显示设备和显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示设备，更具体地，涉及每个都具有有机发光层并且以矩阵形式布置以构成显示装置的显示设备。


背景技术：

2.在包括多个像素的显示装置中，这些像素是具有有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)的显示设备，并且为了获得高对比度而安装偏振片。由于偏振片减小了约60％的oled输出，因此，为了获得给定的光量，显示设备的功耗变得很高。功耗的增加缩短了oled的寿命。
3.在顶部发射型oled中使用的聚酰亚胺基板的表面反射率约为10％或更高，当使用由银(或银合金)制成的阳极电极来提高外部量子效率(external quantum efficiency，eqe)时，oled的表面反射率约为90％或更高。因此，不具有偏振片的oled显示设备具有高反射率，并且尤其在阳光下遭受明显降低的可见度的困扰。
4.为了应对这样的问题，提供与阳极电极接触的遮光膜，或者将遮光膜用于限定oled的分隔壁(pdl：像素限定层(pixel defining layer))(例如，参考专利文献1到3)。当各个rgb颜色的oled的开口率是40％，聚酰亚胺基板的表面反射率是10％，阳极电极的反射率是90％时，计算出的平均表面反射率约为45％。尽管遮光膜的设置将聚酰亚胺基板的表面反射率降低了约5％以上，并且平均表面反射率降低至约35％，但可以看出，平均表面反射率改善了约10％。然而，对于实际的显示设备，反射率仍然很高，实际需要偏振片。
5.现在，可弯曲或可折叠的显示设备正变得越来越流行。但仍然需要偏振片来降低反射率。由于偏振片通常是刚性的，并且容易弯曲，液晶分子的取向将受到影响，因此偏振片不能应用于可弯曲的显示装置。
6.引文列表
7.专利文献
8.ptl 1：日本专利公开号2002-033185
9.ptl 2：日本专利公开号2011-034884
10.ptl 3：日本专利公开号2015-008036


技术实现要素：

11.本发明的目的是提供一种显示设备，其通过黑色pdl和光学膜的组合来降低表面反射率，从而抑制oled输出的光的衰减。
12.为了实现本公开的目的，本公开的一个实施例的特征在于一种显示设备，其中，每个有机发光二极管(oled)具有在基板上制造的阳极、有机发光层和阴极，包括：围绕有机发光二极管的由黑色材料制成的分隔壁；以及覆盖有机发光二极管和分隔壁的光学膜。
13.根据本实施例，将黑色分隔壁和具有在预定范围内的偏振效率的光学膜组合可以减小oled显示设备的平均表面反射率，并且可以带来改善eqe的预期效果，从而能够抑制
oled输出的光的衰减。
14.分隔壁的表面电阻率最好为10
14
ω/cm2或更高，体积电阻率最好为10
14
ω/cm2或更高。
15.本实施例可以抑制泄漏电流，从而降低具有高光密度的表面反射。
16.分隔壁最好具有1.0或更高的光密度。
17.本实施例可减少对相邻oled的漏光。
18.光学膜可以是偏振效率为60％到90％的偏振膜。
19.本实施例可满足应用于oled显示设备的要求，即表面反射率为12.5％或更低，eqe改善期望率为10％或更高。
20.光学膜可以是光学密度为0.15到0.26的nd滤光片。
21.本实施例可满足应用于oled显示设备的要求，即表面反射率为12.5％或更低，eqe改善期望率为10％或更高。
22.基板上除围绕有机发光二极管的分隔壁以外的另一部分被黑色材料覆盖，并且，在被覆盖的另一部分的一部分中形成开口。
23.本实施例可以提供通过黑色pdl提高了高透射率和对比度的oled。
附图说明
24.图1是示出根据本公开的实施例的oled的配置的示意图；
25.图2是示出使用本实施例的oled的显示设备的像素结构的示意图；
26.图3是示出传统聚酰亚胺pdl的结构的示意图；
27.图4是示出本实施例的黑色pdl的结构的示意图；
28.图5是示出pdl的光密度和表面反射率之间的关系的示例的示意图；
29.图6是示出应用于本实施例的oled的光学膜的结构的示意图；
30.图7是示出本实施例的lpe膜的特性的示例的示意图；
31.图8是示出使用本实施例的oled的显示设备的输出光谱的示意图；
32.图9是示出相对于传统偏振片，由本实施例的lpe膜证明的oled输出改善效果的示意图；以及
33.图10是示出本实施例的nd滤波片的特性的示例的示意图。
具体实施方式
34.下面参考附图详细描述本公开的实施例。
35.图1是示出根据本公开的一个实施例的oled的配置的图。图1是oled 100的截面图，图中以oled 100(oled显示设备的显示表面)的发射方向为顶侧，并且示意性地示出了层结构。oled 100具有按顺序堆叠的背侧屏障(barrier)110、基板121、背板122、前面板130和薄膜封装(thin film encapsulation，tfe)140。
36.背侧屏障110具有依次堆叠的，氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sinxoy)或氧化硅(siox)等的第一无机屏障层111，有机树脂的有机屏障层112，以及sinx或siox的第二无机屏障层113，并防止o2和h2o从发射方向的相反侧，即背面侵入。
37.基板121上的背板122具有直接埋藏在各个像素下面的薄膜晶体管(tft)的驱动电
路，以向所选的像素施加电压或电流以单独地操作像素。基板121上的tft和布线被树脂埋藏，以平坦化背板122。
38.前面板130具有依次堆叠的，阳极131，包括空穴注入层(hole injection layer，hil)132、空穴传输层(hole transport layer，htl)133、有机发光层(1ight emitting layer，eml)134、空穴阻挡层(hole block layer，hbl)135、电子传输层(electron transport layer，etl)136的发光层，以及阴极137。
39.tfe 140具有依次堆叠的，厚度为约0.5至1μm的sinx/siox的第一无机屏障层141，厚度约为7.5至15μm的有机屏障层142和厚度约为0.5至1μm的sinx/sio
x
的第二无机屏障层143。注意，构成tfe 140的各个层的厚度可以根据光学设计上适当的光提取条件以及在tfe 140下形成的oled的制造结构来适当地设置，并且不是唯一确定的，而是由oled显示设备的面板设计确定。tfe 140防止o2和h2o从oled显示设备的显示表面侵入。
40.oled 100是顶部发射型oled，其提取来自与基板121相对的阴极137侧，当从阳极131注入的空穴和从阴极137注入的电子在有机发光层134中重新组合时产生的光。
41.基板121是在其顶表面上布置并形成有多个oled 100的支撑体。例如，使用由石英，玻璃，金属箔或树脂制成的膜、片等。当基板121由树脂制成时，诸如聚萘二甲酸丁二醇酯(polybutylene naphthalate，pbn)等聚酯、以聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，pen)、聚酰亚胺、聚酰胺(polyamide，pa)或聚碳酸酯树脂等为代表的甲基丙烯酸树脂可用作基板121的材料。
42.为了有效地将空穴注入发光层中，例如，阳极131可以由真空能级(vacuum level)的功函数(work function)较大的电极材料制成。具体地，电极材料可以由单一金属或合金制成，例如铬(cr)，金(au)，铂(pt)，镍(ni)，铜(cu)，钨(w)或银(银)。此外，阳极131可具有由上述单一金属或合金制成的金属层的溅射或蒸发结构，以及由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(inzno)或氧化锌(zno)和铝(al)的合金或类似物制成的透明导电层。
43.特别地，在顶部发射型显示设备的情况下，将具有高反射率的oled 100的电极用作阳极131，因此，由于干涉效应和高反射率效应，改善了将光提取到外部的效率。例如，阳极131使用光反射性优异的第一层和设置在第一层的上部且具有透光性和大功函数的第二层的溅射或蒸发结构。第一层可以由主要以具有高反射率的al或ag作为主要成分的合金制成，作为辅助成分，还含有比作为主成分的al具有相对较小功函数的材料。任何镧系元素系列材料都可以用作此类辅助成分。尽管任何镧系元素系列材料的功函数均不大，但是这些材料中的任何一种当包含在辅助成分中时，都可以提高阳极131的稳定性并满足阳极131的空穴注入性能。除了任何镧系元素系列材料之外，诸如硅(si)或铜(cu)的材料也可以用作第一层的辅助成分。
44.第二层可以由铝合金的氧化物，钼(mo)的氧化物，锆(zr)的氧化物，铬(cr)的氧化物或钽(ta)的氧化物制成。例如，当第二层由包含任何镧系元素系列材料作为辅助成分的铝合金的氧化物层(包括自然氧化膜)构成时，由于任何镧系元素系列材料的氧化物都具有高透射率，包含任何镧系元素材料的氧化物作为辅助成分的第二层的透射率均优异。结果，在第一层表面上的反射率保持在高水平。另外，在第二层中使用由ito等制成的透明导电层增强了阳极131的电子注入性能。应当注意，由于ito等具有较大的功函数，因此在与基板
121接触的一侧，即在第一层中使用ito等，可以提高载流子注入效率，并且还可以增强阳极131与基板121之间的粘附力。
45.应当注意，当用于驱动包括oled 100的显示设备的方法是有源矩阵方法时，每个像素部分被图案化有像素限定层(pixel defining layer，pdl)，以将阳极131连接到tft，以在形成阳极131之后进行驱动。
46.包括在发光层中的hil 132，htl 133，eml 134，hbl 135和etl 136是有机层。这些有机层除了丙烯酸化合物和六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)以外，还由后述的材料构成。有机层通过例如喷墨打印机等形成。尽管没有特别限制构成有机层的各个层的厚度，构成材料等，但是下面将描述其一些示例。
47.hil 132是用于增强将空穴注入eml 134的效率并防止泄漏电流的产生的缓冲层。hil 132的厚度设置在5至200nm的范围内，更优选在8至150nm的范围内。可以基于电极和相邻层的材料适当地选择用于hil 132的材料。材料的示例例如包括聚苯胺及其衍生物，聚噻吩及其衍生物，聚吡咯及其衍生物，聚苯撑乙烯撑及其衍生物，聚噻吩乙烯撑(polythienylenevinylene)及其衍生物，聚喹啉及其衍生物，聚喹喔啉及其衍生物，导电高分子材料(例如在其主链或侧链中含有芳香胺结构的聚合物、金属酞菁(例如铜酞菁))和碳。导电高分子材料的具体示例包括苯胺寡聚体(oligoaniline)和聚二氧噻吩，例如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(pedot)。
48.htl 133是有机层，以增强将空穴传输到eml 134的效率。取决于整个器件结构的htl 133的厚度可以设置在例如5至200nm的范围内。可选地，htl 133的厚度可以在8至150nm的范围内。可溶于有机溶剂的发光材料，例如聚乙烯基咔唑及其衍生物，聚芴及其衍生物，聚苯胺及其衍生物，聚硅烷及其衍生物，可以使用在侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物，聚噻吩及其衍生物，聚吡咯，三苯胺衍生物等作为htl 133的材料。
49.在eml 134中，电场的施加使电子与空穴重新结合以发光。取决于整个器件结构的eml 134的厚度可以设置在例如10至200nm的范围内。可选地，eml 134的厚度可以在20至150nm的范围内。eml 134可以具有单层结构或多层结构。
50.用于eml 134的材料应根据相应的发射颜色进行选择。例如，用于eml 134的可用材料包括(聚)对亚苯基亚乙烯基(paraphenylenevinylene)衍生物，聚芴聚合物衍生物，聚亚苯基衍生物，聚乙烯咔唑衍生物，聚噻吩衍生物，二萘嵌苯颜料，香豆素颜料，若丹明颜料，三苯胺衍生物和通过用有机el材料掺杂上述高分子材料而获得的材料。例如，可以将红荧烯，二萘嵌苯，9、10-二苯基蒽，四苯基丁二烯，尼罗红，香豆素6，三苯胺衍生物等用作掺杂材料。注意，可以通过混合两种或更多种上述材料来获得用于eml 134的材料。另外，用于有机发光层134的材料不限于上述高分子材料，并且可以是低分子材料的组合。此类低分子材料的实例包括蒽、苯、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三苯撑、氮杂三苯撑、四氰基对苯醌二甲烷、三唑、咪唑、恶二唑、聚芳烷烃、苯二胺、芳胺、恶唑、芴酮、腙、二苯乙烯、三苯胺衍生物，聚硅烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物、苯胺化合物等的杂环共轭单体或低聚物。
51.除了上述材料之外，具有高发光效率的材料作为发光客体材料，例如有机发光材料，例如低分子荧光材料、磷光颜料或金属络合物，可用作eml 134的材料。应当注意，eml 134可以是例如具有空穴传输特性并且用作htl 133的有机发光层，以及具有电子传输特性并且用作稍后描述的etl 136的有机发光层。
52.hbl 135用于抑制空穴流入阴极137，并且可以由例如bcp(bcp(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉))制成。hbl 135的厚度可以例如设置在0.1nm到100nm的范围内
53.etl 136是有机层，以增强将电子传输到eml 134的效率。取决于整个器件结构的etl 136的厚度可以设置为例如5到200nm。可选地，etl 136的厚度可以在10至180nm的范围内。具有优异的电子传输能力的有机材料优选用作etl 136的材料。将电子传输到eml 134的效率的提高抑制了由于电场强度引起的发射颜色的变化，这将在后面描述。具体地，例如，优选使用芳基吡啶衍生物，苯并咪唑衍生物等。结果，即使在低驱动电压下，也保持了高的电子供应效率。此类有机材料的其它示例包括碱金属及其氧化物、其复合氧化物、氟化物及其碳酸盐、碱土金属及其氧化物、其复合氧化物、氟化物及其碳酸盐、稀土金属及其氧化物，其复合氧化物、氟化物和碳酸盐。
54.etl 136具有电子给体性质；例如，可以使用掺杂有n型掺杂剂的电子传输材料，具体地说，用于etl 136的上述材料。n型掺杂材料的示例包括碱金属或其氧化物、其复合氧化物、其氟化物及其有机络合物、碱土金属或其氧化物、其复合氧化物、氟化物及其有机络合物。特别地，当etl 136的电子迁移率相对较大时，可以使用各自的电负性低并且电子给体性质优异的材料。在这些材料中，优选膜状的可见光区域中的光吸收小的材料。具体地说，是具有低电负性的金属材料，例如li，na，k，rb和cs等碱金属，be，mg，ca，sr，ba和ra等碱土金属，或sm，yb，ga和la等镧系金属是此类材料的示例。
55.阴极137由例如约10nm厚且透光性优异且具有小功函数的材料制成。此外，即使使用氧化物形成透明导电膜也可以保证光提取。在这种情况下，可以使用zno、ito、inzno、insnzno等。此外，尽管阴极137可以是单层，但是阴极137也可以具有从阳极131侧依次堆叠多个层的结构。阴极137也可以由包含有机发光材料例如铝喹啉络合物，苯乙烯胺衍生物或酞菁衍生物的混合层构成。在这种情况下，阴极137可以进一步具有al-li层或mg-ag层。另外，阴极137应根据待制备的器件的构造采取最佳组合和最佳多层结构。
56.图2示出了使用该实施例的oled的显示设备的像素结构。图2显示了一个像素，其中集成了各种rgb颜色的oled。并且pdl 180a至180d被图案化以限定用于各个rgb颜色的前面板130a至130c。前面板130的阳极131连接到背板122中的布线。
57.堆叠tfe 140(第一无机屏障层141，有机屏障层142和无机屏障层143)以覆盖前面板130a至130c和pdl 180a至180d，从而密封oled。此外，以下描述的本实施方式的光学膜160经由粘合层150堆叠。
58.用黑色pdl代替常规的聚酰亚胺pdl，并且黑色pdl直接吸收来自外部的环境光(图2中的a)，或者吸收由阳极131反射的光的一部分(图2中的b)。此外，也可以吸收来自相邻oled的泄漏光(图2中的c)。因此，具有黑色pdl的常规聚酰亚胺pdl因此可以在高光密度(optical density，od)下抑制表面反射。另外，如下所述，可以通过黑色pdl抑制泄漏电流。
59.图3示出了常规聚酰亚胺pdl的构造。图3示出了一个像素201的示例，其中集成了具有r＝1，g＝2和b＝1的四个oled。期望的是，为了减少从前侧的反射，除了围绕oled的分隔壁之外的另一部分，例如，埋藏背板122的tft和布线的部分202的上部覆盖有黑色材料。也就是说，为了提高对比度，通常优选用与黑色pdl相同的材料覆盖除像素201所布置的开口区域之外的区域。但是，为了提高oled显示设备自身的透射率，优选设置没有被该材料覆盖的区域。
60.图4示出了根据本实施例的黑色pdl的构造。在本实施例中，用于黑色pdl的材料被图案化，并且在围绕像素211的oled的除黑色pdl之外的另一部分的一部分中形成开口，例如，诸如部分212的区域，其中埋藏背板122的tft和布线。这可以提供具有高透射率和由黑色pdl改善对比度的oled。此外，可以使oled透明，从而可以将传感器或照相机安装在oled显示设备的下部。
61.黑色材料的缺点是，由于黑色材料的低电阻率，相邻像素会产生泄漏电流，而添加碳颗粒以提供导电性会产生灰尘，这可能会导致缺陷。尽管许多黑色材料与常规聚酰亚胺相比具有低电阻率，但是黑色材料例如碳的表面电阻率(薄层电阻)约为10
16
ω/cm2或更小。另一方面，oled的pdl的表面电阻率需要超过10
14
ω/cm2。因此，可以施加黑色材料，并且黑色pdl可以抑制泄漏电流。黑色材料的体积电阻率(电阻率，比电阻)为约10
16
ω/cm以下。在oled中，10
14
ω/cm以上是足够的，由此其体积电阻率是足够的。
62.黑色材料的具体示例包括炭黑，乙炔黑，灯黑，锰铁氧体，或含丙烯酸基团的树脂，含聚酰亚胺基团的树脂，含硅基团的树脂，含氟基团的树脂，含氨基甲酸酯基的树脂和含环氧基的树脂的至少一种。可以使用包括锰铁氧体，骨黑，石墨，铁黑，苯胺黑，花青黑，钛黑，苯胺黑或氧化铁黑颜料中的至少一种黑色着色材料的材料作为黑色材料。
63.黑色材料的基材的示例包括含丙烯酸基团的树脂、含聚酰亚胺基团的树脂、含硅基团的树脂、含氟基团的树脂、含氨基甲酸酯基团的树脂、含环氧基团的树脂等。优选使用将两种或以上的树脂组合而成的混合物作为基材。此外，可以将要与基材混合的黑色着色材料用作黑色材料。黑色着色材料的示例包括锰铁氧体，炭黑，乙炔黑，灯黑，骨黑，石墨，铁黑，苯胺黑，花青黑，钛黑，苯胺黑和氧化铁黑颜料。
64.混合在上述基材中的着色物质不仅可以是上述黑色物质，而且可以是具有与黑色物质相同的遮光性的不同颜色的着色物质的混合物。例如，所述着色剂包括维多利亚纯蓝(42595)、金胺o(41000)、卡奇隆亮丽黄素(碱性13)、罗丹明6gcp(45160)、罗丹明b(45170)、藏红素ok 70：100(50240)、伊利奥-格拉辛x(42080)、no.120/雷奥诺尔(lionol)黄(21090)、乐韵尔(lonor)黄gro(21090)、西姆拉(shimla)坚牢黄8gf(21105)，联苯胺黄4t-564d(21095)、闪烁(shimler)坚牢红4015(12355)、雷奥诺尔红7b4401(15850)、牢固(fastgen)蓝tgr-l(74160)和雷奥诺尔蓝sm(26150)。适应性ci(颜色指数)的示例包括c.i.i.黄色颜料20、24、86、93、109、110、117、125、137、138、147、148、150、153、154、166、c.i.橙色颜料36、43、51、55、59、61、c.i.红色颜料9、97、122、123、149、168、177、180、192、215、216、217、220、224、226、227、228、240、254、c.i.紫色颜料19、23、29、30，37、40、50、c.i.i.蓝色颜料15、15:1、15:4、15:6、22、60、64、c.i.i.绿色颜料7、36和c.i.棕色颜料23、25、26。
65.作为指定pdl的指标的光密度(od)是介质不透明度的对数表达式，并且与透射率t具有以下关系。
66.od＝log10(1/t)
67.例如，当t＝0.1(10％)时，od＝1；当t＝0.01(1％)时，od＝2。当od大时，t小。
68.图5示出了pdl的(od)与表面反射率之间的关系的一个示例。根据该示例，如果pdl的od为1以上，则可以看出表面反射率为6％饱和。表面反射率是由一般结构决定的光学参数，表面反射率的绝对值不会饱和为6％。然而，由于od的定义，od的饱和趋势显示出这种相
对关系，而与采用哪种结构无关。因此，本实施方式的pdl可以通过使用od为1或以上的材料来减少向相邻的oled的漏光。
69.然而，由阳极131反射的光的一部分仍然发射到外部。此外，为了减小表面反射率，可以将高od光学膜附接到oled显示设备的显示表面。然而，这进一步降低了oled的输出，然后进一步增加了oled显示设备的功耗以便获得给定量的光。尽管可以添加滤色器(cf：滤色器)，但是有必要将在可见光范围内的cf透射光谱与oled的输出光谱相匹配。甚至在匹配之后仍保留约7％的表面反射率，这对制造成本的增加不太有效。尽管可以将具有低反射率的电极材料用于阳极131，但是在项部发射型oled中效率降低，并且在低反射率下微腔效应也降低。
70.因此，如图2所示，在该实施例中增加了减小表面反射率的光学膜160。在偏振片的一般用途中，优选偏振效率(polarized efficiency，pe)高。例如，希望pe接近100％。另一方面，在本实施例中，当与黑色pdl的组合允许光学膜160具有在预定范围内的pe时，oled显示设备的平均表面反射率可以设定为10％或以下。此外，由于在具有低pe的光学膜160中可以期望eqe改善效果，所以可以抑制oled输出的减小。
71.(示例1)
72.图6示出了应用于本实施例的oled的光学膜的结构。具体地，应用pe＝65％到80％的lpe(低偏振效率)膜。图6是oled 100的截面图，其中oled 100的发射方向(oled显示设备的显示表面)在图中顶侧，光学膜片160包括从顶部依次排列的，厚度约为25μm的保护层(tac)161，厚度约为4μm的偏振涂层162，厚度约为5μm的粘合层(psa)163，厚度约为2μm的四分之一波长板164和厚度约为15μm的粘合层(psa)165。在示例1中，以具有所谓的液晶涂层的液晶偏振片为例，通过调整二色性染料的浓度，得到pe在预定范围内的偏振膜。
73.图7示出了该实施例的lpe膜的特性的示例。实线表示由具有低pe的光学膜提供的eqe改善期望率，其显示在左垂直比例上，虚线表示表面反射率，其显示在右垂直比例上。假设对oled显示设备的要求是10％或更少的表面反射率和20％或更多的eqe改善期望率，则光学膜160的pe落在65％到80％的范围内。此外，假设对oled显示设备的实际要求放宽到12.5％或更少的表面反射率和10％或更多的eqe改善期望率，则光学膜160的pe落在60％到90％的范围内。
74.图8示出了使用该实施例的oled的显示设备的输出光谱。它是针对每种rgb颜色配备有oled的oled显示设备的输出光谱。实线示出了应用具有75％的pe，5.8％的反射率和30％的eqe改善期望率的光学膜160的情况；虚线示出了应用常规偏振片(pe＝99.96％)的情况。图9示出了相对于常规偏振片，由该实施例的lpe膜所带来的oled输出改善效果。事实证明，该实施例的lpe膜增强了eqe，并且增加了整个可见光区域上的oled输出。
75.(示例2)
76.也可以使用碘化合物分子在聚乙烯醇(pva)中被吸附和排列的碘偏振片来代替液晶偏振片。通过调整碘浓度，能够获得表面反射率为10％或以下的预定范围内的pe。
77.(示例3)
78.可以使用nd(中性密度)滤光片代替上述偏振片。图10示出了添加到该实施例的oled中的中性密度(nd)滤光片的特性。实线表示由具有低pe的光学膜提供的eqe改善期望率，其显示在左垂直比例上，并且虚线表示表面反射率，其显示在右垂直比例上。假设对
oled显示设备的要求是10％或更少的表面反射率和20％或更多的eqe改善期望率，nd滤波片的透射率落在60％到65％的范围内。此时，nd滤波片的od为0.22到0.18。如上所述，当表面反射率降低到12.5％或更少并且eqe改善期望率降低到10％或更多时，nd滤波片的透射率在55％到70％的范围内，并且od变为0.26到0.15。
79.将图7与图10进行比较，可以看出，nd滤波片在pe的期望范围内具有较低的eqe改善期望率，并且nd滤波片的适用范围较窄。
80.(示例4)
81.除了示例1至3之外，可以应用图4所示的黑色pdl的结构。这可以提供具有高透射率并且由黑色pdl和光学膜改善对比度的oled。