沉积工具与半导体处理工具的制作方法

1.本发明实施例是有关于一种沉积工具与半导体处理工具。


背景技术：

2.沉积工具可在用于制造集成电路及器件的制作工艺期间利用物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺。pvd是在真空腔室中执行的等离子体工艺，在真空腔室中，偏置的靶(biased target)被暴露于具有相对重的原子的惰性气体(例如，氩(ar))或包含此种惰性气体的气体混合物的等离子体。惰性气体的离子对靶的轰击(bombardment)导致靶材料的原子喷射。所喷射的原子在放置在腔室中的靶下方的衬底上积累成沉积膜。可使用pvd沉积的材料的一个实例是铝-铜(alcu)。在一些情形中，沉积工具需要高功率(例如，超过10000瓦(w))来执行例如pvd等沉积工艺。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供一种沉积工具，其包括电力电缆基座与套管。电力电缆基座包括基座本体以及引导孔。基座本体具有第一表面及第二表面。引导孔从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述基座本体，其中所述引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中所述基座本体是由第一材料形成，所述第一材料的熔点高于聚甲醛熔点。套管布置在所述引导孔之上，其中所述套管是由第二材料形成，所述第二材料的熔点高于所述聚甲醛熔点。
4.本发明实施例提供一种半导体处理工具，其包括基座。基座包括基座本体以及引导孔。基座本体具有第一表面及第二表面。引导孔从所述第一表面延伸到所述第二表面，且包括第一部分及第二部分，其中所述引导孔的所述第一部分在所述第一表面处的宽度大于所述引导孔的所述第二部分的宽度，所述基座本体是由陶瓷材料或聚芳醚酮(paek)材料形成。
5.本发明实施例提供一种装置，其包括基座。基座包括基座本体，其中所述基座本体是由具有高于聚甲醛熔点的熔点的材料形成。引导孔从所述基座本体的第一表面延伸到所述基座本体的第二表面而延伸穿过所述基座本体，其中所述引导孔在所述基座本体的所述第一表面处的宽度被配置成防止所述基座本体与突起接触，所述突起位于在其上放置所述引导孔的表面之上。
附图说明
6.结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
7.图1a及图1b是本文中所述示例性半导体处理工具的图。
8.图2a到图2c是本文中所述示例性实施方案的图。
具体实施方式
9.以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简单及清晰的目的，且自身并不表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
10.此外，为易于说明，本文中可使用例如“在
……
之下(beneath)”、“在
……
下方(below)”、“下部的(lower)”、“在
……
上方(above)”、“上部的(upper)”及类似用语等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除图中所绘示的定向以外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同定向。装置可具有其他定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地加以解释。
11.沉积工具包括用于支撑电力电缆(power cable)(例如，直流(direct current，dc)电力电缆)的电力电缆基座，所述电力电缆提供与和执行pvd工艺相关联地偏置沉积工具的靶相关联地电力。电力电缆基座及布置在电力电缆基座之上的套管(bushing)(例如，与引导销钉螺杆(pin screw)穿过电力电缆基座相关联)通常由例如聚甲醛(polyoxymethylene，pom)等具有相对低熔点(例如，近似165摄氏度(℃))的热塑性材料形成。
12.然而，当执行pvd工艺时，在沉积工具的操作期间存在的高功率条件下，热塑性电力电缆基座及套管易于熔化。电力电缆基座和/或套管的熔化可能导致火线与接地(ground)之间的短路，此会触发功率警报或导致火灾负荷风险，其可能降低沉积工具的可用性、增加晶片报废(wafer scrapping)、触发预防性维护的需要或触发替换电力电缆和/或沉积工具的一个或多个其他相关组件的需要。
13.本文中所述的一些实施方案提供用于降低沉积工具中的功率警报及火灾负荷风险的技术及装置。在一些实施方案中，沉积工具包括由例如陶瓷材料、聚芳醚酮(polyaryletherketone，paek)材料等具有相对高熔点(例如，高于165℃的熔点)的材料或具有高于pom熔点的熔点的另一种类型的材料所形成的电力电缆基座和/或套管。在一些实施方案中，此种材料的使用会提高电力电缆基座及套管的熔点，此会防止电力电缆基座及套管的熔化，且(例如，通过防止火线与接地之间的短路)从而降低触发功率警报或火灾负荷风险的可能性。因此，沉积工具的可用性提高、晶片报废减少、预防性维护的频率降低和/或需要替换电力电缆和/或沉积工具的一个或多个其他相关组件的频率降低。此外，由于防止了电力电缆基座及套管的熔化，因此替换电力电缆基座及套管的成本被消除，且在电力电缆基座或套管熔化之后所需的清洁沉积工具的其他组件所招致的成本也被消除。应注意，不需要向沉积工具添加附加的组件来提供本文中所述的此种功率警报及火灾负荷风险的降低。
14.在一些实施方案中，电力电缆基座包括与引导销钉螺杆相关联的引导孔，其中引导孔延伸穿过基座本体(例如，从下表面到上表面)。在一些实施方案中，引导孔的侧壁的位
于下表面处的部分具有倾斜表面，且引导孔在基座本体的下表面处的宽度被配置成防止基座本体撞击沉积工具的腔室上的销钉螺杆接触件(pin screw contact)，从而防止电力电缆基座的裂纹(cracking)。下文提供附加细节。
15.图1a及图1b是示出本文中所述半导体处理工具100的图。示例性半导体处理工具100包括沉积工具的实例(例如，被配置成执行pvd工艺的半导体处理工具)。图1a是示出半导体处理工具100的横截面的图，而图1b是示出与向半导体处理工具100的靶施加电力相关联的组件的图。
16.如图1a中所示，半导体处理工具100包括形成腔室104的安全壳屏蔽体(containment shield)102。晶片106由晶片基座108支撑并在腔室104中就位。在一些实施方案中，晶片基座108是静电卡盘或电子卡盘。在一些实施方案中，一个或多个夹具(未示出)可定位在晶片106的边缘之上，以帮助在晶片基座108上将晶片106固定就位。在一些实施方案中，晶片基座108具有使得能够控制晶片106的温度的温度控制及维护系统。举例来说，由于腔室104可能为在其中生产等离子体且因在其中生产等离子体而被加热，因此可使用晶片基座108来冷却晶片106。调节晶片106的温度可改善所沉积材料层的特性且通过促进冷凝来提高沉积速率。
17.如图1a中进一步所示，与晶片106及晶片基座108相对(在腔室104上方)，存在支撑靶112的靶载体结构110。靶载体结构110在半导体处理工具100的操作期间固定靶112。靶112是将要由其形成晶片106上的材料层的一块材料。靶112可为例如导电材料(例如，铜)、绝缘材料或前体(precursor)材料，所述前体材料与气体反应以形成由其制成沉积材料层的分子。
18.如图1a中进一步所示，在半导体处理工具100中提供一定数目的电源，所述一定数目的电源与如由半导体处理工具100所执行的在腔室104内产生及控制等离子体以及导引溅射(sputtering)、刻蚀(etching)或再溅射(resputtering)相关联。如所示，直流(dc)电源114耦合到靶载体结构110，以向靶载体结构110供应dc电力。如进一步所示，射频交流(radio frequency alternating current,rf)电源116耦合到晶片基座108。在一些实施方案中，除dc电源114以外，还向靶载体结构110提供rf电源。
19.如图1a中进一步所示，在一些实施方案中，半导体处理工具100包括一定数目的磁体。举例来说，半导体处理工具100可包括侧向磁体(lateral magnet)124及侧向磁体126。侧向磁体124及126在半导体处理工具100内定位在安全壳屏蔽体102外部，且可为线圈磁体(coil magnet)。另外，在一些实施方案中，在靶载体结构110之上设置有磁控管(magnetron)128。磁控管128向腔室104(特别是腔室104的上部部分)提供磁场，此可利于等离子体的控制及使用。
20.在操作中，半导体处理工具100可用于溅射沉积及用于再溅射或刻蚀。举例来说，电源114可向靶112供电以偏置(bias)靶112。如所示，靶112定位在腔室104中，且暴露于惰性气体(例如，氩(ar))或包含惰性气体的气体混合物的等离子体。由惰性气体的离子对靶112进行的轰击导致靶112的材料的原子喷射。所喷射的原子在腔室104中靶112下方的晶片106上积累成沉积膜。可使用pvd沉积的材料的一个实例是铝-铜(alcu)。在一些情形中，半导体处理工具100需要高功率(例如，超过10000瓦(w))，以便执行例如pvd等沉积工艺。
21.在一些实施方案中，由dc电源114和/或由rf电源116提供的电力由控制系统130控
制，控制系统130可包括与存储器通信的一个或多个处理器。存储器可包括被预编程用于器件制作的工艺配方(process recipe)。存储器可包括阐述及实施配方的指令。在一些实施方案中，处理器以通信方式耦合到dc电源114及rf电源116以及半导体处理工具100中的一组传感器。所述一组传感器可包括例如温度传感器、压力传感器、位置传感器、场传感器或者可提供半导体处理工具100的操作所可基于的信息的一种或多种其他类型的传感器。
22.在一些实施方案中，半导体处理工具100包括气体及压力系统132。在一些实施方案中，气体及压力系统132包括将要与例如控制腔室104内的压力、将反应气体引入到腔室104或从腔室104移除排气(exhaust gas)相关联所使用的阀门、导管、压力传感器或流量传感器。在一些实施方案中，气体及压力系统132与控制系统130通信。
23.图1b是示出与如上所述使用半导体处理工具100的dc电源114向靶112施加电力相关联的组件的图。如图1b中所示，半导体处理工具100进一步包括电力电缆基座134、套管136、销钉螺杆138、导体140、电力电缆142、火线144、接地146及盖148。
24.电力电缆基座134、套管136、销钉螺杆138、导体140、电力电缆142、火线144及接地146是能够使得半导体处理工具100进行上述操作的组件。举例来说，如图1b中所示，电力电缆基座134支撑电力电缆142，进而使得电力电缆142可提供与偏置靶112相关联地电力。套管136布置在导体140的开口中且位于电力电缆基座134的基座本体134b中的引导孔134o之上，以便支撑销钉螺杆138(例如，进而使得销钉螺杆138可接触腔室104上的销钉螺杆接触件104c)。导体140能够使得来自电力电缆142的电力向靶112提供与偏置靶112相关联地电力。火线144是被配置成能够实现对与触发半导体处理工具100的功率警报相关联的高功率事件的检测的组件。接地146为半导体处理工具100提供接地接触。如图1b中所示，盖148包含半导体处理工具100的一个或多个组件。
25.如所示，在一些实施方案中，电力电缆基座134包括基座本体134b，基座本体134b具有第一表面134s1(例如，基座本体134b的上表面)及第二表面134s2(例如，基座本体134b的下表面)。如进一步所示，基座本体134b进一步包括引导孔134o，引导孔134o从第一表面134s1到第二表面134s2延伸穿过基座本体134b。如所示，引导孔134o引导销钉螺杆138，进而使得销钉螺杆138的底表面可接触腔室104上的销钉螺杆接触件104c(例如，腔室104的表面上的突起)。在一些实施方案中，引导孔134o被配置成当盖148从关闭位置(例如，靶112在腔室104中时其所处的位置)移动到打开位置(例如，靶112在腔室104外部时其所处的位置)时，防止基座本体134b撞击腔室104上的销钉螺杆接触件104c。下面参照图2a到图2c阐述关于引导孔134o的附加细节。
26.在一些实施方案中，电力电缆基座134是由具有高于聚甲醛(polyoxymethylene，pom)熔点的熔点(例如，高于近似165℃的熔点)的材料形成。举例来说，在一些实施方案中，电力电缆基座134是由陶瓷材料(例如，具有为近似2054℃的熔点的陶瓷材料)、聚芳醚酮(polyaryletherketone，paek)材料(例如，聚醚醚酮(polyether ether ketone，peek))或具有高于pom熔点的熔点的另一种类型的材料形成。
27.在一些实施方案中，套管136是由具有高于pom熔点的熔点(例如，高于近似165℃的熔点)的材料形成。举例来说，在一些实施方案中，套管136是由陶瓷材料、paek材料(例如，peek)或具有高于pom熔点的熔点的其他类型的材料形成。在一些实施方案中，套管136是由与电力电缆基座134的材料相同类型的材料形成。作为另外一种选择，电力电缆基座
134与套管136可由不同类型的材料形成。
28.在一些实施方案中，用于电力电缆基座134或套管136的材料具有高的短时最大使用温度(short-duration maximum use temperature)(例如，大于pom或另一种相似材料的短时最大使用温度的短时最大使用温度；大于95℃(例如近似1600℃)的短时最大使用温度；或者类似的短时最大使用温度)。在一些实施方案中，用于电力电缆基座134或套管136的材料具有高的长时最大使用温度(long-duration maximum use temperature)(例如，大于pom或另一种相似材料的长时最大使用温度的长时最大使用温度；大于76℃(例如近似1280℃)的长时最大使用温度；或者类似的长时最大使用温度)。
29.应注意，将具有相对高熔点的材料用于电力电缆基座134及套管136会提高电力电缆基座134及套管136的熔点，此会防止电力电缆基座134及套管136的熔化，且从而降低触发功率警报或火灾负荷风险的可能性(例如，通过防止火线144与接地146之间的短路)。因此，半导体处理工具100的可用性提高、晶片报废减少、预防性维护的频率降低和/或需要替换电力电缆142和/或半导体处理工具100的一个或多个其他相关组件的频率降低。此外，由于防止了电力电缆基座134及套管136的熔化，因此消除了替换电力电缆基座134及套管136的成本，且消除了在电力电缆基座134或套管136熔化之后所需的清洁半导体处理工具100的其他组件所招致的成本。
30.如以上所指示，图1a及图1b是作为实例提供。其他实例可能不同于关于图1a及图1b所阐述的实例。图1a及图1b中所示器件的数目及布置是作为实例提供。实际上，可存在比图1a及图1b中所示器件更多的器件、更少的器件、不同的器件或不同布置的器件。此外，图1a及图1b中所示的两个或更多个器件可在单个器件内实施，或者图1a及图1b中所示的单个器件可实施为多个分布式器件。另外或作为另外一种选择，图1a及图1b中所示的一组器件(例如，一个或多个器件)可执行被阐述为由图1a及图1b中所示的另一组器件执行的一种或多种功能。
31.图2a到图2c是本文中所述电力电缆基座134的示例性实施方案的图。出于示出延伸穿过电力电缆基座134的引导孔134o的特性的目的，图2a到图2c示出电力电缆基座134的各种图。如图2a到2c中所示，在一些实施方案中，引导孔134o的侧壁的至少部分具有倾斜表面。即，引导孔134o的侧壁的所述部分不垂直于第一表面134s1及第二表面134s2。另外，引导孔134o的侧壁的所述部分不平行于引导孔134o的侧壁的另一部分(例如，引导孔134o的下部部分的侧壁不平行于引导孔134o的上部部分的侧壁)。在一些实施方案中，如图2a及图2b中所示，第一表面134s1与引导孔134o的侧壁的具有倾斜表面的所述部分之间的角度θ小于近似90度(
°
)。举例来说，第一表面134s1与引导孔134o的侧壁的具有倾斜表面的所述部分之间的角度θ可为近似45
°
。然而，角度θ的其他值也在本公开的范围内。
32.在一些实施方案中，如图2b中所示，引导孔134o的侧壁的上部部分与引导孔134o的侧壁的具有倾斜表面的所述部分(即，引导孔134o的侧壁的下部部分)之间的角度α小于近似90
°
。举例来说，引导孔134o的侧壁的上部部分与引导孔134o的侧壁的具有倾斜表面的下部部分之间的角度α可为近似45
°
。然而，角度α的其他值也在本公开的范围内。在一些实施方案中，引导孔134o的侧壁的上部部分的高度的范围介于近似0.1mm到近似12.5mm，例如为11mm。在一些实施方案中，引导孔134o的侧壁的下部部分的高度的范围介于近似0.1mm到近似12.5mm，例如为3mm。因此，在一些实施方案中，引导孔134o的高度(即，基座本体134b的
厚度)的范围介于近似3.5mm到近似14mm，例如为12mm。
33.在一些实施方案中，引导孔134o的侧壁的倾斜部分意味着引导孔134o在第一表面134s1处的宽度d1大于引导孔134o在第二表面134s2处的宽度d2。在一些实施方案中，宽度d2的范围介于近似9.5毫米(mm)到近似15.0mm(例如11.0mm)。然而，宽度d2的其他值也在本公开的范围内。在一些实施方案中，宽度d2的尺寸被配置成允许销钉螺杆138穿过引导孔134o。即，在一些实施方案中，宽度d2被选择成能够使得销钉螺杆138配合地穿过引导孔134o。在一些实施方案中，宽度d1大于宽度d2(例如，由于侧壁的具有倾斜表面的所述部分)。在一些实施方案中，宽度d1的范围介于近似15.5mm到近似21.0mm，例如为17.0mm。然而，宽度d1的其他值也在本公开的范围内。在特定实例中，角度θ为近似45
°
，宽度d2为11.0mm，且宽度d1为17.0mm。
34.如图2a到图2c中进一步所示，引导孔134o的具有倾斜表面的所述部分的宽度在从第一表面134s1朝向第二表面134s2的方向上减小。即，引导孔134o的具有倾斜表面的所述部分的尺寸在从第一表面134s1向第二表面134s2移动的方向上减小。在一些实施方案中，引导孔134o的具有倾斜表面的所述部分的宽度减小，以使得在引导孔134o的具有倾斜表面的所述部分(即，引导孔134o的下部部分)与引导孔134o的上部部分之间的界面处，引导孔134o的下部部分的宽度与引导孔134o的上部部分的宽度匹配。在一些实施方案中，引导孔134o的上部部分的侧壁垂直于第二表面134s2(而不是倾斜的)，以便能够使得销钉螺杆138穿过引导孔134o，且能够使得基座134满足针对半导体处理工具100中的可用性的尺寸限制(例如，由于具有完全倾斜的表面的引导孔134o可能需要大于基座本体134b的可容许尺寸的宽度d1)。
35.在一些实施方案中，基座本体134b的引导孔134o被形成为具有带有倾斜表面的侧壁部分，以便当盖148从关闭位置(例如，靶112在腔室104时其所处的位置)移动到打开位置(例如，靶112在腔室104外部时其所处的位置)时，防止基座本体134b撞击腔室104上的销钉螺杆接触件104c。即，基座本体134b的引导孔134o被形成为使得当盖148打开或关闭时，基座本体134b不会撞击或以其他方式接触腔室104上的销钉螺杆接触件104c。此处，基座本体134b中的引导孔134o的侧壁的倾斜部分在第一表面134s1处具有宽度d1，此会防止当盖148打开或关闭时，引导孔134o在第一表面134s1处的隅角或边缘撞击或以其他方式接触销钉螺杆接触件104c。应注意，当盖148打开或关闭时，不具有倾斜表面的基座本体(例如，具有引导孔的基座本体，所述引导孔在基座本体的第一表面处具有相对较窄的开口)可能撞击或以其他方式接触销钉螺杆接触件104c。通过此种方式，在盖148的打开或关闭期间，防止产生裂纹或对基座本体134b的其他与接触相关的损坏。
36.在一些实施方案中，电力电缆基座134可包括一个或多个其他特征。举例来说，如图2a及图2c中所示，电力电缆基座134的基座本体134b可包括一个或多个其他开口或凹陷，所述一个或多个其他开口或凹陷的尺寸被配置成接纳与将电力电缆基座134附接到半导体处理工具100的一个或多个其他组件相关联的紧固件(例如，螺杆)，或者所述一个或多个其他开口或凹陷的尺寸被配置成接纳导体，通过所述导体提供与执行沉积工艺相关联地dc电力。应注意，图2a及图2c中所示的这些其他特征的实例是作为实例提供，且依据半导体处理工具100的设计，此种特征的其他配置或布置也是可能的。
37.如以上所指示，图2a到图2c是作为实例提供。其他实例可能不同于关于图2a到图
2c所阐述的实例。
38.如上所述，使用具有相对高熔点的材料来形成电力电缆基座134及套管136会防止电力电缆基座134及套管136的熔化，从而降低触发功率警报或火灾负荷风险的可能性(例如，通过防止火线144与接地146之间的短路)。因此，半导体处理工具100的可用性提高、晶片报废减少、预防性维护的频率降低和/或需要替换电力电缆142和/或半导体处理工具100的一个或多个其他相关组件的频率降低。此外，由于电力电缆基座134及套管136的熔化得到防止，因此替换电力电缆基座134及套管136的成本被消除，且在电力电缆基座134或套管136熔化之后所需的清洁半导体处理工具100的其他组件所招致的成本也被消除。应注意，不需要向半导体处理工具100添加附加的组件来提供本文中所述的此种功率警报及火灾负荷风险的降低。此外，如本文中所述，电力电缆基座134包括延伸穿过基座本体134b(例如，从第一表面134s1到第二表面134s2)的引导孔134o，其中引导孔134o的侧壁的位于第一表面134s1处的部分具有倾斜表面，且引导孔134o在基座本体134b的第一表面134s1处的宽度被配置成防止基座本体134b撞击半导体处理工具100的腔室104上的销钉螺杆接触件104c，从而防止电力电缆基座134出现裂纹。
39.如以上所更详细阐述，本文中所述的一些实施方案提供一种沉积工具。所述沉积工具包括电力电缆基座，所述电力电缆基座包括具有第一表面及第二表面的基座本体以及从第一表面到第二表面延伸穿过基座本体的引导孔，其中引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中基座本体是由具有高于pom熔点的熔点的第一材料形成。所述沉积工具包括布置在引导孔之上的套管，其中套管是由具有高于pom熔点的熔点的第二材料形成。
40.在上述沉积工具中，其中所述引导孔在所述第一表面处的宽度大于所述引导孔在所述第二表面处的宽度。
41.在上述沉积工具中，其中所述引导孔的一部分的宽度在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上减小。
42.在上述沉积工具中，其中所述引导孔的所述侧壁的至少部分不垂直于所述第一表面或所述第二表面。
43.在上述沉积工具中，其中所述引导孔包括具有第一侧壁表面的第一部分及具有第二侧壁表面的第二部分，且所述第二侧壁表面与所述第一侧壁表面之间的角度小于90度。
44.在上述沉积工具中，其中所述引导孔在所述基座本体的所述第一表面处的宽度被配置成防止所述基座本体撞击所述沉积工具的腔室上的销钉螺杆接触件。
45.在上述沉积工具中，其中所述第一材料或所述第二材料中的至少一者是陶瓷材料。
46.在上述沉积工具中，其中所述第一材料或所述第二材料中的至少一者是聚芳醚酮材料。
47.如以上所更详细阐述，本文中所述的一些实施方案提供一种半导体处理工具。所述半导体处理工具包括基座以及引导孔，所述基座包括具有第一表面及第二表面的基座本体，所述引导孔从第一表面延伸到第二表面且包括第一部分及第二部分，其中引导孔的第一部分在第一表面处的宽度大于引导孔的第二部分的宽度，且其中基座本体是由陶瓷材料或paek材料形成。
48.在上述半导体处理工具中，进一步包括位于所述引导孔之上的套管，所述套管是
由陶瓷材料或聚芳醚酮材料形成。
49.在上述半导体处理工具中，其中所述引导孔的所述第一部分的侧壁不垂直于所述第一表面。
50.在上述半导体处理工具中，其中所述引导孔的所述第一部分的侧壁不平行于所述引导孔的所述第二部分的侧壁。
51.在上述半导体处理工具中，其中所述引导孔的所述第一部分的宽度在从所述第二表面朝向所述第一表面的方向上增加。
52.在上述半导体处理工具中，其中所述引导孔的所述第一部分的尺寸被配置成防止所述基座本体接触所述半导体处理工具的表面上的突起。
53.在上述半导体处理工具中，其中所述基座本体是由陶瓷材料或由聚芳醚酮材料形成。
54.如以上所更详细阐述，本文中所述的一些实施方案提供一种装置。所述装置包括基座以及引导孔，所述基座包括基座本体，其中基座本体是由具有高于pom熔点的熔点的材料形成，所述引导孔从基座本体的第一表面到基座本体的第二表面延伸穿过基座本体，其中引导孔在基座本体的第一表面处的宽度被配置成防止基座本体与其之上将要放置引导孔的表面上的突起接触。
55.在上述装置中，进一步包括位于所述引导孔之上的套管，所述套管是由具有高于聚甲醛熔点的熔点的材料形成。
56.在上述装置中，其中所述引导孔在所述第一表面处的所述宽度大于所述引导孔在所述第二表面处的宽度。
57.在上述装置中，其中所述引导孔的一部分的宽度在从所述第二表面朝向所述第一表面的方向上增加。
58.在上述装置中，其中所述基座本体是由陶瓷材料或由聚芳醚酮材料形成。
59.前述内容概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。所属领域中的技术人员应理解，其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，此种等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、替代及变更。