显示基板和显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示领域，具体地，涉及显示基板和显示装置。


背景技术：

2.随着人们对于电子设备高屏占比的要求日益提高，当前的智能终端产品正向着全面屏显示技术发展，在显示区做开孔作为摄像头、指纹识别等功能元件的透光区是目前全面屏显示技术的主流趋势。现有的打孔屏电子设备在产品信赖性测试过程中较易出现打孔区域周围显示区域的黑斑不良，无法满足用户的使用要求。
3.因此，目前的显示基板和显示装置仍有待改进。


技术实现要素：

4.本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
5.在发明的一个方面，本发明提出了一种显示基板，包括：基板，所述基板具有显示区、打孔区以及设置在所述显示区与所述打孔区之间的临界区，自所述显示区指向所述打孔区的方向上，所述临界区包括依次排布的第一隔离柱区、阻挡墙以及第二隔离柱区，所述第一隔离柱区具有至少一个第一隔离柱，且所述第一隔离柱朝向所述显示区一侧的侧壁被绝缘层覆盖。由此，通过绝缘层的设置可以减少显示区黑斑不良现象的发生，提升显示效果。
6.根据本发明的实施例，所述第一隔离柱区包括至少两个所述第一隔离柱，所述两个所述第一隔离柱相邻的所述侧壁被所述绝缘层覆盖，所述绝缘层的高度不小于所述第一隔离柱的高度。由此，可以进一步提高绝缘层的绝缘效果。
7.根据本发明的实施例，所述第一隔离柱区内具有至少两个所述第一隔离柱，所述两个所述第一隔离柱相邻的所述侧壁未被所述绝缘层覆盖。由此，可以缓解显示基板的应力集中现象。
8.根据本发明的实施例，所述第一隔离柱区具有至少一个所述第一隔离柱，其具有未被所述绝缘层覆盖的所述侧壁。由此，可以进一步提高绝缘层的绝缘效果。
9.根据本发明的实施例，所述第二隔离柱区包括至少两个所述第二隔离柱，所述两个所述第二隔离柱相邻的所述侧壁被所述绝缘层覆盖，所述绝缘层的高度不小于所述第二隔离柱的高度。由此，可以进一步提高绝缘层的绝缘效果。
10.根据本发明的实施例，所述第二隔离柱区内具有至少两个所述第二隔离柱，所述两个所述第二隔离柱相邻的所述侧壁未被所述绝缘层覆盖。由此，可以缓解显示基板的应力集中现象。
11.根据本发明的实施例，所述第二隔离柱区具有至少一个所述第二隔离柱，其具有未被所述绝缘层覆盖的所述侧壁。由此，可以进一步提高绝缘层的绝缘效果。
12.根据本发明的实施例，所述基板上的所述显示区内设置有依次层叠的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层、第二平坦化层以及像素定义层，所述第一隔离柱和
所述第二隔离柱是由所述第二源漏金属层形成的，所述绝缘层是由所述第二平坦化层或所述像素定义层形成的。由此，可以简化显示基板的制备流程。
13.根据本发明的实施例，所述基板上的所述临界区内设置有依次层叠的阻隔缓冲层、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层以及层间介质层，所述第一隔离柱区包括多个所述第一隔离柱，多个所述第一隔离柱之间具有凹槽，所述凹槽至少延伸至所述第一栅绝缘层中。由此，可以进一步提高绝缘层的绝缘效果。
14.在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示装置，所述显示装置包括前述的显示基板。由此，该显示装置具有前述的显示基板的全部特征及优点，在此不再赘述。
附图说明
15.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
16.图1显示了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
17.图2显示了根据本发明一个实施例的显示基板的俯视图；
18.图3显示了根据本发明一个实施例的显示基板的部分结构示意图；
19.图4显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
20.图5显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的部分结构示意图；
21.图6显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的部分结构示意图；
22.图7显示个根据本发明一个对比例的显示基板的结构示意图；
23.图8显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
24.图9显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
25.图10显示了图12中的虚线框处的结构示意放大图；
26.图11显示了图13中的虚线框处的结构示意放大图；
27.图12显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
28.图13显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
29.图14显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
30.图15显示了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
31.图16显示了根据本发明一个对比例的显示面板的gdsh黑斑的示意图。
32.附图标记说明：
33.1：显示区；2：打孔区；3：临界区；100：基板；210：阻隔缓冲层；220：第一栅绝缘层；221：第一栅金属层；230：第二栅绝缘层；231：第二栅金属层；240：层间介质层；250：栅绝缘层；310：第一钛材料层；320：铝材料层；330：第二钛材料层；340：阻挡墙；400：绝缘层；500：阴极层。
具体实施方式
34.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
35.在发明的一个方面，本发明提出了一种显示基板，参考图1、图2、和图12，包括：基
板100，基板100具有显示区1、打孔区2以及设置在显示区1与打孔区2之间的临界区3，自显示区1指向打孔区2的方向上，临界区3包括依次排布的第一隔离柱区、阻挡墙340以及第二隔离柱区，第一隔离柱区具有至少一个第一隔离柱，且第一隔离柱朝向显示区2一侧的侧壁被绝缘层400覆盖。由此，本发明在常规的显示基板制备工艺的基础上，在不额外增加掩模版和不改变隔离柱结构的基础上，通过令绝缘层覆盖原有的金属隔离柱中朝向显示区一侧的侧壁，使得显示区的电信号在临界区被有效隔断，减少显示区黑斑不良现象的发生。
36.为了便于理解，下面对于本技术中的显示基板具有前述有益效果的原理进行说明：
37.在本技术中，参考图16，发明人发现，以在显示区设置有打孔区的oled显示面板产品为例，在进行信赖性测试的过程中，显示面板在60℃/湿度90％或者85℃/湿度85％测试条件下，通电运行一段时间后会发生gdsh(growing dark spot)黑斑不良，而在相同测试条件下进行相同时间的存储测试(即断电测试)，显示面板并未发生gdsh不良。
38.发明人通过对显示区各膜层进行成分分析发现，显示区的阴极和封装膜层(包括依次层叠设置的cvd1层、ijp和cvd2)中靠近阴极一侧的cvd1层中存在非阴极层和cvd1层的应有的组成元素，如钾离子、钠离子以及碘离子等。通过大量的实验探究和理论分析后发现，偏光片存在钾、钠以及碘等元素，而常规显示区的偏光片结构在打孔区存在断面，阴极以及cvd层中的钾离子、钠离子以及碘离子，应是从打孔区的偏光片断面出泄露出的。进一步地，以显示面板的阴极是公共阴极为例，参考图7可知，作为公共阴极的阴极层500一般采用整层蒸镀的工艺形成，由此，通过在临界区中设置具有倒梯形的金属隔离柱结构可以使得发光层和阴极层500在隔离柱处发生断裂，继而实现显示区的电信号在临界区的断接。结合具有上述结构的显示基板通电运行一段时间后会发生gdsh黑斑不良的想象，发明人通过合理地分析得出，由于隔离柱结构通常是由金属形成的，且阴极层500部分搭接在隔离柱上，虽然阴极层500在隔离柱处因为段差产生了不连续的断裂，但是由于隔离柱为金属材料形成的，其中隔离柱一般包括依次层叠的钛层、铝层和钛层三层结构，其中铝层导电性最好，而阴极层500正好搭接在铝层上，故由显示区朝向打孔区传递的阴极电信号在临界区中并未发生断接，仍可以进行电信号的传递。而又由于偏光片中的钾、钠以及碘等元素从偏光片断面处发生泄漏，为了保持电荷平衡，当阴极层和cvd1层存在k

、na

等离子时，相应地k

、na

等离子存在的区域会聚集oh-以保正电中和，故泄露的钾、钠以及碘等元素与位于临界区的阴极层和封装膜层中的cvd1层发生电化学反应，反应方程式包括：
39.sio2 2oh-＝sio
32- h2o(cvd1包括sio2)；e- h2o＝oh- h2↑
(阴极具有大量电子)。
40.由于阴极和cvd1共同与钾、钠以及碘等元素发生电化学，加速了阴极和cvd1的腐蚀老化，进而会导致封装层失效，引发显示面板的gdsh黑斑不良。
41.在本技术中，参考图8，发明人通过将显示区常规制备工艺中的绝缘层(如第二平坦化层或像素定义层)额外设置在临界区中的隔离柱的侧壁上，当进行阴极层500的整层沉积后，由于隔离柱结构的存在，阴极层500仍会在隔离柱的一侧产生搭接，而另一侧的侧壁则由于绝缘层400的覆盖，阴极层500则无法搭接在隔离柱中的铝层320上，进而由显示区阴极层500传向打孔区阴极层500的电信号在临界区的隔离柱处发生断接，继而避免偏光片断面处发生泄漏的k

、na

等离子与阴极以及cvd1膜层发生电化学反应，进而减少阴极以及cvd1膜层的加速老化以及显示面板的gdsh不良的发生。
42.根据本发明的一些实施例，隔离柱的组成不受特别限制，例如，当显示基板上具有层叠设置的双tft结构式，基板上的显示区内设置有依次层叠的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层、第二平坦化层以及像素定义层时，第一隔离柱和第二隔离柱可以是由第二源漏金属层形成的。具体地，参考图4，第一隔离柱和第二隔离柱均可以包括依次层叠设置的第一钛材料层310、铝材料层320以及第二钛材料层330，其中，铝材料层320靠近第二钛材料层330一侧的表面在基板100上的正投影位于铝材料层320靠近第一钛材料层310一侧的表面在基板100上的正投影内部，即铝材料层320具有梯形结构，由此，当沉积阴极层500时，阴极层会在隔离柱的侧壁的铝材料层320处因段差而产生断开。而由于第一隔离柱和第二隔离柱均是通过借助显示区的第二源漏极层成型工艺形成的，无需增加额外的遮光罩以及工艺步骤即可以实现第一隔离柱和第二隔离柱的制备。
43.根据本发明的一些实施例，参考图4，绝缘层的组成不受特别限制，例如，当基板上的显示区内设置有依次层叠的第一源漏金属层、第一平坦化层、第二源漏金属层、第二平坦化层以及像素定义层时，绝缘层400可以是由第二平坦化层或像素定义层形成的。由于第一隔离柱和第二隔离柱均是通过借助显示区的第二源漏极层成型工艺形成的，故绝缘层400可以是通过借助显示区的第二平坦化层或像素定义层的成型工艺的而形成的，即在整层形成第二平坦化层或像素定义层之后，仅需在采用掩模板进行图案化曝光去除时，在隔离柱侧壁对应区域取消掩模板开孔的设置，进而使得隔离柱侧壁柱的第二平坦化层或像素定义层得到保留，进而实现绝缘层的作用。由此，在不额外增加遮光罩的数量的前提下，实现了既降低生产成本，又可以有效解决gdsh的不良的效果。
44.根据本发明的一些实施例，通过阻挡墙340的设置，可以支撑和保护显示面板上的各种膜层结构，例如可以防止金属材料层被外部的水汽等污染物所侵蚀，也可以阻挡在蒸镀或封装过程中溶液的流动范围，还可以防止打孔区的膜层裂纹向显示区传递等。
45.为了便于理解，参考图1和图3，下面以阻挡墙340左侧为第一隔离柱区，阻挡墙340右侧为第二隔离柱区进行解释说明，
46.需要特别说明的是，第一隔离柱区和第二隔离柱区的隔离柱数量不受特别限制，例如，第一隔离柱区可以仅具有一个第一隔离柱，此时第二隔离柱区可以仅具有一个第二隔离柱，也可以具有多个第二隔离柱；第一隔离柱区可以具有多个第一隔离柱，此时第二隔离柱区可以仅具有一个第二隔离柱，也可以具有多个第二隔离柱。第一隔离柱区的第一隔离柱的数量可以大于、小于或者等于第二隔离柱区的第二隔离柱的数量。又如，相邻的第一隔离柱或相邻的第二隔离柱之间的间距也不受特别限制，相邻的第一隔离柱之间可以具有相同的间距，也可以具有不同的间距，相邻的第二隔离柱之间可以具有相同的间距，也可以具有不同的间距，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。
47.根据本发明的一些实施例，第一隔离柱区中绝缘层所覆盖的第一隔离柱侧壁的数量和位置不受特别限制，例如，参考图4和图9，当第一隔离柱区包括至少两个第一隔离柱时，两个第一隔离柱相邻的侧壁可以均被绝缘层400覆盖，此时两个相邻的第一个隔离柱共用绝缘层400。由此，当在临界区沉积阴极层500后，阴极层500在第一隔离柱未设置绝缘层的侧壁发生断开并搭接在铝材料层320上，由于两个第一隔离柱相邻的两个侧壁所形成的间隙内填充由绝缘层400，此时原本沉积在间隙内并于铝材料层320搭接的阴极层500沉积形成在绝缘层400上，故此时由显示区阴极层500传向打孔区阴极层500的电信号在临界区
的第一隔离柱因绝缘层400的存在而发生断接，进而减少阴极以及cvd1膜层的加速老化以及显示面板的gdsh不良的发生。
48.根据本发明的一些实施例，第一隔离柱侧壁上的绝缘层高度不受特别限制，例如，绝缘层的高度可不小于隔离柱侧壁的高度。由于工艺精度限制，隔离柱侧壁上的绝缘层的高度较难与隔离柱的高度保持完全一致，为了确保绝缘层对于隔离柱的侧壁进行完全覆盖，在进行绝缘层的沉积时，可以形成具有较高高度的绝缘层，继而确保隔离柱侧壁被绝缘层完全覆盖，
49.根据本发明的一些实施例，绝缘层所覆盖的隔离柱侧壁的位置和数量不受特别限制，参考图13、图14和图15，当第一隔离柱区内包括多个第一隔离柱时，第一隔离柱区内可以具有多个第一隔离柱相邻的侧壁均被绝缘层400覆盖。为了避免绝缘层的密集设置而使得临界区的应力较为集中，进而导致显示基板在后端工艺进行激光剥离时，应力过于集中而造成临界区内的膜层开裂。临界区内应具有至少两个第一隔离柱，该两个第一隔离柱相邻的侧壁未被绝缘层覆盖。具体地，以图13为例，当第一隔离柱区内具有两对第一隔离柱相邻的侧壁均被绝缘层400覆盖时，这两对第一隔离柱中的每个隔离柱应仅有一个侧壁被绝缘层覆盖，由此，可使得绝缘层400间隔填充在第一隔离柱相邻的侧壁内，进而减少临界区的应力集中。
50.根据本发明的一些实施例，参考图8和图9，绝缘层高度过高以至于将隔离柱的侧壁完全覆盖时，阴极层500会完全覆盖绝缘层400的表面，此时由于隔离柱位于绝缘层400的内部，而绝缘层400又未具有可以使得阴极层500形成段差而断开的结构，此时即便设置有绝缘层400，也无法使得阴极层500的电信号传输在临界区发生断接，由此，第一隔离柱区应具有至少一个第一隔离柱，其具有未被绝缘层400覆盖的侧壁，从而使得阴极层500在临界区发生断开，进而结合绝缘层400的设置使得自显示区朝向打孔区的电信号在临界区断接。根据本发明的另一些实施例，当绝缘层400的高度高于第一隔离柱的高度时，绝缘层400会覆盖第一隔离柱的第二钛材料层330的表面，具体地，绝缘层400在第二钛材料层330的表面的覆盖面积应不大于第二钛材料层330的表面积，由此使得至少一个第一隔离柱，其具有未被绝缘层400覆盖的侧壁。优选地，绝缘层400距第二钛材料层330的表面边缘处的距离可不小于1微米。
51.根据本发明的一些实施例，参考图12，由于电信号是从显示区的阴极层传向打孔区的阴极层，优选地在第一个隔离区的第一隔离柱的侧壁上设置绝缘层400，如在第一隔离柱最靠近显示区的两个第一隔离柱相邻的侧壁之间设置绝缘层400，进而在距离打孔区阴极层较远的位置处实现阴极层电信号传输的断接。进一步地，为了减少仅在第一个隔离柱区的第一隔离柱侧壁上设置绝缘层所带来的不确定性，如第一个隔离柱区的第一隔离柱侧壁上所沉积的绝缘层厚度不足以覆盖第一隔离柱侧壁或掩模板开孔设置等，可在第二隔离柱区的第二隔离柱朝向显示区一侧的侧壁上也形成绝缘层，形成绝缘层的结构以及方式与第一个隔离柱区的绝缘层的结构以及形成方式相同，进而通过多个绝缘层的设置，进一步实现阴极层电信号传输在临界区的断接。
52.根据本发明的一些实施例，第二隔离柱区中绝缘层所覆盖的第二隔离柱侧壁的数量和位置不受特别限制，例如，参考图4和图9，当第二隔离柱区包括至少两个第二隔离柱时，两个第二隔离柱相邻的侧壁可以均被绝缘层400覆盖，此时两个相邻的第二个隔离柱共
用绝缘层400。由此，当在临界区沉积阴极层500后，阴极层500在第二隔离柱未设置绝缘层的侧壁发生断开并搭接在铝材料层320上，由于两个第二隔离柱相邻的两个侧壁所形成的间隙内填充由绝缘层400，此时原本沉积在间隙内并于铝材料层320搭接的阴极层500沉积形成在绝缘层400上，故此时由显示区阴极层500传向打孔区阴极层500的电信号在临界区的第二隔离柱因绝缘层400的存在而发生断接，进而减少阴极以及cvd1膜层的加速老化以及显示面板的gdsh不良的发生。
53.根据本发明的一些实施例，第二隔离柱侧壁上的绝缘层高度不受特别限制，例如，绝缘层的高度可不小于隔离柱侧壁的高度。由于工艺精度限制，隔离柱侧壁上的绝缘层的高度较难与隔离柱的高度保持完全一致，为了确保绝缘层对于隔离柱的侧壁进行完全覆盖，在进行绝缘层的沉积时，可以形成具有较高高度的绝缘层，继而确保隔离柱侧壁被绝缘层完全覆盖，
54.根据本发明的一些实施例，绝缘层所覆盖的隔离柱侧壁的位置和数量不受特别限制，参考图13、图14和图15，当第二隔离柱区内包括多个第二隔离柱时，第二隔离柱区内可以具有多个第二隔离柱相邻的侧壁均被绝缘层400覆盖。为了避免绝缘层的密集设置而使得临界区的应力较为集中，进而导致显示基板在后端工艺进行激光剥离时，应力过于集中而造成临界区内的膜层开裂。临界区内应具有至少两个第二隔离柱，该两个第二隔离柱相邻的侧壁未被绝缘层覆盖。具体地，以图13为例，当第二隔离柱区内具有两对第二隔离柱相邻的侧壁均被绝缘层400覆盖时，这两对第二隔离柱中的每个隔离柱应仅有一个侧壁被绝缘层覆盖，由此，可使得绝缘层400间隔填充在第二隔离柱相邻的侧壁内，进而减少临界区的应力集中。
55.根据本发明的一些实施例，参考图8和图9，绝缘层高度过高以至于将隔离柱的侧壁完全覆盖时，阴极层500会完全覆盖绝缘层400的表面，此时由于隔离柱位于绝缘层400的内部，而绝缘层400又未具有可以使得阴极层500形成段差而断开的结构，此时即便设置有绝缘层400，也无法使得阴极层500的电信号传输在临界区发生断接，由此，第二隔离柱区应具有至少一个第二隔离柱，其具有未被绝缘层400覆盖的侧壁，从而使得阴极层500在临界区发生断开，进而结合绝缘层400的设置使得自显示区朝向打孔区的电信号在临界区断接。根据本发明的另一些实施例，当绝缘层400的高度高于第二隔离柱的高度时，绝缘层400会覆盖第二隔离柱的第二钛材料层330的表面，具体地，绝缘层400在第二钛材料层330的表面的覆盖面积应不大于第二钛材料层330的表面积，由此使得至少一个第二隔离柱，其具有未被绝缘层400覆盖的侧壁。优选地，绝缘层400距第二钛材料层330的表面边缘处的距离可不小于1微米。
56.根据本发明的一些实施例，参考图5和图10，当基板100上的临界区内设置有依次层叠的阻隔缓冲层210、第一栅绝缘层220、第二栅绝缘层230以及层间介质层240时，第一隔离柱区可以包括多个第一隔离柱，多个第一隔离柱之间可以具有凹槽，凹槽至少延伸至第一栅绝缘层220中。当多个第一隔离柱之间具有凹槽时，第一隔离柱的顶端距离凹槽的底端之间的距离相较于多个第一隔离柱之间未设置凹槽时，第一隔离柱的顶端距离层间介质层240的上表面之间的距离更远，则沉积形成阴极层500时所具有的高度差更大，阴极层500更容易因为段差而在第一隔离柱的侧壁上发生断开，进而更好的利用绝缘层的设置实现在临界区断接阴极层电信号传递的效果。具体地，根据本发明的一些实施例，第一栅绝缘层的厚
度约1200埃，第一栅绝缘层的厚度约1300埃，层间介质层厚度约5000埃，凹槽的深度范围可以为7000-8000埃。
57.根据本发明的一些实施例，参考图6和图11，当基板100上的临界区内设置有依次层叠的阻隔缓冲层210、第一栅绝缘层220、第二栅绝缘层230以及层间介质层240时，第二隔离柱区可以包括多个第二隔离柱，此时第二隔离柱区的基板100进一步包括：第一栅极金属层221，第一栅极金属层221位于阻隔缓冲层210与第一栅绝缘层220之间；第二栅极金属层231，第二栅极金属层231位于第一栅绝缘层220与第二栅绝缘层230之间，第二栅极金属层231在基板100上的正投影位于第一栅极金属层220在基板100上的正投影内部，第二隔离柱在基板100上的正投影位于第二栅极金属层230在基板100上的正投影内部。当第二隔离柱区的基板100进一步包括第一栅极金属层221和第二栅极金属层231时，第二隔离柱的顶端距离层间介质层240的上表面之间的距离相较于第二隔离柱区的基板仅包括阻隔缓冲层210、第一栅绝缘层220、第二栅绝缘层230以及层间介质层240时，第二隔离柱的顶端距离层间介质层240的上表面之间的距离更远，则沉积形成阴极层500时所具有的高度差更大，阴极层500更容易因为段差而在第二隔离柱的侧壁上发生断开，进而更好的利用绝缘层的设置实现在临界区断接阴极层电信号传递的效果。根据本发明的一些实施例，第一栅极金属层的厚度约为3000a，第二栅极金属层的厚度约为3000a。
58.在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示装置，显示装置包括前述的显示基板。由此，该显示装置具有前述的显示基板的全部特征及优点，在此不再赘述。
59.下面通过具体的实施例对本技术的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本技术，而不应视为限定本技术的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
60.以下实施例1-4均以第一隔离柱区包括四个第一隔离柱，第二隔离柱区包括七个第二隔离柱为例，其中自显示区朝向打孔区，第一隔离柱区的四个第一隔离柱依次编号为1号、2号、3号、4号，第二隔离柱区的七个第二隔离柱依次编号为5号、6号、7号、8号、9号、10号、11号，其中第二钛材料层330的宽度为4.8微米，采用第二平坦化层作为绝缘层400，第二钛材料层300表面的绝缘层400距离第二钛材料层300边界的距离为1.9微米。
61.实施例1
62.参考图12，在1号第一隔离柱和2号第一隔离柱相邻的侧壁上的设置绝缘层400。
63.实施例2：
64.参考图13，在1号第一隔离柱和2号第一隔离柱相邻的侧壁上、3号第一隔离柱和4号第一隔离柱相邻的侧壁上、6号第二隔离柱和7号第二隔离柱相邻的侧壁上、8号第二隔离柱和9号第二隔离柱相邻的侧壁上均设置绝缘层400。
65.实施例3：
66.参考图14，在1号第一隔离柱和2号第一隔离柱相邻的侧壁上、3号第一隔离柱和4号第一隔离柱相邻的侧壁上、6号第二隔离柱和7号第二隔离柱相邻的侧壁上均设置绝缘层400。
67.实施例4：
68.参考图15，在1号第一隔离柱和2号第一隔离柱相邻的侧壁上、5号第二隔离柱和6
号第二隔离柱相邻的侧壁上均设置绝缘层400。
69.测试结果表明，实施例1-4中的显示基板以及具有实施例1-4显示基板的显示面板在60℃/湿度90％或者85℃/湿度85％测试条件下，通电运行一段时间并未发生gdsh(growing dark spot)黑斑不良。结果表明，由显示区阴极层500传向打孔区阴极层500的电信号在临界区的隔离柱处发生断接，继而避免偏光片断面处发生泄漏的k

、na

等离子与阴极以及cvd1膜层发生电化学反应，进而减少阴极以及cvd1膜层的加速老化以及显示面板的gdsh不良的发生。
70.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
71.在本发明的描述中，“第一特征”、“第二特征”可以包括一个或者更多个该特征。
72.在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
73.在本发明的描述中，第一特征在第二特征“之上”或“之下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
74.在本发明的描述中，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。
75.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
76.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。