半导体加工设备排气装置及方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体加工设备排气装置及方法。


背景技术：

2.在半导体工艺中排气是影响产品质量的重要因素，通常情况下，在烟气排放的过程中，会将半导体加工设备中产生的烟气通过排放管道排放到主管道中，再经过主管道进行排放。
3.在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：
4.现有技术中，半导体加工设备排放的烟气中会存在污染物颗粒，在排放管道中流动的过程中，会在排放管道中沉积和凝固，经过长时间的沉积和凝固，会导致排放管道被堵塞，难以排放烟气。


技术实现要素：

5.本发明提供的半导体加工设备排气装置及方法，能够对烟气中的污染物颗粒进行处理，避免排放管道的堵塞。
6.第一方面，提供一种半导体加工设备排气装置，包括：
7.排气管道，用于将半导体加工设备的废气进行排放；
8.烟气处理模块，设置在所述排气管道上，所述烟气处理模块包括与所述烟气管道相适配的工艺腔体以及设置在所述工艺腔体顶部的喷嘴。
9.可选地，所述烟气处理模块还包括设置在所述工艺腔体底部的加热单元，所述加热单元设置在与所述喷嘴对应的位置。
10.可选地，还包括参数控制模块，用于控制喷嘴喷洒的喷淋液流量以及所述加热单元的加热温度。
11.可选地，还包括用于供应喷淋液的供应管道，所述供应管道与所述喷嘴连通。
12.可选地，所述喷嘴上设置有流量计，所述流量计用于测量所述喷嘴的喷淋液流量。
13.可选地，所述排气管道具有一弯折部位，所述烟气处理模块设置在所述弯折部位之前。
14.第二方面，提供一种半导体加工设备排气方法，包括：
15.将半导体加工设备排放的烟气导入到工艺腔体中；
16.从所述工艺腔体的顶部向所述烟气喷洒喷淋液，以去除所述烟气中的污染物颗粒。
17.可选地，在喷洒喷淋液的同时，在所述工艺腔体的底部进行加热，以清洗所述工艺腔体底部粘附的污染物颗粒。
18.可选地，在喷洒喷淋液和加热的过程中，采用参数控制模块控制所述喷洒流量和加热温度。
19.可选地，所述将半导体加工设备排放的烟气导入到工艺腔体中包括：在烟气进入排放管道中的弯折部位之前，将半导体加工设备排放的烟气导入到工艺腔体中。
20.本发明中提供的技术方案中，采用喷嘴喷洒喷淋液，将烟气中的污染物通过喷淋进行去除，避免烟气在排放管道中积累导致排放管道的堵塞。从而，能够使排放管道中的烟气能够顺利排出。
附图说明
21.图1为本发明一实施例半导体排气装置的示意图。
具体实施方式
22.以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
23.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
24.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
25.本发明实施例提供一种半导体加工设备排气装置，包括：排气管道2，用于将半导体加工设备的废气进行排放；烟气处理模块，设置在所述排气管道2上，所述烟气处理模块包括与所述烟气管道相适配的工艺腔体3以及设置在所述工艺腔体3顶部的喷嘴4。在本实施例中，排气管道2的入口与半导体加工设备1的烟气排出口连通，排气管道2的出口与整个加工区域的排放管道连通，用来将半导体加工设备1产生的烟气排放至主排放管道7中。烟气处理模块设置在排气管道2上，主要包括一工艺腔体3，工艺腔体3具有入口和出口，入口和出口连通在排放管道上，使烟气通过该工艺腔体3。在工艺腔体3的顶部设置喷嘴4，在烟气经过时，喷嘴4喷洒喷淋液，从而，喷淋液将烟气中的污染物颗粒进行消除，避免污染物颗粒在排放管道上积累导致排放管道难以排放烟气。
26.作为一种可选的实施方式，所述烟气处理模块还包括设置在所述工艺腔体3底部的加热单元5，所述加热单元5设置在与所述喷嘴4对应的位置。工艺腔体3的底部设置加热单元5，能够将凝结在工艺腔体3中的污染物颗粒进行融化，在配合喷嘴4喷洒的喷淋液，将融化后的污染物颗粒清洗干净，从而，能够避免污染物颗粒在工艺腔体3中积累。由于污染物颗粒是收到喷淋液的影响而沉降的，在对应喷嘴4的下方为沉降最多的部位，因此，将加热单元5设置在于喷嘴4对应的位置，能够提高对污染物颗粒的清除效果。
27.作为一种可选的实施方式，还包括参数控制模块6，用于控制喷嘴4喷洒的喷淋液流量以及所述加热单元5的加热温度。在本实施例中，通过参数控制模块6对喷淋液流量以
及加热温度的控制，能够提高清洗的效果，同时，还能够通过参数控制模块6对喷淋液流量和加热温度进行自动控制，降低人力消耗，提高控制精度。
28.作为一种可选的实施方式，还包括用于供应喷淋液的供应管道，所述供应管道与所述喷嘴4连通。喷淋液可以通过储罐供应，也可以通过加工区域的供应管道进行供应，作为一种优选的实施方式，可以采用供应管道对喷淋液进行供应，从而，能够持续供应喷淋液。
29.作为一种可选的实施方式，所述喷嘴4上设置有流量计，所述流量计用于测量所述喷嘴4的喷淋液流量。在喷嘴4上设置流量计，能够准确的获取喷嘴4喷洒的喷淋液流量，从而，将该喷淋液流量反馈至参数控制模块6，实现自动的控制。
30.作为一种可选的实施方式，所述排气管道2具有一弯折部位，所述烟气处理模块设置在所述弯折部位之前。在排气管道2上，不可避免的会具有弯折部位，由于在弯折部位烟气需要进行流动方向的变换，同时，在弯折部位，烟气的流动速度会减缓。因此，在该弯折部位的污染物颗粒积累情况会较为严重，在本实施例中，将烟气处理模块设置在弯折部位之前，在烟气流动到该弯折部位之前对烟气进行净化，避免了烟气中的污染物颗粒的积累，避免了排气管道2的堵塞。
31.本实施例中提供的技术方案中，采用喷嘴4喷洒喷淋液，将烟气中的污染物通过喷淋进行去除，避免烟气在排放管道中积累导致排放管道的堵塞。从而，能够使排放管道中的烟气能够顺利排出。
32.本发明实施例还提供一种半导体加工设备排气方法，包括：将半导体加工设备排放的烟气导入到工艺腔体中；从所述工艺腔体的顶部向所述烟气喷洒喷淋液，以去除所述烟气中的污染物颗粒。在排放烟气时，首先将烟气导入到工艺腔体中，通过向烟气中喷洒喷淋液，使烟气中的污染物颗粒沉降，从而，避免烟气在排放管道中进行积累而导致排放管道的堵塞。
33.作为一种可选的实施方式，在喷洒喷淋液的同时，在所述工艺腔体的底部进行加热，以清洗所述工艺腔体底部粘附的污染物颗粒。工艺腔体的底部设置加热单元，能够将凝结在工艺腔体中的污染物颗粒进行融化，在配合喷嘴喷洒的喷淋液，将融化后的污染物颗粒清洗干净，从而，能够避免污染物颗粒在工艺腔体中积累。由于污染物颗粒是收到喷淋液的影响而沉降的，在对应喷嘴的下方为沉降最多的部位，因此，将加热单元设置在于喷嘴对应的位置，能够提高对污染物颗粒的清除效果。
34.作为一种可选的实施方式，在喷洒喷淋液和加热的过程中，采用参数控制模块控制所述喷洒流量和加热温度。在本实施例中，通过参数控制模块对喷淋液流量以及加热温度的控制，能够提高清洗的效果，同时，还能够通过参数控制模块对喷淋液流量和加热温度进行自动控制，降低人力消耗，提高控制精度。
35.作为一种可选的实施方式，所述将半导体加工设备排放的烟气导入到工艺腔体中包括：在烟气进入排放管道中的弯折部位之前，将半导体加工设备排放的烟气导入到工艺腔体中。在排气管道上，不可避免的会具有弯折部位，由于在弯折部位烟气需要进行流动方向的变换，同时，在弯折部位，烟气的流动速度会减缓。因此，在该弯折部位的污染物颗粒积累情况会较为严重，在本实施例中，将烟气处理模块设置在弯折部位之前，在烟气流动到该弯折部位之前对烟气进行净化，避免了烟气中的污染物颗粒的积累，避免了排气管道的堵
塞。
36.本实施例中提供的技术方案中，采用喷嘴喷洒喷淋液，将烟气中的污染物通过喷淋进行去除，避免烟气在排放管道中积累导致排放管道的堵塞。从而，能够使排放管道中的烟气能够顺利排出。
37.在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
38.以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。