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一种低介电损失之聚酰亚胺膜的制作方法

2022-07-20 04:30:11 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种低介电损失的聚酰亚胺膜,该聚酰亚胺膜的厚度大于25微米,其系由共聚聚酰胺酸经由化学环化法制得而成,其中共聚聚酰胺酸至少需具有3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐(3,3,4,4’-biphenyltetracarboxylic dianhydride;bpda)与对苯二胺(p-phenylene diamine;p-pda)以及下述化学式(a)之二胺的组成,该化学式(a)为如下:其中bpda的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二酸酐总摩尔数之百分比60以上,以及p-pda的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比50以上;化学式(a)的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比30以上反应组成;以及使该聚酰亚胺膜具有玻璃转移温度tg大于280℃,介电损耗正切df(@10ghz)小于0.008,热线膨胀系数cte小于12ppm/℃。2.如权利要求1所述的低介电损失之聚酰亚胺膜,其,该化学式(a)中的r可为ch3,使化学式(a)为2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯(m-tb)。3.如权利要求1所述的低介电损失之聚酰亚胺膜,其,该化学式(a)中的r可为ch3,使化学式(a)为2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯(m-tb)。4.如权利要求1所述的低介电损失的聚酰亚胺膜,其中,该芳香族聚酰胺酸除了上述pda、化学式(a)及bpda之芳香族二胺与芳香族二酐反应而得之外,还可包含以下芳香族二胺及二酐:其中芳香族二胺包含了2,2'-二(三氟甲基)二氨基联苯(tfmb)、2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷(bapp)、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(hfbapp)、对苯二胺(pda)、4,4'-二(4-氨基苯氧基)联苯(bapb)、2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚(6foda)、4,4'-二氨基二苯砜(44dds)、4,4'-二氨基二苯醚(oda)、4,4'-二氨基苯酰替苯胺(44daba)、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷(bis-a-af)、间苯二胺(mpda)、3,5-二氨基苯甲酸(35daba)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并恶唑(5bpoa)、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯(tpeq)、4,4'-[1,4-苯基双(氧)]双[3-(三氟甲基)苯胺](fapb)。5.如权利要求1所述的低介电损失的聚酰亚胺膜,其中,该化学环化法为添加脱水剂以及催化剂而成,其中脱水剂为乙酸酐,催化剂为甲基吡啶、异喹啉。6.如权利要求5所述的低介电损失的聚酰亚胺膜,其中,该脱水剂添加量至少为2当量数以上,该催化剂添加量至少为1当量数以上。

技术总结
本申请为一种低介电损失的聚酰亚胺膜,其系由共聚聚酰胺酸经由化学环化法制得而成,其中共聚聚酰胺酸至少需具有3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐(3,3’,4,4’-biphenyltetracarboxylic dianhydride;BPDA)与对苯二胺(p-phenylene diamine;p-PDA)以及下述化学式(A)之二胺的组成:化学式(A):其中,BPDA的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二酸酐总摩尔数之百分比60以上,以及p-PDA的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比50以上,及化学式(A)的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比30以上反应组成;以及该聚酰亚胺膜具有玻璃转移温度Tg大于280℃,介电损耗正切Df(@10GHz)小于0.008及热线膨胀系数CTE小于12ppm/℃。小于12ppm/℃。


技术研发人员:蔡家量 何宜学
受保护的技术使用者:达迈科技股份有限公司
技术研发日:2021.01.15
技术公布日:2022/7/19
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