一种阵列基板、显示装置以及制备方法与流程

1.本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及制备方法。


背景技术：

2.随着qled(quantum dot light-emitting diode)显示技术的发展，qled显示面板的性能越来越好，其质量也越来越高，在qled显示面板的生产制造过程中，通常可以利用喷墨打印技术将包含红、绿、蓝发光材料的像素液滴分别精确地沉积在相邻两个隔离柱之间的像素区域内，当溶剂挥发后形成纳米薄层，构成发光像素；但是在现有制造过程中，经常会出现像素液滴遗留于隔离柱的侧壁面上，从而导致出现像素串扰的技术问题。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于提供一种阵列基板、显示装置以及制备方法，以改善现有技术中陈列基板制备过程中容易出现像素串扰的技术问题。
4.(一)技术方案
5.为实现上述目的，本发明第一方面提供了一种阵列基板，包括：
6.衬底基板；
7.多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；
8.以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构。
9.作为本技术方案的可选方案之一，每相邻两个所述微纳结构之间的间距相同；
10.或者，每相邻两个所述微纳结构之间的间距沿着靠近所述隔离柱顶部方向逐渐减小。
11.作为本技术方案的可选方案之一，所述间距宽度的取值范围为作为本技术方案的可选方案之一，所述间距宽度的取值范围为其中，x为位于所述第一区域与隔离柱顶部相交处的两个微纳结构之间的间距宽度；y为所述隔离柱顶部到待测微纳结构之间的高度。
12.作为本技术方案的可选方案之一，所述第二疏水结构包括多个凸起结构，多个所述凸起结构等间距排列于所述第一疏水结构朝向所述像素区域的壁面上。
13.作为本技术方案的可选方案之一，所述第二疏水结构设置为磁性涂层。
14.作为本技术方案的可选方案之一，所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第二区域内还周期性排列有多个所述微纳结构，所述第二区域为所述像素液滴顶部与其底部之间的区域。
15.作为本技术方案的可选方案之一，设置于所述第二区域内磁性涂层的极性与像素液滴的极性相反，与设置于所述第一区域内磁性涂层的极性相同。
16.作为本技术方案的可选方案之一，每个所述隔离柱的顶部内还周期性排列有多个所述微纳结构。
17.作为本技术方案的可选方案之一，设置于顶部区域内的磁性涂层极性与设置于第一区域内磁性涂层的极性相同。
18.作为本技术方案的可选方案之一，所述隔离柱的底部朝向所述像素区域的壁面上还开设有凹槽。
19.作为本技术方案的可选方案之一，所述凹槽内设置有第一亲水结构。
20.作为本技术方案的可选方案之一，所述隔离柱的底部与所述衬底基板之间还设置有第二亲水结构，所述第二亲水结构与所述凹槽相连通。
21.作为本技术方案的可选方案之一，所述第二疏水结构设置为疏水涂层。
22.为实现上述目的，本发明第二方面提供了一种显示装置，包括：前述中任一项所述的陈列基板，每个像素区域内均填充有有机功能层。
23.为实现上述目的，本发明第三方面提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：
24.提供一个衬底基板；
25.在所述衬底基板上制备出间隔设置的多个隔离柱，以使得每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；
26.在每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内制备出第一疏水结构，其中，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；
27.在所述第一疏水结构上制备出第二疏水结构。
28.作为本技术方案的可选方案之一，所述在每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内制备出第一疏水结构的具体步骤包括：
29.在每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内通过纳米压印工艺制备出第一疏水结构。
30.(二)有益效果
31.本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
32.本发明提供了一种阵列基板、显示装置以及制备方法，该阵列基板具体包括：衬底基板；多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构；综上所述，本技术采用上述结构的配合制备出超疏水结构，以使得像素区域的侧壁面与像素区域的下壁面的表面张力不同，从而保证像素液滴被聚集于像素区域内，而遗留于隔离柱的侧壁面上较少，同时提升像素区域的载液量有效改善像素串扰，最终提升显示装置的显示性能。
附图说明
33.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
34.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
35.图1是本发明中其中一个实施示出阵列基板的结构示意图；
36.图2是本发明中其中一个实施例示出微纳结构的截面图；
37.图3是本发明中另一个实施示出隔离柱与微纳结构配合的结构示意图；
38.图4是图3的局部放大图；
39.图5是本发明中另一个实施示出阵列基板的结构示意图；
40.图6是本发明中又一个实施示出阵列基板的结构示意图；
41.图7是图6的磁力方向示意图。
42.图中：1、隔离柱；2、微纳结构；3、第一疏水结构；4、第二疏水结构；5、凹槽；6、第二亲水结构；7、第一区域；8、第二区域。
具体实施方式
43.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
44.下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
45.为了改善现有技术中陈列基板制备过程中容易出现像素串扰的技术问题，如图1-图7所示，本发明第一方面提出了一种阵列基板，包括：
46.衬底基板；
47.多个隔离柱1，间隔设置于衬底基板上，并且每相邻两个隔离柱1之间均限定出一个像素区域，该像素区域用于承载不同颜色的像素液滴；优选的，多个隔离柱1为等间距间隔设置于衬底基板上，以使得多个像素区域的尺寸均相等。
48.以及多个微纳结构2，至少呈周期性排列于每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上的第一区域7内，第一区域7为像素液滴顶部以上的区域；优选的，当隔离柱1的高度为n时，该第一区域7的高度可以设置为n/3；采用本实施例的设计可以保证像素区域内除了用于存放像素液滴的区域以外的其他区域均通过设置有多个微纳结构2实现超疏水性能，从而避免在打印过程中出现部分像素液滴遗留于上述区域内，进而有效改善像素串扰问题；为了降低成本优选的，可以仅在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上的第一区域7内设置有多个微纳结构2；当然，可以在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上均设置有多个微纳结构2；或者，可以在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面以及隔离柱1顶部均设置有多个微纳结构2，具体设置方式将在后面的实施例中进行展开说明。
49.具体的，每个微纳结构2均包括：层叠设置的第一疏水结构3和第二疏水结构4；本实施例中通过第一疏水结构3和第二疏水结构4的共同构成超疏水结构，以使得像素区域的侧壁面与像素区域的下壁面的表面张力不同，从而保证像素液滴被聚集于像素区域内，而遗留于隔离柱的侧壁面上较少，有效改善像素串扰的同时提升像素区域的载液量，最终提升显示装置的显示性能；另外，采用本实施例的设计更有利于高刷新率打印过程中的工艺调试。
50.在一个具体的实施例中，每相邻两个微纳结构2之间的间距相同，每相邻两个微纳结构2之间的间距为每个微纳结构2宽度的6倍，也就是说，每相邻两个第一疏水结构3之间的间距为每个第一疏水结构3宽度的6倍，示例性的，相邻两个微纳结构2之间的间距为30nm-200nm，微纳结构2的宽度为5nm-30nm，综上，采用本实施例的设计可以在像素区域的侧壁面与像素液滴之间形成超疏水表面，从而提升像素液滴与该超疏水表面之间的接触角，进而有效改善像素液滴遗留于像素区域侧壁面的现象；在一个优选的实施例中，如图5所示，隔离柱1朝向像素区域的壁面上均设置有多个微纳结构2，并且每相邻两个微纳结构2之间的间距相同。
51.在另一个具体的实施例中，为了进一步提升像素液滴与该超疏水表面之间的接触角，如图1所示，每相邻两个微纳结构2之间的间距沿着靠近隔离柱1顶部方向逐渐减小，也就是说，越靠近隔离柱1的顶部微纳结构2的排布越密集，越靠近隔离柱1底部微纳结构2的排布越疏松；具体的，该间距宽度的取值范围为其中，x为位于第一区域7与隔离柱1顶部相交处的两个微纳结构2之间的间距宽度；y为隔离柱1顶部到待测微纳结构2之间的高度；示例性的，x的取值范围为5nm-30nm；通常y的取值范围为1.5μm-2μm。
52.在一个具体的实施例中，如图1-图3所示，第一疏水结构3设置为突出结构，第二疏水结构4包括多个凸起结构，多个凸起结构等间距排列于突出结构朝向像素区域的壁面上；具体的，每相邻两个凸起结构之间的间距为每个凸起结构宽度的6倍；示例性的，相邻两个凸起结构之间的间距为30nm-200nm；每个凸起结构的宽度为5nm-30nm；优选的，突出结构的截面可以设置为圆形、片状结构以及其他形状结构；凸起结构的截面可以设置为条形结构或者其他形状结构；在一个具体的实施例中，如图2所示，突出结构的截面设置为圆形，凸起结构的截面设置为条形结构，多个圆形突出结构沿着靠近隔离柱1顶部的方向密集设置，并且多个条形结构等间距设置于突出结构上；在另一个具体的实施例中，如图3和图4所示，突出结构的截面设置为片状结构，凸起结构的截面设置为条形结构，多个片状突出结构等间距设置于隔离柱1上，并且多个条形结构等间距设置于片状突出结构上；为了进一步提升疏水性能，优选的，多个沿着片状突出结构靠近隔离柱1顶部的方向密集设置，当然，突出结构和凸起结构还可以采用其他的配合方式，本实施例中不进行具体的赘述；综上，采用本实施例中的突出结构和凸起结构可以构成超疏水结构，以使得与像素液滴之间形成超疏水表面，进一步增大像素液滴与超疏水表面之间的接触角，通过多次试验得出，采用本实施例的设计可以将接触角由现有技术的由70
°‑
90
°
可以提升至120
°‑
160
°
。
53.当然，为了进一步增强疏水性能，隔离柱1可以由疏水材料制成，示例性的疏水材料可以为含氟材料例如：氟化聚乙烯、氟碳蜡或其它合成含氟聚合物，也可以为高分子熔体聚合物如聚烯烃、聚碳酸酯、聚酰胺、聚丙烯腈、聚酯、不含氟的丙烯酸酯、熔融石蜡等。
54.根据本技术的一个实施例，如图6和图7所示，第二疏水结构4设置为磁性涂层，图7中箭头方向为磁力方向；也就是说隔离柱1朝向像素区域的壁面内的第一区域7内微纳结构2具有磁性涂层，并且该磁性涂层的极性与像素液滴的极性相同，从而使得微纳结构2对像素液滴形成一个互斥的压力，进而可以有效抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，有利于在像素区域表面形成一个较平整的膜，提升成膜均匀性。
55.在上述实施例的基础上，为了进一步抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，隔离柱1
朝向像素区域的壁面上的第二区域8内还周期性排列有多个微纳结构2，第二区域8为像素液滴顶部与其底部之间的区域；具体的，设置于第二区域8内磁性涂层的极性与像素液滴的极性相反，与设置于第一区域7内磁性涂层的极性相同，示例性的，当像素液滴为正极性时，则将设置于第二区域8内磁性涂层设置为负极性，利用相反极性相吸的远离对像素液滴进行吸附；同时，将设置于第一区域7内的磁性涂层设置为正极性，此时将在同性相斥的作用下，使得设置于第一区域7内的微纳结构2将对像素液滴提供压力，从而可以有效抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，有利于在像素液滴表面形成一个较平整的膜，提升成膜均匀性。
56.在上述实施例的基础上，为了进一步抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，如图6和图7所示，每个隔离柱1的顶部内还周期性排列有多个微纳结构2，具体的，设置于顶部区域内的磁性涂层极性与设置于第一区域7内磁性涂层的极性相同；也就是说，设置于第二区域8内磁性涂层的极性与像素液滴的极性相反，与设置于第一区域7内磁性涂层的极性相同，设置于顶部区域内的磁性涂层极性与设置于第一区域7内磁性涂层的极性相同；示例性的，当像素液滴为正极性时，则将设置于第二区域8内磁性涂层设置为负极性，利用相反极性相吸的远离对像素液滴进行吸附；同时，将设置于第一区域7内的磁性涂层设置为正极性，此时将在同性相斥的作用下将通过设置于第一区域7内的微纳结构2对像素液滴提供压力，并且将设置于隔离柱1顶部区域内的磁性涂层设置为正极性，从而将同性相斥的作用下将通过设置于顶部区域内的微纳结构2对像素液滴提供压力，综上在第二区域8内的吸附力以及第一区域7和顶部区域内的压力共同配合下，进一步有效抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，有利于在像素区域表面形成一个较平整的膜，提升成膜均匀性。
57.根据本技术的一个实施例，为了进一步抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，如图1所示，隔离柱1的底部朝向像素区域的壁面上还开设有凹槽5，当将像素液滴打印至像素区域内时，部分像素液滴将进入凹槽5内，此时在凹槽5的作用下将对像素液滴进行限制，从而进一步有效抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，有利于在像素区域表面形成一个较平整的膜，提升成膜均匀性；在上述实施例的基础上，为了进一步提升凹槽5对像素液滴的限制作用，凹槽5内还设置有第一亲水结构，通过该第一亲水结构对像素液滴进行进一步吸附。
58.根据本技术的一个实施例，为了进一步减少像素区域液滴的攀爬，提升像素成膜的均匀性可以采用如下方案，如图1所示，隔离柱1的底部与衬底基板之间还设置有第二亲水结构6，第二亲水结构6与凹槽5相连通，从而使得当像素液滴进入凹槽5内时，可以与第二亲水结构6相接触，进而在凹槽5与第二亲水结构6的共同配合下对像素液滴起到抑制作用；具体的，第二亲水结构6的高度取值范围为0.1um-0.5um；第二亲水结构6的宽度为隔离柱1宽度的1/2-2/3；上述第一亲水结构和第二亲水结构6可以均由亲水材料制成而成，该亲水材料的具体成分本实施例中不做具体限定。
59.根据本技术的一个实施例，第二疏水结构4设置为疏水涂层，疏水材料可以为含氟材料例如：氟化聚乙烯、氟碳蜡或其它合成含氟聚合物，也可以为高分子熔体聚合物如聚烯烃、聚碳酸酯、聚酰胺、聚丙烯腈、聚酯、不含氟的丙烯酸酯、熔融石蜡等；具体的，当隔离柱1采用疏水材料制备而成时，为了进一步增强像素区域侧壁面的疏水性能，优选的将第二疏水结构4设置为疏水涂层，并且该疏水涂层的疏水性能高于隔离柱1的疏水性能，示例性的，疏水涂层由氟化聚乙烯制成而成，隔离柱1由聚烯烃制成而成。
60.在同一个发明构思下，本发明第二方面提出了一种显示装置，包括：前述中任一项
的陈列基板，每个像素区域内均填充有有机功能层。
61.在同一个发明构思下，本发明第三方面提出了一种阵列基板的制备方法，方法包括：
62.提供一个衬底基板；
63.在衬底基板上制备出间隔设置的多个隔离柱1，以使得每相邻两个隔离柱1之间均限定出一个像素区域；
64.在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上的第一区域7内制备出第一疏水结构3，其中，第一区域7为像素液滴顶部以上的区域；
65.在第一疏水结构3上制备出第二疏水结构4。
66.根据本技术的一个实施例，在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上的第一区域7内制备出第一疏水结构3的具体步骤包括：
67.在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上的第一区域7内通过纳米压印工艺制备出第一疏水结构3。
68.在一个具体的实施例中，如图2和图5所示，第一疏水结构3由膨胀材料制成，并且其截面设置为圆形结构，第二疏水结构4设置为条形结构，多个条形结构等间距排列于第一疏水结构3上。
69.具体制备过程如下：
70.步骤1：提供一个tft背板作为衬底基板；
71.步骤2：在tft背板上涂布一层有机胶材，可以根据隔离柱1的高度选择旋涂转速和时间，转速可以为500rpm/s-3000rpm/s,旋涂时间可以为30s-1min。
72.步骤3：之后通过预热、曝光和显影等工艺图案化形成多个等间距设置的隔离柱1，每相邻两个隔离柱1之间的间距为10-120um，以使得每相邻两个隔离柱1之间形成像素区域；
73.步骤4：在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上等间距或者朝向隔离柱1方向密集设置有多个热膨胀材料，其中热膨胀材料的导热系数》0.2w/m*k；
74.步骤5：选择200℃到250℃的温度，持续30min-90min对光刻胶进行固化，在固化过程中，多个热膨胀材料均进行膨胀形成第一疏水结构3,以使得多个第一疏水结构3在像素区域的侧壁面上进行周期性排布；
75.步骤6：利用激光对每个第一疏水结构3进行处理，使其处理为半径为50nm-200nm的球形；
76.步骤7；利用激光在球形第一疏水结构3上刻蚀出多个条形凸起结构，以使得多个条形凸起结构在球形第一疏水结构3上等间距排布以形成第二疏水结构4，每个条形凸起结构的宽度为10nm-20nm，具体参见图2。
77.在上述结构的基础上为了进一步抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，如图1所示，隔离柱1的底部朝向像素区域的壁面上还开设有凹槽5，隔离柱1的底部与衬底基板之间还设置有第二亲水结构6，第二亲水结构6与凹槽5相连通，具体如图1所示。
78.具体制备过程如下：
79.步骤1：提供一个tft背板作为衬底基板；
80.步骤2：在tft背板上涂布一层由亲水材料制成的有机胶材，并图案化制备出第二
亲水结构6，该第二亲水结构6的高度为0.1um-0.5um,宽度为隔离柱1宽度的1/2-2/3；
81.步骤3：在tft背板上以及第二亲水结构6上涂布一层有机胶材，可以根据隔离柱1的高度选择旋涂转速和时间，转速可以为500rpm/s-3000rpm/s,旋涂时间可以为30s-1min。
82.步骤4：之后通过预热、曝光和显影等工艺图案化形成多个等间距设置的隔离柱1，每相邻两个隔离柱1之间的间距为10-120um，以使得每相邻两个隔离柱1之间形成像素区域；
83.步骤5：在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上等间距或者朝向隔离柱1方向密集设置有多个热膨胀材料，其中热膨胀材料的导热系数》0.2w/m*k；
84.步骤6：选择200℃到250℃的温度，持续30min-90min对光刻胶进行固化，在固化过程中，多个热膨胀材料均进行膨胀形成第一疏水结构3,以使得多个第一疏水结构3在像素区域的侧壁面上进行周期性排布；
85.步骤7：利用激光对每个第一疏水结构3进行处理，使其处理为半径为50nm-200nm的球形；
86.步骤8；利用激光在球形第一疏水结构3上刻蚀出多个条形凸起结构，以使得多个条形凸起结构在球形第一疏水结构3上等间距排布以形成第二疏水结构4，每个条形凸起结构的宽度为10nm-20nm，具体参见图2。
87.步骤9：在每个隔离柱1的底部刻蚀出凹槽5结构，使得凹槽5结构与第二亲水结构6相连通即可，蚀刻液可以通过喷墨打印设备将蚀刻液打印进像素坑，待刻蚀完成后，可以通过减压干燥设备将溶剂去除，再通过清洗得到最终的基板。
88.在一个具体的实施例中，如图3和图4所示，第一疏水结构3由片状材料制成，第二疏水结构4设置为条形结构，多个条形结构等间距排列于第一疏水结构3上。
89.具体制备过程如下：
90.步骤1：提供一个tft背板作为衬底基板；
91.步骤2：在tft背板上涂布一层有机胶材，可以根据隔离柱1的高度选择旋涂转速和时间，转速可以为500rpm/s-3000rpm/s,旋涂时间可以为30s-1min。
92.步骤3：之后通过预热、曝光和显影等工艺图案化形成多个等间距设置的隔离柱1，每相邻两个隔离柱1之间的间距为10-120um，以使得每相邻两个隔离柱1之间形成像素区域；
93.步骤4：在每个隔离柱1朝向像素区域的壁面上等间距或者朝向隔离柱1方向密集设置有多个由滑石粉，云母粉等构成的片状材料。
94.步骤5：利用激光对每个片状材料进行处理，使其厚度的取值范围为10-100nm；平面尺寸取值范围为50nm-100nm*100-500nm；
95.步骤6；利用激光在片状第一疏水结构3上刻蚀出多个条形凸起结构，以使得多个条形凸起结构在球形第一疏水结构3上等间距排布以形成第二疏水结构4，每个条形凸起结构的宽度为10nm-20nm，具体参见图3和图4。
96.在上述结构的基础上为了进一步抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，如图6和图7所示，第二疏水结构4设置为磁性涂层，其中磁性涂层可以选择铁、钴、镍等铁磁性元素；并且隔离柱1朝向像素区域的第一区域7和第二区域8内均设置有多个微纳结构2，优选的采用纳米压印技术将微纳结构2压印至隔离柱1上；另外，隔离柱1的底部朝向像素区域的壁面上
还开设有凹槽5，隔离柱1的底部与衬底基板之间还设置有第二亲水结构6，第二亲水结构6与凹槽5相连通。
97.具体制备过程如下：
98.步骤1：提供一个tft背板作为衬底基板；
99.步骤2：在tft背板上涂布一层由亲水材料制成的有机胶材，并图案化制备出第二亲水结构6，该第二亲水结构6的高度为0.1um-0.5um,宽度为隔离柱1宽度的1/2-2/3；
100.步骤3：在tft背板上以及第二亲水结构6上涂布一层有机胶材，可以根据隔离柱1的高度选择旋涂转速和时间，转速可以为500rpm/s-3000rpm/s,旋涂时间可以为30s-1min。
101.步骤4：之后通过预热、曝光和显影等工艺图案化形成多个等间距设置的隔离柱1，每相邻两个隔离柱1之间的间距为10-120um，以使得每相邻两个隔离柱1之间形成像素区域；
102.步骤5：利用激光在隔离柱1朝向像素区域的壁面上形成多个纳米级的微孔，多个微孔可以等间距排列也可以朝向隔离柱1顶部密集设置；
103.步骤6：制备出第一疏水结构3，在第一疏水结构3的外壁面涂覆磁性涂层，具体的，当像素液滴为正极性时，则将设置于第二区域8内磁性涂层设置为负极性，同时，将设置于第一区域7内的磁性涂层设置为正极性，从而完成微纳结构2的制备。
104.步骤7：通过纳米压印技术将负极性纳米结构压印至开设于第二区域8内的微孔中，将正极性纳米结构压印至开设于第一区域7内的微孔中；
105.步骤8：在每个隔离柱1的底部刻蚀出凹槽5结构，使得凹槽5结构与第二亲水结构6相连通即可。
106.步骤9：在干燥工艺中，可以将tft基板置于一个减压干燥的磁场中从而实现将溶剂去除，再通过清洗得到最终的基板。
107.在上述实施例的基础上，为了更好的抑制在干燥过程中像素液滴的攀爬，优选的在隔离柱1顶部区域设置有多个微纳结构2，且该微纳结构2设置有磁性涂层，其中该磁性涂层的极性与设置于第一区域7内磁性涂层极性相同。
108.具体制备过程如下：
109.步骤1：提供一个tft背板作为衬底基板；
110.步骤2：在tft背板上涂布一层由亲水材料制成的有机胶材，并图案化制备出第二亲水结构6，该第二亲水结构6的高度为0.1um-0.5um,宽度为隔离柱1宽度的1/2-2/3；
111.步骤3：在tft背板上以及第二亲水结构6上涂布一层有机胶材，可以根据隔离柱1的高度选择旋涂转速和时间，转速可以为500rpm/s-3000rpm/s,旋涂时间可以为30s-1min。
112.步骤4：之后通过预热、曝光和显影等工艺图案化形成多个等间距设置的隔离柱1，每相邻两个隔离柱1之间的间距为10-120um，以使得每相邻两个隔离柱1之间形成像素区域；
113.步骤5：利用激光在隔离柱1朝向像素区域的壁面和隔离柱1顶部形成多个纳米级的微孔，多个微孔可以等间距排列也可以朝向隔离柱1顶部密集设置；
114.步骤6：制备出第一疏水结构3，在第一疏水结构3的外壁面涂覆磁性涂层，具体的，当像素液滴为正极性时，则将设置于第二区域8内磁性涂层设置为负极性，同时，将设置于第一区域7内和隔离柱1顶部的磁性涂层均设置为正极性，从而完成微纳结构2的制备。
115.步骤7：通过纳米压印技术将负极性纳米结构分别压印至开设于第二区域8内和隔离柱1顶部区域内的微孔中，将正极性纳米结构压印至开设于第一区域7内的微孔中；
116.步骤8：在每个隔离柱1的底部刻蚀出凹槽5结构，使得凹槽5结构与第二亲水结构6相连通即可。
117.步骤9：在干燥工艺中，可以将tft基板置于一个减压干燥的磁场中从而实现将溶剂去除，再通过清洗得到最终的基板。
118.在一个具体的实施例中，第二疏水结构4设置为疏水涂层，优选的采用纳米压印技术将具有疏水涂层的微纳结构2压印至隔离柱1上，其中疏水涂层的疏水性能强于隔离柱1的疏水材料性能；另外，隔离柱1的底部朝向像素区域的壁面上还开设有凹槽5，隔离柱1的底部与衬底基板之间还设置有第二亲水结构6，第二亲水结构6与凹槽5相连通。
119.具体制备过程如下：
120.步骤1：提供一个tft背板作为衬底基板；
121.步骤2：在tft背板上涂布一层由亲水材料制成的有机胶材，并图案化制备出第二亲水结构6，该第二亲水结构6的高度为0.1um-0.5um,宽度为隔离柱1宽度的1/2-2/3；
122.步骤3：在tft背板上以及第二亲水结构6上涂布一层具有疏水材料的有机胶材，可以根据隔离柱1的高度选择旋涂转速和时间，转速可以为500rpm/s-3000rpm/s,旋涂时间可以为30s-1min。
123.步骤4：之后通过预热、曝光和显影等工艺图案化形成多个等间距设置的隔离柱1，每相邻两个隔离柱1之间的间距为10-120um，以使得每相邻两个隔离柱1之间形成像素区域；
124.步骤5：利用激光在隔离柱1朝向像素区域的壁面上形成多个纳米级的微孔，多个微孔可以等间距排列也可以朝向隔离柱1顶部密集设置；
125.步骤6：制备出第一疏水结构3，在第一疏水结构3的外壁面涂覆疏水涂层，其中疏水涂层的疏水性能强于隔离柱1的疏水材料性能。
126.步骤7：通过纳米压印技术将多个纳米结构压印至对应的微孔中；
127.步骤8：在每个隔离柱1的底部刻蚀出凹槽5结构，使得凹槽5结构与第二亲水结构6相连通即可。
128.步骤9：在干燥工艺中，可以将tft基板置于一个减压干燥的磁场中从而实现将溶剂去除，再通过清洗得到最终的基板。
129.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，若干个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
130.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
131.而且，术语“包括”、“包含”和“具有”以及他们的任何变形或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者
设备所固有的要素。例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
132.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
133.以上仅是本技术的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本技术。对这些实施例的多种修改和变化对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。