非易失性存储器装置和包括其的数据存储系统的制作方法

技术特征：
1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：第一结构，包括至少一个第一存储器平面；以及第二结构，接合到第一结构并且包括至少一个第二存储器平面，其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述非易失性存储器装置包括三维nand闪存装置。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第二结构直接接合到第一结构。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器平面和所述至少一个第二存储器平面中的每个分别包括多个块，并且其中，所述多个块中的每个是删除操作的最小单元。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一结构的平面面积与第二结构的平面面积相同。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括接合到第一结构的第三结构，其中，第三结构包括外围电路。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一结构和第二结构中的至少一个还包括外围电路。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量是包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量的偶数倍。9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量为1。10.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：第一结构；以及第二结构，在第一结构上，其中，第一结构包括：至少一个第一存储器平面；以及多个第一接合垫，在第一结构的第一表面上并且连接到所述至少一个第一存储器平面，其中，第二结构包括：至少一个第二存储器平面；以及多个第二接合垫，在第二结构的第二表面上并且连接到所述至少一个第二存储器平面，其中，所述多个第一接合垫分别与所述多个第二接合垫接触，并且其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括在第二结构上的第三结构，
其中，第三结构包括：外围电路；以及多个第三接合垫，在第三结构的第三表面上并且连接到外围电路，其中，第二结构还包括多个第四接合垫，所述多个第四接合垫在第二结构的第四表面上并且连接到所述至少一个第二存储器平面，第二结构的第四表面与第二结构的第二表面相对，并且其中，所述多个第三接合垫分别与所述多个第四接合垫接触。12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括在第一结构与第二结构之间的第三结构，其中，第三结构包括：外围电路；多个第三接合垫，在第三结构的第三表面上并且连接到外围电路；以及多个第四接合垫，在第三结构的第四表面上并且连接到外围电路，并且其中，所述多个第三接合垫分别与所述多个第一接合垫接触，并且所述多个第四接合垫分别与所述多个第二接合垫接触。13.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器平面和所述至少一个第二存储器平面中的每个包括：多个层间绝缘层和多个栅极层，沿竖直方向交替堆叠；以及多个沟道结构，穿过所述多个层间绝缘层和所述多个栅极层。14.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器平面和所述至少一个第二存储器平面中的每个包括：单元区域，所述多个沟道结构位于单元区域中；以及台阶区域，在台阶区域中所述多个层间绝缘层和所述多个栅极层具有台阶形状，并且其中，所述至少一个第一存储器平面中的一个的单元区域与所述至少一个第二存储器平面中的一个的台阶区域在竖直方向上叠置。15.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置，其中，包括在所述至少一个第一存储器平面中的每个中的沟道结构的数量与包括在所述至少一个第二存储器平面中的每个中的沟道结构的数量不同。16.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器平面包括多个第一存储器平面，其中，所述至少一个第二存储器平面包括多个第二存储器平面，其中，所述多个第一存储器平面中的每个的平面面积相同，且其中，所述多个第二存储器平面中的每个的平面面积相同。17.根据权利要求16所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个第一存储器平面中的每个的平面面积与所述多个第二存储器平面中的每个的平面面积不同。18.根据权利要求10至17中的任一项所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器平面包括第一存储器单元，并且所述至少一个第二存储器平面包括第二存储器单元，并且其中，所述非易失性存储器装置被配置为：对所述至少一个第一存储器平面的第一存
储器单元执行第一读取操作、第一写入操作或第一删除操作，同时对所述至少一个第二存储器平面的第二存储器单元执行第二读取操作、第二写入操作或第二删除操作。19.一种数据存储系统，所述数据存储系统包括：非易失性存储器装置，包括第一结构和接合到第一结构的第二结构；以及存储器控制器，电连接到非易失性存储器装置并且被配置为控制非易失性存储器装置，其中，第一结构包括至少一个第一存储器平面，其中，第二结构包括至少一个第二存储器平面，并且其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。20.根据权利要求19所述的数据存储系统，其中，第一结构的第一表面与第二结构的第二表面接触，其中，第一结构还包括在第一结构的第一表面上的多个第一接合垫，其中，第二结构还包括在第二结构的第二表面上的多个第二接合垫，并且其中，所述多个第一接合垫分别与所述多个第二接合垫接触。

技术总结
提供了非易失性存储器装置和包括其的数据存储系统。所述非易失性存储器装置包括：第一结构，包括至少一个第一存储器平面；以及第二结构，接合到第一结构并且包括至少一个第二存储器平面，其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。同。同。


技术研发人员：安在昊 金智源 黄盛珉 任峻成 成锡江
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.09.26
技术公布日：2022/6/4