具有衰减器的波导的制作方法

技术特征：
1.一种结构，包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于所述波导结构下方；气隙结构，其位于所述波导结构和所述衰减器下方并与所述波导结构和所述衰减器竖直对准；以及浅沟槽隔离结构，其位于所述波导结构的侧面并与所述气隙结构合并。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衰减器包括ge材料，并且所述半导体材料为si材料。3.根据权利要求2所述的结构，其中，ge材料密封所述气隙结构。4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述ge材料位于所述气隙结构上方的沟槽内。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述浅沟槽隔离结构包括电介质材料，所述电介质材料还对所述气隙结构加衬。6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述气隙结构包括大于1:1的纵横比。7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衰减器包括大于1:1的纵横比。8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述气隙结构被si和sige材料密封。9.根据权利要求1所述的结构，还包括标记层，所述标记层包括与所述衰减器相同的材料，所述标记层形成在体衬底上。10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衰减器和所述波导结构位于体衬底上。11.一种结构，包括：波导结构，其位于体衬底上并且包括第一半导体材料；衰减器，其位于所述波导结构下方并与所述波导结构竖直对准，所述衰减器包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料；气隙，其与所述波导结构和所述衰减器竖直对准，所述气隙被所述第二半导体材料密封并在所述波导结构下方被电介质材料加衬；以及浅沟槽隔离结构，其包括电介质材料并位于所述波导结构的侧面。12.根据权利要求11所述的结构，其中，所述浅沟槽隔离结构与所述气隙合并。13.根据权利要求11所述的结构，还包括位于所述波导结构的顶表面上的电介质材料。14.根据权利要求11所述的结构，其中，所述波导结构在所有侧面被电介质材料包覆。15.根据权利要求11所述的结构，其中，所述第一半导体材料包括si，并且所述第二半导体材料包括ge和sige中的一者。16.根据权利要求11所述的结构，其中，所述衰减器包括大于1:1的纵横比。17.根据权利要求16所述的结构，其中，所述衰减器形成在与所述气隙连通的沟槽中。18.根据权利要求11所述的结构，其中，所述衰减器塞填通向所述气隙的沟槽。19.根据权利要求11所述的结构，还包括位于所述体衬底上方并且具有与所述衰减器相同的材料的标记层。20.一种方法，包括：形成包括半导体材料的波导结构；在所述波导结构下方形成衰减器；形成位于所述波导结构和所述衰减器下方并与所述波导结构和所述衰减器竖直对准
的气隙结构；以及形成位于所述波导结构的侧面并与所述气隙结构合并的浅沟槽隔离结构。

技术总结
本公开涉及一种具有衰减器的波导。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有衰减器的波导结构及其制造方法。该结构包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于波导结构下方；气隙结构，其位于波导结构和衰减器下方并与波导结构和衰减器竖直对准；以及浅沟槽隔离结构，其位于波导结构的侧面并与气隙结构合并。并。并。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.10.28
技术公布日：2022/6/4