一种显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.液晶显示面板作为目前主流的显示屏，具有耗电量低、体积小、辐射低等优势。
3.目前常用水平电场模式的液晶显示面板包括平面转换(in-plane switching，简称ips)模式液晶显示面板及高级超维场转换(advanced super dimension switch，简称ads)模式液晶显示面板。
4.其中，ads型显示模式由于其宽视角，高分辨率、低功耗等特点广泛应用于显示领域。目前，对于大尺寸ads面板来说，数据信号线两侧需保留对位偏差精度所需的余量，因此子像素单元的开口率较其它显示面板来说不具有优势。而对于小尺寸的ads面板来说，子像素单元的存储电容较大，导致充电时间较长，因此限制刷新率的提升。


技术实现要素：

5.本发明提供一种显示面板及显示装置，用于增大子像素单元的开口面积，提高显示面板的透过率；同时降低子像素单元的存储电容，提高显示面板刷新率。
6.本发明提供一种显示面板，包括：
7.第一衬底基板；
8.多条扫描信号线，位于所述第一衬底基板的一侧；所述多条扫描信号线沿第一方向延伸，沿第二方向排列，所述第一方向和所述第二方向交叉；
9.多条数据信号线，位于所述扫描信号线背离所述第一衬底基板的一侧；所述多条数据信号线沿所述第二方向延伸，沿所述第一方向排列；所述多条数据信号线包括多条第一数据信号线和多条第二数据信号线，所述第一数据信号线和所述第二数据信号线沿所述第一方向交替排列；相邻的一条所述第一数据信号线和一条所述第二数据信号线构成一个数据信号线组；多条所述扫描信号线和多个所述数据信号线组划分出多个子像素单元；
10.多个像素电极，位于所述数据信号线背离所述扫描信号线的一侧；所述像素电极与所述子像素单元一一对应，所述像素电极设置于对应的所述子像素单元的区域内；
11.公共电极，位于所述数据信号线背离所述扫描信号线的一侧；
12.有机膜层，位于所述像素电极和所述公共电极之间；
13.所述子像素单元中，所述像素电极和所述公共电极在所述第一衬底基板的正投影与分别位于该子像素单元两侧的最近的所述第一数据信号线和所述第二数据信号线在所述第一衬底基板的正投影存在交叠区域；相邻的所述第一数据信号线和所述第二数据信号线加载的数据信号的极性相反。
14.本发明一些实施例中，所述第一数据信号线对应的交叠区域和所述第二数据信号线对应的交叠区域的面积相等。
15.本发明一些实施例中，所述第一数据信号线对应的交叠区域和所述第二数据信号
线对应的交叠区域关于所述子像素单元沿所述第二方向的中线相互对称。
16.本发明一些实施例中，所述显示面板包括：
17.栅极金属层，位于所述第一衬底基板之上；所述栅极金属层包括所述多条扫描信号线和多条公共电极信号线的图形；
18.栅极绝缘层，位于所述栅极金属层背离所述第一衬底基板的一侧；
19.源漏金属层，位于所述栅极绝缘层背离所述栅极金属层的一侧，所述源漏金属层包括所述多条数据信号线的图形；
20.钝化层，位于所述源漏金属层背离所述栅极绝缘层的一侧；
21.所述有机膜层、所述像素电极和所述公共电极位于所述钝化层背离所述源漏金属层的一侧。
22.本发明一些实施例中，所述公共电极位于所述钝化层背离所述源漏金属层一侧的表面；所述有机膜层位于所述公共电极背离所述钝化层一侧的表面；所述像素电极位于所述有机膜层背离所述公共电极一侧的表面；
23.所述公共电极在所述第一衬底基板的正投影覆盖所述第一数据信号线、所述第二数据信号线以及所述数据信号线组中所述第一数据信号线和所述第二数据信号线之间的间隔区域在所述第一衬底基板的正投影；
24.所述像素电极在所述第一衬底基板的正投影的边缘不超过分别位于该子像素单元两侧的最近的所述第一数据信号线和所述第二数据信号线在所述第一衬底基板的正投影的边缘。
25.本发明一些实施例中，所述公共电极为块状电极；
26.所述像素电极包括多个狭缝；所述狭缝沿所述第一方向延伸，或者，所述狭缝沿所述第二方向延伸。
27.本发明一些实施例中，所述有机膜层的厚度为所述钝化层的厚度为
28.本发明一些实施例中，所述显示面板还包括：
29.第二衬底基板，与所述第一衬底基板相对设置；
30.彩膜层，位于所述第二衬底基板面向所述第一衬底基板的一侧；所述彩膜层包括多个彩膜单元，所述彩膜单元与所述子像素单元一一对应设置；
31.遮光层，位于所述第二衬底基板面向所述第一衬底基板的一侧；所述遮光层具有多个条状结构的图形，所述遮光层沿所述第一方向延伸，位于所述彩膜单元的间隔位置；
32.所述遮光层在所述第一衬底基板的正投影覆盖所述扫描信号线在所述第一衬底基板的正投影。
33.本发明一些实施例中，所述显示面板还包括：
34.减反层，位于所述数据信号线背离所述第一衬底基板一侧的表面。
35.本发明还提供一种显示装置，包括上述任一显示面板。
36.本发明提供的显示面板及显示装置，包括：第一衬底基板；多条扫描信号线，位于第一衬底基板的一侧；多条扫描信号线沿第一方向延伸，沿第二方向排列，第一方向和第二方向交叉；多条数据信号线，位于扫描信号线背离第一衬底基板的一侧；多条数据信号线沿第二方向延伸，沿第一方向排列；多条数据信号线包括多条第一数据信号线和多条第二数
据信号线，第一数据信号线和第二数据信号线沿第一方向交替排列；相邻的一条第一数据信号线和一条第二数据信号线构成一个数据信号线组；多条扫描信号线和多个数据信号线组划分出多个子像素单元；多个像素电极，位于数据信号线背离扫描信号线的一侧；像素电极与子像素单元一一对应，像素电极设置于对应的子像素单元的区域内；公共电极，位于数据信号线背离扫描信号线的一侧；有机膜层，位于像素电极和公共电极之间。通过对相邻的第一数据信号线和第二数据信号线加载的数据信号的极性相反，并将像素电极和公共电极扩大到相邻的第一数据信号线和第二数据信号线之上，使子像素单元的开口区不需要与第一数据信号线和第二数据信号线保持一定的余量，从而使得子像素单元的开口率增大，提高子像素单元的透过率。在公共电极和像素电极之间设置介电常数较小的有机膜层，拉大了公共电极和像素电极之间的距离，减小公共电极和像素电极之间的电容，即减小子像素单元的存储电容，因此显示面板的充电能力得以提升，再配合两行子像素单元同时充电，可以减少显示面板整体的充电时间，由此可以提高显示面板的刷新率。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1为现有技术中显示面板的平面结构示意图；
39.图2为本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图；
40.图3为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之一；
41.图4为本发明实施例提供的子像素单元的平面结构示意图之一；
42.图5为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之二；
43.图6为本发明实施例提供的子像素单元的平面结构示意图之二；
44.图7为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之三；
45.图8为本发明实施例提供的第二衬底基板的平面结构示意图。
具体实施方式
46.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
47.液晶显示器主要由背光模组和液晶显示面板构成。液晶显示面板本身不发光，需要依靠背光模组提供的光源实现亮度显示。
48.液晶显示器的显像原理，是将液晶置于两片导电玻璃之间，靠两个电极间电场的驱动，引起液晶分子扭曲的电场效应，以控制背光源透射或遮蔽功能，从而将影像显示出
来。若加上彩色滤光片，则可显示彩色影像。
49.目前常用水平电场模式的液晶显示面板包括平面转换(in-plane switching，简称ips)模式液晶显示面板及高级超维场转换(advanced super dimension switch，简称ads)模式液晶显示面板。
50.ads显示面板包括阵列基板、对向基板，以及位于两者之间的液晶层。当显示面板未施加电压时，液晶分子在盒内平行分布，光线无法通过而显示为“黑态”，而当显示面板施加电压时，在阵列基板电场的驱动下，液晶横向转动，从而使得光线可以通过而显示为“白态”。
51.图1为现有技术中的显示面板的平面结构示意图。
52.参照图1，为了实现高分辨率和高刷新率，显示面板通常可以采用2g2d结构，即每个子像素单元的两侧设置两条数据信号线(31和32)，其中一条数据信号线31连接奇数行的像素电极ep，另一条数据信号线32连接偶数行的像素电极ep。当显示面板中的两条扫描信号线21同时打开，两条数据信号(31和32)同时给两行子像素单元进行充电，从而减少面板整体的充电时间，确保整体面板充电的能力。
53.然而，如图1所示，采用该种充电方式带来最大的问题就是在每个子像素单元的两侧需要设置两条数据信号线30，数据信号线30的翻倍会使得数据信号线占用空间的增加；另外，数据信号线30两侧需保留对位偏差精度所需的余量，因此子像素单元的开口率进一步减小，使得子像素单元的透过率降低。
54.有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板，可以有效增大子像素单元的开口面积，提升显示面板的透过率。
55.图2为本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图。
56.参照图2，本发明实施例提供的显示面板，包括：第一衬底基板100、多条扫描信号线21、多条数据信号线30、公共电极ec和像素电极(图中未示出)。
57.扫描信号线21位于第一衬底基板100的一侧，扫描信号线21沿第一方向x延伸，沿第二方向y排列。其中，第一方向x和第二方向y交叉。
58.在具体实施时，第一方向x可以为子像素单元行的方向，第二方向y可以为子像素单元列的方向，第一方向x和第二方向y相互垂直。
59.多条数据信号线30位于扫描信号线21背离第一衬底基板100的一侧，数据信号线30沿第二方向y延伸，沿第一方向x排列。
60.数据信号线30包括多条第一数据信号31线和多条第二数据信号线32。第一数据信号线31和第二数据信号线32沿第一方向x交替排列。
61.相邻的一条第一数据信号线31和一条第二数据信号线32构成一个数据信号线组；多条扫描信号线21和多个数据信号线组划分出多个子像素单元p。
62.其中，奇数行的子像素单元p由第一数据信号线31进行充电，偶数行的子像素单元p由第二数据信号线32进行充电。
63.公共电极ec和像素电极位于数据信号线30背离扫描信号线21的一侧，像素电极与子像素单元p一一对应，像素电极设置于对应的子像素单元p的区域内。公共电极ec可以覆盖子像素单元p所在区域。像素电极和公共电极ec之间可以产生横向电场以驱动液晶分子。
64.在本发明实施例中，如图2所示，每个子像素单元p中，公共电极ec和像素电极覆盖
其两侧的第一数据信号线31和第二数据信号线32，由于公共电极ec的信号稳定，因此可以屏蔽第一数据信号线31和第二数据信号线32产生的影响。但是第一数据信号线31和第二数据信号线32仍然会与公共电极ec、像素电极产生耦合作用，因此本发明实施例需要控制相邻的第一数据信号线31和第二数据信号线32加载的数据信号的极性相反，这样在第一数据信号线31和第二数据信号线32产生极性相反的数据信号跳变时，对像素电极和个公共电极ec上的信号可以产生相反方向的拉动效果，从而起到平衡数据信号线对子像素单元的存储电容存储电压的拉动，以避免数据信号跳变干扰子像素单元的显示效果。
65.本发明实施例对相邻的第一数据信号线31和第二数据信号线32加载的数据信号的极性相反，并将像素电极和公共电极ec扩大到相邻的第一数据信号线31和第二数据信号线32之上，使子像素单元p的开口区不需要与第一数据信号线31和第二数据信号线32保持一定的余量，从而使得子像素单元p的开口率增大，提高子像素单元的透过率。
66.如图2所示，第一数据信号线31对应的交叠区域和第二数据信号线32对应的交叠区域的面积相等，且第一数据信号线31对应的交叠区域和第二数据信号线32对应的交叠区域关于子像素单元沿第二方向的中线相互对称。这样可以保证像素电极和公共电极与第一数据信号线31，以及与第二数据信号线32之间的耦合电容相对一致，从而确保数据信号耦合的对称性。
67.图3为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之一。
68.参照图3，本发明实施例提供的显示面板包括：第一衬底基板100、栅极金属层200、栅极绝缘层400、源漏金属层300、钝化层500、像素电极ep、公共电极ec和有机膜层600。
69.栅极金属层200位于第一衬底基板100之上。栅极金属层200包括栅极、多条扫描信号线和多条公共电极信号线(图中未示出)的图形。栅极金属层200可以采用单层或多层金属的叠层结构，在此不做限定。
70.参照图2可以看出，公共电极信号线22沿第一方向x延伸，沿第二方向y排列，公共电极信号线22和扫描信号线21沿第二方向y交替排列。
71.栅极绝缘层400位于栅极金属层200背离第一衬底基板100的一侧，栅极绝缘层400用于对栅极金属层200的图像进行绝缘保护，以在其上方形成其它金属层的图形。栅极绝缘层400的材料可以采用氧化硅、氮化硅等，在此不做限定。
72.在形成栅极绝缘层400之后，可以在栅极绝缘层400之上形成有源层的图形。有源层为用于制作薄膜晶体管的一个功能性膜层，有源层包括通过掺杂n型离子或p型离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间的区域是不进行掺杂的沟道区。而后在有源层之上形成一层层间绝缘层，再在其之上形成其它金属层的图形。
73.源漏金属层300位于栅极绝缘层400背离栅极金属层200的一侧，具体可以形成在上述的层间绝缘层之上。源漏金属层300包括多条数据信号线的图形；其中包括交替排列的第一数据信号线31和第二数据信号线32。除此之外，源漏金属层还包括源极和漏极的图形。源漏金属层300可以采用单层或多层金属的叠层结构，在此不做限定。
74.其中、栅极、有源层、源极和漏极构成薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)器件结构。
75.钝化层500位于源漏金属层300背离栅极绝缘层400的一侧。钝化层500作为有源层的保护层防止有源层污染或其他物质侵蚀。钝化层500的材料可以采用氧化硅，厚度为4000
埃-600埃左右。钝化层500同时具有平坦化的作用，用于在其上继续形成其它膜层的图形。
76.公共电极ec、有机膜层600和像素电极ep均位于钝化层500背离源漏金属层300的一侧。
77.公共电极ec位于钝化层500背离源漏金属层300一侧的表面，公共电极ec可以采用块状电极，用于提供恒定的公共电极信号vcom。
78.有机膜层600位于公共电极背离钝化层500一侧的表面。
79.像素电极ep位于有机膜层600背离公共电极ec一侧的表面。在形成上述有机膜层600之后，进行有机膜层的曝光，形成有效过孔，为进行钝化层500的刻蚀准备条件，形成的过孔用于导通顶层公共电极ec与下层公共电极线，以及导通像素电极ep与tft器件。
80.像素电极ep位于有机膜层600背离公共电极ec一侧的表面。像素电极ep可以采用狭缝电极。
81.公共电极ec和像素电极ep之间的有机膜层600的厚度为6000埃-20000埃，有机膜层600采用的材料为有机树脂。由于有机膜层600具有较低的介电常数，且相比于钝化层500来说，具有更大的厚度，因此拉大了公共电极ec和像素电极ep之间的距离，减小公共电极ec和像素电极ep之间的电容，即减小子像素单元的存储电容，因此显示面板的充电能力得以提升，再配合两行子像素单元同时充电，可以减少显示面板整体的充电时间，由此可以提高显示面板的刷新率。
82.如图3所示，公共电极ec在第一衬底基板100的正投影覆盖第一数据信号线31、第二数据信号线32以及数据信号线组中第一数据信号线31和第二数据信号线32之间的间隔区域在第一衬底基板100的正投影。
83.公共电极ec施加的信号相对较为稳定，更不容易受到数据信号线30波动的影响。因此公共电极ec可以采用块状电极，使其全覆盖于第一数据信号线31和第二数据信号线32的上方，以及第一数据信号线31和第二数据信号线32之间的间隔区域。
84.像素电极ep在第一衬底基板100的正投影的边缘不超过分别位于该子像素单元两侧的最近的第一数据信号线31和第二数据信号线32在第一衬底基板100的正投影的边缘。
85.由于公共电极ec覆盖第一数据信号线31和第二数据信号线32设置，因此可以屏蔽数据信号线对有效电场的有影响，因此可以将像素电极ep也向两侧进行扩大，使其可以覆盖到第一数据信号线31和第二数据信号线32的上方，但不超过第一数据信号线31和第二数据信号线32的边缘。由此，可以扩大子像素单元的有效电场范围，从而增大子像素单元的开口率，提升显示面板的透过率。
86.可选地，本发明实施例还可以将公共电极ec和像素电极ep的位置互换，使像素电极ep位于公共电极ec的下方，也可以达到本技术的技术效果。在具体实施时可以根据实际应用进行设置，在此不做限定。
87.图4为本发明实施例提供的子像素单元的平面结构示意图之一。
88.参照图4，像素电极ep包括多个狭缝，这样对公共电极ec和像素电极ep施加电压之后，电场线由像素电极的狭缝穿出指向像素电极ep的位置，形成水平电场。
89.在一种可实施的方式中，如图3和图4所示，像素电极ep的狭缝可以沿第一方向x进行延伸，且像素电极ep的狭缝会与该子像素单元沿第一方向x的中线呈设定的夹角，且像素电极ep的狭缝以子像素单元沿第一方向x的中线为对称轴呈轴对称结构进行分布。像素电
极ep采用横向狭缝的结构可以降低数据信号线30的负载，呈轴对称分布可以避免显示面板产生色偏。
90.图5为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之二，图6为本发明实施例提供的子像素单元的平面结构示意图之二。
91.在另一种可实施的方式中，如图5和图6所示，像素电极ep的狭缝也可以沿第二方向y进处延伸，且像素电极ep的狭缝会与该子像素单元沿第一方向x的中线呈设定的夹角，且像素电极ep的狭缝以子像素单元沿第一方向x的中线为对称轴呈轴对称结构进行分布。像素电极ep采用竖向狭缝的结构不仅适应于正性液晶，同样也适用于负性液晶。
92.在具体实施时，可以根据实际需要设置像素电极ep的狭缝方向，在此不做限定。
93.图7为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之三。
94.参照图7，本发明实施例提供的显示面板还包括：
95.第二衬底基板700，与第一衬底基板100相对设置。
96.彩膜层800，位于第二衬底基板700面向第一衬底基板100的一侧；彩膜层800包括多个彩膜单元(r、g和b)，彩膜单元与子像素单元一一对应设置。
97.图8本发明实施例提供的第二衬底基板的平面结构示意图。
98.参照图8，显示面板还包括：
99.遮光层80’，位于第二衬底基板700面向第一衬底基板100的一侧；遮光层80’具有多个条状结构的图形，条状结构的遮光层80’沿第一方向x延伸，位于彩膜单元的间隔位置。遮光层80’在第一衬底基板100的正投影覆盖扫描信号线21在第一衬底基板100的正投影。
100.在本发明实施例中，由于公共电极ec上加载稳定的信号，可以屏蔽数据信号线对有效电场的影响，因此可以将公共电极ec和像素电极ep均覆盖数据信号线进行设置，因此在第二方向上不透光的区域仅为第一数据信号线31、第二数据信号线32以及数据信号线组中第一数据信号线31和第二数据信号线32之间的间隔区域。其中，第一数据信号线31和第二数据信号线32采用金属材料进行制作，本身不透过；而第一数据信号线31和第二数据信号线32之间的间隔位置产生的电场是横向的，本身不会引起液晶的转动，因此也为不透光区域。那么在第二方向y上并不需要设置遮光层。因此本发明实施例仅在第一方向x上设置遮光层80’，遮光层80’用于遮挡扫描信号线21和tft器件。
101.如图7所示，为了减小第一数据信号线31和第二数据信号线32造成的反光，可以在第一数据信号线31和第二数据信号线32的上方设置减反层30，从而避免人眼观看到第一数据信号线31和第二数据信号线32。
102.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种包括上述任一显示面板的显示装置，由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
103.本发明实施例提供的显示面板及显示装置，包括：第一衬底基板；多条扫描信号线，位于第一衬底基板的一侧；多条扫描信号线沿第一方向延伸，沿第二方向排列，第一方向和第二方向交叉；多条数据信号线，位于扫描信号线背离第一衬底基板的一侧；多条数据信号线沿第二方向延伸，沿第一方向排列；多条数据信号线包括多条第一数据信号线和多条第二数据信号线，第一数据信号线和第二数据信号线沿第一方向交替排列；相邻的一条第一数据信号线和一条第二数据信号线构成一个数据信号线组；多条扫描信号线和多个数
据信号线组划分出多个子像素单元；多个像素电极，位于数据信号线背离扫描信号线的一侧；像素电极与子像素单元一一对应，像素电极设置于对应的子像素单元的区域内；公共电极，位于数据信号线背离扫描信号线的一侧；有机膜层，位于像素电极和公共电极之间。通过对相邻的第一数据信号线和第二数据信号线加载的数据信号的极性相反，并将像素电极和公共电极扩大到相邻的第一数据信号线和第二数据信号线之上，使子像素单元的开口区不需要与第一数据信号线和第二数据信号线保持一定的余量，从而使得子像素单元的开口率增大，提高子像素单元的透过率。在公共电极和像素电极之间设置介电常数较小的有机膜层，拉大了公共电极和像素电极之间的距离，减小公共电极和像素电极之间的电容，即减小子像素单元的存储电容，因此显示面板的充电能力得以提升，再配合两行子像素单元同时充电，可以减少显示面板整体的充电时间，由此可以提高显示面板的刷新率。
104.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
105.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。