电极主干部分210s_3和220s_3中的每个中。
246.根据一个实施例，显示装置1还可以包括被设置为覆盖第一显示基底10_3的第一电极210_3和第二电极220_3中的每个的至少一部分的屏蔽电极lsp_3。当对准信号施加到第一电极210_3和第二电极220_3时，屏蔽电极lsp_3可以防止在部分区域中产生电场。屏蔽电极lsp_3可以包括防止产生电场的屏蔽材料，例如，屏蔽电极lsp_3可以包括碳颜料、cr/cro
x
、cro
x
、moo
x
等。然而，发明不限于此。
247.屏蔽电极lsp_3可以被设置为覆盖第一电极分支部分210b_3的一侧。例如，屏蔽电极lsp_3可以被设置为覆盖第一电极分支部分210b_3的面对外部堤450的部分(即，第二电极分支部分220b_3的与第一电极分支部分210b_3的面对第二电极分支部分220b_3的一侧背对的另一侧)。屏蔽电极lsp_3可以在厚度方向上与第一内部堤410的另一侧叠置，所述另一侧背对第一内部堤410的同第二内部堤420间隔开并面对第二内部堤420的一侧。第一绝缘层il1可以设置在屏蔽电极lsp_3与第一电极210_3之间，屏蔽电极lsp_3和第一电极210_3可以彼此绝缘。屏蔽电极lsp_3可以具有沿着第一电极分支部分210b_3在第二方向dr2上延伸的形状，并且可以防止在第一电极分支部分210b_3与外部堤450之间产生电场。
248.此外，屏蔽电极lsp_3也可以设置在其中电极分支部分210b_3和220_b分别连接到电极主干部分210s_3和220s_3的部分处。屏蔽电极lsp_3还可以包括在第一方向dr1上延伸的部分，并且也可以设置在其中第一电极分支部分210b_3和第一电极主干部分210s_3连接的部分以及其中第二电极分支部分220b_3和第二电极主干部分220s_3连接的部分上。也就是说，屏蔽电极lsp_3可以被设置为围绕其中基本上设置有发光元件300的区域(即，第一内部堤410与第二内部堤420之间的空间)。屏蔽电极lsp_3可以被设置为覆盖第一电极分支部分210b_3和第一内部堤410中的每个的相对于其中设置有发光元件300的区域外侧的一部分。
249.在设置发光元件300的工艺中，屏蔽电极lsp_3可以阻挡在第一内部堤410与第二内部堤420之间的区域外侧产生电场，并且发光元件300可以集中地设置在内部堤410和420之间的区域中。
250.图18至图20是包括在根据再一实施例的显示装置的一个子像素中的显示元件层的示意性平面图。在图18至图20中，为了便于描述，除了显示元件层之外，还仅示出了第一电压布线vdl和数据线dtl。
251.参照图18至图20，在根据一个实施例的显示装置1的第一显示基底10_4中，更多数量的内部堤和电极可以进一步包括在每个子像素pxn中。针对每个子像素pxn进一步设置的电极可以是为第一电极210_4或第二电极220_4中的缺陷而准备设置的修复电极230_4。图
18至图20的实施例与图7的实施例的不同之处在于，每个子像素pxn还包括修复电极230_4。
252.每个子像素pxn还可以包括设置在第一内部堤410与外部堤450之间的第三内部堤430_4。除了第三内部堤430_4的设置位置之外，第三内部堤430_4可以具有与第二内部堤420的形状相同的形状。也就是说，第三内部堤430_4可以具有在第二方向dr2上延伸的形状，并且可以与第一内部堤410间隔开并面对第一内部堤410。
253.修复电极230_4可以设置在第三内部堤430_4上。修复电极230_4可以具有与电极分支部分210b_4和220b_4中的每个的形状基本上相同的形状。修复电极230_4可以具有在第二方向dr2上延伸的形状，并且可以设置在第三内部堤430_4上。修复电极230_4可以与第一电极分支部分210b_4间隔开并面对第一电极分支部分210b_4，而发光元件300可以设置在修复电极230_4与第一电极分支部分210b_4之间。
254.此外，第三接触电极263_4可以进一步设置在修复电极230_4上。第三接触电极263_4可以具有与第一接触电极261_4的形状基本上相同的形状。将省略其布置和形状的详细描述。
255.随着进一步设置第三内部堤430_4和修复电极230_4，第一电极210_4可以具有其中第一电极主干部分210s_4进一步延伸的形状。第一电极主干部分210s_4可以从连接到任何一个第一电极分支部分210b_4的部分在第一方向dr1上突出并且面对修复电极230_4。
256.随着进一步设置第三内部堤430_4和修复电极230_4，每个子像素pxn可以具有较大的面积。也就是说，被外部堤450围绕的区域可以在第一方向dr1上具有较大的宽度。然而，电路元件层可以以与图7中的方式相同的方式设置。根据一个实施例，在平面图中，第三内部堤430_4和修复电极230_4可以设置在数据线dtl与外部堤450之间。数据线dtl可以在第二内部堤420与第三内部堤430_4之间或在第一内部堤410与第三内部堤430_4之间在第二方向dr2上延伸，同时不与内部堤叠置。数据线dtl可以在厚度方向上与电连接到修复电极230_4的发光元件300叠置。然而，发明不限于此。
257.同时，发光元件300可以包括设置在第一内部堤410与第二内部堤420之间并且电连接到第一电极210_4与第二电极220_4的第一发光元件300a以及设置在第一内部堤410与第三内部堤430_4之间并具有电连接到修复电极230_4的至少一端部的第二发光元件300b。第一发光元件300a可以与上述发光元件300相同。然而，由于第二发光元件300b的一端部电连接到修复电极230_4，因此可以根据修复电极230_4的连接来确定是否发射光。
258.例如，如图18中所示，显示装置1的第一显示基底10可以包括其中修复电极230_4不与第一电极210_4或第二电极220_4电连接的第一类型子像素pxa。修复电极230_4可以被设置为与第一电极主干部分210s_4和第二电极主干部分220s_4间隔开，并且可以以不连接到第一电极主干部分210s_4和第二电极主干部分220s_4的断开(图18中的“cb1”)状态形成。修复电极230_4可以通过以电连接到第一电极主干部分210s_4或第二电极主干部分220s_4的状态形成然后在制造工艺期间与电极主干部分断开而被设置为与第一电极主干部分210s_4或第二电极主干部分220s_4间隔开。
259.当第一电极210_4和第二电极220_4顺利地连接并且因此不发生缺陷时，修复电极230_4可以与电极主干部分210s_4和220s_4中的每个断开并且可以保持为未电连接到电极主干部分210s_4和220s_4中的每个的浮置电极。电连接到修复电极230_4的第二发光元件300b可以以其中电信号不会传输到第二发光元件300b并因此不发射光的状态设置在子像
素pxn中。然而，发明不限于此。在一些实施例中，当所有电极210_4和220_4与接触电极顺利地连接时，修复电极230_4也可以以电连接到第一电极210_4或第二电极220_4的状态设置。
260.另一方面，当第一电极210_4或第二电极220_4部分断开或电连接有缺陷时，修复电极230_4可以通过代替所述电极来连接。
261.如图19和图20中所示，第一显示基底10_4可以包括第二类型子像素pxb和第三类型子像素pxc，在第二类型子像素pxb中，任何一个第一电极分支部分210b_4断开并且修复电极230_4电连接到第一电极210_4，在第三类型子像素pxc中，第二电极分支部分220b_4断开并且修复电极230_4电连接到第二电极220_4。
262.在第二类型子像素pxb中，在第二电极分支部分220b_4与修复电极230_4之间的第一电极分支部分210b_4可以与第一电极主干部分210s_4断开(图19中的“cb2”)。修复电极230_4可以电连接到第一电极主干部分210s_4，电信号也可以通过修复电极230_4和第三接触电极263_4传输到第二发光元件300b。
263.在第三类型子像素pxc中，第二电极分支部分220b_4可以与第二电极主干部分220s_4断开(图20中的“cb3”)，修复电极230_4可以电连接到第二电极主干部分220s_4。在第三类型子像素pxc中，第二电极分支部分220b_4可以保持为浮置电极。
264.同时，在显示装置1的第一显示基底10中，其上设置有发光元件300的显示元件层和电路元件层可以被设置为在厚度方向上不叠置。根据一个实施例，在第一显示基底10中，发光区域和非发光区域可以被限定为在第一基底101上彼此区分开的区域。发光元件300可以设置在发光区域中，电路元件可以设置在非发光区域中。
265.图21是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的示意性平面图。图22是沿着图21的线q5-q5'和线q6-q6'截取的剖视图。图21的部分q5-q5'是每个子像素pxn的非发光区域nea的部分区域的剖面，部分q6-q6'是每个子像素pxn的发光区域ema的部分区域的剖面。
266.参照图21和图22，在根据一个实施例的显示装置1_5的第一显示基底10_5的每个像素px或子像素pxn中，显示元件层和电路元件层可以在厚度方向上彼此不叠置。子像素pxn中的每个可以包括其中设置有发光元件300的发光区域ema和其中设置有诸如驱动晶体管drt的电路元件的非发光区域nea，发光区域ema和非发光区域nea可以在第一基底101上分别设置在彼此区分开的区域中。也就是说，发光元件300可以不设置在每个子像素pxn的电路元件上，并且可以在相对于其中设置有发光元件300的区域的向上方向或向后方向上发射光。在下文中，将省略重复描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
267.第一显示基底10的子像素pxn中的每个可以包括发光区域ema和非发光区域nea。发光元件300以及第一电极210和第二电极220可以设置在发光区域ema中，包括驱动晶体管drt的电路元件可以设置在位于发光区域ema的一侧的非发光区域nea中。在图21中，发光区域ema和非发光区域nea被示出为在第二方向dr2上设置，但是发明不限于此。在显示装置的第一显示基底中，发光区域ema和非发光区域nea的布置没有特别限制，只要设置在子像素pxn中的每个中的发光元件300和电路元件在厚度方向上彼此不叠置即可。
268.例如，包括晶体管中的每个的有源层、第一栅极导电层和第一数据导电层的半导体层可以设置在非发光区域nea中。然而，作为包括在第一栅极导电层和第一数据导电层中的布线，第一电压布线vdl、数据线dtl、参考电压布线rvl和第二电压布线vsl可以被设置为
在第二方向dr2上延伸，因此可以被设置为遍及非发光区域nea和发光区域ema。
269.在发光区域ema中，除了在第二方向dr2上延伸的布线之外，还可以设置内部堤410和420、电极210和220、发光元件300以及接触电极261和262。这些可以被设置为在厚度方向上不与电路元件层叠置。也就是说，多个发光元件300可以不与第一电容器电极cse1和第二电容器电极cse2叠置。内部堤410和420、电极210和220、发光元件300以及接触电极261和262的布置与上面参照图8描述的基本上相同。
270.同时，由于显示元件和电路元件分别设置在发光区域ema和非发光区域nea中，因此可以设置更多数量的层以使显示元件和电路元件电连接。根据一个实施例，第一显示基底10_5还可以包括设置在第一平坦化层109与第一数据导电层之间的第二层间绝缘层108和第二数据导电层。第二层间绝缘层108可以设置在第一数据导电层和第一层间绝缘层105上，第二数据导电层可以设置在第二层间绝缘层108上。第二层间绝缘层108的描述与上面关于第一层间绝缘层105描述的基本上相同。
271.第二数据导电层可以包括设置在发光区域ema与非发光区域nea的边界处的第三导电图案vdp。第三导电图案vdp可以通过穿过第二层间绝缘层108暴露驱动晶体管drt的源/漏电极drt_sd的一部分的接触孔vdc与驱动晶体管drt的源/漏电极drt_sd接触。接触孔vdc可以形成在非发光区域nea中。第一电极210可以形成在其中第一电极主干部分210s与第三导电图案vdp叠置的区域中，并且可以通过穿过第一平坦化层109暴露第三导电图案vdp的上表面的一部分的电极接触孔ctd_5与第三导电图案vdp接触。第一电极210可以通过第三导电图案vdp电连接到驱动晶体管drt。
272.同时，外部堤450可以被设置为围绕其中设置有发光元件300的发光区域ema，并且可以完全地覆盖非发光区域nea。根据一个实施例，外部堤450可以被设置为覆盖非发光区域nea，并且可以被设置为暴露其中设置有发光元件300的发光区域ema。也就是说，外部堤450可以具有完全设置在第一基底101上并且具有形成为暴露发光区域ema的一部分的开口的结构。另外，布线和导电层、电极以及发光元件中的每个的布置与以上描述相同，因此，将省略其详细描述。
273.在根据一个实施例的显示装置1中，第一显示基底10_5可以包括作为彼此区分开的区域的发光区域ema和非发光区域nea。由于发光元件300设置在发光区域ema中并且像素电路元件设置在非发光区域nea中，因此发光元件300和像素电路元件可以在厚度方向上彼此不叠置。在第一显示基底10_5中，除了相对于第一基底101的向上方向之外，从发光元件300发射的光还可以在相对于第一基底101的向后方向上发射，第一显示基底10_5可以具有底发射结构。
274.同时，在显示装置1中，第二显示基底50可以包括更多构件。更多颜色控制结构可以设置在第二显示基底50的第二基底501与第一显示基底10的薄膜封装结构tfe之间。
275.图23是根据再一实施例的显示装置的示意性剖视图。
276.参照图23，在根据一个实施例的显示装置1_6中，第二显示基底50_6还可以包括颜色控制层wcl和tpl以及颜色混合防止构件mbm。图23的显示装置1_6与图12的实施例的不同之处在于，第二显示基底50_6还包括颜色控制层wcl和tpl以及颜色混合防止构件。在下文中，将省略重复描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
277.颜色控制层wcl和tpl可以设置在第二显示基底50_6的第一盖层cpl1上。颜色控制
层可以包括将入射光的波长转换的波长转换层wcl和/或允许入射光以其中保持入射光的波长的状态穿过其的透光层tpl。波长转换层wcl或透光层tpl可以针对每个子像素pxn单独地设置。波长转换层wcl或透光层tpl可以在厚度方向上与发光区域ema和光输出区域ta叠置。相邻的波长转换层wcl或透光层tpl可以彼此间隔开。相邻的波长转换层wcl或透光层tpl之间的分离空间可以与光阻挡区域ba基本上叠置。分离空间形成在平面图中具有网格形状的谷。
278.波长转换层wcl可以设置在其中从发光元件300入射的光的波长与对应的子像素pxn的颜色不同而因此需要转换光的波长的子像素pxn上。透光层tpl可以设置在其中从发光元件300入射的光的波长与对应的子像素pxn的颜色相同的子像素pxn上。在图23的显示装置1_6中，每个子像素pxn的发光元件300发射第三颜色的光，因此波长转换层wcl可以设置在第一子像素px1和第二子像素px2上，透光层tpl可以设置在第三子像素px3上。然而，发明不限于此，当每个子像素pxn的发光元件300发射具有与每个光输出区域ta的波长不同的波长的光(诸如紫外光)时，可以仅设置波长转换层wcl而没有透光层tpl。作为另一示例，当每个子像素pxn的发光元件300发射与每个光输出区域ta的颜色对应的光时，可以仅设置透光层tpl而没有波长转换层wcl。
279.在所示实施例中，波长转换层wcl可以包括设置在第一子像素px1中的第一波长转换图案wcl1和设置在第二子像素px2中的第二波长转换图案wcl2。
280.第一波长转换图案wcl1可以包括第一基体树脂brs1和设置在第一基体树脂brs1中的第一波长转换材料wcp1。第二波长转换图案wcl2可以包括第二基体树脂brs2和设置在第二基体树脂brs2中的第二波长转换材料wcp2。透光层tpl可以包括第三基体树脂brs3和设置在第三基体树脂brs3中的散射体slp。
281.第一基体树脂brs1、第二基体树脂brs2和第三基体树脂brs3可以包括透明有机材料。例如，第一基体树脂brs1、第二基体树脂brs2和第三基体树脂brs3可以由环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂、酰亚胺类树脂等制成。第一基体树脂brs1、第二基体树脂brs2和第三基体树脂brs3中的全部可以由相同的材料制成，但是发明不限于此。
282.散射体slp可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂等。
283.第一波长转换材料wcp1可以是将蓝光转换为红光的材料，第二波长转换材料wcp2可以是将蓝光转换为绿光的材料。第一波长转换材料wcp1和第二波长转换材料wcp2可以是量子点、量子棒、荧光材料等。量子点可以包括iv族基纳米晶体、ii-vi族基化合物纳米晶体、iii-v族基化合物纳米晶体、iv-vi族基化合物纳米晶体或其组合。第一波长转换图案wcl1和第二波长转换图案wcl2还可以包括用于增大波长转换效率的散射体slp。
284.设置在第三子像素px3中的透光层tpl透射从发光元件300入射的蓝光，同时保持蓝光的波长。透光层tpl的散射体slp可以用来使光散射并调整通过透光层tpl发射的光的发射角度。透光层tpl可以不包括波长转换材料。
285.第二盖层cpl2设置在波长转换层wcl和透光层tpl上。第二盖层cpl2可以由无机材料制成。第二盖层cpl2可以由选自作为第一盖层cpl1的材料而描述的材料中的至少一种材料制成。第二盖层cpl2和第一盖层cpl1可以由相同的材料制成，但是发明不限于此。
286.第二盖层cpl2可以覆盖波长转换图案wcl1和wcl2以及透光层tpl中的每个。第二盖层cpl2不仅可以覆盖波长转换图案wcl1和wcl2以及透光层tpl中的每个的一个表面，而且可以覆盖波长转换图案wcl1和wcl2以及透光层tpl中的每个的侧表面。第二盖层cpl2可以在相邻的颜色控制层wcl和tpl之间的分离空间中与第一盖层cpl1接触。第二盖层cpl2可以具有与由颜色控制层wcl和tpl形成的表面台阶部分共形的形状。颜色控制层wcl和tpl之间的分离空间的谷可以不被第二盖层cpl2完全填充，而是可以具有一定深度。
287.颜色混合防止构件mbm设置在第二盖层cpl2上。颜色混合防止构件mbm由能够阻挡光透射的材料制成，并且用来防止光引入到相邻的子像素pxn中而引起颜色混合。颜色混合防止构件mbm可以沿着子像素pxn之间的边界设置。例如，颜色混合防止构件mbm可以沿着颜色控制层wcl和tpl之间的分离空间设置。颜色混合防止构件mbm可以填充形成在颜色控制层wcl和tpl之间的分离空间中的谷。发明不限于此，与颜色控制层wcl和tpl中的每个的一个表面相比，颜色混合防止构件mbm的一个表面可以在厚度方向上进一步突出。颜色混合防止构件mbm从周围的波长转换图案wcl1或wcl2或者透光层tpl突出的高度(或厚度)可以在1μm至3μm的范围内、1.4μm至1.8μm的范围内、或约1.6μm，但是发明不限于此。
288.颜色混合防止构件mbm可以包括有机材料。颜色混合防止构件mbm可以包括吸收可见光波长范围的光吸收材料。在一个实施例中，颜色混合防止构件mbm可以包括有机光阻挡材料。颜色混合防止构件mbm是一种光阻挡构件，并且可以由与上面描述的上光吸收构件uab的材料相同的材料制成，但是发明不限于此。
289.图24是根据再一实施例的显示装置的示意性剖视图。
290.参照图24，在根据一个实施例的显示装置1_7中，第二显示基底50_7的颜色控制层wcl和tpl以及颜色混合防止构件mbm可以直接设置在第一显示基底10上。根据一个实施例，可以省略第二基底501，第二显示基底50_7可以形成为与第一显示基底10基本上成一体。
291.具体地，第一盖层cpl1可以设置在第一显示基底10的下光吸收构件bab上。颜色控制层wcl和tpl可以设置在第一盖层cpl1上以与每个子像素pxn对应，第二盖层cpl2可以设置在颜色控制层wcl和tpl上。颜色混合防止构件mbm在第二盖层cpl2上设置在相邻颜色控制层wcl和tpl之间的谷中。滤色器层cfl和上光吸收构件uab可以设置在用于每个子像素pxn的第二盖层cpl2和颜色混合防止构件mbm上，第三盖层cpl3可以设置在滤色器层cfl和上光吸收构件uab上。
292.在图24的显示装置1_7中，光输出区域ta和光阻挡区域ba可以由颜色混合防止构件mbm以及/或者颜色控制层wcl和tpl限定。另外，由于第二显示基底50_7的构件可以直接形成在第一显示基底10上，因此可以省略用于使第一显示基底10和第二显示基底50_7结合的填料90和密封部分70。在下文中，将省略重复描述。
293.图25是根据一个实施例的显示装置的其中定位有无效区域的部分的示意性剖视图。
294.参照图25，金属布线pde、扫描驱动器sdr的晶体管gtr、坝结构dam以及多个图案pbp和msp可以设置在显示装置1的无效区域ds中。金属布线pde、扫描驱动器sdr的晶体管gtr和坝结构dam可以从有效区域aa到显示装置1的最外部分顺序地设置。然而，发明不限于此。
295.金属布线pde可以设置在第一层间绝缘层105上，并且可以设置在第一显示基底10
的无效区域ds中。也就是说，金属布线pde可以与有效区域aa的第一数据导电层设置在同一层。尽管在附图中未具体示出，但是多条金属布线pde可以设置在无效区域ds中，并且可以电连接到设置在有效区域aa中的布线。例如，金属布线pde可以电连接到设置在有效区域aa中的多条布线，诸如第一电压布线vdl、第二电压布线vsl、数据线dtl和参考电压布线rvl。金属布线pde可以沿着有效区域aa在无效区域ds中延伸，并且可以连接到设置在垫区域pda中的垫wpd，设置在有效区域aa中的布线可以通过金属布线pde电连接到垫wpd。电信号可以通过金属布线pde施加到布线。
296.在金属布线pde上，除了第一保护层107之外，还可以设置布线保护层pei。布线保护层pei可以包括绝缘材料并且保护金属布线pde。
297.绝缘图案pbp可以被设置为与金属布线pde间隔开。绝缘图案pbp可以是与第一平坦化层109基本上相同的层。也就是说，绝缘图案pbp可以具有与第一平坦化层109相同的材料和相同的厚度。
298.扫描驱动器sdr的晶体管gtr可以设置在第一显示基底10的无效区域ds中。在附图中，示出了仅设置一个晶体管gtr，但是发明不限于此，并且可以根据扫描驱动器sdr的驱动电路来设置一个或更多个晶体管gtr。与驱动晶体管drt类似，扫描驱动器sdr的晶体管gtr可以包括有源层gtr_act(见图25)、栅电极gtr_g(见图25)以及源/漏电极gtr_sd1和gtr_sd2(见图25)。其描述与上面参照驱动晶体管drt所描述的相同。
299.另外，光阻挡层bml可以设置在扫描驱动器sdr的晶体管gtr的有源层gtr_act下方，扫描驱动器sdr的晶体管gtr的第一源/漏电极gtr_sd1可以连接到光阻挡层bml。然而，发明不限于此。
300.坝结构dam可以设置在扫描驱动器sdr的外边缘处。多个坝结构dam可以设置在无效区域ds中，并且其数量没有特别限制。另外，在附图中仅示出了坝结构dam的剖面形状，但是坝结构dam可以被设置为围绕第一显示基底10的有效区域aa。也就是说，坝结构dam可以以在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的形状设置。
301.坝结构dam可以包括多个层。作为示例，坝结构dam可以包括坝基体层dam_bp和设置在坝基体层dam_bp上的坝上层dam_up。坝基体层dam_bp和坝上层dam_up可以与设置在有效区域aa中的层同时形成。例如，坝基体层dam_bp可以与第一平坦化层109在同一工艺中形成，坝基体层dam_bp的厚度可以与第一平坦化层109的厚度相同。另外，坝上层dam_up可以与外部堤450在同一工艺中形成。然而，第一绝缘层il1可以设置在外部堤450与第一平坦化层109之间，而坝上层dam_up可以直接设置在坝基体层dam_bp上。坝上层dam_up和外部堤450可以具有不同的厚度或高度，但是发明不限于此。
302.虚设图案msp可以进一步设置在密封部分70与坝结构dam之间。虚设图案msp可以设置在第一显示基底10的无效区域ds的最外部分上。虚设图案msp可以支撑在形成设置在第一显示基底10上的构件的工艺中使用的掩模。也就是说，作为示例，虚设图案msp可以在第一显示基底10的制造工艺期间起掩模支撑的作用。
303.图26和图27是根据另一实施例的显示装置的其中定位有无效区域的部分的示意性剖视图。
304.参照图26，显示装置1还可以包括设置在第一数据导电层上的盖电极层cpe。盖电极层cpe可以设置在第一数据导电层中包括的布线(例如，金属布线pde、扫描驱动器sdr的
晶体管gtr的源/漏电极gtr_sd1和gtr_sd2)上。另外，尽管在附图中未示出，但是盖电极层cpe也可以设置在设置于有效区域aa中的第一数据导电层(例如，第一电压布线vdl、数据线dtl、参考电压布线rvl和晶体管中的每个的源/漏电极)上。
305.盖电极层cpe可以被设置为减小设置在第一数据导电层中的电极或布线与设置在另一层中的构件之间在其中电极或布线与构件接触的区域中的接触电阻。例如，当第一电极210与驱动晶体管drt的源/漏电极drt_sd接触或者第二电极220与第二导电图案vcp接触时，盖电极层cpe可以设置在第一电极210与驱动晶体管drt的源/漏电极drt_sd之间或者第二电极220与第二导电图案vcp之间以减小接触电阻。在实施例中，盖电极层cpe可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)等的材料，但是发明不限于此。
306.参照图27，在显示装置1中，扫描驱动器sdr的晶体管gtr的栅电极gtr_g可以连接到光阻挡层bml。扫描驱动器sdr的晶体管gtr的栅电极gtr_g可以具有与光阻挡层bml的电压相同的电压，栅电极gtr_g可用作上栅电极，而光阻挡层bml可以用作下栅电极。扫描驱动器sdr的晶体管gtr可以以双栅极方式驱动，并且可以在晶体管gtr截止时防止或减少泄漏电流在有源层gtr_act的沟道区gtr_actc中流动。将省略其他重复描述。
307.在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，发明的公开优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。