显示装置和制造显示装置的方法与流程

显示装置和制造显示装置的方法
1.本技术要求于2020年12月30日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0187105号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
2.本发明构思涉及一种显示装置和制造显示装置的方法。


背景技术：

3.随着信息社会的进步，用于显示图像的显示装置正被应用于各种不同的电子装置。例如，显示装置被应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。
4.显示装置可以包括诸如液晶显示装置和电泳显示装置的光接收型显示装置以及诸如包括有机发光元件的有机发光显示装置、包括无机发光元件(诸如无机半导体)的无机发光显示装置、场发射显示装置、以及包括微型发光元件的微型发光显示装置的自发光显示装置。


技术实现要素：

5.本发明构思的方面提供了一种其中增加了薄膜封装层的粘附性的显示装置。
6.本发明构思的方面不限于上面提及的方面，并且本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解上面未提及的其它技术方面。
7.根据本发明构思的实施例，显示装置包括基底。过孔层设置在基底上并且包括过孔槽，过孔槽具有从第一表面向与第一表面相对的第二表面凹入的形状。第一电极设置在过孔层的第一表面上。像素限定膜设置在过孔层和第一电极上。像素限定膜包括在厚度方向上穿过像素限定膜并且暴露第一电极的一部分的第一像素限定膜通孔。像素限定膜还包括在厚度方向上穿过像素限定膜的第二像素限定膜通孔。第二像素限定膜通孔与第一像素限定膜通孔间隔开，并且与过孔槽叠置。发射层设置在第一电极的被像素限定膜暴露的所述一部分上。突起设置在像素限定膜上并且包括突起通孔，突起通孔在厚度方向上穿过突起并且与第二像素限定膜通孔叠置。
8.根据本发明构思的实施例，显示装置包括基底。过孔层设置在基底上并且包括过孔槽，过孔槽具有从第一表面向与第一表面相对的第二表面凹入的形状。第一电极设置在过孔层的第一表面上。像素限定膜设置在过孔层和第一电极上。像素限定膜包括在厚度方向上穿过像素限定膜并且暴露第一电极的一部分的第一像素限定膜通孔。像素限定膜还包括在厚度方向上穿过像素限定膜的第二像素限定膜通孔。第二像素限定膜通孔与第一像素限定膜通孔间隔开，并且与过孔槽叠置。发射层设置在第一电极的被像素限定膜暴露的所述一部分上。第二电极设置在像素限定膜和发射层上。第一封装层设置在第二电极上。第二电极和第一封装层沿着第二像素限定膜通孔的内壁以及过孔槽的内壁和底表面设置。
9.根据本发明构思的实施例，制造显示装置的方法包括：准备基底，基底包括过孔
层、设置在过孔层上的第一电极、设置在过孔层和第一电极上的像素限定膜以及设置在像素限定膜上的突起。在基底上设置掩模图案。掩模图案暴露突起的一部分。通过掩模图案蚀刻突起、像素限定膜和过孔层。在蚀刻之后，过孔层包括具有从第一表面向与第一表面相对的第二表面凹入的形状的过孔槽，像素限定膜包括在厚度方向上穿过像素限定膜的第二像素限定膜通孔，并且突起包括在厚度方向上穿过突起的突起通孔。过孔槽、第二像素限定膜通孔和突起通孔彼此叠置。
10.根据本发明构思的实施例的显示装置，增加了薄膜封装层的粘附性，从而提高了显示装置的可靠性。
11.根据本发明构思的实施例的效果不受上面示出的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本说明书中。
附图说明
12.通过参照附图详细地描述本发明构思的实施例，本发明构思的上述和其它方面以及特征将变得更清楚，在附图中：
13.图1是根据本发明构思的实施例的处于展开状态的显示装置的透视图；
14.图2是根据本发明构思的实施例的处于折叠状态的显示装置的透视图；
15.图3是根据本发明构思的实施例的处于展开状态的显示装置的剖视图；
16.图4是根据本发明构思的实施例的处于内折叠状态的显示装置的剖视图；
17.图5是根据本发明构思的实施例的显示面板的剖视图；
18.图6是根据本发明构思的实施例的图5中的区域a的放大图；
19.图7是根据是否存在根据本发明构思的实施例的凹入图案通过测量封装层的张力而获得的图；
20.图8至图11是根据本发明构思的实施例的制造显示装置的方法的每个工艺的剖视图；
21.图12是根据本发明构思的实施例的显示面板的剖视图；
22.图13是根据本发明构思的实施例的显示面板的剖视图；以及
23.图14是根据本发明构思的实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
24.现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出了本发明构思的实施例。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了将本发明构思传达给本领域技术人员。
25.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在中间层。当层被称为“直接在”另一层或基底“上”时，可以不存在中间层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。
26.尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或者暗示存在第二元件或其它元件。术语“第一”、“第二”等也可以在这里用于区分元件的不同类别或组(集合)。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
27.在下文中，将参照附图描述实施例。
28.图1是根据实施例的处于展开状态的显示装置的透视图。图2是根据实施例的处于折叠状态的显示装置的透视图。图2示出了根据实施例的处于内折叠状态的显示装置。
29.参照图1和图2的实施例，显示装置1通过稍后将描述的显示区域da显示图像，并且显示装置1可以应用于各种不同的装置。例如，在实施例中，显示装置1可以应用于移动电话、平板pc、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、电视、游戏机、腕表型电子装置、头戴式显示器、个人计算机监视器、膝上型计算机、汽车导航装置、汽车仪表板、数码相机、摄像机、室外广告牌、电子标牌、医疗装置、检查装置、诸如冰箱和洗衣机的各种家用电器、或者除了智能电话之外的物联网装置。然而，本发明构思的实施例不限于此。
30.显示装置1包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以显示图像。显示区域da可以包括多个像素。在实施例中，多个像素可以以矩阵形式布置。非显示区域nda可以是其中不显示图像的区域。当显示装置1具有触摸感测功能时，显示装置1可以包括其中感测触摸输入的触摸区域，并且触摸区域可以与显示区域da叠置。在实施例中，触摸区域可以与显示区域da基本相同。然而，本发明构思的实施例不限于此。
31.在实施例中，显示区域da的形状可以与显示区域da应用于其的显示装置1的形状对应。例如，在平面上，显示区域da可以具有其角部具有直角的矩形形状，或者具有圆角的矩形形状。然而，显示区域da的平面形状不限于图中所示的矩形形状，并且可以具有圆形形状、椭圆形形状或各种其它形状。
32.在图1所示的实施例中，显示区域da的矩形形状的相对较短的边在第一方向dr1上延伸，而相对较长的边在与第一方向dr1垂直的第二方向dr2上延伸。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且显示区域da的相对较长的边和相对较短的边可以以各种方式布置。第三方向dr3垂直于第一方向dr1和第二方向dr2中的每个，并且可以表示显示装置1的厚度方向。然而，在实施例中提及的方向应被理解为表示相对的方向，并且本发明构思的实施例不限于所提及的方向。
33.除非另有定义，否则在本说明书中，相对于第三方向dr3表达的术语“上部”、“上表面”和“上侧”表示相对于显示面板10的显示表面侧，而术语“下部”、“下表面”和“下侧”表示相对于显示面板10的显示表面的相对侧。
34.非显示区域nda可以围绕显示区域da的周边。例如，在实施例中，非显示区域nda可以(例如，在第一方向dr1和第二方向dr2上)围绕显示区域da的所有侧。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且非显示区域nda可以不设置在显示区域da的四个侧的至少一部分附近。例如，显示区域da可以延伸到显示装置1的至少一个边缘，并且非显示区域nda可以不与所述至少一个边缘相邻地设置。显示装置1的边框区域可以构成为非显示区域nda。
35.在实施例中，显示装置1可以是可折叠显示装置。在本说明书中，可折叠显示装置是能够折叠的显示装置，并且表示能够具有折叠状态和展开状态两者的显示装置。此外，折叠通常包括以约180
°
的角度折叠。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且当折叠角度超过或者小于180
°
时，例如，当折叠角度为90
°
或更大且小于180
°
或者为120
°
或更大且小于
180
°
时，它可以被认为是折叠的。此外，即使未完全执行折叠状态，当折叠状态脱离展开状态并且处于弯曲状态时，它也可以被称为折叠状态。例如，即使显示装置以90
°
或更小的角度弯曲，只要最大折叠角度为90
°
或更大，它也可以被表达为处于折叠状态，以将它与展开状态区分开。
36.显示装置1可以包括折叠区域fda(或折叠线)。显示装置1可以基于折叠区域fda来折叠。折叠方法可以分为内折叠方法(in-folding method)和外折叠方法(out-folding method)，在内折叠方法中，显示装置1的显示表面向内折叠，在外折叠方法中，显示装置1的显示表面向外折叠。图2示出了处于内折叠状态的显示装置1。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且显示装置1可以以外折叠方法折叠。
37.此外，显示装置1可以仅以内折叠方法和外折叠方法中的一种折叠，或者显示装置1可以以内折叠和外折叠两者折叠。在其中显示装置1可以执行内折叠和外折叠两者的实施例中，可以基于同一折叠区域(fda)来执行内折叠和外折叠，并且显示装置1可以包括执行不同类型的折叠的多个折叠区域，诸如内折叠专用折叠区域和外折叠专用折叠区域。
38.折叠区域fda可以在平行于显示装置1的一侧的方向上纵向延伸。例如，在实施例中，折叠区域fda可以在第一方向dr1上纵向延伸，显示装置1的相对短的边在第一方向dr1上延伸。在具有其中附图中所示的在第二方向dr2上延伸的边比在第一方向dr1上延伸的边相对长的矩形形状的显示装置1中，当显示装置1具有在第一方向dr1上延伸的折叠区域fda时，显示装置1的相对较长的边(例如，在第二方向dr2上延伸的边)在折叠之后减小到一半或更少，但是相对较短的边(在第一方向dr1上延伸的边)可以保持原样。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，折叠区域fda可以在与相对较长的边(例如，在第二方向dr2上延伸的边)的延伸方向相同的方向(例如，第二方向dr2)上延伸。
39.折叠区域fda也可以在第二方向dr2上具有预定宽度。在实施例中，折叠区域fda在第二方向dr2上的宽度可以比在第一方向dr1上的宽度小。
40.显示装置1可以包括设置在折叠区域fda周围的非折叠区域nfa。如图1的实施例中所示，非折叠区域nfa可以包括定位在折叠区域fda的在第二方向dr2上的一侧(例如，上侧)处的第一非折叠区域nfa1和定位在折叠区域fda的在第二方向dr2上的另一侧(例如，下侧)处的第二非折叠区域nfa2。在实施例中，第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2在第二方向dr2上的宽度可以彼此基本相同。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且第一非折叠区域nfa1在第二方向dr2上的宽度和第二非折叠区域nfa2在第二方向dr2上的宽度可以根据折叠区域fda的位置而彼此不同。
41.上述显示装置1的显示区域da/非显示区域nda以及折叠区域fda/非折叠区域nfa可以在同一位置处彼此叠置。例如，具体位置可以是显示区域da，并且同时可以是第一非折叠区域nfa1。另一具体位置可以是非显示区域nda，并且同时可以是第一非折叠区域nfa1。又一具体位置可以是显示区域da，并且同时可以是折叠区域fda。
42.显示区域da可以遍布第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2两者设置。此外，显示区域da也可以定位在与第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2之间的边界对应的折叠区域fda中。例如，显示装置1的显示区域da可以连续地设置，而与非折叠区域nfa、折叠区域fda等的边界无关。然而，本发明构思不限于此。例如，在实施例中，显示区域da可以仅定位在第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2中的一者中，并且可以定位或者可
以不定位在折叠区域fda中。在实施例中，显示区域da设置在第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2中，但是显示区域da可以不设置在折叠区域fda中。
43.图3是根据实施例的处于展开状态的显示装置的剖视图。图4是根据实施例的处于内折叠状态的显示装置的剖视图。
44.参照图3和图4的实施例，显示装置1可以包括显示面板10、顺序地堆叠在显示面板10的在厚度方向上的一侧(例如，在第三方向dr3上的上侧)上的抗反射构件20、冲击吸收层30、覆盖窗40和覆盖窗保护层50以及顺序地堆叠在显示面板10的在厚度方向上的另一侧(例如，在第三方向dr3上的下侧)上的聚合物膜层fl、垫层cu和散热构件hp。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且还可以在层中的每个层之间设置另一层，并且可以省略堆叠构件的一部分。此外，诸如粘附层的至少一个结合构件可以设置在堆叠构件之间，以将相邻的堆叠构件结合。
45.显示面板10是显示图像的面板，例如，显示面板10不仅可以包括诸如有机发光显示面板、无机发光显示面板、量子点发光显示面板、微led显示面板、纳米led显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板或阴极射线管显示面板等的自发光显示面板，而且还可以包括诸如液晶显示面板或电泳显示面板等的光接收显示面板。在下文中，为了便于解释，将把有机发光显示面板作为显示面板10的示例进行描述，并且只要不需要特别区分，那么就把应用于实施例的有机发光显示面板简单地缩写为显示面板。然而，本发明构思的实施例不限于有机发光显示面板，并且在本发明构思的范围内可以应用上面列出的或本领域已知的另一显示面板。稍后将描述显示面板10的详细结构。
46.抗反射构件20可以设置在显示面板10上。抗反射构件20可以用于减少外部光的反射。在实施例中，抗反射构件20可以以偏振膜的形式设置。在本实施例中，抗反射构件20使通过的光偏振。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且抗反射构件20可以在显示面板10中设置为滤色器层。
47.冲击吸收层30可以设置在抗反射构件20上。冲击吸收层30可以增加覆盖窗40的耐久性(durability)，从而以增加光学性能。冲击吸收层30可以是光学透明的。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，可以省略冲击吸收层30。
48.覆盖窗40可以设置在冲击吸收层30上。覆盖窗40可以用于覆盖并保护显示面板10。覆盖窗40可以由透明材料制成。在实施例中，覆盖窗40可以包括例如玻璃或塑料。
49.在覆盖窗40包括玻璃的实施例中，玻璃可以是超薄玻璃(utg)或薄膜玻璃。在覆盖窗40包括塑料的实施例中，塑料可以是透明聚酰亚胺。然而，本发明构思的实施例不限于此。覆盖窗40可以具有柔性特性以被弯曲，或者可以具有能够弯曲、折叠和卷曲的特性。
50.覆盖窗保护层50可以设置在覆盖窗40上。在实施例中，覆盖窗保护层50可以执行防止散射、吸收冲击、防止凹陷(preventing denting)、防止指纹和防止覆盖窗40的眩光(glare)的功能中的至少一种。覆盖窗保护层50可以包括透明聚合物膜。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，可以省略覆盖窗保护层50。
51.聚合物膜层fl可以设置在显示面板10下方。聚合物膜层fl可以包含例如选自聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、聚砜(psf)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、三乙酰纤维素(tac)和环烯烃聚合物(cop)等中的至少一种化合物。聚合物膜层fl可以在其至少一个表面上包括功能层。所述功能层可以包括例如
光吸收层。光吸收层可以包括光吸收材料，例如，黑色颜料或染料。例如，光吸收层可以是黑色墨，并且可以通过涂覆或印刷方法形成在聚合物膜上。
52.垫层cu可以(例如，在第三方向dr3上)设置在聚合物膜层fl下方。垫层cu增加了对可能施加在显示装置1的厚度方向(例如，第三方向dr3)上的冲击进行抵抗的耐久性，并且当显示装置1掉落时，垫层cu可以用于减小对显示装置1的掉落冲击。在实施例中，垫层cu可以包含聚氨酯等。
53.散热构件hp可以设置在聚合物膜层fl下方。散热构件hp用于使从显示面板10或显示装置1的其它组件产生的热量扩散。在实施例中，散热构件hp可以包括金属板。金属板可以包括例如具有优异导热性的金属，诸如铜或银。散热构件hp也可以包括包含石墨或碳纳米管等的散热片。然而，本发明构思的实施例不限于此。
54.为了促进显示装置1的折叠，显示装置1的一些层可以基于折叠区域fda而分离。例如，构成显示装置1的最下层并且具有低延展性的散热构件hp可以基于折叠区域fda而分离。
55.垫层cu或聚合物膜层fl也可以基于折叠区域fda而分离，但是当垫层cu或聚合物膜层fl具有足够的延展性时，垫层cu或聚合物膜层fl也可以一体地连接，而不管折叠区域fda和非折叠区域nfa。
56.如图4的实施例中所示，当显示装置1基于折叠区域fda而内折叠时，第二非折叠区域nfa2可以在厚度方向(例如，第三方向dr3)上与第一非折叠区域nfa1叠置。在实施例中，与分离的散热构件hp不同，显示面板10、聚合物膜层fl、垫层cu、抗反射构件20、覆盖窗40和覆盖窗保护层50无论折叠区域fda如何都连接，并且可以弯曲以沿着折叠区域fda的宽度方向在剖视图中形成曲线。
57.在下文中，将参照图5和图6描述根据实施例的显示面板10的特定堆叠结构。
58.图5是根据一个实施例的显示面板的剖视图。图6是图5中的区域a的放大图。
59.如图5和图6的实施例中所示，显示面板10可以包括多个像素，并且每个像素可以包括至少一个薄膜晶体管tr。显示面板10可以包括基底sub、阻挡层110、缓冲层120、半导体层130、第一绝缘层il1、第一栅极导电层140、第二绝缘层il2、第二栅极导电层150、第三绝缘层il3、数据导电层160、过孔层via、阳极ano、包括暴露阳极ano的第一像素限定膜通孔op的像素限定膜pdl、设置在像素限定膜pdl上的突起sc、设置在像素限定膜pdl的第一像素限定膜通孔op中的发射层eml、设置在发射层eml和像素限定膜pdl上的阴极cat以及设置在阴极cat上的封装层(也被称为封装膜)enl。在实施例中，上述层可以由单层膜形成，但是也可以由包括多个膜的堆叠膜形成。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，可以在层之间进一步设置一个或更多个附加层。
60.基底sub可以支撑设置在基底sub上的层。在实施例中，基底sub可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成，或者可以由诸如玻璃或石英的无机材料制成。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且基底sub可以是透明板或透明膜。
61.在实施例中，基底sub可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且基底sub可以是刚性基底。
62.阻挡层110设置在基底sub上(例如，在第三方向dr3上直接设置在基底sub上)。阻挡层110可以防止杂质离子的扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以执行表面平
坦化功能。在实施例中，阻挡层110可以包含选自氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种化合物。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，根据基底sub的类型或工艺条件等，可以省略阻挡层110。
63.缓冲层120设置在阻挡层110上(例如，在第三方向dr3上直接设置在阻挡层110上)。缓冲层120可以防止杂质离子的扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。在实施例中，缓冲层120可以包含氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，根据基底sub的类型或工艺条件等，可以省略缓冲层120。
64.半导体层130设置在缓冲层120上。半导体层130形成像素的薄膜晶体管tr的沟道。在实施例中，半导体层130可以包括多晶硅。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且半导体层130可以包括选自单晶硅、低温多晶硅和非晶硅中的至少一种材料。
65.在实施例中，半导体层130可以包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括选自氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌锡(zto)和氧化铟锡(ito)等中的至少一种化合物。
66.第一绝缘层il1设置在半导体层130和缓冲层120上(例如，在第三方向dr3上直接设置在半导体层130和缓冲层120上)。第一绝缘层il1可以是具有栅极绝缘功能的第一栅极绝缘膜。在实施例中，第一绝缘层il1可以包括选自硅化合物和金属氧化物中的至少一种材料。
67.第一栅极导电层140设置在第一绝缘层il1上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第一绝缘层il1上)。第一栅极导电层140可以包括像素的薄膜晶体管tr的栅电极gat、连接到栅电极gat的扫描线以及存储电容器的第一电极ce1。
68.在实施例中，第一栅极导电层140可以包含选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种金属。然而，本发明构思的实施例不限于此。
69.第二绝缘层il2可以设置在第一栅极导电层140和第一绝缘层il1上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第一栅极导电层140和第一绝缘层il1上)。第二绝缘层il2可以是层间绝缘膜或第二栅极绝缘膜。在实施例中，第二绝缘层il2可以包含诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌的无机绝缘材料。然而，本发明构思的实施例不限于此。
70.第二栅极导电层150设置在第二绝缘层il2上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第二绝缘层il2上)。第二栅极导电层150可以包括存储电容器的第二电极ce2。在实施例中，第二栅极导电层150可以包含选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种金属。在实施例中，第二栅极导电层150可以由与第一栅极导电层140相同的材料制成。然而，本发明构思的实施例不限于此。
71.第三绝缘层il3设置在第二栅极导电层150和第二绝缘层il2上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第二栅极导电层150和第二绝缘层il2上)。第三绝缘层il3可以是层间绝缘膜。在实施例中，第三绝缘层il3可以包含诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌的无机绝缘材料。
72.数据导电层160设置在第三绝缘层il3上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第三
绝缘层il3上)。如图5的实施例中所示，数据导电层160可以包括显示面板10的一个像素的薄膜晶体管tr的第一电极sd1和第二电极sd2以及第一电力线elvdde。薄膜晶体管tr的第一电极sd1和第二电极sd2可以通过穿过第三绝缘层il3、第二绝缘层il2和第一绝缘层il1的接触孔电连接到半导体层130的源区和漏区。第一电力线elvdde可以通过穿过第三绝缘层il3的接触孔电连接到存储电容器的第二电极ce2。
73.在实施例中，数据导电层160可以包含选自铝(al)、钼(mo)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种金属。数据导电层160可以是单层膜或多层膜。例如，数据导电层160可以形成为诸如ti/al/ti、mo/al/mo、mo/alge/mo或ti/cu等的堆叠结构。
74.过孔层via(或平坦化层)设置在数据导电层160和第三绝缘层il3上(例如，在第三方向dr3上直接设置在数据导电层160和第三绝缘层il3上)。过孔层via覆盖数据导电层160。过孔层via可以是过孔层。过孔层via可以包含有机绝缘材料。在其中过孔层via包含有机绝缘材料的实施例中，尽管台阶位于过孔层via下方，过孔层via的上表面也可以是基本平坦的。
75.过孔层via可以包括第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)和第二表面viab(例如，在第三方向dr3上的下表面)，第二表面viab是与第一表面viaa相对的表面。过孔层via的第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)可以面对像素限定膜pdl的第二表面(例如，在第三方向dr3上的下表面)，过孔层via的第二表面viab可以面对第三绝缘层il3的第一表面(例如，在第三方向dr3上的上表面)。
76.如图6的实施例中所示，过孔层via还可以包括过孔槽gr(例如，过孔凹入图案)。过孔槽gr可以通过过孔层via而被限定。过孔槽gr可以具有从过孔层via的第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)朝向第二表面viab(例如，在第三方向dr3上的下表面)凹入的形状。过孔槽gr可以包括底表面gra和从底表面gra大致在厚度方向上延伸的内壁grb。过孔槽gr的内壁grb可以连接到过孔层via的第一表面viaa。在实施例中，可以通过去除过孔层via的至少一部分来限定过孔槽gr。在通过去除过孔层via的一部分来限定过孔槽gr的实施例中，可以通过去除过孔层via的上层的一部分来限定过孔槽gr。过孔槽gr可以形成凹入图案rc的一部分。例如，过孔槽gr可以形成凹入图案rc的(例如，在第三方向dr3上的)下部。
77.阳极ano设置在过孔层via上。例如，阳极ano可以设置在过孔层via的第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)上。在实施例中，阳极ano可以是针对每个像素设置的像素电极。阳极ano可以通过穿过过孔层via的接触孔cnt连接到薄膜晶体管tr的第二电极sd2。阳极ano可以与像素的发射区域ema至少部分地叠置。
78.在实施例中，阳极ano可以具有其中堆叠有具有高逸出功的材料层(诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)的层)和反射材料层(诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、铅(pb)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的混合物的层)的堆叠膜结构。然而，本发明构思的实施例不限于此。具有高逸出功的材料层可以设置在反射材料层上方，以靠近发射层eml。在实施例中，阳极ano可以具有ito/mg、ito/mgf、ito/ag或ito/ag/ito的多层结构。然而，本发明构思的实施例不限于此。
79.像素限定膜pdl可以设置在阳极ano上(例如，在第三方向dr3上直接设置在阳极
ano上)。像素限定膜pdl可以设置在阳极ano上，并且可以包括暴露阳极ano的第一像素限定膜通孔op。第一像素限定膜通孔op通过像素限定膜pdl而被限定，并且可以在厚度方向上穿过像素限定膜pdl。发射区域ema和设置在发射区域ema周围的非发射区域nem可以通过像素限定膜pdl和第一像素限定膜通孔op划分。像素限定膜pdl可以包含有机绝缘材料。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且像素限定膜pdl可以包含无机材料。
80.像素限定膜pdl还可以包括第二像素限定膜通孔hle1。第二像素限定膜通孔hle1可以通过像素限定膜pdl限定。第二像素限定膜通孔hle1可在厚度方向(例如，第三方向dr3)上穿过像素限定膜pdl。第二像素限定膜通孔hle1可以(例如，在第一方向dr1和/或第二方向dr2上)与第一像素限定膜通孔op分离，以彼此间隔开。第二像素限定膜通孔hle1设置在非发射区域nem中，并且第二像素限定膜通孔hle1可以(例如，在第三方向dr3上)不与阳极ano叠置。例如，凹入图案rc可以设置在非发射区域nem中，并且可以不与阳极ano叠置。
81.第二像素限定膜通孔hle1可以(例如，在第三方向dr3上)与过孔层via的过孔槽gr叠置。第二像素限定膜通孔hle1可以暴露其下方的过孔层via。例如，第二像素限定膜通孔hle1可以暴露过孔层via的过孔槽gr的底表面gra和内壁grb。如图6的实施例中所示，像素限定膜pdl的限定第二像素限定膜通孔hle1的内壁可以与过孔层via的过孔槽gr的内壁grb对准。然而，本发明构思的实施例不限于此。第二像素限定膜通孔hle1可以形成凹入图案rc的一部分。
82.在实施例中，突起sc可以设置在像素限定膜pdl上(例如，在第三方向dr3上直接设置在像素限定膜pdl上)。突起sc可以在厚度方向上从像素限定膜pdl的第一侧(例如，在第三方向dr3上的上侧)的至少部分区域突出。突起sc可以用于保持与设置在突起sc上的结构的距离。例如，尽管本发明构思不限于此，但是突起sc可以通过精细金属掩模(fmm)来防止在显示面板10上发生诸如凹痕的缺陷。在实施例中，与像素限定膜pdl一样，突起sc可以包含有机绝缘材料。在实施例中，可以通过同一工艺与像素限定膜pdl一起形成突起sc。然而，本发明构思的实施例不限于此。
83.突起sc可以包括突起通孔hle2。突起通孔hle2可以通过突起sc而被限定。突起通孔hle2可以在厚度方向(例如，第三方向dr3)上穿过突起sc。突起通孔hle2可以(例如，在第三方向dr3)与像素限定膜pdl的第二像素限定膜通孔hle1和过孔层via的过孔槽gr叠置。突起通孔hle2可以将其下方的过孔层via与第二像素限定膜通孔hle1一起暴露。如图6的实施例中所示，突起sc的限定突起通孔hle2的内壁可以与像素限定膜pdl的限定第二像素限定膜通孔hle1的内壁对准。然而，本发明构思的实施例不限于此。突起通孔hle2可以形成凹入图案rc的一部分。例如，突起通孔hle2可以形成凹入图案rc的(例如，在第三方向dr3上的)上部。然而，本发明构思的实施例不限于此。
84.发射层eml设置在被像素限定膜pdl暴露的阳极ano上(例如，在第三方向dr3上直接设置在阳极ano上)。在实施例中，发射层eml可以包括有机材料层。发射层eml的有机材料层包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。然而，本发明构思的实施例不限于此。
85.阴极cat可以设置在发射层eml上(例如，在第三方向dr3上直接设置在发射层eml上)。阴极cat可以是整体地设置而不区分像素的共电极。阳极ano、发射层eml和阴极cat可以构成有机发光器件。
86.在实施例中，阴极cat可以包括诸如li、ca、lif、al、mg、ag、pt、pd、ni、au、nd、ir、cr、baf、ba或它们的化合物或混合物(例如ag和mg的混合物等)的层、或者lif/ca、lif/al的多层的具有低逸出功的材料层。阴极cat还可以包括设置在具有低逸出功的材料层上的透明金属氧化物层。
87.在实施例中，封装膜enl包括第一封装膜en1、第二封装膜en2和第三封装膜en3。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且封装膜enl的封装膜的数量可以变化。封装膜enl设置在阴极cat上(例如，在第三方向dr3上直接设置在阴极cat上)。在实施例中，第一封装膜en1和第三封装膜en3可以在封装膜enl的端部处彼此直接接触。第二封装膜en2可以被第一封装膜en1和第三封装膜en3密封。
88.第一封装膜en1和第三封装膜en3可以均包含有无机材料。例如，在实施例中，无机材料可以包括选自氮化硅、氧化硅和氧化硅等中的至少一种化合物。然而，本发明构思的实施例不限于此。第二封装膜en2可以包含有机材料。尽管本公开不限于此，但是有机材料可以包括例如有机绝缘材料。
89.显示面板10还可以包括至少一个凹入图案rc。凹入图案rc可以通过突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via而被限定。例如，在实施例中，可以通过去除突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via的至少一部分来限定凹入图案rc。在该实施例中，凹入图案rc在厚度方向上(例如，在第三方向dr3上)穿过突起sc和像素限定膜pdl，并且可以包括从过孔层via的第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)朝向过孔层via的第二表面viab(例如，在第三方向dr3上的下表面)凹入的形状。
90.例如，凹入图案rc可以由突起sc的突起通孔hle2、像素限定膜pdl的第二像素限定膜通孔hle1和过孔层via的过孔槽gr构成。凹入图案rc可以通过突起sc的突起通孔hle2、像素限定膜pdl的第二像素限定膜通孔hle1和过孔层via的过孔槽gr而被限定。在该实施例中，凹入图案rc的侧表面可以包括突起sc的限定突起通孔hle2的内壁、像素限定膜pdl的限定第二像素限定膜通孔hle1的内壁以及过孔层via的过孔槽gr的内壁grb。凹入图案rc的底表面可以包括过孔层via的过孔槽gr的底表面gra。
91.在实施例中，凹入图案rc在平面上可以不与数据线和第一电力线elvdde叠置。凹入图案rc在平面上可以设置在多条数据线之间或者设置在数据线与第一电力线elvdde之间。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且数据线和第一电力线elvdde在平面上可以通过绕过其中设置有凹入图案rc的区域延伸。
92.如图6的实施例中所示，阴极cat、第一封装膜en1和第二封装膜en2可以设置在凹入图案rc中。阴极cat可以沿着凹入图案rc的表面设置。阴极cat可以沿着凹入图案rc的侧表面和底表面设置。例如，阴极cat可以沿着突起sc的限定突起通孔hle2的内壁、像素限定膜pdl的限定第二像素限定膜通孔hle1的内壁以及过孔层via的过孔槽gr的内壁grb和底表面gra设置。如图6的实施例中所示，阴极cat可以在过孔层via的过孔槽gr中与过孔层via直接接触。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在其中发射层eml设置在像素限定膜pdl的第一像素限定膜通孔op内部并且设置在像素限定膜pdl的整个区域之上的实施例中，发射层eml可以设置在凹入图案rc中，并且发射层eml可以与过孔层via直接接触。可选地，阴极cat和发射层eml可以不设置在凹入图案rc的至少一部分中。在该实施例中，第一封装膜en1可以与过孔层via、像素限定膜pdl和突起sc中的至少一个直接接触。
93.如图6的实施例中所示，在凹入图案rc中，第一封装膜en1可以设置在阴极cat上(例如，直接设置在阴极cat上)，并且第二封装膜en2可以设置在第一封装膜en1上(例如，直接设置在第一封装膜en1上)。第二封装膜en2可以填充凹入图案rc的内部区域，诸如突起通孔hle2、第二像素限定膜通孔hle1和过孔槽gr的在设置了阴极cat和第一封装膜en1之后剩余的剩余部分。凹入图案rc的所述内部区域可以通过凹入图案rc内部的第一封装膜en1的相对侧而被限定。如图6的实施例中所示，凹入图案rc中的阴极cat和第一封装膜en1的各自厚度可以基本恒定，并且凹入图案rc的形成在第一封装膜en1的相对侧之间的所述内部区域的宽度可以从凹入图案rc的下侧朝向凹入图案rc的上侧增大。然而，本发明构思的实施例不限于此。
94.如图6的实施例中所示，凹入图案rc的底表面(例如，过孔槽gr的底表面gra)可以相对于基底sub的第一表面(例如，在第三方向dr3上的上表面)或第二表面(例如，在第三方向dr3上的下表面)定位在比过孔层via的第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)低的位置(例如，更低的高度)处。例如，凹入图案rc的底表面(例如，过孔槽gr的底表面gra)可以相对于基底sub的第一表面或第二表面定位在第一高度h1处，并且过孔层via的第一表面viaa(例如，第三方向dr3上的上表面)可以相对于基底sub的第一表面或第二表面定位在第二高度h2处。第二高度h2可以相对于基底sub的第一表面或第二表面定位在比第一高度h1高的水平处。
95.在实施例中，设置在凹入图案rc中的阴极cat可以相对于基底sub的第一表面或第二表面定位在比发射层eml低的高度处。例如，阳极ano设置在过孔层via的定位在第二高度h2处的上表面上，并且发射层eml设置在阳极ano上，然而设置在凹入图案rc中的阴极cat定位在第一高度h1处。因此，设置在凹入图案rc中的阴极cat可以相对于基底sub的第一表面或第二表面定位在比发射层eml低的高度处。
96.由于可以通过去除突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via的至少一部分来限定凹入图案rc，因此封装层enl的粘附性可以增加。例如，当封装层enl的第一封装膜en1和第二封装膜en2设置在凹入图案rc中并且凹入图案rc通过突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via而被限定时，凹入图案rc上的其中设置有第一封装膜en1的区域可以增大。也就是说，当阴极cat设置在凹入图案rc内部时，第一封装膜en1与阴极cat之间的接触面积(区域)可以通过凹入图案rc而增大。
97.此外，当显示装置1(见图1和图2)折叠时，诸如剪切应力的应力可施加到封装层enl。然而，当凹入图案rc通过突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via而被限定并且第一封装膜en1和第二封装膜en2设置在凹入图案rc内部时，能够由于凹入图案rc的深度(例如，在厚度方向上的深度)来抑制或者防止第一封装膜en1和第二封装膜en2从凹入图案rc剥离。此外，可以增加封装层enl的粘附性。封装层enl的粘附性可以指第一封装膜en1与阴极cat之间的粘附性以及第一封装膜en1与第二封装膜en2之间的粘附性。
98.图7是根据是否存在根据实施例的凹入图案通过测量封装层的张力而获得的图。
99.进一步参照图7的实施例，图7的x轴(横轴)表示凹入图案rc的存在/不存在和数量，y轴(纵轴)表示封装层enl的张力(kgf)。情况a表示其中显示面板10不包括凹入图案rc的实施例，情况b表示凹入图案rc设置在显示面板10的像素中的一半像素中的实施例，情况c表示凹入图案rc设置在显示面板10的像素中的所有像素中的实施例。
100.在封装层enl形成在阴极cat上之后，刚好将封装层enl从阴极cat拉动并且剥离时的力被测量为封装层enl的张力。在情况a、情况b或情况c中，封装层enl的张力被测量四次。
101.在图的情况a中，封装层的张力的最小值为约7kgf，最大值为约11kgf，并且中值为约8kgf。在图的情况b中，封装层的张力的最小值为约15.5kgf，最大值为约18kgf，并且中值为约17kgf。在图的情况c中，封装层的张力的最小值为约26kgf，最大值为约31kgf，并且中值为约29kgf。
102.在其中显示面板10包括凹入图案rc的情况b或情况c中的封装层enl的张力可以比在其中显示面板10不包括凹入图案rc的情况a中的封装层enl的张力大。此外，随着凹入图案rc的数量增加，封装层enl的张力可以增大。因此，由于显示面板10包括凹入图案rc，因此可以增加封装层enl的粘附性。此外，可以提高显示面板10和显示装置1(见图1和图2)的机械稳定性，并且可以提高可靠性。
103.在下文中，将描述根据实施例的制造显示装置1的方法。
104.图8至图11是根据本发明构思的实施例的制造显示装置的方法的每个工艺的剖视图。
105.首先，参照图8的实施例，准备其上设置有阻挡层110和缓冲层120的基底sub。然后在缓冲层120上顺序地形成半导体层130、第一绝缘层il1、第一栅极导电层140、第二绝缘层il2、第二栅极导电层150、第三绝缘层il3、数据导电层160、过孔层via、阳极ano、像素限定膜pdl和突起sc。
106.在实施例中，可以通过包覆式沉积(blanket-depositing，或称为毯式沉积、均厚沉积)每个材料层然后通过光刻工艺图案化所述每个材料层来形成如图8中所示的半导体层130、第一栅极导电层140、第二栅极导电层150、数据导电层160和阳极ano。
107.在实施例中，可以通过包覆式涂覆(blanket-applying，或称为毯式涂覆、均厚涂覆)包含感光材料的有机材料层然后对所述有机材料层执行曝光和显影来形成如图8中所示的像素限定膜pdl和突起sc。在实施例中，可以使用半色调掩模(half-tone mask)同时形成像素限定膜pdl和突起sc。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且也可以通过彼此不同的掩模工艺来形成像素限定膜pdl和突起sc。
108.第一绝缘层il1、第二绝缘层il2、第三绝缘层il3和过孔层via可以覆盖位于它们下方的构造，并且可以形成在基底sub的整个区域之上。
109.参照图9的实施例，然后在像素限定膜pdl和突起sc上形成图案化的掩模图案ms。
110.例如，掩模图案ms可以暴露突起sc的一个表面(例如，突起sc的上表面的一部分)。可以在阳极ano、发射层eml以及像素限定膜pdl和突起sc上设置掩模图案ms。换言之，掩模图案ms可以覆盖像素限定膜pdl和阳极ano，并且可以暴露突起sc的一个表面。然而，本发明构思的实施例不限于此，掩模图案ms可以设置在阳极ano、像素限定膜pdl和突起sc上。换言之，如下面参照图11所描述的，可以在去除掩模图案ms之后，在像素限定膜pdl上形成发射层eml。
111.在实施例中，可以通过包覆式沉积用于掩模图案ms的材料层然后通过光刻工艺图案化材料层来形成如图9中所示的掩模图案ms。掩模图案ms可以包括选自透明导电氧化物和无机膜中的至少一种材料。在实施例中，导电氧化物可以包括选自氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)中的至少一种化合物，并且无机膜可以包括铝(al)等。然而，本发明构思的实施
例不限于此。在其中掩模图案ms包括选自氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)中的至少一种化合物的实施例中，氧化铟锡(ito)和/或氧化铟锌(izo)可以是无定形的。
112.参照图10的实施例，使用掩模图案ms作为蚀刻掩模来形成凹入图案rc。
113.例如，使用掩模图案ms作为蚀刻掩模来蚀刻突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via的至少一部分。因此，可以形成凹入图案rc。在实施例中，可以通过干法蚀刻来执行蚀刻突起sc、像素限定膜pdl和过孔层via的至少一部分的工艺。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且也可以通过湿法蚀刻等来执行蚀刻工艺。
114.在形成凹入图案rc的工艺中，可以形成突起sc的突起通孔hle2(见图6)、像素限定膜pdl的第二像素限定膜通孔hle1(见图6)和过孔层via的过孔槽gr(见图6)。
115.在其中包括透明导电氧化物的掩模图案ms用作蚀刻掩模的实施例中，即使凹入图案rc的宽度相对窄并且厚度方向上的深度大，也可以更精细且平滑地形成凹入图案rc。因此，能够减小其中设置有凹入图案rc的非发射区域nem，使得可以在具有相同面积的基底sub上设置更多的发射区域ema，从而实现高分辨率。
116.参照图11的实施例，然后顺序地形成发射层eml、阴极cat和封装层enl。
117.例如，在去除掩模图案ms之后，在像素限定膜pdl的暴露阳极ano的第一像素限定膜通孔op中形成发射层eml。在实施例中，发射层eml的一部分可以形成在像素限定膜pdl的第一像素限定膜通孔op的外部。然而，本发明构思的实施例不限于此。
118.在形成发射层eml之后，形成阴极cat。阴极cat可以设置在发射层eml、像素限定膜pdl和突起sc上。此外，阴极cat可以设置在凹入图案rc中。
119.在形成阴极cat之后，然后在阴极cat上形成封装层enl。在实施例中，在阴极cat上设置第一封装膜en1，在第一封装膜en1上设置第二封装膜en2，在第二封装膜en2上设置第三封装膜en3。
120.在下文中，将描述实施例。在下面的实施例中，将省略或者简化与已经描述的实施例的组件相同的组件的描述，并且为了便于解释，将主要描述差异。
121.图12是根据实施例的显示面板的剖视图。
122.参照图12的实施例，图12的实施例与图5的实施例的不同之处在于：根据本实施例的显示面板10_1的突起sc_1的侧表面的至少一部分包括倒圆形状(弧形形状)。在其中设置有凹入图案rc的区域中，包括突起通孔hle2(见图6)的突起sc_1可以包括第一表面(例如，在第三方向dr3上的上表面)、第二表面(例如，在第三方向dr3上的下表面)以及连接到第一表面和第二表面的侧表面，并且突起sc_1的侧表面的至少一部分可以包括倒圆形状。突起sc_1的所述侧表面可以是与突起sc_1的限定突起通孔hle2(见图6)的内壁相对的表面。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且突起sc_1的侧表面和上表面两者可以具有倒圆形状。
123.即使在该实施例中，也可以通过凹入图案rc来增加封装层enl的粘附性，并且也可以提高显示面板10_1的机械稳定性和可靠性。此外，由于突起sc_1的侧表面包括倒圆形状，因此能够抑制或者防止可能在突起sc_1的侧表面与像素限定膜pdl的一个表面之间发生的诸如阴极cat断开的缺陷。
124.图13是根据实施例的显示面板的剖视图。
125.参照图13的实施例，图13的实施例与图5的实施例的不同之处在于：显示面板10_2
还包括子凹入图案rcs_2。
126.例如，显示面板10_2还可以包括子凹入图案rcs_2。子凹入图案rcs_2可以设置在其中未设置突起sc的区域中。如图13的实施例中所示，子凹入图案rcs_2可以通过像素限定膜pdl和过孔层via而被限定。例如，在实施例中，可以通过去除像素限定膜pdl和过孔层via的至少一部分来限定子凹入图案rcs_2。在该实施例中，子凹入图案rcs_2可以在厚度方向上穿过像素限定膜pdl，并且可以包括从过孔层via的第一表面viaa(例如，在第三方向dr3上的上表面)朝向过孔层via的第二表面viab(例如，在第三方向dr3上的下表面)凹入的形状。
127.阴极cat、第一封装膜en1和第二封装膜en2可以设置在凹入图案rcs_2中。阴极cat可以沿着凹入图案rc的侧表面和底表面设置。例如，阴极cat可以直接设置在凹入图案rc的侧表面和底表面上。
128.在实施例中，子凹入图案rcs_2的形状可以与不包括突起sc的凹入图案rc的形状基本相同。此外，在图13的实施例中，一起包括子凹入图案rcs_2和凹入图案rc。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且子凹入图案rcs_2可以独自设置在没有凹入图案rc的至少一个像素中。
129.即使在该实施例中，也可以通过凹入图案rc来增加封装层enl的粘附性，并且也可以提高显示面板10_2的机械稳定性和可靠性。此外，由于还设置了子凹入图案rcs_2，因此可以进一步提高显示面板10_2的机械稳定性和可靠性。
130.图14是根据实施例的显示面板的剖视图。图14是凹入图案rc的外围的放大图。
131.参照图14的实施例，图14的实施例与图5的实施例的不同之处在于：根据本实施例的显示面板10_3的第一封装膜en1_3的厚度不是恒定的。
132.例如，设置在凹入图案rc中的第一封装膜en1_3的厚度可以从凹入图案rc的上侧朝向下侧减小。换言之，第一封装膜en1-3的厚度可以从突起sc的第一表面(例如，突起sc的在第三方向dr3上的上表面)朝向过孔层via的过孔槽gr的底表面gra减小。例如，设置在突起sc的限定突起通孔hle2的内壁上的第一封装膜en1_3的厚度可以比设置在像素限定膜pdl的限定第二像素限定膜通孔hle1的内壁上的第一封装膜en1_3的厚度和设置在过孔层via的过孔槽gr的内壁grb和底表面gra上的第一封装膜en1_3的厚度大。设置在突起sc的限定突起通孔hle2的内壁上的第一封装膜en1_3的厚度可以从其上侧朝向其下侧减小。
133.这里，第一封装膜en1_3的厚度可以指在与第一封装膜en1_3的延伸方向垂直的方向上的宽度。例如，在沿着凹入图案rc的侧表面设置的第一封装膜en1_3中，第一封装膜en1_3的厚度可以指在与显示面板10_3的厚度方向(例如，第三方向dr3)垂直的方向上的宽度，并且可以指在图14中的左右方向上的宽度。
134.在该实施例中，设置在凹入图案rc中的第一封装膜en1_3可以包括底切形状。设置在凹入图案rc的彼此面对的一个侧表面和另一侧表面上的第一封装膜en1_3之间的距离可以从凹入图案rc的上侧朝向下侧增大。
135.即使在该实施例中，也可以通过凹入图案rc来增加封装层enl的粘附性，也可以提高显示面板10_3的机械稳定性和可靠性。此外，由于第一封装膜en1_3包括底切形状，因此可以增加第一封装膜en1_3与第二封装膜en2之间的粘附性，并且可以进一步提高显示面板10_3的机械稳定性和可靠性。
136.在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本不脱离本发明构思的原理的情况下，可以对这里描述的实施例进行许多变化和修改。因此，本发明构思的所公开的实施例仅在一般和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。