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一种抗老化耐刮电子芯片保护膜的制作方法

2022-08-28 00:59:19 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及电子芯片保护膜技术领域,尤其涉及一种抗老化耐刮电子芯片保护膜。


背景技术:

2.在进行电子芯片的制作时,需要使用保护膜进行保护,目前对保护膜的要求是在切割工艺中要耐刮,保护膜不能破损,且需要满足持续60℃加工时胶膜无收缩,胶膜需要具有高粘接力的性能,保证粘贴的稳定性,然而现有的电子芯片保护膜容易破损,热加工下容易收缩,且粘接力较差,影响了保护膜的保护效果。


技术实现要素:

3.针对背景技术提出的问题,本实用新型的目的在于提出一种抗老化耐刮电子芯片保护膜,具有高粘接力、耐刮、不易收缩的特点,解决了现有保护膜不耐刮,容易破损,且容易收缩的问题。
4.为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
5.一种抗老化耐刮电子芯片保护膜,包括pi基材膜层、第一丙烯酸胶层、阻燃胶层、第二丙烯酸胶层和离型膜层,所述pi基材膜层的下表面设置有所述第一丙烯酸胶层,所述第一丙烯酸胶层的下表面设置有所述阻燃胶层,所述阻燃胶层的下表面设置有所述第二丙烯酸胶层,所述第二丙烯酸胶层的下表面设置有所述离型膜层。
6.更进一步说明,所述pi基材膜层的下表面设有波浪形的压纹,所述第一丙烯酸胶层贴附于所述压纹的表面。
7.更进一步说明,所述pi基材膜层的厚度为15~35μm。
8.更进一步说明,所述第一丙烯酸胶层的厚度为1~3μm。
9.更进一步说明,所述阻燃胶层的厚度为5~10μm。
10.更进一步说明,所述第二丙烯酸胶层的厚度为14~25μm。
11.更进一步说明,所述离型膜层的厚度为33~55μm。
12.与现有技术相比,本实用新型的实施例具有以下有益效果:
13.1、通过使用pi膜作为基材膜层,pi膜具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性和耐介质性,能在-269℃~280℃的温度范围内长期使用,短时可达到400℃的高温,保护膜的抗老化性能好,在60℃的环境下,放置96小时无收缩;
14.2、通过设置第一丙烯酸胶层、阻燃胶层和第二丙烯酸胶层,第一丙烯酸胶层能够提高阻燃胶层与pi基材膜层的粘接力,保证保护膜的阻燃效果,第二丙烯酸胶层能够保证保护膜对芯片的粘接力,使得保护膜具有高粘接力,此外,通过设置第一丙烯酸胶层和第二丙烯酸胶层,丙烯酸胶层的抗刮性好,能够起到抗刮擦的作用,使得产品在切割工艺的过程中不会发生破损,离型膜层能够对第二丙烯酸胶层起到保护作用,使用时撕走离型膜层即可,该抗老化耐刮电子芯片保护膜具有耐刮、持续60℃加工时胶膜无收缩的抗老化性能好
的特点,解决了现有保护膜不耐刮,容易破损,且容易收缩的问题;
15.3、通过在pi基材膜层的下表面设有波浪形的压纹,能够提高第一丙烯酸胶层与pi基材膜层的接触面积,从而提高第一丙烯酸胶层与pi基材膜层的附着力,保证抗老化耐刮电子芯片保护膜的耐刮效果。
附图说明
16.图1是本实用新型一个实施例的抗老化耐刮电子芯片保护膜的结构示意图;
17.图2是本实用新型一个实施例的抗老化耐刮电子芯片保护膜的pi基材膜层的结构示意图;
18.其中:pi基材膜层1、压纹11、第一丙烯酸胶层2、阻燃胶层3、第二丙烯酸胶层4、离型膜层5。
具体实施方式
19.下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
20.在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“纵向”、“横向”“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征,用于区别描述特征,无顺序之分,无轻重之分。
21.如图1和图2所示,一种抗老化耐刮电子芯片保护膜,包括pi基材膜层1、第一丙烯酸胶层2、阻燃胶层3、第二丙烯酸胶层4和离型膜层5,所述pi基材膜层1的下表面设置有所述第一丙烯酸胶层2,所述第一丙烯酸胶层2的下表面设置有所述阻燃胶层3,所述阻燃胶层3的下表面设置有所述第二丙烯酸胶层4,所述第二丙烯酸胶层4的下表面设置有所述离型膜层5。
22.通过使用pi膜作为基材膜层,pi膜具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性和耐介质性,能在-269℃~280℃的温度范围内长期使用,短时可达到400℃的高温,保护膜的抗老化性能好,在60℃的环境下,放置96小时无收缩,且通过设置所述第一丙烯酸胶层2、阻燃胶层3和第二丙烯酸胶层4,所述第一丙烯酸胶层2能够提高所述阻燃胶层3与所述pi基材膜层1的粘接力,保证保护膜的阻燃效果,所述第二丙烯酸胶层4能够保证保护膜对芯片的粘接力,使得保护膜具有高粘接力,此外,通过设置所述第一丙烯酸胶层2和所述第二丙烯酸胶层4,丙烯酸胶层的抗刮性好,能够起到抗刮擦的作用,使得产品在切割工艺的过程中不会发生破损,所述离型膜层5能够对所述第二丙烯酸胶层4起到保护作用,使用时撕走所述离型膜层5即可,该抗老化耐刮电子芯片保护膜具有耐刮、持续60℃加工时胶膜无收缩的抗老化性能好的特点,解决了现有保护膜不耐刮,容易破损,且容易收缩的问题。
23.更进一步说明,所述pi基材膜层1的下表面设有波浪形的压纹11,所述第一丙烯酸胶层2贴附于所述压纹11的表面。
24.通过在所述pi基材膜层1的下表面设有波浪形的所述压纹11,能够提高所述第一丙烯酸胶层2与所述pi基材膜层1的接触面积,从而提高所述第一丙烯酸胶层2与所述pi基材膜层1的附着力,保证所述抗老化耐刮电子芯片保护膜的耐刮效果。
25.优选地,所述pi基材膜层1的厚度为15~35μm。
26.优选地,所述pi基材膜层1的厚度为25μm。
27.具体地,所述pi基材膜层1使用现有市面常规的pi膜,具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性和耐介质性,限定所述pi基材膜层1的厚度,保证所述pi基材膜层1在此厚度范围内的柔软性和硬度,使得保护膜的贴附效果好。
28.优选地,所述第一丙烯酸胶层2的厚度为1~3μm。
29.优选地,所述第一丙烯酸胶层2的厚度为1μm。
30.具体地,所述第一丙烯酸胶层2使用现有市面常规的丙烯酸胶,主要成分为杭州长捷的热塑性固体丙烯酸树脂sa-848,胶粘效果好,能够保证对所述阻燃胶层3的粘接效果,从而保证保护膜的阻燃效果,限定所述第一丙烯酸胶层2的厚度,方便涂布,使用印刷工艺将丙烯酸胶涂在所述pi基材膜层1即可,保证粘接性能的同时使得涂布均匀性好。
31.优选地,所述阻燃胶层3的厚度为5~10μm。
32.优选地,所述阻燃胶层3的厚度为6μm。
33.具体地,所述阻燃胶层3使用现有市面常规的聚酯阻燃胶,主要成分为美国雅宝阻燃剂h-5氢氧化镁h5、magnifin德国马martinal on-921氢氧化铝,阻燃效果好,使用印刷工艺将丙烯酸胶涂在所述pi基材膜层1后,使用涂布微凹工艺涂上聚酯阻燃胶即可,限定所述阻燃胶层3的厚度,如果所述阻燃胶层3的厚度太薄,则会影响所述阻燃胶层3的阻燃效果,如果所述阻燃胶层3的厚度太厚,则容易涂布不均匀。
34.优选地,所述第二丙烯酸胶层4的厚度为14~25μm。
35.优选地,所述第二丙烯酸胶层4的厚度为10μm。
36.具体地,所述第二丙烯酸胶层4使用现有市面常规的高粘接力丙烯酸胶,主要成分为日本三菱热塑性丙烯酸树脂mb-2952、德国固体饱和聚酯树脂l206和l208树脂,具有粘接力高,粘接强度好的优点,使用涂布微凹工艺涂上高粘接力丙烯酸胶即可,限定所述第二丙烯酸胶层4的厚度,保证所述第二丙烯酸胶层4的粘接性能,从而保证对电子芯片的粘接性。
37.优选地,所述离型膜层5的厚度为33~55μm。
38.优选地,所述离型膜层5的厚度为30μm。
39.具体地,所述离型膜层5使用现有市面常规的离型膜,在使用涂布微凹工艺涂上聚酯阻燃胶和高粘接力丙烯酸胶后,最后通过收卷复合设备胶面压合离型膜即可,限定离型膜层5的厚度,使得所述离型膜层5能够对第二丙烯酸胶层4进行保护的同时,保证所述离型膜层5的剥离效果。
40.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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