显示基板及其驱动方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其驱动方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)显示技术是一种利用发光材料在电流的驱动下发光来实现显示的技术。oled显示器具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、低成本、工艺简单、使用原材料少、发光效率高和温度范围宽等优点。


技术实现要素：

3.本发明实施例的目的在于改善显示装置的频闪现象。
4.为达到上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
5.本发明的一些实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括衬底，以及设置于所述衬底上的像素电路。所述像素电路包括：发光器件、开关电路、驱动电路、补偿电路、调光电路。所述开关电路与扫描信号端、数据信号端及第一节点电连接，且被配置为，在所述扫描信号端提供的扫描信号的控制下，将所述数据信号端提供的数据信号传输至所述第一节点。所述驱动电路，与第二节点、所述第一节点及第三节点电连接，且被配置为，在所述第二节点的电位的控制下，将来自所述第一节点的电信号传输至所述第三节点；所述驱动电路包括内部节点。所述补偿电路，至少与所述扫描信号端、所述第二节点及所述第三节点电连接，且被配置为，在所述扫描信号的控制下，将来自所述第三节点的电信号传输至所述第二节点。所述调光电路，与控制信号端、所述第二节点及所述内部节点电连接，且被配置为，在所述发光器件的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，导通所述第二节点与所述内部节点之间的通路，将来自所述第二节点的电信号传输至所述内部节点，以使所述驱动电路受所述内部节点的电位的控制，并增大所述驱动电路的沟道电容；或，在所述发光器件的显示灰阶小于所述阈值灰阶的情况下，截断所述第二节点与所述内部节点之间的通路，以使所述驱动电路受所述第二节点的电位的控制，并减小所述驱动电路的沟道电容。
6.本发明的一些实施例所提供的显示基板，通过设置显示基板的像素电路包括开关电路、驱动电路、补偿电路和调光电路，使得数据信号端提供的数据信号传输至像素电路的第二节点，设置调光电路控制第二节点与驱动电路的内部节点之间的通路的导通与断开，从而可以根据发光器件的显示灰阶与阈值灰阶的关系，控制调光电路的导通状态。在发光器件的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，调光电路截断第二节点与驱动电路的内部节点的通路，使得驱动电路不受内部节点的控制，而使得驱动电路受第二节点的控制。此时，由于第二节点与驱动电路的沟道组成的第二沟道电容器的电容较小，相对于驱动电路的内部节点与驱动电路的沟道组成的第一沟道电容器的电容来说，驱动电路的沟道电容减小了。由此，驱动电路产生的驱动电流减小，由驱动电路传输至发光器件的驱动电流减小，发光器件的发光亮度减小，发光器件的显示灰阶减小。进而，在利用数据信号调节显示灰阶时，可以
采用具有较大压值范围的数据信号进行调节，提供较大的驱动态范围，提高驱动电流对数据信号的灵敏度。因此，显示装置采用上述设置方式可以实现较小的灰阶显示，在低灰阶范围内可以采用全直流调光技术进行发光器件亮度的调节，进而避免了采用pwm技术进行调光所导致的显示装置的频闪现象，避免了对用户视力健康的损伤。
7.在一些实施例中，所述驱动电路包括：第一晶体管。所述第一晶体管包括第一栅极和第二栅极。所述第一晶体管的第一栅极与所述第二节点电连接，所述第一晶体管的第二栅极与所述内部节点电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一节点电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点电连接。所述调光电路包括：第二晶体管。所述第二晶体管的栅极与所述控制信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二节点电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一栅极电连接。
8.在一些实施例中，所述开关电路包括第三晶体管。所述第三晶体管的栅极与所述扫描信号端电连接，所述第三晶体管的第一极与所述数据信号端电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第一节点电连接。所述补偿电路包括：存储电容器及第四晶体管。所述第四晶体管的栅极与所述扫描信号端电连接，所述第四晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第二节点电连接。所述存储电容器的第一极板与所述第二节点电连接，所述存储电容器的第二极板与第一电压信号端电连接。
9.在一些实施例中，所述像素电路还包括：第一复位电路、发光控制电路、第二复位电路。所述第一复位电路，与复位信号端、初始信号端及所述第二节点电连接，且被配置为，在所述复位信号端提供的复位信号的控制下，将所述初始信号端提供的初始信号传输至所述第二节点。所述发光控制电路，与使能信号端、第一电压信号端、所述第一节点、所述第三节点及第四节点电连接，且被配置为，在所述使能信号端提供的使能信号的控制下，将所述第一电压信号端提供的第一电压信号传输至所述第一节点；所述驱动电路还被配置为，根据所述第二节点的电位和来自所述第一节点的第一电压信号生成驱动信号；所述发光控制电路还被配置为，将所述驱动信号传输至第四节点；所述第四节点与所述发光器件电连接。所述第二复位电路，与所述复位信号端、所述初始信号端及所述第四节点电连接，且被配置为，在所述复位信号的控制下，将所述初始信号传输至所述第四节点。
10.在一些实施例中，所述第一复位电路包括：第五晶体管。所述第五晶体管的栅极与所述复位信号端电连接，所述第五晶体管的第一极与所述初始信号端电连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二节点电连接。所述发光控制电路包括：第六晶体管和第七晶体管。所述第六晶体管的栅极与所述使能信号端电连接，所述第六晶体管的第一极与所述第一电压信号端电连接，所述第六晶体管的第二极与所述第一节点电连接。所述第七晶体管的栅极与所述使能信号端电连接，所述第七晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述第七晶体管的第二极与所述第四节点电连接。所述第二复位电路包括：第八晶体管。所述第八晶体管的栅极与所述复位信号端电连接，所述第八晶体管的第一极与所述初始信号端电连接，所述第八晶体管的第二极与所述第四节点电连接。
11.在一些实施例中，所述像素电路还包括多个晶体管。除所述第一晶体管外，其余任一晶体管包括低温多晶硅型晶体管或氧化物型晶体管。
12.在一些实施例中，所述显示基板包括：在远离所述衬底方向、依次层叠设置的第一有源层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层。所述像素电路中驱动电路的第
一晶体管包括：位于所述第一有源层的第一有源图案，位于所述第一导电层的第一栅极和位于所述第二导电层的第二栅极。
13.在一些实施例中，所述第一绝缘层的厚度范围为100nm～300nm；所述第二绝缘层的厚度范围为100nm～300nm。
14.在一些实施例中，所述第一绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度相同。
15.在一些实施例中，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅。
16.在一些实施例中，所述显示基板还包括：依次层叠在所述第二导电层远离第一有源层一侧的第二有源层、第三导电层。所述第二有源层的材料包括金属氧化物。
17.本发明的一些实施例还提供了一种显示基板的驱动方法，所述驱动方法应用于如上述实施例中任一项所述的显示基板。所述驱动方法包括第一阶段和第二阶段。在所述第一阶段中，响应于扫描信号端提供的扫描信号，开关电路将数据信号端提供的数据信号传输至第一节点；驱动电路将来自所述第一节点的电信号传输至第三节点；所述补偿电路将来自所述第三节点的电信号传输至所述第二节点。在所述第二阶段中，在发光器件的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，调光电路导通所述第二节点与所述驱动电路的内部节点之间的通路，将来自所述第二节点的电信号传输至所述内部节点，以使所述驱动电路受所述内部节点的电位的控制，并增大所述驱动电路的沟道电容；或，在所述发光器件的显示灰阶小于所述阈值灰阶的情况下，截断所述第二节点与所述驱动电路的内部节点之间的通路，以使所述驱动电路受所述第二节点的电位的控制，并增大所述驱动电路的沟道电容。
18.本发明的一些实施例所提供的显示基板的驱动方法所能实现的有益效果，与上述一些实施例中提供的显示基板所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
19.在一些实施例中，在所述像素电路包括发光控制电路的情况下，所述驱动方法还包括：第三阶段。在所述第三阶段中，响应于使能信号端提供的使能信号，所述发光控制电路将第一电压信号端提供的第一电压信号传输至所述第一节点，所述驱动电路根据所述第二节点的电位和来自所述第一节点的第一电压信号生成驱动信号，所述发光控制电路还将所述驱动信号传输至第四节点。
20.在一些实施例中，在所述像素电路包括第一复位电路及第二复位电路的情况下，所述驱动方法还包括：第四阶段。在所述第四阶段中，响应于复位信号端提供的复位信号，第一复位电路将初始信号端提供的初始信号传输至所述第二节点；第二复位电路将所述初始信号传输至所述第四节点。
21.本发明的一些实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如上述实施例中任一项所述的显示基板。
22.本发明的一些实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述一些实施例中提供的显示基板所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
附图说明
23.为了更清楚地说明本发明中的技术方案，下面将对本发明一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本发明实施例所涉及的产品的实际尺寸等的限制。
24.图1为根据本发明一些实施例中一种显示装置的结构图；
25.图2为根据本发明一些实施例中一种像素电路的结构图；
26.图3为根据本发明一些实施例中另一种像素电路的结构图；
27.图4a为根据本发明一些实施例中又一种像素电路的结构图；
28.图4b为根据本发明一些实施例中又一种像素电路的结构图；
29.图5为根据本发明一些实施例中又一种像素电路的结构图；
30.图6为根据本发明一些实施例中一种驱动电路中第一晶体管的结构图；
31.图7为根据本发明一些实施例中一种显示基板的局部结构图；
32.图8为根据本发明一些实施例中一种像素电路的转移特性图。
具体实施方式
33.下面将结合附图，对本发明一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
34.除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本发明的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
35.在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
36.本文中“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除被配置为执行额外任务或步骤的设备。
37.另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
38.应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
39.本文中术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
40.本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
41.在本发明的实施例提供的各电路结构(例如像素电路)中，所采用的晶体管可以为薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)、场效应晶体管(metal oxide semiconductor，简称mos)或其他特性相同的开关器件，本发明的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。
42.在本发明的实施例提供的电路结构中，所采用的各晶体管的第一极为源极和漏极中一者，各晶体管的第二极为源极和漏极中另一者。由于晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的，也就是说，本发明的实施例中的晶体管的第一极和第二极在结构上可以是没有区别的。示例性地，在晶体管为p型晶体管的情况下，晶体管的第一极为源极，第二极为漏极；示例性地，在晶体管为n型晶体管的情况下，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。
43.本发明的实施例提供的电路结构中，第一节点、第二节点等节点并非表示实际存在的部件，而是表示电路图中相关耦接的汇合点，也就是说，这些节点是由电路图中相关耦接的汇合点等效而成的节点。
44.在本发明中，p型晶体管可以在低电平信号的控制下导通，n型晶体管可以在高电平信号的控制下导通。
45.下面，本发明以像素电路所包括的晶体管均为p型晶体管为例进行说明。
46.在一种实现方式中，为满足暗环境下，显示装置的低灰阶能够在大动态范围内显示，且该显示特性满足gamma特性的需求，同时又能够提高小电流下像素电路阈值电压的补偿能力，目前主要采用脉宽调制(pulse width modulation，简称pwm)技术，调节显示装置的显示亮度。采用pwm技术的显示装置的工作频率较低，画面刷新频率较低，一帧画面的保持时间较长，使得显示装置的像素电路中，控制驱动电路导通状态的控制节点的电位需要维持的时间较长。这样容易出现该控制节点漏电的现象，导致由像素电路驱动的发光器件的发光亮度突然(或逐渐)增大，使得显示装置出现频闪现象，容易损害用户的视力健康。
47.基于此，如图1所示，本发明的一些实施例提供了一种显示装置1000。
48.在一些示例中，上述显示装置1000可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字的还是图像的任何显示装置中。更明确地说，预期所述实施例的显示装置可实施应用在多种电子中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(pda)、手持式或便携式计算机、gps接收器/导航器、相机、mp4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
49.示例性的，显示装置1000包括：框架、显示驱动ic(integrated circuit，集成电路)以及其他电子配件等。
50.在一些示例中，如图1所示，上述显示装置1000还包括：显示基板200。其中，显示基板200可以包括像素电路100。
51.示例性的，上述像素电路100可以为多个。该多个像素电路可以呈阵列状排布。
52.例如，像素电路100可以包括由一些晶体管及一些电容器组成的电路等。
53.在一些示例中，如图2所示，上述像素电路100还包括：发光器件10。
54.示例性的，一个像素电路100可以包括一个发光器件10。上述像素电路100中的电路可以与发光器件10电连接。
55.示例性的，显示基板200中，像素电路100中的电路可以生成驱动信号(本文以驱动信号为驱动电流为例)。各发光器件10可以在其所属的像素电路100所生成的驱动信号的驱动作用下发出光，多个发光器件10发出的光相互配合，从而使得显示基板200及显示装置1000实现显示功能。
56.示例性的，上述发光器件10可以为oled。
57.示例性的，图2及图3中的虚线表示，发光器件10与第三节点n3之间为间接电连接，也就是说，发光器件10和第三节点n3之间还设置有其他电路结构等。发光器件10还与第二电压信号端vss电连接。
58.在一些实施例中，如图2所示，像素电路100包括：开关电路20、驱动电路30、补偿电路40、调光电路50。
59.在一些示例中，如图2所示，开关电路20与扫描信号端gate、数据信号端data及第一节点n1电连接。开关电路20被配置为，在扫描信号端gate提供的扫描信号的控制下，将数据信号端data提供的数据信号传输至第一节点n1。
60.在一些示例中，如图2所示，驱动电路30与第一节点n1、第二节点n2及第三节点n3电连接。驱动电路30被配置为，在第二节点n2的电位的控制下，将来自第一节点n1的电信号传输至第三节点n3。驱动电路30包括内部节点nt。
61.示例性的，内部节点nt与驱动电路30的沟道组成第一沟道电容器，第二节点n2与驱动电路30的沟道组成第二沟道电容器。第一沟道电容器的沟道电容或第二沟道电容器的沟道电容构成驱动电路30的沟道电容。内部节点nt相对于外部节点(如第二节点n2来)说，与驱动电路30的沟道的距离较小。因此，第一沟道电容器的沟道电容，大于第二沟道电容器的沟道电容。
62.在一些示例中，如图2及图3所示，补偿电路40至少与扫描信号端gate、第二节点n2及第三节点n3电连接。补偿电路40被配置为，在扫描信号的控制下，将来自第三节点n3的电信号传输至第二节点n2。
63.示例性的，在扫描信号的电平为有效电平的情况下，开关电路20和补偿电路40可以在扫描信号的控制下同时导通，开关电路20可以接收并传输数据信号至第一节点n1，驱动电路30可以将来自第一节点n1的电信号(例如数据信号)传输至第三节点n3，补偿电路40可以将来自第三节点n3的电信号(例如数据信号)传输至第二节点n2，对驱动电路30进行补偿。
64.需要说明的是，本发明中的“有效电平”指的是能够使得晶体管导通的电平。“有效电平”指的是能够使得晶体管关断的电平。在晶体管为n型晶体管的情况下，“有效电平”则为高电平；在晶体管为p型晶体管的情况下，“有效电平”则为低电平。以下各实施例与此相同，不再赘述。
65.示例性的，如图3所示，补偿电路40还可以与第一电压信号端vdd电连接。
66.示例性的，第一电压信号端vdd被配置为传输直流高电平信号。这里将该直流高电平信号称为第一电压信号，以下各实施例与此相同，不再赘述。
67.例如，在补偿电路40将来自第三节点n3的电信号(例如数据信号)传输至第二节点
n2后，由于补偿电路40与第一电压信号端vdd电连接，且第一电压信号为直流高电平信号，因此有利于保证第二节点n2的电位具有较高的稳定性。
68.在一些示例中，如图2及图3所示，调光电路50与控制信号端cot、第二节点n2及上述驱动电路30的内部节点nt电连接。调光电路50被配置为，在发光器件10的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，导通第二节点n2与内部节点nt之间的通路，将来自第二节点n2的电信号(例如数据信号)传输至内部节点nt，以使驱动电路30受内部节点nt的电位的控制，并增大驱动电路30的沟道电容；或，在发光器件10的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，截断第二节点n2与内部节点nt之间的通路，以使驱动电路30受第二节点n2的电位的控制，并减小驱动电路30的沟道电容。
69.示例性的，上述阈值灰阶可以为中高灰阶与低灰阶的分界值。在发光器件的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，则判断该显示灰阶为中高灰阶，此时，发光器件的发光亮度为中高亮度。在发光器件的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，则判断该显示灰阶为低灰阶，此时，发光器件的发光亮度为低亮度。
70.示例性的，上述控制信号端cot可以与显示驱动ic电连接。首先，显示驱动ic可以获取发光器件10的显示灰阶，然后，显示驱动ic对发光器件10的显示灰阶及提前设定的阈值灰阶进行比较计算，并根据比较计算结果为控制信号端cot提供相应的控制信号，该控制信号控制调光电路50的导通状态，从而控制第二节点n2与驱动电路30的内部节点nt之间的导通与截断，进而使得驱动电路30的沟道电容的增大与减小。
71.需要说明的是，发光器件的发光亮度的大小，取决于传输至发光器件的驱动电流的大小；而该驱动电流的大小与驱动电路的沟道电容的大小呈正比。也就是说，驱动电路的沟道电容越大，传输至发光器件的驱动电流越大，发光器件的发光亮度越大，相应地，发光器件的显示灰阶越大。反之，驱动电路的沟道电容越小，通过发光器件的驱动信号(驱动电流)越小，发光器件的发光亮度越小，相应地，发光器件的显示灰阶越小。其次，驱动信号(驱动电流)的大小还与上述数据信号端data传输的数据信号的电压大小相关。数据信号的电压越小，经开关电路20、驱动电路30、补偿电路40传输至第二节点n2的电信号越小，使得驱动电路30产生较大的驱动信号(驱动电流)。
72.示例性的，在上述补偿电路40将来自第三节点n3的电信号(例如数据信号)传输至第二节点n2后，显示驱动ic对发光器件10的显示灰阶与阈值灰阶进行比较计算。
73.例如，在发光器件10的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，控制信号端cot输出的控制信号的电平为有效电平，调光电路50导通，实现第二节点n2与驱动电路30的内部节点nt之间的电连接，将第二节点n2的电信号传输至驱动电路30的内部节点nt。此时，驱动电路30受该内部节点nt的电信号的控制，由于内部节点nt与驱动电路30的沟道组成的第一沟道电容器的沟道电容较大，相对于第二节点n2与驱动电路30的沟道组成的第二沟道电容器的沟道电容来说，驱动电路30的沟道电容增大了，由此，驱动电路30产生的驱动电流增大，驱动电路30传输至发光器件10的驱动电流增大，发光器件10的发光亮度增大，发光器件10的显示灰阶增大。此外，由于上述驱动电路30的沟道电容的增大已经实现了驱动电流的增大，进而可以避免在中高灰阶范围内采用较大范围变动的数据信号来调节驱动电流的大小。因此，显示装置1000采用上述设置方式可以实现较大的灰阶显示，进而在高灰阶范围内可以采用全直流(direct current，简称dc)调光技术进行发光器件亮度的调节。
74.又如，在发光器件10的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，控制信号端cot输出的控制信号的电平为非有效电平，调光电路50断开，使得调光电路50截断第二节点n2与驱动电路30的内部节点nt的通路，使得驱动电路30不受内部节点nt的控制，而受第二节点n2的控制。此时，由于第二节点n2与驱动电路30的沟道组成的第二沟道电容器的电容较小，相对于内部节点nt与驱动电路30的沟道组成的第一沟道电容器的电容来说，驱动电路30的沟道电容减小了。由此，驱动电路30产生的驱动信号例如驱动电流减小，由驱动电路30传输至发光器件10的驱动电流减小，发光器件10的发光亮度减小，发光器件10的显示灰阶减小。在利用数据信号调节显示灰阶时，可以采用具有较大压值范围的数据信号进行调节，提供较大的驱动态范围，提高驱动电流对数据信号的灵敏度。因此，显示装置1000采用上述设置方式可以实现较小的灰阶显示，在低灰阶范围内可以采用全直流(dc)调光技术进行发光器件亮度的调节。
75.因此，采用上述设置方式，使得显示基板200及显示装置1000的显示灰阶在中高灰阶及低灰阶下的情况下，均可以采用全直流调光技术调节发光器件10的灰阶，进而避免了采用pwm技术进行调光所导致的显示装置的频闪现象，避免了对用户视力健康的损伤。
76.示例性的，像素电路100中驱动电路30的结构有多种，可以根据实际情况进行设置，本发明对此不作限制。
77.在一些实施例中，如图5所示，驱动电路30包括：第一晶体管t1，第一晶体管t1包括第一栅极和第二栅极。
78.例如，第一晶体管t1为双栅晶体管。
79.示例性的，如图5所示，第一晶体管t1的第二栅极与第二节点n2电连接，第一晶体管t1的第一栅极与内部节点nt电连接，第一晶体管t1的第一极与第一节点n1电连接，第一晶体管t1的第二极与第三节点n3电连接。
80.示例性的，如图5所示，调光电路50包括：第二晶体管t2。第二晶体管t2的栅极与控制信号端cot电连接，第二晶体管t2的第一极与第二节点n2电连接，第二晶体管t2的第二极与第一晶体管t1的第一栅极电连接。
81.需要说明的是，由于上述第一栅极与内部节点nt电连接，第一栅极与第一晶体管t1的沟道形成的沟道电容器，可以等同于内部节点nt与驱动电路30的沟道形成的第一沟道电容器。第二栅极与第二节点n2电连接，第二栅极与第一晶体管t1的沟道形成的沟道电容器，可以等同于第二节点n2与驱动电路30的沟道形成的第二沟道电容器。
82.例如，在发光器件10的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，控制信号端cot提供的控制信号的电平为有效电平，第二晶体管t2在控制信号的控制下导通，将第二节点n2的电信号传输至驱动电路30的内部节点nt，由该内部节点nt传输至第一晶体管t1的第一栅极，第一晶体管t1在第一栅极的电信号的控制下导通，此时，由于内部节点nt(或第一栅极)与第一晶体管t1的沟道组成的第一沟道电容器的电容较大，使得流经第一晶体管t1至发光器件10的驱动电流较大，进而可以通过改变经过发光器件10的驱动电流的大小，避免在中高灰阶范围内采用较大范围变动的数据信号来调节驱动电流的大小，实现对发光器件在较高显示灰阶范围内的灰阶的调节，因此，可以采用dc调光对显示装置1000在高灰阶范围内的显示的进行调光。
83.又如，在发光器件10的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，控制信号端cot提供的控
制信号的电平为非有效电平，调光电路50中的第二晶体管t2在控制信号的控制下关断，将第二节点n2的电信号传输至第一晶体管t1的第二栅极，第一晶体管t1在第二栅极的电压控制下导通，此时，由于第二栅极与第一晶体管t1的沟道组成的第二沟道电容器的电容较小，使得流经第一晶体管t1至发光器件10的驱动电流较小，发光器件10的发光亮度减小，发光器件10的显示灰阶减小。在利用数据信号调节显示灰阶时，可以采用具有较大压值范围的数据信号进行调节，提供较大的驱动态范围，提高驱动电流对数据信号的灵敏度。因此，可以采用dc调光对显示装置1000的低灰阶范围内的显示的进行调光。
84.示例性的，像素电路100中开关电路20、补偿电路40的结构有多种，可以根据实际情况进行设置，本发明对此不作限制。
85.在一些实施例中，如图5所示，开关电路20包括第三晶体管t3。第三晶体管t3的栅极与扫描信号端gate电连接，第三晶体管t3的第一极与数据信号端data电连接，第三晶体管t3的第二极与第一节点n1电连接。
86.示例性的，在扫描信号的电平为有效电平的情况下，第三晶体管t3导通，将数据信号端data提供的数据信号传输至第一节点n1。
87.在一些示例中，第三晶体管t3包括氧化物型晶体管或低温多晶硅型晶体管。
88.示例性的，第三晶体管t3可以为氧化物型晶体管。由于氧化物型晶体管具有较低的泄露电流，由此，可以防止第一节点n1在第三晶体管t3处于截止状态时从第三晶体管t3漏电，进而可以避免影响发光器件的发光电流的大小，避免影响发光器件的显示灰阶，提高发光器件实际显示灰阶的准确性。
89.示例性的，第三晶体管t3可以为低温多晶硅型晶体管。由于低温多晶硅晶体管的迁移率较高，由此，可以提高第三晶体管t3的导通速度，进而提高像素电路100的反应速度，提高显示装置1000的显示质量。
90.在一些示例中，补偿电路40包括：存储电容器cst及第四晶体管t4。第四晶体管t4的栅极与扫描信号端gate电连接，第四晶体管t4的第一极与第三节点n3电连接，第四晶体管t4的第二极与第二节点n2电连接。存储电容器cst的第一极板与第二节点n2电连接，存储电容器cst的第二极板与第一电压信号端vdd电连接。
91.示例性的，在扫描信号的电平为有效电平的情况下，第三晶体管t3在扫描信号的控制下导通，将数据信号端data提供的数据信号传输至第一节点n1。第一晶体管t1处于导通状态，将第一节点n1的电信号(例如为上述数据信号)传输至第三节点n3。第四晶体管t4在扫描信号的控制下导通，将第三节点n3的电信号(例如为上述数据信号)传输至第二节点n2，完成对第一晶体管t1的阈值电压的补偿。
92.在一些实施例中，如图4a所示，上述像素电路100还包括：第一复位电路60。
93.在一些示例中，第一复位电路60与复位信号端rst、初始信号端vinit及第二节点n2电连接。第一复位电路60被配置为，在复位信号端rst提供的复位信号的控制下，将初始信号端vinit提供的初始信号传输至第二节点n2。
94.示例性的，初始信号端vinit被配置为传输直流低电平信号。这里将该直流低电平信号称为初始信号，以下各实施例与此相同，不再赘述。
95.示例性的，在复位信号的电平为有效电平的情况下，第一复位电路60可以在复位信号的控制下导通，传输初始信号至第二节点n2，完成对第二节点n2进行复位，同时，使得
第一晶体管t1导通。
96.在一些实施例中，如图4a所示，上述像素电路100还包括：发光控制电路70。
97.在一些示例中，发光控制电路70与使能信号端em、第一电压信号端vdd、第一节点n1、第三节点n3及第四节点n4电连接。发光控制电路70被配置为，在使能信号端em提供的使能信号的控制下，将第一电压信号端vdd提供的第一电压信号传输至第一节点n1；驱动电路30还被配置为，根据第二节点n2的电信号和来自第一节点n1的第一电压信号生成驱动信号；发光控制电路70还被配置为，将上述驱动信号传输至第四节点n4；第四节点n4与发光器件10电连接。
98.示例性的，在使能信号的电平为有效电平的情况下，发光控制电路70可以在使能信号的控制下导通，传输第一电压信号至第一节点n1。驱动电路30根据第二节点n2的电信号(例如为上述数据信号)以及第一节点n1的第一电压信号，生成驱动信号并传输至第三节点n3。发光控制电路70将第三节点n3(例如上述驱动信号)传输至第四节点n4。发光器件10在第四节点n4的电信号即上述驱动信号的作用下发光，从而使得显示装置1000实现显示。
99.示例性的，如图4b所示，发光控制电路70包括：第一发光控制子电路71和第二发光控制子电路72。
100.例如，第一发光控制子电路71与第一电压信号端vdd、使能信号端em、第一节点n1电连接。第一发光控制子电路71被配置为，在使能信号的控制下，将第一电压信号传输至第一节点n1。第二发光控制子电路72与第四节点n4、使能信号端em、第三节点n3电连接。第二发光控制子电路72被配置为，在使能信号的控制下，将来自第三节点n3的电信号(例如第一电压信号)传输至第四节点n4。
101.示例性的，第四节点n4与发光器件10的一端电连接，发光器件10的另一端与第二电压信号端vss电连接。
102.采用上述设置方式，在使能信号的控制下，第一发光控制子电路71将第一电压信号传输至第一节点n1，驱动电路30根据第二节点n2的电信号及第一节点n1的电信号(例如第一电压信号)生成驱动信号，并将该驱动信号传输至第三节点n3，第二发光控制子电路62将来自第三节点n3的电信号(例如驱动信号)传输至第四节点n4。由于第四节点n4与发光器件10电连接，发光器件10可以在第四节点n4的电信号(例如上述驱动信号)的作用下，发出光。
103.在一些实施例中，如图4a所示，上述像素电路100还包括：第二复位电路80。
104.在一些示例中，第二复位电路80与复位信号端rst、初始信号端vinit及第四节点n4电连接。第二复位电路80被配置为，在复位信号的控制下，将初始信号传输至第四节点n4。
105.示例性的，在复位信号的电平为有效电平的情况下，第二复位电路80可以在复位信号的控制下导通，传输初始信号至第四节点n4，对第四节点n4进行复位。
106.示例性的，像素电路100中的第一复位电路60、发光控制电路70、第二复位电路80的结构有多种，可以根据实际需要进行设置，本发明对此不作限制。
107.在一些实施例中，如图5所示，第一复位电路60包括：第五晶体管t5。
108.在一些示例中，第五晶体管t5的栅极与复位信号端rst电连接，第五晶体管t5的第一极与初始信号端vinit电连接，第五晶体管t5的第二极与第二节点n2电连接。
109.示例性的，在复位信号的电平为有效电平的情况下，第五晶体管t5可以在复位信号的控制下同时导通。第五晶体管t5可以将初始信号传输至第二节点n2，实现对第二节点n2的复位，同时使得第一晶体管t1导通。
110.在一些实施例中，如图5所示，第二复位电路80包括：第八晶体管t8。
111.在一些示例中，第八晶体管t8的栅极与复位信号端rst电连接，第八晶体管t8的第一极与初始信号端vinit电连接，第八晶体管t8的第二极与第四节点n4电连接。
112.示例性的，在复位信号的电平为有效电平的情况下，第八晶体管t8可以在复位信号的控制下导通。第八晶体管t8可以将初始信号传输至第二节点n2，实现对第二节点n2的复位。
113.在一些示例中，如图5所示，发光控制电路70包括：第六晶体管t6及第七晶体管t7。
114.示例性的，发光控制电路70中的第一发光控制子电路71可以包括第六晶体管t6，发光控制电路70中的第二发光控制子电路72可以包括第七晶体管t7。
115.示例性的，第六晶体管t6的栅极与使能信号端em电连接，第六晶体管t6的第一极与第一电压信号端vdd电连接，第六晶体管t6的第二极与第一节点n1电连接。第七晶体管t7的栅极与使能信号端em电连接，第七晶体管t7的第一极与第三节点n3电连接，第七晶体管t7的第二极与第四节点n4电连接。
116.例如，在使能信号的电平为有效电平的情况下，第六晶体管t6和第七晶体管t7可以在使能信号的控制下同步导通。第六晶体管t6将第一电压信号端vdd提供的第一电压信号传输至第一节点n1。第七晶体管t7将来自第三节点n3的电信号(例如驱动信号)传输至第四节点n4。第四节点n4与发光器件10的一端电连接，发光器件10在第四节点的电信号的作用下发光。
117.在一些实施例中，像素电路100还包括多个晶体管；除第一晶体管t1外，其余任一晶体管包括低温多晶硅型晶体管或氧化物型晶体管。
118.在一些示例中，第一晶体管t1可以为低温多晶硅型晶体管，像素电路100中的其余晶体管均可以为低温多晶硅型晶体管，例如第三晶体管t3可以为低温多晶硅型晶体管等。
119.在另一些示例中，除第一晶体管t1外，像素电路100中的其余晶体管均可以为氧化物型晶体管，例如第三晶体管t3可以为低温多晶硅型晶体管等。
120.在又一些示例中，除第一晶体管t1外，像素电路100的其余晶体管中一部分晶体管可以为氧化物型晶体管，例如第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5为氧化物型晶体管等；像素电路100的其余晶体管中另一部分晶体管可以为低温多晶硅型晶体管。
121.在一些实施例中，上述显示基板200包括：衬底101。
122.示例性的，上述像素电路100设置在衬底101上。
123.示例性的，上述衬底101可以为柔性衬底，也可以为刚性衬底。
124.例如，在衬底101为柔性衬底的情况下，衬底101的材料可以为二甲基硅氧烷、pi(polyimide，聚酰亚胺)、pet(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)等具有高弹性的材料。
125.又如，在衬底101为刚性衬底的情况下，衬底101的材料可以为玻璃等。
126.在一些实施例中，上述显示基板200包括：在远离衬底101方向依次层叠设置的第
一有源层act1、第一绝缘层gi1、第一导电层gt1、第二绝缘层gi2、第二导电层gt2。
127.示例性的，第一导电层gt1、第二导电层gt2的材料均为可导电材料。第一导电层gt1、第二导电层gt2的材料例如可以相同。
128.例如，上述可导电材料可以为金属材料，该金属材料例如为al(铝)、ag(银)、cu(铜)、cr(铬)等。
129.示例性的，第一绝缘层gi1、第二绝缘层gi2的材料均为绝缘材料。第一绝缘层gi1、第二绝缘层gi2的材料例如可以相同。
130.例如，上述绝缘材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料。
131.在一些示例中，如图6所示，像素电路100中驱动电路30的第一晶体管t1包括：位于第一有源层act1的第一有源图案，位于所述第一导电层gt1的第一栅极和位于第二导电层gt2的第二栅极。
132.示例性的，如图6所示，第一有源图案与第一栅极具有第一正对部分。第一有源图案中，与第一栅极正对的部分，为第一沟道ch1。第一沟道ch1与第一栅极构成第一沟道电容器。
133.示例性的，如图6所示，第一有源图案与第二栅极具有第二正对部分，第一有源图案中，与第二栅极正对的部分，为第二沟道ch2。第二沟道ch2与第二栅极构成第二沟道电容器。
134.示例性的，第一栅极在衬底101上的正投影可以与第二栅极在衬底101上的正投影重合，这样，第一沟道ch1在第一有源图案中的位置及面积大小，可以与第二沟道ch2在第一有源图案中的位置及面积大小相同。电容器的电容大小与电容器中两个极板的面积及两个极板之间的间距相关。而第一沟道电容器的面积和第二沟道电容器的面积相同，第一沟道电容器的两个极板之间的间距小于第二沟道电容器的两个极板之间的间距，因此，第一沟道电容器的电容大于第二沟道电容器的电容。
135.采用上述设置方式，在发光器件10的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，驱动电路30中第一晶体管t1受内部节点nt的控制，此时，驱动电路30的沟道电容为第一沟道电容器的电容，与第二沟道电容器的电容相比，驱动电路30的沟道电容增大了。由此，驱动电路30中第一晶体管t1产生的驱动电流增大，第一晶体管t1传输至发光器件10的驱动电流增大，发光器件10的发光亮度增大，发光器件10的显示灰阶增大。此外，由于上述驱动电路30的沟道电容的增大已经实现了驱动电流的增大，进而可以避免在中高灰阶范围内采用较大范围变动的数据信号来调节驱动电流的大小。而在发光器件10的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，驱动电路30中第一晶体管t1受第二节点n2即第二栅极的控制，此时，驱动电路30的沟道电容为第二沟道电容器的电容，与第一沟道电容器的电容相比，驱动电路30的沟道电容减小了，由此，驱动电路30中第一晶体管t1产生的驱动信号例如驱动电流减小，由第一晶体管t1传输至发光器件10的驱动电流减小，发光器件10的发光亮度减小，发光器件10的显示灰阶减小。在利用数据信号调节显示灰阶时，可以采用具有较大压值范围的数据信号进行调节，提供较大的驱动态范围，提高驱动电流对数据信号的灵敏度。因此，可以采用dc调光对在低灰阶范围内显示的显示装置进行调光。
136.示例性的，为详细说明第一晶体管t1在受第一栅极控制和第二栅极控制的情况下，流经第一晶体管t1的驱动电流ids在不同的栅源压差(第一晶体管t1的栅极的电压vg和
源级的电压vs的差值)vgs下的变化情况，本发明针对驱动电路30中第一晶体管t1受第一栅极控制的情况下的转移特性曲线q1、及第一晶体管t1受第二栅极控制的情况下的转移特性曲线q2进行了仿真计算，得到的曲线图如图8所示。
137.上述转移特性曲线为，通过第一晶体管t1的驱动电流ids与第一晶体管t1的栅源压差vgs的对应关系曲线。
138.如图8所示，在栅源压差vgs为-15v～15v的范围内，随着栅源压差vgs的增大，转移特性曲线q1的驱动电流ids和转移特性曲线q2的驱动电流ids，均出现先下降后缓缓上升的趋势。
139.如图8所示，在栅源压差vgs小于0v的情况下，在栅源压差vgs相同时，转移特性曲线q1的驱动电流ids几乎均大于转移特性曲线q2的驱动电流ids。在栅源压差vgs大于2.5v的范围内，在栅源压差vgs相同时，转移特性曲线q1的驱动电流ids几乎均大于转移特性曲线q2的驱动电流ids。
140.例如，如图8所示，在栅源电压vgs小于0v(例如栅源压差vgs在-15v～-2.5v范围内)的情况下，转移特性曲线q1所对应的驱动电流ids大于转移特性曲线q2所对应的驱动电流ids，此时可以采用转移特性曲线q1所对应的驱动电流ids，使得第一栅极控制第一晶体管t1的导通，使得发光器件10可以获得较大驱动电流，且该较大驱动电流的变化范围(约10-12
a～10-5
a)大于转移特性曲线q2中相同栅源电压范围内(约-15v～-2.5v)对应的驱动电流ids变化范围(约10-12
a～10-6
a)，因此，本发明采用上述调光电路50控制第二节点n2与驱动电路30内部节点nt的导通，使得驱动电路30的沟道电容增大，可以使得中高灰阶下发光器件10的发光亮度范围大，且发光器件10的发光亮度增大，进而可以在高灰阶范围内采用直流调光技术进行调光。
141.又如，如图8所示，在栅源电压vgs大于0v(例如栅源压差vgs在2.5v～15v范围内)的情况下，转移特性曲线q1的斜率大于转移特性曲线q2的斜率，此时转移特性曲线q2的亚阈值摆幅ss大于转移特性曲线q1的亚阈值摆幅ss(需要说明的是，亚阈值摆幅的公式为ss＝d(vgs)/d(log(ids)))。亚阈值摆幅ss越大，栅源压差vgs的值每增加1v，对应的驱动电流igs的增幅越大，因此，亚阈值摆幅ss越大，驱动电流igs对栅源压差vgs的变化越敏感，仅需要对栅源压差vgs进行较小的调整即可得到较大的igs变化，与驱动电流igs对应的发光器件10就可以得到较大灰阶的调整，因此，在低灰阶的情况下，可以使得驱动电路30的第一晶体管t1在第二栅极的控制下工作，使得像素电路30对应的转移特性曲线为q2，进而通过调整栅源压差vgs，可以较为精细地调整低灰阶范围内发光器件10的灰阶，提高对栅源压差vgs及数据信号的电压的灵敏度，另外，能够提供较大的调节范围，进而可以在低灰阶范围内采用直流调光技术进行调光。
142.示例性的，显示基板200还包括：设置在第二导电层gt2远离第二绝缘层gi2一侧的第四导电层sd。
143.示例性的，如图6所示，第一晶体管t1还包括：位于第四导电层sd的第一极s1。
144.示例性的，第四导电层sd包括：第一连接块和第二连接块。
145.例如，第一连接块的一端通过过孔与第一晶体管t1的第一栅极电连接，第一连接块的另一端通过过孔与第二晶体管t2的第二极电连接。第二连接块的一端通过过孔与第一晶体管t1的第二栅极电连接，第二连接块的另一端通过过孔与第二晶体管t2的第一极电连
接。
146.在一些实施例中，第一绝缘层gi1的厚度范围为100nm～300nm；第二绝缘层gi2的厚度范围为100nm～300nm。
147.在一些示例中，第一绝缘层gi1的厚度可以为100nm、150nm、210nm、270nm、300nm。
148.在一些示例中，第二绝缘层gi2的厚度可以为100nm、150nm、210nm、270nm、300nm。
149.采用上述设置方式，既可以避免第一沟道电容器和第二沟道电容器被电流击穿，也可以使得第一沟道电容器的电容及第二沟道电容器的沟道电容具有较大的差值，进而使得发光器件的驱动电流具有较大的变化范围，从而可以在发光器件的不同灰阶下采用全直流调光技术进行调光。
150.示例性的，第一绝缘层gi1和第二绝缘层gi2的厚度可以有多种设置方式，可以根据实际情况进行设置，本发明对此不作限制。
151.在一些示例中，第一绝缘层gi1的厚度与第二绝缘层gi2的厚度可以不同。
152.在另一些示例中，第一绝缘层gi1的厚度与第二绝缘层gi2的厚度相同。由此，可以采用相同的工艺制作第一绝缘层gi1和第二绝缘层gi2，进而可以简化显示装置的制作工艺。
153.例如，第一绝缘层gi1的厚度与第二绝缘层gi2的厚度可以均为100nm、150nm、200nm、250nm或300nm等。
154.在一些示例中，第一有源层act1的材料包括低温多晶硅。
155.示例性的，第一晶体管t1的第一有源图案位于第一有源层，第一晶体管t1为低温多晶硅型晶体管。
156.在一些示例中，如图7所示，像素电路100中开关电路20的第三晶体管t3包括：第三有源图案。第三有源图案位于第一有源层act1。
157.由此，第三晶体管t3为低温多晶硅型晶体管。
158.在一些实施例中，如图7所示，显示基板200还包括：依次层叠在第二导电层gt2远离第一有源层act1一侧的第二有源层act2、第三导电层gt3。
159.在一些示例中，第二有源层act2的材料包括金属氧化物。
160.例如，上述金属氧化物可以为氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，igzo)。
161.在一些示例中，开关电路20的第三晶体管t3包括：第三有源图案。
162.在一些示例中，第三有源图案位于第二有源层act2。
163.由此，第三晶体管t3可以为氧化物型晶体管。
164.本发明的一些实施例还提供了一种显示基板的驱动方法，该驱动方法应用于上述任一实施例中的显示基板200。
165.在一些示例中，上述驱动方法包括第一阶段p1和第二阶段p2。
166.示例性的，在第一阶段p1中，响应于扫描信号端gate提供的扫描信号，开关电路20将数据信号端data提供的数据信号传输至第一节点n1；驱动电路30将来自第一节点n1的电信号传输至第三节点n3；补偿电路40将来自第三节点n3的电信号传输至第二节点n2。
167.例如，第一阶段p1可以包括：数据写入及补偿阶段。
168.例如，在第一阶段p1中，在扫描信号端gate提供的扫描信号的控制下，数据信号端data提供的数据信号依次经开关电路20的第三晶体管t3、第一节点n1、驱动电路30的第一
晶体管t1、第三节点n3、补偿电路40的第四晶体管t4传输至第二节点n2。
169.示例性的，在第二阶段p2中，在发光器件10的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，调光电路50导通第二节点n2与内部节点nt之间的通路，将来自第二节点n2的电信号传输至内部节点nt，以使驱动电路30受内部节点nt的电位的控制，并增大驱动电路30的沟道电容；或，在发光器件10的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，截断第二节点n2与内部节点nt之间的通路，以使驱动电路30受第二节点n2的电位的控制，并增大驱动电路30的沟道电容。
170.例如，第二阶段p2可以包括：调光阶段。
171.例如，在第二阶段p2中，在发光器件10的显示灰阶大于或等于阈值灰阶的情况下，控制信号端cot输出的控制信号的电平为有效电平，调光电路50导通，将来自第二节点n2的电信号传输至内部节点nt，使得驱动电路30在内部节点nt的控制下工作。在发光器件10的显示灰阶小于阈值灰阶的情况下，控制信号端cot输出的控制信号的电平为非有效电平，调光电路50断开，使得驱动电路30在第二节点n2的控制下工作。
172.示例性的，上述第二阶段p2可以与第一阶段p1同步进行，或者，第二节点p2可以在第一阶段p1之后进行。
173.在一些实施例中，上述驱动方法还包括第三阶段p3。
174.示例性的，在第三阶段p3中，响应于使能信号端em提供的使能信号，发光控制电路70将第一电压信号端vdd提供的第一电压信号传输至第一节点n1，驱动电路30根据第二节点n2的电信号和来自第一节点n1的第一电压信号生成驱动信号，发光控制电路70还将驱动信号传输至第四节点n4。
175.示例性的，上述驱动信号与数据信号端data提供的数据信号及第一电压信号端提供的第一电压信号相关。
176.例如，第四节点n4与发光器件10电连接。在第四节点n4提供的电信号(例如上述驱动信号)的作用下，发光器件10发出光。
177.例如，第三阶段p3可以包括：发光阶段。
178.在一些实施例中，上述驱动方法还包括第四阶段p4。
179.示例性的，在第四阶段p4中，响应于复位信号端rst提供的复位信号，第一复位电路70将初始信号端vinit提供的初始信号传输至第二节点n2；完成对第二节点n2的复位，为下一阶段的做好准备。第二复位电路80将初始信号端vinit提供的初始信号传输至第四节点n4；完成对第四节点n4的复位，为下一阶段的做好准备。
180.例如，第四阶段p4可以包括：复位阶段。
181.示例性的，上述第四阶段p4可以在第一阶段p1之前进行。
182.以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。