反向倾斜镀膜装置的制作方法

1.本实用新型涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种反向倾斜镀膜装置。


背景技术：

2.磁控溅射的工作原理是指电子在电场e的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。镀膜通常在镀膜机内完成，为了提高镀膜机的利用率，提高生产效率，镀膜机一般为流水线作业模式，即待镀膜的基片在所述流水线上运行。然而，流水线形式的镀膜机的长度较长，在基片流转时，如若在产生颠簸的现象容易导致镀膜效果不佳甚至镀膜失败的现象发生。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的是提供一种反向倾斜镀膜装置，旨在解决上述技术问题。
4.为实现上述目的，本实用新型提出的一种反向倾斜镀膜装置包括依次连通的第一隔离室、第一过渡室、第一镀膜室、第二镀膜室、第二过渡室以及第二隔离室，所述第一镀膜室和所述第二镀膜室均设置在底架上并与竖直方向形成3-7
°
的夹角，设置在所述第一镀膜室和第二镀膜室内的基片架与竖直方向形成3-7
°
的夹角，所述第一过渡室和所述第二过渡室靠近底架一侧设有溅射阴极。
5.在一实施例中，所述基片架包括架本体，所述架本体远离所述底架一侧形成有放置腔，所述架本体靠近所述底架一侧形成有与所述放置腔连通的溅镀腔，所述溅镀腔面对所述溅射阴极。
6.在一实施例中，所述架本体的顶部和底部设置有凸出板，基片的两端抵靠在两个所述凸出板上。
7.在一实施例中，所述溅镀腔与所述放置腔之间形成有投影位于所述基片上的溅镀孔。
8.在一实施例中，所述第一镀膜室和所述第二镀膜室的顶部均设有磁导向，所述基片架的顶端与所述磁导向非接触连接。
9.在一实施例中，所述第一镀膜室和所述第二镀膜室的底部均设有传动轮，所述基片架的底部滑动设置在所述传动轮上。
10.本实用新型的技术方案中，反向倾斜镀膜装置包括依次连通的第一隔离室、第一过渡室、第一镀膜室、第二镀膜室、第二过渡室以及第二隔离室，所述第一镀膜室和所述第二镀膜室均设置在底架上并与竖直方向形成3-7
°
的夹角，设置在所述第一镀膜室和第二镀膜室内的基片架与竖直方向形成3-7
°
的夹角，所述第一过渡室和所述第二过渡室靠近底架一侧设有溅射阴极。因此在本技术方案中，在将基片进行镀膜时，由于基片架和镀膜室均与竖直方向形成3-7
°
的夹角，基片可直接放置在基片架上，装载十分便利，提高了装载效率。
附图说明
11.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
12.图1为本实用新型实施例的反向倾斜镀膜装置的结构示意图；
13.图2为本实用新型实施例的第一镀膜室或第二镀膜室的结构示意图；
14.图3为本实用新型实施例的基片架的结构示意图。
15.附图标号说明：10、第一隔离室；20、第一过渡室；30、第一镀膜室； 40、第二镀膜室；50、第二过渡室；60、第二隔离室；70、基片架；71、架本体；72、放置腔；73、溅镀腔；74、溅镀孔；75、凸出板；80、溅射阴极； 90、底架；100、磁导向；110、传动轮。
16.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
17.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
18.需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
19.另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
20.并且，本实用新型各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
21.本实用新型提供一种反向倾斜镀膜装置。
22.如图1-2所示，本实用新型实施例提供的反向倾斜镀膜装置包括依次连通的第一隔离室10、第一过渡室20、第一镀膜室30、第二镀膜室40、第二过渡室50以及第二隔离室60，所述第一镀膜室30和所述第二镀膜室40均设置在底架90上并与竖直方向形成3-7
°
的夹角，设置在所述第一镀膜室30和第二镀膜室40内的基片架70与竖直方向形成3-7
°
的夹角，所述第一过渡室20 和所述第二过渡室50靠近底架90一侧设有溅射阴极80。
23.在本实施例中，反向倾斜镀膜装置包括依次连通的第一隔离室10、第一过渡室20、第一镀膜室30、第二镀膜室40、第二过渡室50以及第二隔离室 60，所述第一镀膜室30和所述第二镀膜室40均设置在底架90上并与竖直方向形成3-7
°
的夹角，设置在所述第一镀膜室30和第二镀膜室40内的基片架 70与竖直方向形成3-7
°
的夹角，所述第一过渡室20和所述第二过渡室50 靠近底架90一侧设有溅射阴极80。因此在本技术方案中，在将基片进行镀膜
时，由于基片架70和镀膜室均与竖直方向形成3-7
°
的夹角，基片可直接放置在基片架70上，装载十分便利，提高了装载效率。
24.其中，请参考图3，所述基片架70包括架本体71，所述架本体71远离所述底架90一侧形成有放置腔72，所述架本体71靠近所述底架90一侧形成有与所述放置腔72连通的溅镀腔73，所述溅镀腔73面对所述溅射阴极80。
25.进一步地，所述架本体71的顶部和底部设置有凸出板75，基片的两端抵靠在两个所述凸出板75上。同时，所述溅镀腔73与所述放置腔72之间形成有投影位于所述基片上的溅镀孔74。在本实施例中，通过设置凸出板75，使得在放置基片时，基片能够刚好倒置在凸出板75上，提高基片的装载效率。
26.在一实施例中，所述第一镀膜室30和所述第二镀膜室40的顶部均设有磁导向100，所述基片架70的顶端与所述磁导向100非接触连接。同时，所述第一镀膜室30和所述第二镀膜室40的底部均设有传动轮110，所述基片架 70的底部滑动设置在所述传动轮110上。
27.以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。