一种阵列基板、显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，液晶显示器(英文：liquid crystal display，简称：lcd)被广泛的应用于各个领域，而且为了更好的服务人眼，还原真实世界，lcd技术继续在高分辨率，高对比度，高色域，大尺寸等方向不断研究发展。现有lcd技术直接通过阵列基板驱动子像素，会在相邻子像素之间设置信号线，而该信号线会形成暗区，导致3d显示时在不同观看视角间切换时能够明显看到暗区不良。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示装置，用于解决由于信号线形成暗区，导致3d显示时在不同观看视角间切换时能够明显看到暗区不良的问题。
4.为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
5.本发明的第一方面提供一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基底，以及设置于所述第一基底上的多条信号线；
6.所述多条信号线沿第一方向排列；至少部分所述信号线包括沿第一方向间隔排布的多条子信号线，所述多条子信号线电连接，每条所述子信号线沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向交叠。
7.可选的，至少部分所述信号线还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述多条子信号线背向所述第一基底的一侧，所述透明导电层与所述多条子信号线分别电连接。
8.可选的，所述透明导电层的至少部分填充在相邻的所述子信号线之间。
9.可选的，所述信号线还包括导电连接部，所述导电连接部与所述多条子信号线的第一端分别电连接；和/或，所述导电连接部与所述多条子信号线的第二端分别电连接。
10.可选的，所述导电连接部与所述多条子信号线形成为一体结构。
11.可选的，所述阵列基板还包括：
12.多个像素开口区，所述多个像素开口区呈阵列分布在所述第一基底上；
13.线栅结构，所述线栅结构与所述信号线同层同材料设置，所述线栅结构与所述信号线绝缘，所述线栅结构在所述第一基底上的正投影与所述多个像素开口区在所述第一基底上的正投影至少部分交叠。
14.可选的，所述多个像素开口区划分为多列像素开口区，每列像素开口区包括沿第二方向排列的多个像素开口区；
15.所述线栅结构包括沿所述第一方向间隔排列的多个第一线栅图形，每个所述第一线栅图形沿所述第二方向延伸，所述多个第一线栅图形划分为多组第一线栅图形组，至少部分所述第一线栅图形组与所述多列像素开口区一一对应，所述第一线栅图形组在所述第一基底上的正投影与对应的一列像素开口区在所述第一基底上的正投影至少部分交叠。
16.可选的，所述线栅结构包括多个第二线栅图形，每个所述第二线栅图形沿所述第二方向延伸，所述多个第二线栅图形划分为多组第二线栅图形组，每组所述第二线栅图形组包括沿所述第一方向间隔排列的多个第二线栅图形；
17.至少部分所述第二线栅图形组与所述像素开口区一一对应，所述第二线栅图形组在所述第一基底上的正投影与对应的像素开口区在所述第一基底上的正投影至少部分交叠。
18.可选的，所述阵列基板还包括：多个像素电极，至少部分所述像素电极与所述像素开口区一一对应，所述像素电极在所述第一基底上的正投影，与对应的所述像素开口区在所述第一基底上的正投影至少部分交叠。
19.可选的，所述多个像素电极包括多个第一像素电极和多个第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极异层设置，所述第二像素电极相对于所述第一像素电极更靠近所述第一基底；
20.所述多个第一像素电极划分为多列第一像素电极，每列第一像素电极包括沿所述第二方向排列的多个第一像素电极；所述多个第二像素电极划分为多列第二像素电极，每列第二像素电极包括沿所述第二方向排列的多个第二像素电极；第一像素电极列在所述第一基底上的正投影，与第二像素电极列在所述第一基底上的正投影沿所述第一方向交替设置。
21.可选的，所述多个像素开口区划分为多列像素开口区，每列像素开口区包括沿第二方向排列的多个像素开口区；
22.所述信号线在所述第一基底上的正投影，与一列像素开口区在所述第一基底上的正投影至少部分交叠，所述信号线在所述第一基底上的正投影，与该一列像素开口区相邻的另一列像素开口区对应的一列第二像素电极在所述第一基底上的正投影至少部分交叠。
23.可选的，所述信号线包括数据线。
24.基于上述阵列基板的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示装置，包括上述阵列基板，对向基板，以及液晶层；所述阵列基板与所述对向基板相对设置，所述液晶层位于所述阵列基板于所述对向基板之间；
25.所述对向基板包括：第二基底，以及呈阵列分布在所述第二基底上的多个色阻图形，所述多个色阻图形中沿第一方向相邻的色阻图形之间接触。
26.可选的，所述阵列基板包括线栅结构；所述显示装置还包括：设置于所述对向基板背向所述阵列基板的一侧的偏光片，所述偏光片的透过轴的延伸方向与所述线栅结构中的第一线栅图形或第二线栅图形的延伸方向垂直。
27.本发明提供的技术方案中，通过设置至少部分所述信号线包括沿第一方向间隔排布的多条子信号线，所述多条子信号线电连接，使得所述信号线在具有良好的信号传输性能的同时，兼具有良好的透光性，从而降低了信号线形成的暗区的面积，在将所述阵列基板应用与显示装置时，改善了像素岛设计的3d显示在不同视角间切换移动时看到的摩尔纹现象。
附图说明
28.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发
明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
29.图1为本发明实施例提供的像素岛示意图；
30.图2为相关技术中显示装置的部分截面示意图；
31.图3为本发明实施例提供的显示装置的第一部分截面示意图；
32.图4为本发明实施例提供的显示装置的第二部分截面示意图。
具体实施方式
33.为了进一步说明本发明实施例提供的阵列基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
34.现有lcd分辨率一方面取决于阵列基板中晶体管及电极的尺寸，另一方面取决于彩膜基板中色阻的工艺能力。由于目前实现超精细色阻层工艺还比较困难，为了使lcd具有更高的分辨率，在现有色阻工艺能力范围内，一般通过在同一个色阻单元下进一步细分子像素形成像素岛设计，从而保证3d显示具有更好的视角连续性。
35.更详细地说，如图1和图2所示，图1中一行相同颜色的子像素40对应一个色阻单元，相关技术中，一个色阻单元包括多个色阻图形，相邻的色阻图形之间设置有黑矩阵，所述多个色阻图形与其对应的一行子像素40中包括的多个子像素40一一对应的。相邻的两个色阻单元之间设置有黑矩阵。
36.图2中示意了两个子像素的截面示意图。以垂直电场驱动的液晶显示模式(如：ecb，tn)为例进行示意图说明。显示装置包括：相对设置的阵列基板和对向基板，以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶层12。阵列基板包括下基底10，设置于所述下基底10上的金属走线13，覆盖金属走线13的钝化层pvx，设置于所述钝化层pvx背向所述下基底10一侧的像素电极14。对向基板包括上基底11，设置于上基底11朝向阵列基板的一侧的多个色阻图形16，以及位于相邻色阻图形16之间的黑矩阵bm，设置于色阻图形16和黑矩阵bm朝向阵列基板一侧的公共电极层17。
37.显示装置还包括上偏光片18和下偏光片19，上偏光片18位于对向基板背向阵列基板的一侧，下偏光片19位于阵列基板背向对向基板的一侧。
38.图2中还示意了有效出光区20和非有效出光区21中均填充有液晶分子，虚线箭头代表显示装置的出光方向。
39.需要说明，为了更加清晰的表明本发明的技术点，常规技术结构中，阵列基板上控制像素单元的tft阵列层，以及阵列基板和对向基板上的取向层均未示出。同时支撑盒厚的隔垫物和连接阵列基板和对向基板的封框胶均未示出。
40.对于tn模式的显示装置，阵列基板和对向基板上的取向层的取向方向垂直，使得液晶扭转90度，同时，上偏光片和下偏光片透过轴的延伸方向垂直，且分别与同侧的液晶取向一致。对于ecb模式的显示装置，阵列基板和对向基板上的取向层的取向方向平行，上偏光片和下偏光片透过轴的延伸方向垂直，且光轴与液晶取向的夹角为45
°
。
41.值得注意，由于lcd技术直接通过阵列基板驱动细分子像素，子像素之间的信号线(如金属走)不透光，会形成暗区，使得像素岛设计的3d显示在不同视角间切换移动时能够明显看到暗区不良(俗称摩尔纹现象)。另外，信号线和像素电极之间形成的扰乱电场会导致一定区域内的液晶偏转异常，从而出现灰阶紊乱。为了避免灰阶紊乱影响观看效果，会在
彩膜基板中对应相邻子像素之间的位置设置黑矩阵，以对灰阶紊乱区域进行遮挡，但是黑矩阵的引入和信号线一样，同样会造成子像素发光的不连续性(即产生黑矩阵暗区)，加重摩尔纹不良。
42.基于上述问题的存在，请参阅图1和图3，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：第一基底30，以及设置于所述第一基底30上的多条信号线31；
43.所述多条信号线31沿第一方向排列；至少部分所述信号线31包括沿第一方向间隔排布的多条子信号线，所述多条子信号线电连接，每条所述子信号线沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向交叠。
44.示例性的，所述多条信号线31采用金属材料制作。
45.示例性的，所述多条信号线31包括栅线、数据线和/或电源线。
46.示例性的，所述信号线31位于相邻的两行子像素40之间；或者所述信号线31位于相邻的两列子像素40之间。
47.示例性的，所述信号线31位于对应的一列子像素40的一侧，该一列子像素40包括沿所述第二方向排列的多个子像素40。
48.示例性的，所述信号线31在所述第一基底30上的正投影，与对应的一列子像素40中的多个子像素40的开口区在所述第一基底30上的正投影分别交叠。
49.示例性的，所述第一方向包括水平方向，所述第二方向包括竖直方向。
50.示例性的，每条所述信号线31包括沿第一方向间隔排布的多条子信号线，同一条信号线31中，任意相邻的两条子信号线之间的间距相等。
51.示例性的，每条所述信号线31均形成为类似线栅结构34。
52.根据上述阵列基板的具体结构可知，本发明实施例提供的阵列基板中，通过设置至少部分所述信号线31包括沿第一方向间隔排布的多条子信号线，所述多条子信号线电连接，使得所述信号线31在具有良好的信号传输性能的同时，兼具有良好的透光性，从而降低了信号线31形成的暗区的面积，在将所述阵列基板应用与显示装置时，改善了像素岛设计的3d显示在不同视角间切换移动时看到的摩尔纹现象。
53.如图4所示，在一些实施例中，至少部分所述信号线还包括透明导电层32，所述透明导电层32位于所述多条子信号线背向所述第一基底30的一侧，所述透明导电层32与所述多条子信号线分别电连接。
54.示例性的，所述透明导电层32采用氧化铟锡材料制作。
55.示例性的，所述透明导电层32覆盖一条信号线包括的多条子信号线。
56.示例性的，在所述第一基底30上制作所述多条子信号线之后，在所述多条子信号线背向所述第一基底30的一侧形成所述透明导电层32，所述透明导电层32能够与所述多条子信号线分别电连接，实现将属于同一条信号线的多条子信号线电连接在一起。
57.值得注意，所述透明导电层32与各子像素40中的像素电极，以及阵列基板中的线栅结构34均绝缘。
58.上述实施例提供的阵列基板中，通过设置所述透明导电层32与所述多条子信号线分别电连接，不仅保证了信号线中包括的各子信号线之间的电连接性能，而且保证了所述信号线的透光性。
59.在一些实施例中，设置所述透明导电层32的至少部分填充在相邻的所述子信号线
之间。
60.上述设置方式能够保证所述透明导电层32将所述多条子信号线更好的电连接在一起。
61.在一些实施例中，设置在同一条信号线中，所述透明导电层32的全部填充在相邻的所述子信号线之间。
62.示例性的，在垂直于所述第一基底30的方向上，所述透明导电层32的最大厚度等于所述子信号线的厚度。
63.上述设置方式不仅保证了所述透明导电层32能够将所述多条子信号线更好的电连接在一起，而且避免了增加所述信号线的厚度，有利于所述阵列基板的薄型化。
64.在一些实施例中，所述信号线还包括导电连接部，所述导电连接部与所述多条子信号线的第一端分别电连接；和/或，所述导电连接部与所述多条子信号线的第二端分别电连接。
65.示例性的，所述导电连接部的一部分位于所述多条子信号线的第一端所在一侧，能够与所述多条子信号线的第一端分别电连接，所述导电连接部的另一部分位于所述多条子信号线的第二端所在一侧，能够与所述多条子信号线的第二端分别电连接。
66.示例性的，所述导电连接部采用氧化铟锡材料制作。
67.示例性的，所述导电连接部采用金属材料制作。
68.上述实施例提供的阵列基板中，通过设置导电连接部将所述多条子信号线的第一端电连接在一起，和/或将所述多条子信号线的第二端电连接在一起，不仅保证了信号线中包括的各子信号线之间的电连接性能，而且保证了所述信号线的透光性。
69.在一些实施例中，设置所述导电连接部与所述多条子信号线形成为一体结构。
70.上述设置方式使得所述导电连接部与所述多条子信号线能够在同一次构图工艺中形成，从而有效简化了阵列基板的制作工艺流程，降低了制作成本。
71.如图3和图4所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括：
72.多个像素开口区33，所述多个像素开口区33呈阵列分布在所述第一基底30上；
73.线栅结构34，所述线栅结构34与所述信号线同层同材料设置，所述线栅结构34与所述信号线绝缘，所述线栅结构34在所述第一基底30上的正投影与所述多个像素开口区33在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
74.示例性的，所述像素开口区33为有效发光区。
75.示例性的，所述线栅结构34包括金属线栅结构34。
76.示例性的，所述线栅结构34与所述信号线之间具有预设距离，以避免所述线栅结构34与所述信号线31之间短接在一起。
77.通过在所述阵列基板中设置所述线栅结构34，并设置所述线栅结构34的透过轴的延伸方向与上偏光片37的透过轴的延伸方向垂直，使得所述线栅结构34能够复用为下偏光片。
78.上述实施例提供的阵列基板中，通过将所述线栅结构34和所述信号线有效融合，实现了良好的下偏光功能，使得在将所述阵列基板应用于显示装置中时，能够省去设置于阵列基板中第一基底30背向对向基板一侧的下偏光片，有利于降低所述显示装置的厚度。
79.另外，通过设置所述线栅结构34与所述信号线同层同材料设置，使得所述线栅结
构34与所述信号线能够在同一次构图工艺中形成，从而简化了阵列基板的制作工艺流程了，降低了制作成本。
80.在一些实施例中，所述多个像素开口区33划分为多列像素开口区33，每列像素开口区33包括沿第二方向排列的多个像素开口区33；
81.所述线栅结构34包括沿所述第一方向间隔排列的多个第一线栅图形，每个所述第一线栅图形沿所述第二方向延伸，所述多个第一线栅图形划分为多组第一线栅图形组，至少部分所述第一线栅图形组与所述多列像素开口区33一一对应，所述第一线栅图形组在所述第一基底30上的正投影与对应的一列像素开口区33在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
82.示例性的，每组第一线栅图形组中，相邻的所述第一线栅图形之间的距离等于同一条信号线中相邻的子信号线之间的距离。
83.示例性的，所述第一线栅图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度，等于所述子信号线在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
84.示例性的，所述第一线栅图形在所述第二方向上的长度，与所述子信号线在所述第二方向上的长度相同。
85.示例性的，所述第一线栅图形组在所述第一基底30上的正投影，与对应的一列像素开口区33中的多个像素开口区33在所述第一基底30上的正投影分别交叠。
86.在一些实施例中，所述线栅结构34包括多个第二线栅图形，每个所述第二线栅图形沿所述第二方向延伸，所述多个第二线栅图形划分为多组第二线栅图形组，每组所述第二线栅图形组包括沿所述第一方向间隔排列的多个第二线栅图形；至少部分所述第二线栅图形组与所述像素开口区33一一对应，所述第二线栅图形组在所述第一基底30上的正投影与对应的像素开口区33在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
87.示例性的，每组第二线栅图形组中，相邻的所述第二线栅图形之间的距离等于同一条信号线中相邻的子信号线之间的距离。
88.示例性的，所述第二线栅图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度，等于所述子信号线在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
89.示例性的，所述第二线栅图形在所述第二方向上的长度，与所述像素开口区33在所述第二方向上的长度相同。
90.在一些实施例中，所述阵列基板还包括：多个像素电极(如第一像素电极351和第二像素电极352)，至少部分所述像素电极与所述像素开口区33一一对应，所述像素电极在所述第一基底30上的正投影，与对应的所述像素开口区33在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
91.示例性的，所述像素电极在所述第一基底30上的正投影，与对应的所述像素开口区33在所述第一基底30上的正投影重合。
92.示例性的，所述像素电极在所述第一基底30上的正投影的面积，大于对应的像素开口区33在所述第一基底30上的正投影的面积。
93.示例性的，所述像素开口区33在所述第一基底30上的正投影，位于对应的像素电极在所述第一基底30上的正投影的内部。
94.示例性的，所述像素电极在所述第一基底30上的正投影，包围对应的所述像素开
口区33在所述第一基底30上的正投影。
95.示例性的，所述像素电极采用氧化铟锡材料制作。
96.如图3和图4所示，在一些实施例中，所述多个像素电极包括多个第一像素电极351和多个第二像素电极352，所述第一像素电极351与所述第二像素电极352异层设置，所述第二像素电极352相对于所述第一像素电极351更靠近所述第一基底30；
97.所述多个第一像素电极351划分为多列第一像素电极351，每列第一像素电极351包括沿所述第二方向排列的多个第一像素电极351；所述多个第二像素电极352划分为多列第二像素电极352，每列第二像素电极352包括沿所述第二方向排列的多个第二像素电极352；第一像素电极列在所述第一基底30上的正投影，与第二像素电极列在所述第一基底30上的正投影沿所述第一方向交替设置。
98.需要说明，第一像素电极列即一列第一像素电极351，第二像素电极列即一列第二像素电极352。
99.示例性的，所述多个像素开口区33包括第一部分像素开口区33和第二部分像素开口区33，所述多个第一像素电极351与所述第一部分像素开口区33一一对应，所述多个第二像素电极352与所述第二部分像素开口区33一一对应。
100.示例性的，所述第一像素电极351和所述第二像素电极352均采用氧化铟锡材料制作。
101.示例性的，所述阵列基板还包括第一钝化层pvx1和第二钝化层pvx2，所述第一钝化层pvx1位于所述第二像素电极352与所述信号线31之间，所述第二钝化层pvx2位于所述第一像素电极351和所述第二像素电极352之间。
102.示例性的，第一像素电极列在所述第一基底30上的正投影，与相邻的第二像素电极列在所述第一基底30上的正投影不交叠。
103.示例性的，第一像素电极列在所述第一基底30上的正投影，与相邻的第二像素电极列在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
104.在一些实施例中，设置所述信号线在所述第一基底30上的正投影与所述第一像素电极351在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠；和/或，
105.所述信号线在所述第一基底30上的正投影与所述第二像素电极352在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
106.示例性的，所述信号线在所述第一基底30上的正投影，与一列第一像素电极351在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠；和/或，所述信号线在所述第一基底30上的正投影，与一列第二像素电极352在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
107.在一些实施例中，设置所述多个像素开口区33划分为多列像素开口区33，每列像素开口区33包括沿第二方向排列的多个像素开口区33；
108.所述信号线在所述第一基底30上的正投影，与一列像素开口区33在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠，所述信号线在所述第一基底30上的正投影，与该一列像素开口区33相邻的另一列像素开口区33对应的一列第二像素电极352在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
109.示例性的，所述信号线在所述第一基底30上的正投影，与一列像素开口区33对应的一列第一像素电极351在所述第一基底30上的正投影至少部分交叠。
110.示例性的，所述相邻的另一列像素开口区33对应的一列第二像素电极352中，至少部分所述第二像素电极352在所述第一基底30上的正投影，与该一列像素开口区33中的至少部分像素开口区33在所述第一基底30上的正投影部分交叠。
111.示例性的，所述信号线在所述第一基底30上的正投影，与所述相邻的另一列像素开口区33在所述第一基底30上的正投影不交叠。
112.上述设置方式使得所述信号线能够被所述第二像素电极352屏蔽，避免了所述信号线与所述第一像素电极351之间形成串扰电场，从而避免了所述信号线对所述第一像素电极351对应的像素开口区33中的液晶分子产生干扰；而且由于所述信号线与所述相邻的另一列像素开口区33在所述第一基底30上的正投影不交叠，因此不会对所述相邻的另一列像素开口区33中的液晶分子产生干扰，保证了显示装置的显示质量，避免出现灰阶紊乱。
113.在将上述实施例提供的阵列基板与彩膜基板对盒形成显示装置时，由于所述信号线具有良好的透光性，且不会对液晶分子的偏转产生干扰，保证了显示的连续性，因此，在彩膜基板中的一个色阻单元中，相邻的色阻图形之间可以直接接触，即不需要在相邻的色阻图形之间(即对应相邻子像素40之间的位置)设置黑矩阵，从而避免了由于设置黑矩阵而导致的子像素40发光的不连续性(即产生黑矩阵暗区)，避免了由于设置黑矩阵而加重摩尔纹不良。
114.本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的阵列基板，对向基板，以及液晶层；所述阵列基板与所述对向基板相对设置，所述液晶层位于所述阵列基板于所述对向基板之间；所述对向基板包括：第二基底36，以及呈阵列分布在所述第二基底36上的多个色阻图形，所述多个色阻图形中沿第一方向相邻的色阻图形之间接触。
115.示例性的，所述多个色阻图形中沿第一方向相邻的，且颜色相同的多个色阻图形形成一体结构，该多个色阻图形中，相邻色阻图形之前没有黑矩阵。
116.示例性的，所述多个色阻图形包括红色色阻图形、绿色色阻图形和蓝色色阻图形。
117.示例性的，沿所述第一方向位于同一行的色阻图形颜色相同，形成为一个色阻单元。
118.示例性的，沿所述第二方向，红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元交替排列。
119.示例性的，所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一侧还设置有公共电极层。
120.示例性的，所述第二基底36背向所述阵列基板的一侧还设置有上偏光片37。
121.示例性的，上述实施例提供的显示装置适用于垂直电场驱动的液晶显示模式，例如tn，ecb显示模式。
122.需要说明，为了更加清晰的表明本发明的技术点，图3中阵列基板上控制像素单元的晶体管阵列层，以及阵列基板和对向基板上的取向层均未示出。同时支撑盒厚的隔垫物和连接阵列基板和对向基板的封框胶均未示出。
123.需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
124.本发明实施例提供的显示装置中，由于所述阵列基板中的信号线具有良好的透光性，且不会对液晶分子的偏转产生干扰，保证了显示的连续性，因此，在彩膜基板中的一个色阻单元中，相邻的色阻图形之间可以直接接触，即不需要在相邻的色阻图形之间(即对应
相邻子像素40之间的位置)设置黑矩阵，从而避免了由于设置黑矩阵而导致的子像素40发光的不连续性(即产生黑矩阵暗区)，避免了由于设置黑矩阵而加重摩尔纹不良。
125.在一些实施例中，所述阵列基板包括线栅结构34；所述显示装置还包括：设置于所述对向基板背向所述阵列基板的一侧的偏光片(即上偏光片37)，所述偏光片的透过轴的延伸方向与所述线栅结构34中的第一线栅图形或第二线栅图形的延伸方向垂直。
126.上述设置所述上偏光片37的透过轴的延伸方向与所述线栅结构34中的第一线栅图形或第二线栅图形的延伸方向垂直，使得所述线栅结构34的透过轴的延伸方向与所述上偏光片37的透过轴的延伸方向垂直，使得所述线栅结构34能够复用为所述下偏光片19，从而能够省去设置于阵列基板中第一基底30背向对向基板一侧的下偏光片19，有利于降低所述显示装置的厚度。
127.需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
128.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
129.可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
130.在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
131.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。