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ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器及制备方法

2022-06-29 14:14:50 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:采用磁控溅射的方式在干净的玻璃片上沉积一层zno薄膜;多次旋涂,将zno量子点溶液旋涂在磁控溅射zno层上,生成样品;对样品进行退火;在退火后的样品上镀金电极。2.根据权利要求1所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,采用磁控溅射的方式将zno薄膜沉积在玻璃片上之前,先用洗洁精加清水冲洗,后用无水乙醇和丙酮超声清洗干净。3.根据权利要求1所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射zno薄膜的制备方法是:采用射频磁控溅射的方式在干净的玻璃片上沉积zno薄;将玻璃片放入磁控溅射镀膜机后,先抽气至2
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pa;在镀膜时的气压选择1-3pa,射频源功率选择140w-150w的条件下镀膜一段时间得到一定厚度zno薄膜。4.根据权利要求1所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,所述zno量子点溶液的制备方法是:分别以二水醋酸锌和氢氧化钾为溶质,甲醇为溶剂,得到醋酸锌溶液和氢氧化钾溶液,在持续搅拌的条件下将温度升高到50-70℃,接着将氢氧化钾溶液逐滴滴入醋酸锌溶液,二水醋酸锌和氢氧化钾的质量比为1:0.4-0.5,保温2-3个小时后自然冷却,并且在重力的作用下让zno量子点沉降下来,接着用甲醇溶液对zno量子点清洗2-3次,最后将zno量子点分散在氯仿与甲醇体积比为2:1-2的混合溶液中。5.根据权利要求1所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,将140μl-150μl的zno量子点溶液以2400-2600r/min的转速旋涂到玻璃片上,并通过多次旋涂的方式增加薄膜厚度。6.根据权利要求1所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,所述退火的温度为200-250℃,退火的时间为50-60min。7.根据权利要求1所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,所述zno量子点溶液的质量浓度为25-30mg/ml。8.一种使用如权利要求1-7中任一项所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的制备方法的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器,其特征在于,包括由下至上依次设置的玻璃基底、磁控溅射zno薄膜、zno量子点薄膜和金电极。9.根据权利要求8所述的zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器,其特征在于,所述zno量子点/磁控溅射zno同质结紫外光电探测器的总厚度控制在300-400nm。

技术总结
本发明公开了一种ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器及制备方法,包括以下步骤:采用磁控溅射的方式在干净的玻璃片上沉积一层ZnO薄膜;多次旋涂,将ZnO量子点溶液旋涂在磁控溅射ZnO层上,生成样品;对样品进行退火;在退火后的样品上镀金电极。本发明提供的ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器的制备方法具有操作简便、产品安全无毒的优点。本发明制备得到的ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器具有光吸收性好,载流子传输速率高的优点。传输速率高的优点。传输速率高的优点。


技术研发人员:李明钰 李泽平 吕海飞 文晓艳 刘思思 黎敏
受保护的技术使用者:武汉理工大学
技术研发日:2022.03.14
技术公布日:2022/6/28
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