cis器件的制作方法
技术领域：
：1.本技术涉及半导体制造
技术领域：
：，具体涉及一种cis器件的制作方法。
背景技术：
：：2.互补金属氧化物半导体图像传感器(complementarymetaloxidesemiconductorcontactimagesensor，cis)是采用cmos器件制作的图像传感器，由于其具有集成度高、供电电压低和技术门槛低等优势，广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话以及医疗电子等领域。3.相关技术中，在cis器件的制作过程中，在形成其后段(backendofline，beol)结构后，可增加一步紫外线(ultraviolet，uv)烘烤(bake)步骤以改善cis器件的图像滞后(imagelag)和信号噪声(noise)。然而，uv烘烤会增加晶圆的翘曲度(finalwarpage)，从而对后续的工艺产生影响。鉴于此，可通过增加后段结构中氮化层的厚度降低晶圆的翘曲度。然而，氮化层厚度的增加会导致其应力过大，从而在其表面形成气泡缺陷(bubbledefect)，进而降低了器件的可靠性和良率。技术实现要素：4.本技术提供了一种cis的制作方法，可以解决相关技术中提供的包含紫外线烘烤步骤的cis的制作方法由于氮化层厚度较大所导致的气泡缺陷的问题，该方法包括：5.在后段结构上形成第一氮化层，所述后段结构的下方形成有cis器件，所述后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层；6.进行紫外线烘烤处理；7.在所述第一氮化层上形成第一氧化层；8.在所述第一氧化层上形成第二氮化层。9.在一些实施例中，所述第一氮化层的厚度为80埃至200埃。10.在一些实施例中，所述第一氧化层的厚度为200埃至3000埃。11.在一些实施例中，所述在所述第一氮化层上形成第一氧化层，包括：12.通过teos沉积工艺在所述第一氮化层上形成所述第一氧化层。13.在一些实施例中，所述第二氮化层的厚度为1000埃至8000埃。14.在一些实施例中，所述紫外线烘烤处理的温度为180摄氏度至500摄氏度。15.在一些实施例中，所述紫外线烘烤处理的时间为100秒至1000秒。16.在一些实施例中，在进行紫外线烘烤处理之后，在所述第一氮化层上形成氧化层之前，还包括：17.进行wat。18.本技术技术方案，至少包括如下优点：19.在cis器件的制作过程中，通过在后段结构上先形成第一氮化层，然后进行紫外线烘烤，然后在第一氮化层上形成第一氧化层，在第一氧化层上形成第二氮化层，由于第一氧化层作为缓冲层可以缓解氮化层的应力，从而改善了相关技术中仅通过形成厚的氮化层以降低晶圆的翘曲度所导致的气泡缺陷的问题，提高了器件的可靠性和良率。附图说明20.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。21.图1是本技术一个示例性实施例提供的cis的制作方法的流程图；22.图2至图6是本技术一个示例性实施例提供的cis的制作过程示意图。具体实施方式23.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。24.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。25.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。26.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。27.参考图1，其示出了本技术一个示例性实施例提供的cis的制作方法的流程图，如图1所示，该方法包括：28.步骤s1，在后段结构上形成第一氮化层，后段结构的下方形成有cis器件，该后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层。29.参考图2，其示出了在后段结构上形成第一氮化层的剖面示意图。后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层，后段结构形成于cis器件(图2中未示出)上方，图2中以一种后段结构作为实例进行说明。30.示例性的，如图2所示，后段结构包括第一介质层211和第二介质层212，第一介质层211和第二介质层212之间形成有氮化物掺杂碳化硅(nitridedopedsiliconcarbide，ndc)层220。第一介质层211和第二介质层212包括低介电常数材料(介电常数k小于4的材料，例如，其可以是硅氧化物(比如二氧化硅(sio2)))所构成的薄膜层，第一介质层211中形成有金属连线2312，第二介质层212中形成有接触孔(via)2321和金属连线2322，接触孔2321的底端和金属连线2312的顶端连接，接触孔2321的顶端和金属连线2322的底端连接。31.可通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺(例如，等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)工艺)沉积硅氮化物(例如，氮化硅(sin))形成第一氮化层240。其中，第一氮化层240的厚度为80埃至200埃。32.步骤s2，进行紫外线烘烤处理。33.参考图3，其示出了进行紫外线烘烤处理的示意图。通过进行紫外线烘烤，可以改善cis器件的图像滞后和信号噪声。在一些实施例中，紫外线烘烤处理的温度为180摄氏度(℃)至500摄氏度，紫外线烘烤处理的时间为100秒(s)至1000秒。34.参考图4，其示出了进行晶圆可接受测试(waferacceptabletest，wat)的示意图。如图4所示，在一些实施例中，在步骤s2之后，步骤s3之前，还包括：进行wat。wat可以反应晶圆在流片阶段的工艺波动，且可侦测产线的异常。35.步骤s3，在第一氮化层上形成第一氧化层。36.参考图5，其示出了在第一氮化层上形成第一氧化层的剖面示意图。示例性的，如图5所示，可通过四乙氧基硅烷沉积(tetraethoxysilane，teos)工艺在第一氮化层240上沉积硅氧化物形成第一氧化层250。其中，第一氧化层250的厚度为200埃至3000埃。37.步骤s4，在第一氧化层上形成第二氮化层。38.示例性的，如图6所示，可通过化学气相沉积cvd工艺(例如，pecvd工艺)在第一氧化层250沉积硅氮化物形成第二氮化层260。其中，第二氮化层260的厚度为1000埃至8000埃。39.综上所述，本技术实施例中，在cis器件的制作过程中，通过在后段结构上先形成第一氮化层，然后进行紫外线烘烤，然后在第一氮化层上形成第一氧化层，在第一氧化层上形成第二氮化层，由于第一氧化层作为缓冲层可以缓解氮化层的应力，从而改善了相关技术中仅通过形成厚的氮化层以降低晶圆的翘曲度所导致的气泡缺陷的问题，提高了器件的可靠性和良率。40.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。当前第1页12当前第1页12
技术领域：
：1.本技术涉及半导体制造
技术领域：
：，具体涉及一种cis器件的制作方法。
背景技术：
：：2.互补金属氧化物半导体图像传感器(complementarymetaloxidesemiconductorcontactimagesensor，cis)是采用cmos器件制作的图像传感器，由于其具有集成度高、供电电压低和技术门槛低等优势，广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话以及医疗电子等领域。3.相关技术中，在cis器件的制作过程中，在形成其后段(backendofline，beol)结构后，可增加一步紫外线(ultraviolet，uv)烘烤(bake)步骤以改善cis器件的图像滞后(imagelag)和信号噪声(noise)。然而，uv烘烤会增加晶圆的翘曲度(finalwarpage)，从而对后续的工艺产生影响。鉴于此，可通过增加后段结构中氮化层的厚度降低晶圆的翘曲度。然而，氮化层厚度的增加会导致其应力过大，从而在其表面形成气泡缺陷(bubbledefect)，进而降低了器件的可靠性和良率。技术实现要素：4.本技术提供了一种cis的制作方法，可以解决相关技术中提供的包含紫外线烘烤步骤的cis的制作方法由于氮化层厚度较大所导致的气泡缺陷的问题，该方法包括：5.在后段结构上形成第一氮化层，所述后段结构的下方形成有cis器件，所述后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层；6.进行紫外线烘烤处理；7.在所述第一氮化层上形成第一氧化层；8.在所述第一氧化层上形成第二氮化层。9.在一些实施例中，所述第一氮化层的厚度为80埃至200埃。10.在一些实施例中，所述第一氧化层的厚度为200埃至3000埃。11.在一些实施例中，所述在所述第一氮化层上形成第一氧化层，包括：12.通过teos沉积工艺在所述第一氮化层上形成所述第一氧化层。13.在一些实施例中，所述第二氮化层的厚度为1000埃至8000埃。14.在一些实施例中，所述紫外线烘烤处理的温度为180摄氏度至500摄氏度。15.在一些实施例中，所述紫外线烘烤处理的时间为100秒至1000秒。16.在一些实施例中，在进行紫外线烘烤处理之后，在所述第一氮化层上形成氧化层之前，还包括：17.进行wat。18.本技术技术方案，至少包括如下优点：19.在cis器件的制作过程中，通过在后段结构上先形成第一氮化层，然后进行紫外线烘烤，然后在第一氮化层上形成第一氧化层，在第一氧化层上形成第二氮化层，由于第一氧化层作为缓冲层可以缓解氮化层的应力，从而改善了相关技术中仅通过形成厚的氮化层以降低晶圆的翘曲度所导致的气泡缺陷的问题，提高了器件的可靠性和良率。附图说明20.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。21.图1是本技术一个示例性实施例提供的cis的制作方法的流程图；22.图2至图6是本技术一个示例性实施例提供的cis的制作过程示意图。具体实施方式23.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。24.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。25.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。26.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。27.参考图1，其示出了本技术一个示例性实施例提供的cis的制作方法的流程图，如图1所示，该方法包括：28.步骤s1，在后段结构上形成第一氮化层，后段结构的下方形成有cis器件，该后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层。29.参考图2，其示出了在后段结构上形成第一氮化层的剖面示意图。后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层，后段结构形成于cis器件(图2中未示出)上方，图2中以一种后段结构作为实例进行说明。30.示例性的，如图2所示，后段结构包括第一介质层211和第二介质层212，第一介质层211和第二介质层212之间形成有氮化物掺杂碳化硅(nitridedopedsiliconcarbide，ndc)层220。第一介质层211和第二介质层212包括低介电常数材料(介电常数k小于4的材料，例如，其可以是硅氧化物(比如二氧化硅(sio2)))所构成的薄膜层，第一介质层211中形成有金属连线2312，第二介质层212中形成有接触孔(via)2321和金属连线2322，接触孔2321的底端和金属连线2312的顶端连接，接触孔2321的顶端和金属连线2322的底端连接。31.可通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺(例如，等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)工艺)沉积硅氮化物(例如，氮化硅(sin))形成第一氮化层240。其中，第一氮化层240的厚度为80埃至200埃。32.步骤s2，进行紫外线烘烤处理。33.参考图3，其示出了进行紫外线烘烤处理的示意图。通过进行紫外线烘烤，可以改善cis器件的图像滞后和信号噪声。在一些实施例中，紫外线烘烤处理的温度为180摄氏度(℃)至500摄氏度，紫外线烘烤处理的时间为100秒(s)至1000秒。34.参考图4，其示出了进行晶圆可接受测试(waferacceptabletest，wat)的示意图。如图4所示，在一些实施例中，在步骤s2之后，步骤s3之前，还包括：进行wat。wat可以反应晶圆在流片阶段的工艺波动，且可侦测产线的异常。35.步骤s3，在第一氮化层上形成第一氧化层。36.参考图5，其示出了在第一氮化层上形成第一氧化层的剖面示意图。示例性的，如图5所示，可通过四乙氧基硅烷沉积(tetraethoxysilane，teos)工艺在第一氮化层240上沉积硅氧化物形成第一氧化层250。其中，第一氧化层250的厚度为200埃至3000埃。37.步骤s4，在第一氧化层上形成第二氮化层。38.示例性的，如图6所示，可通过化学气相沉积cvd工艺(例如，pecvd工艺)在第一氧化层250沉积硅氮化物形成第二氮化层260。其中，第二氮化层260的厚度为1000埃至8000埃。39.综上所述，本技术实施例中，在cis器件的制作过程中，通过在后段结构上先形成第一氮化层，然后进行紫外线烘烤，然后在第一氮化层上形成第一氧化层，在第一氧化层上形成第二氮化层，由于第一氧化层作为缓冲层可以缓解氮化层的应力，从而改善了相关技术中仅通过形成厚的氮化层以降低晶圆的翘曲度所导致的气泡缺陷的问题，提高了器件的可靠性和良率。40.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。当前第1页12当前第1页12
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