纳秒非破坏性可擦除磁阻随机存取存储器的制作方法

技术特征：
1.一种磁阻随机存取存储器(mram)结构，包括：设置在位线电路元件与字线电路元件之间的至少一个mram单元；以及设置在所述mram单元或每个mram单元上方的垂直腔表面发射激光器(vcsel)元件，其中所述vcsel的激光输出被引导朝向所述mram单元或每个mram单元。2.根据权利要求1所述的mram结构，包括设置于位线电路元件与字线电路元件之间的多个mram单元；其中所述vcsel元件设置在所述多个mram单元上方并且被引导朝向所述多个mram单元。3.根据权利要求1或权利要求2所述的mram结构，还包括连接到至少一个字线电路元件的电容器。4.根据权利要求1或权利要求2所述的mram结构，其中所述vcsel包括砷化镓层。5.根据权利要求1或权利要求2所述的mram结构，其中所述mram单元或每个mram单元包括磁性隧道结。6.根据权利要求1或权利要求2所述的mram结构，还包括电容器，所述电容器尺寸被设置为破坏性地擦除mram内容。7.根据权利要求1或权利要求2所述的mram结构，其中所述位线电路元件和所述字线电路元件中的至少一者包括导电材料。8.根据权利要求1或权利要求2所述的mram结构，其中所述vcsel包括下布拉格镜、上布拉格镜以及设置在所述下布拉格镜与所述上布拉格镜之间的量子阱。9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：制造电连接到一个或多个位线和字线的多个磁阻随机存取存储器(mram)单元，所述多个mram单元被封装在电介质材料中；在所述电介质材料中形成晶粒过滤器腔；在所述晶粒过滤器中形成定向籽晶；形成与所述籽晶相邻的非晶半导体层；使所述非晶半导体层结晶；形成与所述半导体层相邻的垂直腔表面发射激光器(vcsel)；去除所述半导体层；以及在所述vcsel上和在所述vcsel周围形成电介质层。10.根据权利要求9所述的方法，其还包括形成电连接到所述位线和所述字线中的至少一者的电容器。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述vcsel包括砷化镓层。12.根据权利要求9所述的方法，其中所述mram单元包括磁性隧道结。13.根据权利要求9所述的方法，其中所述位线电路元件和所述字线电路元件中的至少一者包括导电材料。14.根据权利要求9所述的方法，其中所述vcsel包括下布拉格镜、上布拉格镜以及设置在所述下布拉格镜和所述上布拉格镜之间的量子阱。

技术总结
一种可擦除磁阻随机存取存储器(MRAM)结构及其制造方法，包括设置在位线电路元件与字线电路元件之间的MRAM单元，以及设置在MRAM单元上方的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)元件。VCSEL的激光输出被引导朝向MRAM单元。VCSEL的激光输出被引导朝向MRAM单元。VCSEL的激光输出被引导朝向MRAM单元。


技术研发人员：A.雷兹尼切克 E.R.埃瓦茨 V.V.门塔 B.赫克马特沙尔泰伯里
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：2020.10.23
技术公布日：2022/7/12