提高外延片质量的外延托盘及其使用方法与流程

技术特征：
1.一种提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述外延托盘为圆柱体，所述外延托盘的两个端面分别为第一表面与第二表面，所述外延托盘在所述第一表面具有多个同心的衬底放置圈，每个所述衬底放置圈都包括多个沿所述外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽，所述圆形凹槽的深度为1000～1500微米，每个所述圆形凹槽均具有直径小于所述圆形凹槽的衬底支撑柱状凸起，所述衬底支撑柱状凸起同轴位于所述圆形凹槽的底面且所述衬底支撑柱状凸起的最大高度低于所述圆形凹槽的最大深度，所述衬底支撑柱状凸起远离所述圆形凹槽的一端的端面呈凹面镜状。2.根据权利要求1所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，以所述衬底支撑柱状凸起远离所述圆形凹槽的一端的端面为凹陷面，在所述外延托盘的径向且由所述外延托盘的轴线指向所述外延托盘的外壁的方向上，所述凹陷面的最大深度降低。3.根据权利要求2所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，距离所述外延托盘的轴线最近的所述凹陷面的最大深度与距离所述外延托盘的轴线最远的所述凹陷面的最大深度之差为50～100微米。4.根据权利要求1～3任一项所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述衬底支撑柱状凸起远离所述圆形凹槽的一端的端面的最大深度为100～300微米。5.根据权利要求1～3任一项所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述圆形凹槽的直径与所述衬底支撑柱状凸起的直径之差为1000～30000微米。6.根据权利要求1～3任一项所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述衬底支撑柱状凸起与所述第一表面之间的最小距离为1～4mm。7.根据权利要求1～3任一项所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述衬底支撑柱状凸起的最大高度为700～900微米。8.根据权利要求1～3任一项所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述外延托盘的所述第一表面与所述第二表面均具有碳化硅涂层。9.一种提高外延片质量的外延托盘的使用方法，其特征在于，所述提高外延片质量的外延托盘的使用方法采用如权利要求1～8任一项所述的提高外延片质量的外延托盘实现，所述提高外延片质量的外延托盘的使用方法包括：将所述提高外延片质量的外延托盘安装至金属有机化学气相沉积设备中；在所述外延托盘的圆形凹槽内的衬底支撑柱状凸起上放置衬底以在所述衬底上生长外延片。10.根据权利要求9所述的提高外延片质量的外延托盘的使用方法，其特征在于，在所述外延托盘使用10～30次后，对所述圆形凹槽进行清理。

技术总结
本公开公开了一种提高外延片质量的外延托盘，属于外延生长技术领域。外延托盘为圆柱体，外延托盘的第一表面具有多个同心的衬底放置圈，每个衬底放置圈都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽。圆形凹槽的深度为1000～1500微米，每个圆形凹槽内均具有直径小于圆形凹槽的衬底支撑柱状凸起。减小衬底的温度差，以减小衬底的翘曲与凹陷，提高衬底温度均匀程度以提高在衬底上生长的外延片的均匀程度。圆形凹槽与衬底支撑柱状凸起之间的空间容纳附着物，降低附着物附着在衬底支撑柱状凸起上进而影响衬底与外延片的可能性，提高外延片的质量。片的质量。片的质量。


技术研发人员：尹涌 易丁丁 张琰琰 陆香花
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2022.02.24
技术公布日：2022/7/15