一种化合物、用于有机电致发光器件的材料及其应用的制作方法

1.本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种化合物、用于有机电致发光器件的材料及其应用。


背景技术：

2.有机电致发光(oled)经过几十年的发展，已经取得了长足的进步。虽然其内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有大约20％左右。大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件内部，导致了大量能量损失。
3.顶发射器件中，通过在半透明金属电极al上蒸镀一层有机覆盖层(capping layer，cpl)，调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升发光效率。
4.对cpl材料的性能要求很高：在可见光波长区域内(400nm-700nm)无吸收；高的折射率(一般，n》2.1)，在400nm-600nm波长范围具有低的消光系数(k≤0.00)；高的玻璃化转变温度和分子热稳定性，同时要能够蒸镀且不发生热分解。
5.现有技术中的cpl材料还存在的诸多问题，例如：(1)折射率一般在1.9以下，并不能满足高折射率的要求；(2)折射率满足要求的情况下，可见光区域有较强的吸收或者消光系数较大；(3)具有高折光率的特定结构的胺衍生物及使用符合特定参数的材料改善了光取出效率，但是没有同时解决发光效率和色度的问题，特别是在蓝光发光元件；(4)为了使分子的密度增加，并达到高的热稳定性，分子结构设计的很大并且疏松，分子间不能达到紧密的堆积，从而在蒸镀时造成分子凝胶孔洞太多，无法完全覆盖；(5)单纯的设计成电子型覆盖层材料，同时达到电子传输和光取出的效果，一定程度上节省了器件的制备成本，以达到多重效果，但是不利于光的取出，只微弱的提升了发光效率，色度也并没有解决。
6.因此，本领域亟待开发更多种类、更高性能的cpl材料。


技术实现要素：

7.针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种化合物，尤其在于提供一种有机电致发光材料。所述化合物具有较高的折射率，作为盖帽层材料时，可以有效提高有机光电装置的外量子效率(eqe)，同时，在蓝光区域(400-450nm)具有较小的消光系数，对蓝光几乎没有吸收，利于提升发光效率。
8.为达此目的，本发明采用如下技术方案：
9.本发明提供一种化合物，所述化合物具有式(1)所示的结构；
[0010][0011]
式(1)中，所述r选自取代或未取代的c10-c60稠环芳基、取代或未取代的c6-c60稠环杂芳基中的任意一种；
[0012]
式(1)中，所述p1、p2、p3、p4、p5、p6各自独立地选自氢原子、氘原子、cd3、cd2ch3或cd2cd3中的任意一种；
[0013]
式(1)中，所述ar1和ar2各自独立地选自单键、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c3-c60亚杂芳基、取代或未取代的c10-c60亚稠环芳基、取代或未取代的c6-c60亚稠环杂芳基中的任意一种；
[0014]
式(1)中，所述x和y各自独立地选自取代或未取代的c6-c60芳基或者取代或未取代的c3-c60杂芳基，且所述x和y中至少有一项选自取代或未取代的c3-c60吸电子杂芳基；
[0015]
r、ar1、ar2、x和y中，所述取代的基团各自独立地选自氕、氘、氚、卤素、c1-c10烷基、c1-c10卤代烷基、c1-c10烷氧基、c6-c60芳基、c3-c60杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
[0016]
本发明的目的之二在于提供一种用于有机电致发光器件的材料，所述用于有机电致发光器件的材料含有目的之一所述的化合物中的任意一种或至少两种组合。
[0017]
本发明的目的之三在于提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的第一电极层、有机功能层和第二电极层；
[0018]
所述有机功能层中含有目的之二所述的材料。
[0019]
本发明的目的之四在于提供另外一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的第一盖帽层、第一电极层、有机功能层和第二电极层；
[0020]
所述第一盖帽层中含有目的之二所述的材料。
[0021]
本发明的目的之五在于提供一种显示面板，包括目的之三或目的之四所述的有机电致发光器件。
[0022]
本发明的目的之六在于提供一种显示装置，包括目的之五所述的显示面板。
[0023]
相较于现有技术，本发明具有如下有益效果：
[0024]
本发明提供的化合物具有较高的折射率，当用于有机电致发光器件中，特别是作为盖帽层材料时，可以有效提高有机光电装置的光取出效率，提高外量子效率(eqe)，同时，在蓝光区域(400-450nm)具有较小的消光系数，对蓝光几乎没有吸收，利于提升发光效率。
附图说明
[0025]
图1是本发明的一个具体实施方式提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0026]
图2是本发明的又一个具体实施方式提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0027]
其中，1-基板，2-阳极，3-空穴注入层，4-第一空穴传输层，5-第二空穴传输层，6-发光层，7-第一电子传输层，8-第二电子传输层，9-阴极，10-第一盖帽层，11-第二盖帽层。
具体实施方式
[0028]
本发明的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有式(1)所示的结构；
[0029][0030]
式(1)中，所述r选自取代或未取代的c10-c60(例如c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)稠环芳基、取代或未取代的c6-c60(例如c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)稠环杂芳基中的任意一种；
[0031]
式(1)中，所述p1、p2、p3、p4、p5、p6各自独立地选自氢原子、氘原子、cd3、cd2ch3或cd2cd3中的任意一种；
[0032]
式(1)中，所述ar1和ar2各自独立地选自单键、取代或未取代的c6-c60(例如c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)亚芳基、取代或未取代的c3-c60(例如c4、c5、c6、c7、c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)亚杂芳基、取代或未取代的c10-c60(例如c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)亚稠环芳基、取代或未取代的c6-c60(例如c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)亚稠环杂芳基中的任意一种；
[0033]
式(1)中，所述x和y各自独立地选自取代或未取代的c6-c60(例如c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)芳基或者取代或未取代的c3-c60(例如c4、c5、c6、c7、c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)杂芳基，且所述x和y中至少有一项选自取代或未取代的c3-c60(例如c4、c5、c6、c7、c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)吸电子杂芳基；
[0034]
r、ar1、ar2、x和y中，所述取代的基团各自独立地选自氕、氘、氚、卤素、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)卤代烷基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷氧基、c6-c60(例如c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)芳基、c3-c60(例如c4、c5、c6、c7、c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
[0035]
本发明研究人员发现，在萘环上2位上取代芳胺基团，6位上取代稠环基团(r)，形
成的化合物结构中萘共轭最长，形成的分子扭曲最小，分子蒸镀成膜排列方式更加平缓，有利于可见光的内取出，其具有更好的折射率，适合作为有机电致发光器件的盖帽层材料，可以有效提高光取出效率以及外量子效率，同时，在紫外区域(小于400nm)具有较大的消光系数，有利于吸收有害光色。
[0036]
在一个实施方式中，所述r选自式(2)、式(3)或式(4)所示的基团；
[0037][0038]
所述z
1-z
10
各自独立地选自n原子、ch或cr1，所述r1选自氕、氘、氚、卤素、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)卤代烷基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷氧基、c6-c60(例如c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)芳基或c3-c60(例如c4、c5、c6、c7、c8、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56、c58等)杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
[0039]
在本发明的优选技术方案中，r基团为至多三个环稠合的结构，既能达到高的光取出效果，又能热稳定性好，稠合的环结构过多，会导致热分解并且溶解度很差，不利于量产中清洗mask。
[0040]
在一个实施方式中，所述z
1-z
10
各自独立地选自ch或cr1。
[0041]
在一个实施方式中，所述r选自如下基团中的任意一种：
[0042][0043]
#代表基团的连接键。
[0044]
在一个实施方式中，所述r选自如下基团中的任意一种：
[0045][0046]
#代表基团的连接键。
[0047]
本发明优选萘基、蒽基和菲基以上述位点接入，由于共轭链相对最长，使其分子具有高的折射率。
[0048]
在一个实施方式中，所述r选自如下基团中的任意一种：
[0049]
[0050]
#代表基团的连接键。
[0051]
本发明进一步优选上述特定位点连接的蒽基、菲基和萘基，能够更进一步降低分子相对体积，提高分子折射率。
[0052]
在一个实施方式中，式(2)中，所述z
1-z
10
中至少有一个选自n；
[0053]
式(3)中，所述z
1-z
10
中至少有一个选自n；
[0054]
式(4)中，所述z
1-z8中至少有一个选自n。
[0055]
在本发明的又一优选技术方案中，r基团为含有n杂的稠环杂芳基，由于分子极性提高，其相较不含n杂的稠环芳基，能够带来更好的出光效果。
[0056]
在一个实施方式中，所述r选自如下基团中的任意一种：
[0057][0058]
#代表基团的连接键。
[0059]
在一个实施方式中，式(2)中，所述z
1-z
10
中至少有一个选自cr1，且所述r1选自氘、卤素或c1-c10卤代烷基中的任意一种或至少两种组合；
[0060]
式(3)中，所述z
1-z
10
中至少有一个选自cr1，且所述r1选自氘、卤素或c1-c10卤代烷基中的任意一种或至少两种组合；
[0061]
式(4)中，所述z
1-z8中至少有一个选自cr1，且所述r1选自氘、卤素或c1-c10卤代烷基中的任意一种或至少两种组合。
[0062]
上述“至少两种组合”指的是，当结构中存在至少两个r1时，它们可以选择不同的取代基。
[0063]
在本发明的另一优选技术方案中，r基团上取代氘、卤素或c1-c10卤代烷基，该结构氘取代，提高器件寿命，该结构卤素或c1-c10卤代烷基取代，提高分子极性从而能够使器件具有更佳的效率。
[0064]
在一个实施方式中，所述r选自如下基团中的任意一种：
[0065][0066]
#代表基团的连接键。
[0067]
在一个实施方式中，所述x和y各自独立地选自取代或未取代的c3-c60吸电子杂芳基。
[0068]
在一个实施方式中，所述x和y各自独立地选自取代或未取代的如下基团中的任意一种：
[0069][0070]
#代表基团的可连接位点；
[0071]
所述q选自o原子、s原子或nr8；
[0072]
所述r
2-r7各自独立地选自氢、氕、氘、氚、卤素、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c60芳基、c3-c60杂芳基中的任意一种；
[0073]
所述环a稠合在苯环的任意可稠合位置，且环a选自取代或未取代的c6-c30芳环或
者取代或未取代的c3-c30杂芳环。
[0074]
在一个实施方式中，所述x和y各自独立地选自如下基团中的任意一种：
[0075][0076]
#代表基团的连接位点；
[0077]
所述q、r
2-r7均具有与前文相同的限定范围。
[0078]
在一个实施方式中，所述x和y各自独立地选自如下基团中的任意一种：
[0079][0080]
#代表基团的连接位点；
[0081]
所述r6具有与前文相同的限定范围。
[0082]
在一个实施方式中，所述ar1选自取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c3-c60亚杂芳基、取代或未取代的c10-c60亚稠环芳基、取代或未取代的c6-c60亚稠环杂芳基，所述x选自
[0083]
和/或，所述ar2选自取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c3-c60亚杂芳基、取代或未取代的c10-c60亚稠环芳基、取代或未取代的c6-c60亚稠环杂芳基，所述y选自
[0084]
#代表基团的连接位点。
[0085]
在本发明的优选技术方案中，若ar1和ar2为上述芳香基团时，x和y通过五元环一侧接入，该结构中共轭长度最长，n原子上的孤对电子共轭面积最大，得到的折射率最大，器件性能最优。
[0086]
在一个实施方式中，所述ar1选自单键，所述x选自
0.10，在460nm波长处的折射率与在620nm波长处的折射率之差为0.15-0.40。
[0107]
本发明的化合物可以满足上述波段的折射率差值，这意味着用本发明的化合物制作的显示面板在进行多角度显示时，能够改善色偏问题。
[0108]
在一个实施方式中，由所述化合物形成的厚度为700埃的薄膜在250nm波长处和在380nm波长处的吸光度均大于0.3。
[0109]
250nm和380nm波长的光为有害短波段，本发明的化合物可以实现对这两处光的较高吸收，避免对人眼的伤害。
[0110]
在一个实施方式中，所述化合物具有如下p1至p305所示的结构中的任意一种：
[0111]
[0112]
[0113]
[0114]
[0115]
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120]
[0121]
[0122]
[0123]
[0124]
[0125]
[0126][0127]
本发明的目的之二在于提供一种用于有机电致发光器件的材料，所述用于有机电致发光器件的材料含有目的之一所述的化合物中的任意一种或至少两种组合。
[0128]
本发明的目的之三在于提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的第一电极层、有机功能层和第二电极层；
[0129]
所述有机功能层中含有目的之二所述的材料。
[0130]
本发明的目的之四在于提供另外一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的第一盖帽层、第一电极层、有机功能层和第二电极层；
[0131]
所述第一盖帽层中含有目的之二所述的材料。
[0132]
当器件为顶发射器件时，第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层；当器件为底发射器件时，第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层。
[0133]
本发明的化合物能够与器件阴极(或阳极)中的金属相互作用，降低了金属表面的自由电荷与电磁辐射之间产生耦合作用，提高光子取出效率。同时起到修饰金属电极的作用，降低膜层剥离的可能性。
[0134]
在一个实施方式中，本发明提供的有机光电装置如图1所示，其中包括：基板1、阳极2、空穴注入层3、第一空穴传输层4、第二空穴传输层5、发光层6、第一电子传输层7、第二电子传输层8、阴极9和第一盖帽层10。
[0135]
在一个实施方式中，所述有机电致发光器件还包括设置在所述第一盖帽层远离所述第一电极层一侧的第二盖帽层，所述第二盖帽层中含有包括氟化锂和/或折射率为1.40～1.65(例如1.42、1.44、1.46、1.48、1.5、1.52、1.54、1.56、1.58、1.6、1.62、1.64等)的有机小分子的材料。
[0136]
在本发明提供的有机电致发光器件中，优选含有两个盖帽层，且使用本发明提供的化合物与氟化锂和/或折射率为1.40～1.65的有机小分子的材料搭配，两者能够减缓封装玻璃对光的全反射，从而有利于可见光透过玻璃，提高光取出效果。
[0137]
在一个实施方式中，本发明提供的有机光电装置如图2所示，其中包括：基板1、阳极2、空穴注入层3、第一空穴传输层4、第二空穴传输层5、发光层6、第一电子传输层7、第二电子传输层8、阴极9、第一盖帽层10和第二盖帽层11。
[0138]
在一个实施方式中，所述折射率为1.40～1.65的有机小分子的材料包括但不限于含多氟烃、含硼化合物、含硅化合物、含氧硅化合物或含金刚烷的烷烃化合物中的任意一种或至少两种组合。
[0139]
本发明的目的之五在于提供一种显示面板，包括目的之三或目的之四所述的有机电致发光器件。
[0140]
在一个实施方式中，所述显示面板为可折叠显示面板。
[0141]
本发明提供的化合物用于可折叠显示面板中，多角度显示时，rgb光色光取出δn较小，可以有效降低色偏。
[0142]
本发明的目的之六在于提供一种显示装置，包括目的之五所述的显示面板。
[0143]
本发明提供的化合物的制备方法属于现有技术，本领域技术人员可以根据常规技术知识选择具体的合成方法，本发明仅示例性的提供合成路径，但不限于以下合成路径。
[0144]
本发明提供的式(1)化合物的代表合成路径如下：
[0145][0146]
o-xylene代表邻二甲苯，toluene代表甲苯，ko(t-bu)代表叔丁醇钾，[pd(cinnamyl)cl]2代表氯化钯(1-苯基烯丙基)。
[0147]
以下合成例示例性地提供了一系列具体化合物的合成方法，对于未提及具体合成方法的化合物，可以通过相似的方法进行合成，也可以采用其他现有的方法进行合成，本发明对此不做具体限定。
[0148]
实施例1
[0149]
化合物p91的合成路线如下：
[0150]
具体制备方法包括以下步骤：
[0151][0152][0153]
(1)将p91-1(0.5mmol)、p91-2(0.75mmol)、k2co3(0.5mmol)、pdcl2(5
×
10-4
mmol)、tppda(5
×
10-4
mmol)加入邻二甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在100℃下反应15小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p91-3。
[0154]
测试目标产物p91-3的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
20h14
dn，计算值为270.1，测试值为270.0。
[0155]
(2)将p91-3(0.5mmol)、p91-4(0.45mmol)、ko(t-bu)(0.5mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(1mol％)、ligand(1.0mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在60℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p91-5。
[0156]
测试目标产物p91-5的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
33h21
dn2o，计算值为463.2，测试值为463.0。
[0157]
(3)将p91-5(0.5mmol)、p91-6(0.65mmol)、ko(t-bu)(0.65mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(1.5mol％)、ligand(1.5mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在80℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p91。
[0158]
测试目标产物p91的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
50h30
dn3o2，计算值为706.3，测试值为706.1。
[0159]
元素分析：理论值c,84.96；h,4.56；n,5.95；测试值c,84.95；h,4.56；n,5.96。
[0160]
实施例2
[0161]
化合物p92的合成路线如下：
[0162][0163]
具体制备方法包括以下步骤：
[0164][0165]
(1)将p92-1(0.5mmol)、p92-2(0.75mmol)、k2co3(0.5mmol)、pdcl2(5
×
10-4
mmol)、tppda(5
×
10-4
mmol)加入邻二甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在100℃下反应24小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p92-3。
[0166]
测试目标产物p92-3的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
20h13
d2n，计算值为271.1，测试值为271.0。
[0167]
(2)将p92-3(0.5mmol)、p92-4(1.5mmol)、ko(t-bu)(0.75mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(2mol％)、ligand(1.5mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在80℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p92。
[0168]
测试目标产物p92的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
58h35
d2n3o2，计算值为809.3，测试值为809.1。
[0169]
元素分析：理论值c,86.01；h,4.85；n,5.19；测试值c,86.00；h,4.85；n,5.19。
[0170]
实施例3
[0171]
化合物p100的合成路线如下：
[0172][0173]
具体制备方法具体包括以下步骤：
[0174][0175]
(1)将p100-1(0.5mmol)、p100-2(0.75mmol)、k2co3(0.5mmol)、pdcl2(5
×
10-4
mmol)、tppda(5
×
10-4
mmol)加入邻二甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在100℃下反应24小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p100-3。
[0176]
测试目标产物p100-3的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
20
h9d6n，计算值为275.2，测试值为275.1。
[0177]
(2)将p100-3(0.5mmol)、p100-4(1.5mmol)、ko(t-bu)(0.75mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(2mol％)、ligand(1.5mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在80℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p100。
[0178]
测试目标产物p100的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
46h25
d6n5，计算值为659.3，测试值为659.2。
[0179]
元素分析：理论值c,83.74；h,5.65；n,10.61；测试值c,83.74；h,5.65；n,10.61。
[0180]
实施例4
[0181]
化合物p101的合成路线如下：
[0182][0183]
具体制备方法包括以下步骤：
[0184][0185]
(1)将p101-1(0.5mmol)、p101-2(0.75mmol)、k2co3(0.5mmol)、pdcl2(5
×
10-4
mmol)、tppda(5
×
10-4
mmol)加入邻二甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在100℃下反应24小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p101-3。
[0186]
测试目标产物p101-3的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
20h14
dn，计算值为270.1，测试值为270.1。
[0187]
(2)将p101-3(0.5mmol)、p101-4(1.5mmol)、ko(t-bu)(0.75mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(2mol％)、ligand(1.5mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在80℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p101。
[0188]
测试目标产物p101的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
54h32
dn3o2，计算值为756.3，测试值为756.1。
[0189]
元素分析：理论值c,85.69；h,4.53；n,5.55；测试值c,85.68；h,4.53；n,5.56。
[0190]
实施例5
[0191]
化合物p197的合成路线如下：
[0192][0193]
具体制备方法包括以下步骤：
[0194][0195]
(1)将p197-1(0.5mmol)、p197-2(0.75mmol)、k2co3(0.5mmol)、pdcl2(5
×
10-4
mmol)、tppda(5
×
10-4
mmol)加入邻二甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在100℃下反应24小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p197-3。
[0196]
测试目标产物p197-3的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
20h15
n，计算值为269.1，测试值为269.0。
[0197]
(2)将p197-3(0.5mmol)、p197-4(1.5mmol)、ko(t-bu)(0.75mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(2mol％)、ligand(1.5mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在80℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p197。
[0198]
测试目标产物p197的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
46h29
n3o2，计算值为655.2，测试值为655.1。
[0199]
元素分析：理论值c,84.25；h,4.46；n,6.41；测试值c,84.24；h,4.46；n,6.42。
[0200]
实施例6
[0201]
化合物p205的合成路线如下：
[0202][0203]
具体制备方法包括以下步骤：
[0204][0205]
(1)将p205-1(0.5mmol)、p205-2(0.75mmol)、k2co3(0.5mmol)、pdcl2(5
×
10-4
mmol)、tppda(5
×
10-4
mmol)加入邻二甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在100℃下反应24小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p205-3。
[0206]
测试目标产物p205-3的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
24h17
n，计算值为319.1，测试值为319.0。
[0207]
(2)将p205-3(0.5mmol)、p205-4(1.5mmol)、ko(t-bu)(0.75mmol)、[pd(cinnamyl)cl]2(2mol％)、ligand(1.5mol％)加入甲苯3ml溶液中混合，放入50ml的烧瓶中，在80℃下反应12小时。冷却至室温，然后向溶液中缓慢加入饱和mgso4水溶液和乙酸乙酯萃取三次，然后将有机层通过旋转蒸发仪去除溶剂，通过柱层析，得到粗产物p205。
[0208]
测试目标产物p205的结构：通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析得maldi-tof ms(m/z)：c
50h31
n3o2，计算值为705.2，测试值为705.1。
[0209]
元素分析：理论值c,85.09；h,4.43；n,5.95；测试值c,85.08；h,4.43；n,5.94。
[0210]
本发明其它化合物所使用的的制备方法均与上述方法相似，不一一赘述，仅提供本发明部分其它化合物的质谱分析和元素分析表征结果，如表1-1所示。
[0211]
表1-1化合物表征结果
[0212][0213][0214]
表1-2中提供化合物的核磁氢谱表征数据：
[0215]
表1-2
[0216]
[0217][0218]
性能测试一 材料折射率表征
[0219]
通过椭偏仪测试化合物在460nm、530nm和620nm波长处的折射率，经计算得到在460nm波长处的折射率与在530nm波长处的折射率之差
△
n1，在530nm波长处的折射率与在620nm波长处的折射率之差
△
n2，以及在460nm波长处的折射率与在620nm波长处的折射率之差
△
n3。
[0220]
上述测试结果如表2所示。
[0221]
表2
[0222]
[0223][0224]
其中，对比化合物c1和c2的结构如下：
[0225][0226]
由表1可知，本技术提供的化合物满足在460nm波长处的折射率与在530nm波长处的折射率之差为0.10-0.17，在530nm波长处的折射率与在620nm波长处的折射率之差为
0.03-0.10，在460nm波长处的折射率与在620nm波长处的折射率之差为0.15-0.40，本技术提供的化合物用于有机电致发光器件，特别是作为盖帽层材料时，可以在实现多角度显示时，相较于化合物c1和c2，能够有效改善色偏。
[0227]
性能测试二 材料吸光度表征
[0228]
将本发明的化合物制成厚度为700埃的薄膜，通过紫外分光光度计测试该薄膜在250nm波长处和在380nm波长处的吸光度。
[0229]
上述测试结果如表3所示。
[0230]
表3
[0231]
[0232][0233]
由表3可知，由本发明提供的化合物形成的薄膜在250nm波长处和在380nm波长处的吸光度均大于0.3，以实现对250nm和380nm波长光的高效吸收，避免对人眼的伤害。
[0234]
为便于理解本发明，列举本发明化合物的应用实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
[0235]
应用例1
[0236]
本应用例提供一种有机电致发光器件，其结构如图1所示，具体制备步骤如下：
[0237]
1)将带有氧化铟锡(ito)阳极层2(厚度为15nm)的玻璃基板切成50mm
×
50mm
×
0.7mm的大小，分别在异丙醇和去离子水中超声处理30分钟，然后暴露在臭氧下约10min来进行清洁，将清洗后的基板1安装到真空沉积设备上；
[0238]
2)在ito阳极层2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料化合物2和p掺杂材料化合物1，掺杂比例为3％(质量比)；厚度为5nm，作为空穴注入层3；
[0239]
3)在空穴注入层3上真空蒸镀空穴传输层材料化合物2，厚度为100nm作为第一空穴传输层4；
[0240]
4)在第一空穴传输层4上真空蒸镀空穴传输型材料化合物3，厚度为5nm作为第二空穴传输层5；
[0241]
5)第二空穴传输层5上真空蒸镀一层发光层6，其中，化合物4作为主体材料，化合物5作为掺杂材料，掺杂比例为3％(质量比)，厚度为30nm；
[0242]
6)在发光层6上真空蒸镀电子传输型材料化合物6，厚度为30nm，作为第一电子传输层7；
[0243]
7)第一电子传输层7上真空蒸镀电子传输材料化合物7和n掺杂材料化合物8，掺杂质量比例为1:1；厚度为5nm，作为第二电子传输层8；
[0244]
8)在第二电子传输层8上真空蒸镀镁银电极，其中，mg:ag为9:1，厚度为10nm，作为阴极9；
[0245]
9)在阴极9上真空蒸镀本发明的化合物p1，厚度为100nm，作为盖帽层10使用。
[0246]
上述步骤中使用的化合物结构如下：
[0247][0248]
应用例2-24、对比应用例1-2与应用例1的区别仅在于将步骤9)中的化合物p1分别替换为本发明的化合物p11、p145、p157、p169、p197、p198、p200、p201、p203、p205、p206、p207、p208、p230、p231、p232、p277、p280、p293、p294、p295、p296、p297、c1、c2来制备盖帽层，其余制作步骤均相同，具体详见表4。
[0249]
性能测试三 器件性能表征
[0250]
针对上述应用例2-24、对比应用例1-2提供的有机电致发光器件进行如下性能测试：
[0251]
用keithley 2365a数字纳伏表测试根据有机电致发光器件在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到有机光电装置的在不同电压下的电流密度。用konicaminolta cs-2000分光辐射亮度计测试根据应用例以及对比应用比例制作的有机电致发光器件在不同电压下的亮度和辐射能流密度。根据有机电致发光器件在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度(10ma/cm2)下的工作电压v
on
(v)、电流效率ce(cd/a)、外量子效率eqe
(max)
、色偏jncd(30℃/45/60℃)和寿命lt95(通过测量有机电致发光器件的亮度达到初始亮度的95％时的时间而获得寿命lt95(在50ma/cm2测试条件下))，结果如表4所示。
[0252]
表4
[0253]
[0254][0255]
由表4可知，本发明提供的化合物用作有机电致发光器件的盖帽层材料时，能够有效降低器件的色偏，同时提高电流效率和外量子效率。
[0256]
化合物p197与化合物c1相比，区别仅在于芳胺以及稠环芳基均取代在萘环上，数据显示p197制作盖帽层的有机电致发光器件具有更高的电流效率、外量子效率以及更低的色偏值；化合物p296与化合物c2相比，区别仅在于萘环6位上取代的是稠环芳基，数据显示用化合物p296制作盖帽层的有机电致发光器件具有更高的电流效率、外量子效率以及更低的色偏值。
[0257]
化合物p207与化合物p197相比，区别仅在于6位上取代的萘环上含有氘代，数据显示用化合物p207制作盖帽层的有机电致发光器件具有更高的寿命。
[0258]
化合物p197、p198、p200、p201、p203、p205、p206之间的差别在于萘环、菲环或者蒽环的接入位点不同，其中，用化合物p197、p201、p203、p205制作盖帽层材料用于有机电致发光器件中，能够获得更好的器件效率。
[0259]
应用例25
[0260]
本应用例提供一种有机电致发光器件，其结构如图2所示，具体制备步骤如下：
[0261]
1)将带有氧化铟锡(ito)阳极层2(厚度为15nm)的玻璃基板切成50mm
×
50mm
×
0.7mm的大小，分别在异丙醇和去离子水中超声处理30分钟，然后暴露在臭氧下约10min来进行清洁，将清洗后的基板1安装到真空沉积设备上；
[0262]
2)在ito阳极层2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料化合物2和p掺杂材料化合物1，掺杂比例为3％(质量比)；厚度为5nm，作为空穴注入层3；
[0263]
3)在空穴注入层3上真空蒸镀空穴传输层材料化合物2，厚度为100nm作为第一空穴传输层4；
[0264]
4)在第一空穴传输层4上真空蒸镀空穴传输型材料化合物3，厚度为5nm作为第二空穴传输层5；
[0265]
5)第二空穴传输层5上真空蒸镀一层发光层6，其中，化合物4作为主体材料，化合物5作为掺杂材料，掺杂比例为3％(质量比)，厚度为30nm；
[0266]
6)在发光层6上真空蒸镀电子传输型材料化合物6，厚度为30nm，作为第一电子传输层7；
[0267]
7)第一电子传输层7上真空共同蒸镀电子传输材料化合物7和n掺杂材料化合物8，掺杂质量比例为1:1；厚度为5nm，作为第二电子传输层8；
[0268]
8)第二电子传输层8上真空蒸镀镁银电极，其中，mg:ag为9:1，厚度为10nm，作为阴极9；
[0269]
9)在阴极9上真空蒸镀本发明的化合物p197，厚度为100nm，作为第一盖帽层10使用。
[0270]
10)在第一盖帽层上真空蒸镀低折射率的有机小分子d1，厚度为20nm，作为第二盖帽层11使用。
[0271]
部分低折射率的有机小分子结构举例如下：
[0272][0273]
应用例26-35与应用例25的区别仅在于将步骤10)中的有机小分子d1分别替换为d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d10、d11来制备第二盖帽层，其余制作步骤均相同；应用例36-38、对比应用例3-4与应用例25的区别仅在于将步骤9)中的化合物p197分别替换为p195、p295、p277、c1、c2来制备第一盖帽层，具体详见表5。
[0274]
采用与前文所述相同的测试方法对应用例25-38、对比应用例3-4的有机电致发光器件进行性能测试，结果如表5所示。
[0275]
表5
[0276]
[0277][0278]
由表5可知，用本发明提供的化合物作为第一盖帽层的材料与含有低折射率有机小分子的第二盖帽层材料搭配，相较于用化合物c1和c2与含有低折射率有机小分子的第二盖帽层材料搭配，更有利于提高器件效率，尤其是提升外量子效率方面非常显著。
[0279]
申请人声明，本发明通过上述应用例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。