发光显示面板的制作方法

发光显示面板
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月24日提交的韩国专利申请第10-2020-0183376号的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开内容涉及一种发光显示面板。


背景技术：

4.构成发光显示面板的像素包括发光元件、晶体管和用于驱动发光元件的电容器。
5.为了解决劣化的发光元件的问题，增加了在像素中设置的晶体管的数目和晶体管的尺寸。另外，为了增加电容器的充电效率，已经增加了电容器的尺寸。
6.晶体管的尺寸的增加意味着增加构成晶体管的导体(电极)的尺寸，并且电容器的尺寸的增加意味着增加构成电容器的导体的尺寸。
7.考虑到导电性等，构成晶体管和电容器的导体由不透明导体形成。因此，当在像素中设置的导体的尺寸增加时，从设置在像素中的发光元件产生的光通过其被发射到外部的开口的尺寸减小。


技术实现要素：

8.鉴于上述问题，已经做出了本公开内容，并且本公开内容的目的是提供一种发光显示面板，在该发光显示面板中，驱动晶体管设置为双栅极型或者使用至少三个电极设置存储电容器，以减小驱动晶体管或存储电容器的尺寸。
9.在一个实施方式中，一种发光显示面板包括：设置在像素中的发光元件；连接至发光元件的驱动晶体管；以及连接至驱动晶体管的栅极和第一电极的存储电容器。驱动晶体管包括在基板上的遮光电极，并且遮光电极被用作驱动晶体管的栅极。驱动晶体管的遮光电极由缓冲器覆盖，并且包括第一电极、第二电极和半导体部分的有源部分设置在缓冲器的上表面上。栅绝缘层覆盖有源部分的至少一部分，并且栅极电极设置在栅绝缘层的上表面上，与遮光电极连接并用作驱动晶体管的栅极。存储电容器的电极连接至遮光电极和栅极电极中的至少一个。
10.在一个实施方式中，一种发光显示面板包括：设置在像素中的发光元件；连接至发光元件的驱动晶体管；以及连接至驱动晶体管的栅极电极和第一电极的存储电容器。存储电容器包括至少三个电极，所述至少三个电极设置在彼此不同的其各个层中。
11.在一个实施方式中，一种发光显示面板包括：发光元件；用于驱动发光元件的驱动晶体管；在基板上的遮光电极；以及电连接至驱动晶体管的存储电容器。驱动晶体管包括包含第一电极、第二电极和半导体部分的有源部分。栅绝缘层在有源部分上，并且栅极电极设置在栅绝缘层的至少一部分上。存储电容器包括至少一个电容器电极，所述至少一个电容器电极从驱动晶体管的有源部分的第一电极、驱动晶体管的栅极电极或遮光电极延伸。
12.在一个实施方式中，一种发光显示面板包括：发光元件；用于驱动发光元件的驱动晶体管；在基板上的遮光电极；以及存储电容器。驱动晶体管包括包含第一电极、第二电极和半导体部分的有源部分。栅绝缘层的至少一部分在有源部分上，并且栅极电极设置在栅绝缘层的一部分上。存储电容器包括与驱动晶体管的有源部分间隔开的有源电容器电极和在有源电容器电极上的栅极电容器电极，以形成第一电容器，其中栅极电容器电极延伸以通过栅绝缘层中的接触孔接触驱动晶体管的有源部分的一部分。
13.除了如上所述的本公开内容的目的之外，本领域技术人员将从以下对本公开内容的描述中清楚地理解本公开内容的附加目的和特征。
14.根据本公开内容的一方面，可以通过提供如下一种发光显示面板来实现上述和其他目的，该发光显示面板包括：设置在像素中的发光元件；与发光元件连接的驱动晶体管；以及设置在驱动晶体管的栅极与第一电极之间的存储电容器，其中，驱动晶体管包括：设置在基板上并用作驱动晶体管的栅极的遮光电极；覆盖遮光电极的缓冲器；有源部分，其设置在缓冲器的上表面上，形成驱动晶体管的第一电极、第二电极和半导体部分；覆盖有源部分的栅绝缘层；以及栅极电极，其设置在栅绝缘层的上表面上，与遮光电极连接并用作驱动晶体管的栅极。
附图说明
15.从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点，在附图中：
16.图1是示出了根据本公开内容的实施方式的应用发光显示面板的发光显示设备的结构的示例性视图；
17.图2是示出了根据本公开内容的实施方式的应用于发光显示面板的像素的结构的示例性视图；
18.图3是示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示面板的四个像素的示例性视图；
19.图4是示出了根据本公开内容的实施方式的图3中所示的区域x的放大示例性视图；
20.图5a至图5h是示出了根据本公开内容的实施方式的制造图3中所示的像素的方法的示例性视图；
21.图6a是示出了根据本公开内容的实施方式的沿图3和图4中所示的线a-a'截取的截面的示例性视图；
22.图6b是示出了根据本公开内容的实施方式的图6a中所示的截面中的晶体管和电容器的示例性视图；
23.图7是示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示面板的四个像素的另一示例性视图；
24.图8是示出了根据本公开内容的实施方式的图7中所示的区域y的放大示例性视图；
25.图9a至图9h是示出了根据本公开内容的实施方式的制造图7中所示的像素的方法的示例性视图；
26.图10a是示出了根据本公开内容的实施方式的沿图7和图8中所示的线b-b’截取的截面的示例性视图；
27.图10b是示出了根据本公开内容的实施方式的图10a中所示的截面中的晶体管和电容器的示例性视图；
28.图11是示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示面板的四个像素的其他示例性视图；
29.图12是示出了根据本公开内容的实施方式的图11中所示的区域z的放大示例性视图；
30.图13a至图13h是示出了根据本公开内容的实施方式的制造图11中所示的像素的方法的示例性视图；
31.图14a是示出了根据本公开内容的实施方式的沿图11和图12中所示的线c-c’截取的截面的示例性视图；以及
32.图14b是示出了根据本公开内容的实施方式的图14a中所示的截面中的晶体管和电容器的示例性视图。
具体实施方式
33.通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。而是，提供了这些实施方式，使得本公开内容将是彻底的且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围来限定。
34.在附图中，相同或相似的元件由相同的附图标记表示，即使在不同的附图中描绘相同或相似的元件也是如此。尽可能地，遍及附图，将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
35.在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例，因此，本公开内容不限于所示的细节。遍及说明书，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开内容的要点时，将省略详细描述。在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一部分。除非指代相反，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
36.在解释元件时，元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确描述也是如此。
37.在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为
‘
在～上’、
‘
在～上方’、
‘
在～下方’和
‘
紧接～’时，一个或更多个部分可以布置在两个其他部分之间，除非使用
‘
刚好’或
‘
直接’。
38.在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为
‘
在～之后’、
‘
在～后’、
‘
紧接～’和
‘
在～之前’时，可以包括不连续的情况，除非使用
‘
刚好’或
‘
直接’。
39.应该理解，术语“至少一个”包括与任何一个项目相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件之中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每一个元件。
40.应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这
些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
41.本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦接或组合，并且可以彼此不同地相互操作，并且如本领域技术人员可以充分理解的，在技术上进行驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
42.在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的实施方式。
43.图1是示出了根据本公开内容的实施方式的应用发光显示面板的发光显示装置的结构的示例性视图。图2是示出了根据本公开内容的实施方式的应用于发光显示面板的像素的结构的示例性视图。
44.根据本公开内容的发光显示装置可以构成各种电子设备。电子设备可以是例如，智能电话、平板pc、电视、监视器等。
45.如图1中所示，根据本公开内容的发光显示设备包括：发光显示面板100，其包括在其上输出图像的显示区域102以及在显示区域102外部设置的非显示区域103；栅极驱动器200，其用于向设置在发光显示面板100的显示区域102中的栅极线gl1至glg供应栅极信号；数据驱动器300，其用于向在发光显示面板100中设置的数据线dl1至dld供应数据电压；以及控制器400，其用于控制栅极驱动器200和数据驱动器300的驱动。
46.首先，发光显示面板100包括显示区域102和非显示区域103。显示区域102设置有栅极线gl1至glg、数据线dl1至dld、电压供应线pla和像素101。
47.如图2中所示，设置在发光显示面板100中的像素101可以包括发光元件ed、开关晶体管tsw1、存储电容器cst、驱动晶体管tdr和感测晶体管tsw2。也就是说，像素101可以包括像素驱动单元pdu和发光单元，其中像素驱动单元pdu可以包括开关晶体管tsw1、电容器cst、驱动晶体管tdr和感测晶体管tsw2，并且发光单元可以包括发光元件ed。
48.发光元件ed可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层中的任何一种，或者可以包括有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的沉积结构或混合结构。
49.构成像素驱动单元pdu的开关晶体管tsw1可以通过供应至栅极线gl的栅极信号gs而接通或关断，并且当开关晶体管tsw1接通时，通过数据线dl供应的数据电压data被供应至驱动晶体管tdr。第一电压evdd可以通过第一电压供应线pla供应至驱动晶体管tdr和发光元件ed。第二电压evss通过第二电压供应线plb供应至发光元件ed。感测晶体管tsw2可以通过经过感测控制线供应的感测控制信号而接通或关断。在一些实施方式中，感测控制线可以与栅极线gl分开设置。在图2中所示的实施方式中，栅极线gl是感测控制线。在这种情况下，栅极信号gs可以是感测控制信号。感测线sl可以连接至感测晶体管tsw2。参考电压vref可以通过感测线sl供应至像素101，并且与驱动晶体管tdr的特性变化相关的感测信号可以通过感测晶体管tsw2传送至感测线sl。
50.根据本公开内容的发光显示面板100可以形成在图2中所示的结构中，但是本公开内容不限于此。因此，除了图2中所示的结构之外，还可以以各种形式改变根据本公开内容的发光显示面板100。
51.在发光显示面板100中，形成用于向设置在像素101中的像素驱动单元pdu供应各种信号的信号线。
52.例如，在包括图2中所示的像素101的发光显示面板100中，信号线可以包括栅极线gl、数据线dl、第一电压供应线pla、第二电压供应线plb和感测线sl。
53.数据驱动器300可以设置在附接到发光显示面板100的膜上芯片中，并且还可以连接至具有控制器400的主基板。在这种情况下，用于将数据驱动器300与发光显示面板100电连接的线可以设置在膜上芯片中。为此，线电连接至设置在主基板和发光显示面板100中的焊盘。主基板与安装外部系统的外部基板电连接。
54.数据驱动器300可以直接安装在发光显示面板100上，然后与主基板电连接。
55.然而，数据驱动器300可以与控制器400一起形成为一个集成电路。该集成电路可以设置在膜上芯片中或者直接安装在发光显示面板100上。
56.数据驱动器300可以从发光显示面板100接收与发光显示面板100中设置的驱动晶体管tdr的特性变化相关的感测信号，并将感测信号传送至控制器400。
57.接下来，外部系统用于驱动控制器400和电子设备。例如，当电子设备是智能电话时，外部系统可以通过无线通信网络接收各种语音信息、图像信息和文本信息，并将接收到的图像信息传送至控制器400。图像信息可以是输入图像数据。
58.然后，栅极驱动器200可以被设置为集成电路，然后安装在非显示区域103上，或者可以使用面板内栅极(gip)方案直接嵌入在非显示区域103中。当使用面板内栅极方案时，构成栅极驱动器200的晶体管可以通过与设置在显示区域102的相应像素101中的晶体管的工艺相同的工艺设置在非显示区域103中。
59.当由栅极驱动器200产生的栅极脉冲被供应至设置在像素101中的开关晶体管tsw1的栅极时，开关晶体管tsw1接通。当栅极截止信号被供应至开关晶体管tsw1时，开关晶体管tsw1被关断。供应至栅极线gl的栅极信号gs包括栅极脉冲和栅极截止信号。
60.最后，控制器400可以通过使用从外部系统传送的定时同步信号来重新对准从外部系统传送的输入图像数据。此外，控制器400可以包括：用于向数据驱动器300供应重新对准的图像数据data的数据对准器；用于使用定时同步信号产生栅极控制信号gcs和数据控制信号dcs的控制信号发生器；输入单元，其用于接收从外部系统传送的定时同步信号和输入图像数据并将其传送至数据对准器和控制信号发生器；以及输出单元，其用于将从数据对准器产生的图像数据data以及从控制信号发生器产生的控制信号dcs和gcs输出到数据驱动器300或栅极驱动器200。
61.在下文中，具有图2中所示的像素101的发光显示面板100将被描述为根据本公开内容的发光显示面板100的示例。
62.图3是示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示面板的四个像素的示例性视图。图4是示出了根据本公开内容的实施方式的图3中所示的区域x的放大示例性视图。图5a至图5h是示出了根据本公开内容的实施方式的制造图3中所示的像素的方法的示例性视图。图6a是示出了根据本公开内容的实施方式的沿图3和图4中所示的线a-a'截取的截面的示例性视图。图6b是示出了根据本公开内容的实施方式的图6a中所示的截面中的晶体管和电容器的示例性视图。
63.如图2和图3中所示，根据本公开内容的发光显示面板包括：设置在像素中的发光元件ed；与发光元件ed连接的驱动晶体管tdr；以及设置在驱动晶体管tdr的栅极与驱动晶体管的第一电极之间的存储电容器cst。
64.将参照图2至图6b描述制造发光显示面板的方法。
65.首先，如图5a中所示，在基板111的上表面上设置遮光层。
66.遮光层可以包括遮光电极112a、第一遮光电容器电极112b、第一电压供应线pla和其他各种电极。
67.接下来，遮光层由缓冲器113覆盖。
68.接下来，如图5b中所示，在缓冲器113的上表面上设置有源层。
69.有源层可以包括有源部分114、第一有源电容器电极115a和其他各种电极。
70.接下来，如图5c中所示，有源层由栅绝缘层117覆盖。
71.在这种情况下，在栅绝缘层117中形成第一接触孔ch1、第二接触孔ch2和其他各种接触孔。
72.接下来，如图5d中所示，在栅绝缘层117的上表面上设置栅极层。
73.栅极层可以包括栅极电极118a、第一栅极电容器电极118b、第一接触孔电极118_1和其他各种电极。
74.接下来，栅极层由平坦化层覆盖。
75.接下来，如图5e中所示，在平坦化层的上表面上设置滤色器层。
76.例如，滤色器层可以包括红色滤色器151、蓝色滤色器152、白色滤色器153和绿色滤色器154。
77.接下来，如图5f中所示，滤色器层由外涂层160覆盖。
78.在这种情况下，用于连接驱动晶体管tdr的第一电极114a与阳极电极的像素接触孔161可以形成在外涂层160中。像素接触孔161可以穿过平坦化层和栅绝缘层117。
79.接下来，如图5g中所示，在外涂层160的上表面上设置阳极电极层。
80.阳极电极层可以包括设置在红色像素中的红色阳极电极171、设置在蓝色像素中的蓝色阳极电极172、设置在白色像素中的白色阳极电极173和设置在绿色像素中的绿色阳极电极174。
81.接下来，如图5h中所示，在阳极电极层的上表面上设置堤180。
82.堤180形成为围绕构成阳极电极层的阳极电极171至174的外周。因此，阳极电极171至174通过未设置堤180的区域露出。
83.接下来，在阳极电极171至174的上表面上设置发光层。
84.接下来，在基板的显示区域中设置阴极电极以覆盖发光层。
85.最后，阴极电极由封装层覆盖。
86.下面将描述通过上述制造工艺制造的根据本公开内容的发光显示面板的特征。
87.如图6a中所示，驱动晶体管tdr包括：用作驱动晶体管的栅极并且设置在基板111中的遮光电极112a；覆盖遮光电极112a的缓冲器113；有源部分114，其设置在缓冲器113的上表面上，形成驱动晶体管tdr的第一电极114a、第二电极114b和半导体部分114c；覆盖有源部分114的栅绝缘层117；以及栅极电极118a，其设置在栅绝缘层117的上表面上，与遮光电极112a连接并用作驱动晶体管tdr的栅极。驱动晶体管tdr具有双栅极结构，其中栅极电极118a用作第一栅极，并且遮光电极112a用作第二栅极。
88.存储电容器cst包括：从有源部分114的第一电极114a延伸的第一有源电容器电极115a；第一栅极电容器电极118b，其从栅极电极118a延伸并与第一有源电容器电极115a交
叠；以及第一遮光电容器电极112b，其从遮光电极112a延伸并与第一有源电容器电极115a交叠。有源部分114上的栅绝缘层117延伸以覆盖存储电容器cst的第一有源电容器电极115a的侧表面。
89.驱动晶体管tdr的第一电极114a和第一有源电容器电极115a一体地形成。也就是说，如图6a和图6b中所示，第一电极114a和第一有源电容器电极115a连续地形成，并且由相同的材料形成。
90.形成驱动晶体管tdr的栅极的栅极电极118a和形成存储电容器cst的第一栅极电容器电极118b一体地形成。
91.第一电极114a和第一有源电容器电极115a中的每一个包括：从有源部分114的半导体部分114c延伸的第一参考电极115a1；以及设置在第一参考电极115a1的上表面上的第二参考电极115a2。
92.第一参考电极115a1可以由与半导体部分114c的材料相同的材料形成。例如，第一参考电极115a1可以是由铟、镓、锌和氧组成的igzo。
93.第二参考电极115a2可以由金属材料形成。例如，第二参考电极115a2可以是由钼和钛组成的合金(moti)。
94.第一栅极电容器电极118b和第一遮光电容器电极112b通过第二接触孔ch2彼此连接。
95.存储电容器cst包括在彼此不同的其各个层中设置的至少三个电极。
96.例如，如图6b中所示，存储电容器cst包括由第一有源电容器电极115a和第一栅极电容器电极118b组成的第(1-1)电容器cst1_1，该第一栅极电容器电极118b从驱动晶体管tdr的栅极电极118a延伸以与第一有源电容器电极115a交叠。存储电容器cst还包括由第一有源电容器电极115a和第一遮光电容器电极112b组成的第(1-2)电容器cst1_2，该第一遮光电容器电极112b从遮光电极112a延伸以与第一有源电容器电极115a交叠。
97.根据如上所述的本公开内容，在彼此不同的其各个层中设置的遮光电极112a和栅极电极118a被用作驱动晶体管tdr的栅极。也就是说，应用于本公开内容的驱动晶体管tdr的半导体部分114c可以由遮光电极112a和栅极电极118a驱动。
98.因此，应用于本公开内容的驱动晶体管tdr仅包括用作驱动晶体管tdr的栅极的遮光电极112a和栅极电极118a中的一个，并且可以具有与常规驱动晶体管的性能相同或相似的性能，该常规驱动晶体管具有大于应用于本公开内容的驱动晶体管的尺寸的尺寸。
99.因此，尽管与常规驱动晶体管相比，应用于本公开内容的驱动晶体管形成为具有小的尺寸，但是应用于本公开内容的驱动晶体管可以具有与常规驱动晶体管的性能相同或相似的性能。因此，根据本公开内容，可以减小构成驱动晶体管tdr的电极的尺寸，从而可以增加发光显示面板的孔径比。
100.根据如上所述的本公开内容，存储电容器cst包括并联连接的第(1-1)电容器cst1_1和第(1-2)电容器cst1_2。因此，当与由彼此面对的两个电极形成的常规存储电容器相比时，应用于本公开内容的存储电容器cst可以以小于常规电容器的尺寸的尺寸形成与常规电容器的电容相同或相似的电容。因此，可以与存储电容器的减小的尺寸一样多地增加开口的尺寸。
101.另外，第(1-1)电容器cst1_1包括第一有源电容器电极115a和第一栅极电容器电
极118b，并且第(1-2)电容器cst1_2包括第一有源电容器电极115a和第一遮光电容器电极112b。
102.在这种情况下，栅极电极118a、第一栅极电容器电极118b、第一遮光电容器电极112b和遮光电极112a彼此电连接，并且第一电极114a和第一有源电容器电极115a彼此电连接。
103.因此，第(1-1)电容器cst1_1和第(1-2)电容器cst1_2的第一端子共同连接至第一电极114a，并且第(1-1)电容器cst1_1和第(1-2)电容器cst1_2的第二端子共同连接至栅极电极118a。
104.也就是说，第(1-1)电容器cst1_1和第(1-2)电容器cst1_2彼此并联连接，因此包括第(1-1)电容器cst1_1和第(1-2)电容器cst1_2的存储电容器cst的电容可以大于仅具有第(1-1)电容器cst1_1和第(1-2)电容器cst1_2中的一个的存储电容器的电容。
105.因此，应用于本公开内容的存储电容器cst可以以小于常规电容器的尺寸的尺寸形成与常规电容器的电容相同或相似的电容，因此发光显示面板100的开口的尺寸可以与存储电容器的减小的尺寸一样多地增加。
106.图7是示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示面板的四个像素的另一示例性视图。图8是示出了根据本公开内容的实施方式的图7中所示的区域y的放大示例性视图。图9a至图9h是示出了根据本公开内容的实施方式的制造图7中所示的像素的方法的示例性视图。图10a是示出了根据本公开内容的实施方式的沿图7和图8中所示的线b-b’截取的截面的示例性视图。图10b是示出了根据本公开内容的实施方式的图10a中所示的截面中的晶体管和电容器的示例性视图。在以下描述中，将省略或简要描述与参照图1至图6b描述的描述相同或相似的描述。
107.将参照图7至图10b描述根据本公开内容的制造另一发光显示面板的方法。
108.首先，如图9a中所示，在基板111的上表面上设置遮光层。
109.遮光层可以包括遮光电极112a、第二遮光电容器电极112c、第一电压供应线pla和其他各种电极。
110.接下来，遮光层由缓冲器113覆盖。
111.接下来，如图9b中所示，在缓冲器113的上表面上设置有源层。
112.有源层可以包括有源部分114、第二有源电容器电极115b和其他各种电极。
113.接下来，如图9c中所示，有源层由栅绝缘层117覆盖。
114.在这种情况下，在栅绝缘层117中形成第三接触孔ch3、第四接触孔ch4和其他各种接触孔。
115.接下来，如图9d中所示，在栅绝缘层117的上表面上设置栅极层。
116.栅极层可以包括栅极电极118a、第二栅极电容器电极118c、第三接触孔电极118_2和其他各种电极。
117.接下来，栅极层由平坦化层覆盖。
118.接下来，如图9e中所示，在平坦化层的上表面上设置滤色器层。
119.例如，滤色器层可以包括红色滤色器151、蓝色滤色器152、白色滤色器153和绿色滤色器154。
120.接下来，如图9f中所示，滤色器层由外涂层160覆盖。
121.在这种情况下，可以在外涂层160中形成用于将驱动晶体管tdr的第一电极114a与阳极电极连接的像素接触孔161。像素接触孔161可以穿过平坦化层和栅绝缘层117。
122.接下来，如图9g中所示，在外涂层160的上表面上设置阳极电极层。
123.阳极电极层可以包括设置在红色像素中的红色阳极电极171、设置在蓝色像素中的蓝色阳极电极172、设置在白色像素中的白色阳极电极173和设置在绿色像素中的绿色阳极电极174。
124.接下来，如图9h中所示，在阳极电极层的上表面上设置堤180。
125.堤180形成为围绕构成阳极电极层的阳极电极171至174的外周。因此，阳极电极171至174通过未设置堤180的区域露出。
126.接下来，在阳极电极171至174的上表面上设置发光层。
127.接下来，在基板的显示区域中设置阴极电极以覆盖发光层。
128.最后，阴极电极由封装层覆盖。
129.下面将描述通过上述制造工艺制造的根据本公开内容的发光显示面板的特征。
130.如图10a中所示，驱动晶体管tdr包括：用作驱动晶体管的栅极并且设置在基板111中的遮光电极112a；覆盖遮光电极112a的缓冲器113；有源部分114，其设置在缓冲器113的上表面上，形成驱动晶体管tdr的第一电极114a、第二电极114b和半导体部分114c；覆盖有源部分114的栅绝缘层117；以及栅极电极118a，其设置在栅绝缘层117的上表面上，与遮光电极112a连接并用作驱动晶体管tdr的栅极。
131.存储电容器cst包括：与有源部分114间隔开的第二有源电容器电极115b；第二栅极电容器电极118c，其与驱动晶体管的第一电极114a连接，设置在栅绝缘层117的上表面上并与第二有源电容器电极115b交叠；以及第二遮光电容器电极112c，其与遮光电极112a间隔开并与第二有源电容器电极115b交叠。
132.驱动晶体管tdr的第一电极114a和第二有源电容器电极115b彼此间隔开，并且形成为如图10a和图10b中所示的相同的形状。
133.形成驱动晶体管tdr的栅极的栅极电极118a和形成存储电容器cst的第二栅极电容器电极118c彼此间隔开并形成在同一层中。
134.第二有源电容器电极115b包括与有源部分114的半导体部分114c间隔开的第一参考电极115b1和设置在第一参考电极115b1的上表面上的第二参考电极115b2。第一电极114a可以由与第一参考电极115b1的材料相同的材料和与第二参考电极115b2的材料相同的材料的双结构形成。
135.第一参考电极115b1可以由与半导体部分114c的材料相同的材料形成。例如，第一参考电极115b1可以是由铟、镓、锌和氧组成的igzo。
136.第二参考电极115b2可以由金属材料形成。例如，第二参考电极115b2可以是由钼和钛组成的合金(moti)。
137.第二栅极电容器电极118c和第一电极114a通过栅绝缘层117中的第四接触孔ch4彼此连接。
138.第二有源电容器电极115b与遮光电极112a或栅极电极118a连接，并且第二遮光电容器电极112c与第二栅极电容器电极118c连接。
139.存储电容器cst包括在彼此不同的其各个层中设置的至少三个电极。
c’截取的截面的示例性视图。图14b是示出了图14a中所示的截面中的晶体管和电容器的示例性视图。在以下描述中，将省略或简要描述与参照图1至图10b描述的描述相同或相似的描述。
151.将参照图11至图14b描述根据本公开内容的制造其他发光显示面板的方法。
152.首先，如图13a中所示，在基板111的上表面上设置遮光层。
153.遮光层可以包括遮光电极112a、第三遮光电容器电极112d、第一电压供应线pla和其他各种电极。
154.接下来，遮光层由缓冲器113覆盖。
155.接下来，如图13b中所示，在缓冲器113的上表面上设置有源层。
156.有源层可以包括有源部分114、第三有源电容器电极115c、第四有源电容器电极115d和其他各种电极。
157.接下来，如图13c中所示，有源层由栅绝缘层117覆盖。
158.在这种情况下，在栅绝缘层117中形成第五接触孔ch5和其他各种接触孔。
159.接下来，如图13d中所示，在栅绝缘层117的上表面上设置栅极层。
160.栅极层可以包括栅极电极118a、第三栅极电容器电极118d和其他各种电极。
161.接下来，栅极层由平坦化层覆盖。
162.接下来，如图13e中所示，在平坦化层的上表面上设置滤色器层。
163.例如，滤色器层可以包括红色滤色器151、蓝色滤色器152、白色滤色器153和绿色滤色器154。
164.接下来，如图13f中所示，滤色器层由外涂层160覆盖。
165.在这种情况下，可以在外涂层160中形成用于将驱动晶体管tdr的第一电极114a与阳极电极连接的像素接触孔161。像素接触孔161可以穿过平坦化层和栅绝缘层117。
166.接下来，如图13g中所示，在外涂层160的上表面上设置阳极电极层。
167.阳极电极层可以包括设置在红色像素中的红色阳极电极171、设置在蓝色像素中的蓝色阳极电极172、设置在白色像素中的白色阳极电极173和设置在绿色像素中的绿色阳极电极174。
168.接下来，如图13h中所示，在阳极电极层的上表面上设置堤180。
169.堤180形成为围绕构成阳极电极层的阳极电极171至174的外周。因此，阳极电极171至174通过未设置堤180的区域露出。
170.接下来，在阳极电极171至174的上表面上设置发光层。
171.接下来，在基板的显示区域中设置阴极电极以覆盖发光层。
172.最后，阴极电极由封装层覆盖。
173.下面将描述通过上述制造工艺制造的根据本公开内容的发光显示面板的特征。
174.发光显示面板100包括设置在像素中的发光元件ed、与发光元件ed连接的驱动晶体管tdr以及设置在驱动晶体管tdr的栅极与第一电极114a之间的存储电容器cst，并且存储电容器cst包括设置在彼此不同的其各个层中的至少三个电极。
175.驱动晶体管tdr包括：设置在基板111上的缓冲器113；有源部分114，其设置在缓冲器113的上表面上，形成驱动晶体管tdr的第一电极114a、第二电极114b和半导体部分114c；覆盖有源部分114的栅绝缘层117；以及栅极电极118a，其设置在栅绝缘层117的上表面上，
并用作驱动晶体管tdr的栅极。
176.存储电容器cst包括第三栅极电容器电极118d、第四有源电容器电极115d和第三遮光电容器电极112d。
177.第三栅极电容器电极118d与第三有源电容器电极115c连接，该第三有源电容器电极115c包括从构成驱动晶体管tdr的半导体部分114c延伸的第一参考电极115c1和设置在第一参考电极115c1的上表面上的第二参考电极115c2。第三栅极电容器电极118d设置在与构成驱动晶体管的栅极电极118a相同的层中。
178.第四有源电容器电极115d由与第三有源电容器电极115c的材料相同的材料形成在与第三有源电容器电极115c相同的层中，与第三有源电容器电极115c分开，与驱动晶体管tdr的栅极电极118a连接，并且与第三栅极电容器电极118d交叠。
179.第三遮光电容器电极112d从设置在驱动晶体管tdr的下表面上的遮光电极112a延伸，并与第四有源电容器电极115d交叠。
180.驱动晶体管tdr的第一电极114a和第三有源电容器电极115c一体地形成。也就是说，如图14a和图14b中所示，第一电极114a和第三有源电容器电极115c连续地形成，并且由相同的材料形成。
181.驱动晶体管tdr的第一电极114a和第四有源电容器电极115d彼此间隔开，并且形成为相同的形状，如图14a和图14b中所示。
182.形成驱动晶体管tdr的栅极的栅极电极118a和形成存储电容器cst的第三栅极电容器电极118d彼此间隔开并形成在同一层中。
183.第四有源电容器电极115d包括与有源部分114的半导体部分114c间隔开的第一参考电极115d1和设置在第一参考电极115d1的上表面上的第二参考电极115d2。第一电极114a和第三有源电容器电极115c可以由与第一参考电极115d1的材料相同的材料和与第二参考电极115d2的材料相同的材料的双结构形成。
184.第一参考电极115d1可以由与半导体部分114c的材料相同的材料形成。例如，第一参考电极115d1可以是由铟、镓、锌和氧组成的igzo。
185.第二参考电极115d2可以由金属材料形成。例如，第二参考电极115d2可以是由钼和钛组成的合金(moti)。
186.第三栅极电容器电极118d和第三有源电容器电极115c通过第五接触孔ch5彼此连接。
187.第三遮光电容器电极112d与第三栅极电容器电极118d连接。
188.存储电容器cst包括设置在彼此不同的其各个层中的至少三个电极。
189.例如，存储电容器cst包括第(3-1)电容器cst3_1，该第(3-1)电容器cst3_1由与第三有源电容器电极115c间隔开了栅绝缘层117的第四有源电容器电极115d和栅绝缘层117上的第三栅极电容器电极118d组成。存储电容器cst还包括由第四有源电容器电极115d和第三遮光电容器电极112d组成的第(3-2)电容器cst3_2，并且还可以包括由用作驱动晶体管tdr的栅极的栅极电极118a和从驱动晶体管tdr的第一电极114a延伸的第三有源电容器电极115c组成的第(3-3)电容器cst3_3。
190.根据如上所述的本公开内容，存储电容器cst包括并联连接的第(3-1)电容器cst3_1、第(3-2)电容器cst3_2和第(3-3)电容器cst3_3。因此，当与由彼此面对的两个电极
形成的常规存储电容器相比时，应用于本公开内容的存储电容器cst可以以小于常规电容器的尺寸的尺寸形成与常规电容器的电容相同或相似的电容。因此，开口的尺寸可以与存储电容器的减小的尺寸一样多地增加。
191.此外，第(3-1)电容器cst3_1包括第四有源电容器电极115d和第三栅极电容器电极118d，第(3-2)电容器cst3_2包括第四有源电容器电极115d和第三遮光电容器电极112d，并且第(3-3)电容器cst3_3包括栅极电极118a和第三有源电容器电极115c。
192.在这种情况下，栅极电极118a和第四有源电容器电极115d彼此电连接，并且第一电极114a、第三栅极电容器电极118d和第三遮光电容器电极112d彼此电连接。
193.因此，第(3-1)电容器cst3_1、第(3-2)电容器cst3_2和第(3-3)电容器cst3_3的第一端子共同连接至第一电极114a，并且第(3-1)电容器cst3_1、第(3-2)电容器cst3_2和第(3-3)电容器cst3_3的第二端子共同连接至栅极电极118a。
194.也就是说，第(3-1)电容器cst3_1、第(3-2)电容器cst3_2和第(3-3)电容器cst3_3彼此并联连接，因此包括第(3-1)电容器cst3_1、第(3-2)电容器cst3_2和第(3-3)电容器cst3_3的存储电容器cst的电容可以大于仅具有第(3-1)电容器cst3_1、第(3-2)电容器cst3_2和第(3-3)电容器cst3_3中的一个的存储电容器的电容。
195.因此，应用于本公开内容的存储电容器cst可以以小于常规电容器的尺寸的尺寸形成与常规电容器的电容相同或相似的电容，因此发光显示面板100的开口的尺寸可以与存储电容器的减小的尺寸一样多地增加。
196.根据本公开内容，可以获得以下有益效果。根据本公开内容，由于驱动晶体管可以形成为双栅极的形式，因此可以减小其尺寸。因此，开口的尺寸可以与驱动晶体管的减小的尺寸一样多地增加。
197.根据本公开内容，可以使用至少三个电极形成存储电容器。因此，当与由彼此面对的两个电极形成的常规存储电容器相比时，根据本公开内容的存储电容器可以形成与常规存储电容器的电容相同或相似的电容。因此，开口的尺寸可以与存储电容器的减小的尺寸一样多地增加。
198.也就是说，根据本公开内容，可以减小驱动晶体管或存储电容器中的至少一个的尺寸，因此可以增加开口的尺寸。因此，可以改善孔径比。
199.对于本领域技术人员而言，将明显的是，上述本公开内容不受上述实施方式和附图的限制，并且可以在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下在本公开内容中进行各种替换、修改和变型。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定，并且源于权利要求的含义、范围和等同构思的所有变型或修改旨在落入本公开内容的范围内。