一种液晶显示装置的制作方法

1.本发明属于液晶显示的技术领域，具体地涉及一种液晶显示装置。


背景技术：

2.液晶显示装置包括透射式与反射式，透射式的液晶显示装置是以背光作为光源，阵列基板的像素电极与液晶盒组成控制光的光阀实现显示画面。反射式的液晶显示装置主要是以前光源或者外界自然光作为光源，其阵列基板上设有用金属或者其他具有良好反射特性材料制作的反射电极，例如像素(pixel)电极，其通过反射前光源或者外界自然光的光线实现画面显示，适合用于外在光源强大的地方，通过反射自然光进行显示能够有效降低显示装置的能耗。
3.现有技术中，当液晶显示装置的像素密度变高、像素尺寸较小时，由于布线空间的问题，数据线、扫描线及薄膜晶体管(tft)开关占据了较大空间，使得存储电容的空间受限只能设计得很小，在一帧的显示时间内像素充电完成后 tft处于关闭状态，此时tft不能完全关闭有一定的漏电流，由于储存电容较小的原因，无法满足漏电流的存储需求，导致面板在工作时产生pixel电极电压降严重，从而较大程度的影响器件的工作性能。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本发明提供了一种液晶显示装置，用于解决现有技术中的液晶显示装置由于储存电容较小，因tft漏电流影响产生pixel电极电压降的技术问题。
5.该发明提供以下技术方案，一种液晶显示装置，包括上基板与下基板，以及设于两者之间的液晶层，所述下基板包括下玻璃基板、设于所述下玻璃基板与所述液晶层之间的薄膜晶体管结构、设于所述薄膜晶体管结构与所述液晶层之间的有机平坦层、设于所述有机平坦层与所述液晶层之间的像素电极，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述有机平坦层一侧依次设置的多晶硅层、第一绝缘层、第一公共电极、钝化层、金属层；
6.其中，所述金属层包括源极和漏极，所述源极电性连接所述多晶硅层，所述漏极电性连接所述像素电极和所述多晶硅层，所述多晶硅层正对所述源极和所述漏极的部分经重掺杂后具有导电性，所述薄膜晶体管结构还包括设于所述源极和所述漏极之间的栅极，且所述栅极与所述金属层处于不同层；
7.所述多晶硅层的重掺杂部分与所述第一公共电极之间的交叠区域形成第一储存电容，所述第一公共电极与所述漏极之间的交叠区域形成第二储存电容。
8.相比于现有技术，本发明的有益效果为：通过对多晶硅层重掺杂后使其具有导电性，使得第一绝缘层作为介质形成第一储存电容、钝化层作为介质形成第二储存电容，增大了储存电容的容量，避免tft漏电流影响产生pixel电极电压降严重，确保器件的工作性能，解决了现有技术中的液晶显示装置由于储存电容较小，导致tft漏电流影响产生pixel电极电压降的技术问题。
9.优选地，所述薄膜晶体管结构还包括自所述有机平坦层远离所述像素电极一侧依
次设置的第二公共电极和第二绝缘层，所述第二公共电极与所述漏极之间的交叠区域形成第三储存电容，所述像素电极与所述第二公共电极之间的交叠区域形成第四储存电容。
10.优选地，所述薄膜晶体管结构还包括自所述有机平坦层朝向所述像素电极一侧依次设置的第二公共电极和第二绝缘层，所述漏极与所述第二公共电极之间的交叠区域形成第三储存电容，所述第二公共电极与所述像素电极之间的交叠区域形成第四储存电容。
11.优选地，所述源极和所述漏极分别通过一引脚依次穿过所述钝化层和所述第一绝缘层连接所述多晶硅层，所述像素电极通过一引脚依次穿过所述有机平坦层、第二公共电极及所述第二绝缘层连接所述漏极。
12.优选地，所述源极和所述漏极分别通过一引脚依次穿过所述钝化层和所述第一绝缘层连接所述多晶硅层，所述像素电极通过一引脚依次穿过所述第二绝缘层、第二公共电极及有机平坦层连接所述漏极。
13.优选地，所述第二绝缘层的材质为二氧化硅或氮化硅的一种。
14.优选地，所述液晶层为ecb型排列方式。
15.优选地，所述下基板还包括缓冲层，所述缓冲层设于所述下玻璃基板与所述多晶硅层之间。
16.优选地，所述液晶层朝向所述上基板及所述下基板的表面分别设有液晶配向层。
17.优选地，所述上基板包括上玻璃基板以及自所述上玻璃基板朝向所述液晶层一侧设置的第三公共电极。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为现有技术的液晶显示装置的电路图；
20.图2为本发明第一实施例中液晶显示装置的结构图；
21.图3为本发明第二实施例中液晶显示装置的结构图；
22.图4为本发明第二实施例中液晶显示装置的等效电路图；
23.图5为本发明第二实施例中像素电极电压变化曲线图；
24.图6为本发明第三实施例中液晶显示装置的结构图。
25.附图标记说明：
26.10、上基板；
27.11、上玻璃基板；12、第三公共电极；
28.20、液晶层；
29.30、下基板；
30.31、下玻璃基板；32、缓冲层；33、多晶硅层；34、第一绝缘层、35、第一公共电；36、钝化层；371、源极；372、漏极；38、有机平坦层；39、像素电极；40、栅极；
31.50、第二绝缘层；60、第二公共电极；
32.70、液晶配向层。
具体实施方式
33.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明的实施例，而不能理解为对本发明的限制。
34.在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
35.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
36.在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
37.现有技术中，当液晶显示装置的像素密度变高、像素尺寸较小时，由于布线空间的问题，数据线、扫描线及tft开关占据了较大空间，使得存储电容的空间受限只能设计得很小，当面板工作时tft持续漏电，由于储存电容较小的原因，无法满足漏电流的存储需求，导致面板在工作时产生pixel电极电压降严重，从而较大程度的影响器件的工作性能。
38.另外，请参阅图1所示，为现有技术中液晶显示装置的等效电路图，图中 date信号、gate信号与pixel电极形成寄生电容cdp与cgp，当date、gate信号跳变时就会对pixel电极产生信号串扰，影响器件的稳定性。为了改善此类问题，本发明提供以下具体实施例来释明。需要说明的是，本发明的具体实施例并不限于以下列举的实施例。
39.实施例1
40.请参阅图2，所示为本发明第一实施例的液晶显示装置，液晶显示装置包括上基板10与下基板30，以及设于两者之间的液晶层20，所述上基板10包括上玻璃基板11以及自所述上玻璃基板11朝向所述液晶层20一侧设置的第三公共电极12。
41.所述下基板30包括下玻璃基板31、设于所述下玻璃基板31与所述液晶层 20之间的薄膜晶体管结构、设于所述薄膜晶体管结构与所述液晶层20之间的有机平坦层38、设于所述有机平坦层38与所述液晶层20之间的像素电极39，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板31朝向所述有机平坦层38一侧依次设置的多晶硅层33、第一绝缘层34、第一公共电极35、钝化层36、金属层。
42.其中，所述金属层包括源极371和漏极372，所述源极371电性连接所述多晶硅层33，所述漏极372电性连接所述像素电极39和所述多晶硅层33，所述多晶硅层33正对所述源极371和所述漏极372的部分经重掺杂后具有导电性，所述薄膜晶体管结构还包括设于所述
源极371和所述漏极372之间的栅极40，且所述栅极40与所述金属层处于不同层。
43.所述多晶硅层33的重掺杂部分与所述第一公共电极35之间的交叠区域形成第一储存电容，所述第一公共电极35与所述漏极372之间的交叠区域形成第二储存电容。
44.具体地，图2中多晶硅层33的n 部分表示重掺杂部分、n－部分表示低掺杂部分、n部分表示未掺杂部分，其中，低掺杂是为了降低tft关态电流，高掺杂是为了提高tft开态电流，未掺杂部分保留半导体特性。需要解释的是，在实际应用中，需要先设置栅极40，经掺杂工艺后再设置第一公共电极35，其目的是，使多晶硅层33正对第一公共电极35的部分也能被重掺杂到。
45.可以理解的，通过对多晶硅层33重掺杂后使其具有导电性，使得第一绝缘层34作为介质形成第一储存电容、钝化层36作为介质形成第二储存电容，增大了储存电容的容量，避免tft漏电流影响产生pixel电极电压降严重，确保器件的工作性能。
46.实施例2
47.请参阅图3，所示为本发明第二实施例的液晶显示装置，包括上基板10与下基板30，以及设于两者之间的液晶层20，所述上基板10包括上玻璃基板11 以及自所述上玻璃基板11朝向所述液晶层20一侧设置的第三公共电极12；
48.所述下基板30包括下玻璃基板31、设于所述下玻璃基板31与所述液晶层 20之间的薄膜晶体管结构、设于所述薄膜晶体管结构与所述液晶层20之间的有机平坦层38、设于所述有机平坦层38与所述液晶层20之间的像素电极39，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板31朝向所述有机平坦层38一侧依次设置的多晶硅层33、第一绝缘层34、第一公共电极35、钝化层36、金属层；
49.其中，所述多晶硅层33经重掺杂后具有导电性，所述金属层包括源极371 和漏极372，所述源极371电性连接所述多晶硅层33，所述漏极372电性连接所述像素电极39和所述多晶硅层33，所述薄膜晶体管结构还包括设于所述源极 371和所述漏极372之间的栅极40，且所述栅极40与所述金属层处于不同层；
50.所述多晶硅层33与所述第一公共电极35之间的交叠区域形成第一储存电容，所述第一公共电极35与所述漏极372之间的交叠区域形成第二储存电容。
51.所述薄膜晶体管结构还包括自所述有机平坦层38远离所述像素电极39一侧依次设置的第二公共电极60和第二绝缘层50，所述第二公共电极60与所述漏极372之间的交叠区域形成第三储存电容，所述像素电极39与所述第二公共电极60之间的交叠区域形成第四储存电容。其中，所述第二绝缘层50的材质为二氧化硅或氮化硅的一种。
52.需要解释得是，本发明利用poly-si(多晶硅层33)经重掺杂后具有导电特性，将poly-si层作为储存电容的一极，在栅极40制作完poly-si重掺杂过后在重掺杂的poly-si上方做一层ito(第一公共电35极)作为common电极；metal (金属层)与有机平坦层38之间设计pv层(第二绝缘层50)和ito(metal)层 (第二公共电极60)，ito(metal)层给common信号。
53.其中，重掺杂poly-si(多晶硅层33)与ito(第一公共电35极)作为上下电极，gi(第一绝缘层34)作为介质层形成cst1(第一储存电容)；ito(第一公共电35极)与漏极372形成cst2(第二储存电容)，介质为ild(钝化层 36)；在metal(金属层)与有机平坦层38之间设计pv层(第二绝缘层50) 和ito(metal)层(第二公共电极60)，ito(metal)层给common信号，
metal与 ito(metal)形成cst3(第三储存电容)，其介质为pv层(第二绝缘层50)可以形成较大的电容，ito(metal)层(第二公共电极60)与pixel(像素电极39)形成cst4(第四储存电容)，其介质为有机平坦层38。cst＝cst1 cst2 cst3 cst4，在原有cst＝cst1 cst2的基础上进一步增大cst，解决因tft漏电流产生的电压降影响器件的正常使用。
54.进一步地，所述源极371和所述漏极372分别通过一引脚依次穿过所述钝化层36和所述第一绝缘层34连接所述多晶硅层33，所述像素电极39通过一引脚依次穿过所述有机平坦层38、第二公共电极60及所述第二绝缘层50连接所述漏极372。本实施例中，引脚的外径朝向所述下玻璃基板31方向逐渐减小呈倒锥形结构，可以理解地，倒锥形的结构设计在实际制作过程中安全性更高。具体实践中，该相位调制器工作机理为：在栅极40电压不同时，栅极40下p-si 的自由电子浓度不同，在一定范围内栅极40电压越高，p-si的自由电子浓度越高，源极371流向漏极372的电流越大；其中，源极371为想要写入的电压信号，漏极372与像素电极39连接将源极371信道传输到像素电极39，通过控制栅极40的电压来控制薄膜晶体管的开、关或开态程度。
55.进一步地，所述像素电极39包含单层结构的银金属。具体地，在其对应的上表面形成反射区，在不施加电压的情况下，光经过反射区相位延迟为最大，当反射电极施加电压后，反射区内的液晶层20发生竖向偏转角度，光经过反射区相位延迟变小，电压越高液晶竖向偏转角度越大，相位延迟越小。
56.具体请结合图3至图5，在本实施例中，由于增加了第二绝缘层50和第二公共电极60，形成了cdc与cgc，可以屏蔽date和gate的信号跳变对像素电极39的耦合影响，且增大了cst，减小了tft关闭状态下因漏电流影响像素电极39产生的电压降，从而提高了器件的工作性能。
57.需要解释的是，cdc指的是源极371与第二公共电极60之间由50作为介质形成的寄生电容，cgc指的是栅极40与第二公共电极60之间由钝化层36和第二绝缘层50作为介质形成的寄生电容。
58.优选地，栅极40、公共电极、源极371及漏极372的材料采用由底层到顶层依序为钛/铝/钛的合金金属；需要说明的是，存储电容的目的在于薄膜晶体管关闭时，防止薄膜晶体管漏电，以使像素电极39电压保持在想写入的电压范围。
59.进一步地，所述下基板30还包括缓冲层32，所述缓冲层32设于所述下玻璃基板31与所述多晶硅层33之间。该缓冲层32贴附在下玻璃基板31上，与所述多晶硅层33以接触，用以在有较强外力的情况下，保护所述下玻璃基板31。
60.进一步地，所述液晶层20朝向所述上基板10及所述下基板30的表面分别设有液晶配向层70。本实施例中，所述液晶配向层70主要成分是聚酰亚胺和 dma；当然，其他实施例的液晶配向层70主要成分也可为聚酰亚胺和nmp、聚酰亚胺和bc中的一种。其中，所述液晶配向层70固含成份在原液中是小分子化合物，在高温下产生聚合反应，形成带很多支链的长链大分子固体聚合物聚酰胺，聚合物分子中支链与主链的夹角就是所谓的导向层预倾角，聚合物的支链基团与液晶分子间的作用力比较强，对液晶分子有锚定的作用，可以使液晶按预倾角方向排列。具体制程过程中，将所述上基板10和所述下基板30相互对应的一侧涂覆一层所述液晶配向层70，对所述液晶配向层70进行摩擦或光配向工艺后，在所述下基板30显示区域的玻璃边缘涂覆一圈封框胶，在该封框胶内的所述液晶配向层70上滴液晶，
在真空环境下将所述上基板10和所述下基板30对位贴合，在紫外线光照设和加热调节下，封框胶固化，形成玻璃基液晶相位调制装置。
61.进一步地，所述液晶层20采用正性液晶。在本实施例中，所述液晶层20 为ecb型液晶(电控双折射型液晶)，液晶盒满足δnd＞2π。ecb型液晶显示装置在通电时，液晶分子长轴与电场之间的夹角θ因电压大小不同而变化，故使液晶盒的双折射率发生变化。当线偏振光入射该液晶盒后，在不同的双折射率下会形成不同相位延迟，相位调制器因此具有相位调制能力。
62.需要解释的是，ecb型液晶是一种可以由电压控制显示多种颜色的彩色液晶。按内部结构原理的不同，ecb又分为垂直排列液晶(dap型)、平行型排列方式及lb膜取向的混合排列向列型(han型)三种，其中dap型液晶是由具有负介电各向异性的向列液晶垂直于液晶盒表面排列构成；平行型排列方式采用正介电各向异性的向列液晶分子长轴与基板平行沿面排列的平行取向液晶盒；han型液晶是由具有正介电各向异性的向列液晶一侧垂直于液晶盒表面排列，而另一侧平行于液晶盒表面排列构成。
63.综上所述，本发明通过对多晶硅层33重掺杂后使其具有导电性，使得第一绝缘层34作为介质形成第一储存电容、钝化层36作为介质形成第二储存电容、第二绝缘层50作为介质形成第三储存电容，有机平坦层38作为介质形成第四储存电容，增大了储存电容的容量，避免tft漏电流影响产生pixel电极电压降严重，确保器件的工作性能，解决了现有技术中的液晶显示装置由于储存电容较小，导致tft漏电流影响产生pixel电极电压降的技术问题。
64.实施例3
65.请查阅图6，所示为本发明第三实施例中的液晶显示装置，包括上基板 10与下基板30，以及设于两者之间的液晶层20，所述上基板10包括上玻璃基板11以及自所述上玻璃基板11朝向所述液晶层20一侧设置的第三公共电极12；
66.所述下基板30包括下玻璃基板31、设于所述下玻璃基板31与所述液晶层 20之间的薄膜晶体管结构、设于所述薄膜晶体管结构与所述液晶层20之间的有机平坦层38、设于所述有机平坦层38与所述液晶层20之间的像素电极39，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板31朝向所述有机平坦层38一侧依次设置的多晶硅层33、第一绝缘层34、第一公共电极35、钝化层36、金属层；
67.其中，所述多晶硅层33经重掺杂后具有导电性，所述金属层包括源极371 和漏极372，所述源极371电性连接所述多晶硅层33，所述漏极372电性连接所述像素电极39和所述多晶硅层33，所述薄膜晶体管结构还包括设于所述源极 371和所述漏极372之间的栅极40，且所述栅极40与所述金属层处于不同层；所述多晶硅层33与所述第一公共电极35之间的交叠区域形成第一储存电容，所述第一公共电极35与所述漏极372之间的交叠区域形成第二储存电容。
68.具体地，所述薄膜晶体管结构还包括自所述有机平坦层38朝向所述像素电极39一侧依次设置的第二公共电极60和第二绝缘层50，所述漏极372与所述第二公共电极60之间的交叠区域形成第三储存电容，所述第二公共电极60与所述像素电极39之间的交叠区域形成第四储存电容。其中，所述第二绝缘层50 的材质为二氧化硅或氮化硅的一种。在本实施例中，由于增加了第二绝缘层50 和第二公共电极60，形成了cdc与cgc，可以屏蔽date和
gate的信号跳变对像素电极39的耦合影响，且增大了cst，减小了tft关闭状态下因漏电流影响像素电极39产生的电压降，从而提高了器件的相位调制能力。
69.需要解释得是，本发明利用poly-si(多晶硅层33)经重掺杂后具有导电特性，将poly-si层作为储存电容的一极，在栅极40制作完poly-si重掺杂过后在重掺杂的poly-si上方做一层ito(第一公共电35极)作为common电极；metal (金属层)与有机平坦层38之间设计pv层(第二绝缘层50)和ito(metal)层 (第二公共电极60)，ito(metal)层给common信号。
70.其中，重掺杂poly-si(多晶硅层33)与ito(第一公共电35极)作为上下电极，gi(第一绝缘层34)作为介质层形成cst1(第一储存电容)；ito(第一公共电35极)与漏极372形成cst2(第二储存电容)，介质为ild(钝化层 36)；在metal(金属层)与有机平坦层38之间设计pv层(第二绝缘层50) 和ito(metal)层(第二公共电极60)，ito(metal)层给common信号，metal与 ito(metal)形成cst3(第三储存电容)，其介质为有机平坦层38，ito(metal) 层(第二公共电极60)与pixel(像素电极39)形成cst4(第四储存电容)，其介质为pv层(第二绝缘层50)可以形成较大的电容。cst＝cst1 cst2 cst3 cst4，在原有cst＝cst1 cst2的基础上进一步增大cst，解决因tft漏电流产生的电压降影响器件的正常使用。
71.进一步地，所述源极371和所述漏极372分别通过一引脚依次穿过所述钝化层36和所述第一绝缘层34连接所述多晶硅层33，所述像素电极39通过一引脚依次穿过所述第二绝缘层50、第二公共电极60及有机平坦层38连接所述漏极372，本实施例中，引脚的外径朝向所述下玻璃基板31方向逐渐减小呈倒锥形结构，可以理解地，倒锥形的结构设计在实际制作过程中安全性更高。具体实践中，该相位调制器工作机理为：在栅极40电压不同时，栅极40下p-si的自由电子浓度不同，在一定范围内栅极40电压越高，p-si的自由电子浓度越高，源极371流向漏极372的电流越大；其中，源极371为想要写入的电压信号，漏极372与像素电极39连接将源极371信道传输到像素电极39，通过控制栅极40的电压来控制薄膜晶体管的开、关或开态程度。
72.进一步地，所述像素电极39可包含多层结构的合金金属，诸如由底层到顶层依序为钛/铝、钛/铝/钛中的一种。具体地，在其对应的上表面形成反射区，在不施加电压的情况下，光经过反射区相位延迟为最大，当反射电极施加电压后，反射区内的液晶层20发生竖向偏转角度，光经过反射区相位延迟变小，电压越高液晶竖向偏转角度越大，相位延迟越小。
73.进一步地，栅极40、公共电极、源极371及漏极372的材料可采用由底层到顶层依序为钼/铝/钼的合金金属。存储电容的目的在于薄膜晶体管关闭时，防止薄膜晶体管漏电，以使像素电极39电压保持在想写入的电压范围。
74.进一步地，所述下基板30还包括缓冲层32，所述缓冲层32设于所述下玻璃基板31与所述多晶硅层33之间。该缓冲层32贴附在下玻璃基板31上，与所述多晶硅层33以接触，用以在有较强外力的情况下，保护所述下玻璃基板31。
75.进一步地，所述液晶层20朝向所述上基板10及所述下基板30的表面分别设有液晶配向层70。本实施例中，所述液晶配向层70主要成分是聚酰亚胺和 dma；当然，其他实施例的液晶配向层70主要成分也可为聚酰亚胺和nmp、聚酰亚胺和bc中的一种。其中，所述液晶配向层70固含成份在原液中是小分子化合物，在高温下产生聚合反应，形成带很多支链的长链大分子固体聚合物聚酰胺，聚合物分子中支链与主链的夹角就是所谓的导向层预倾
角，聚合物的支链基团与液晶分子间的作用力比较强，对液晶分子有锚定的作用，可以使液晶按预倾角方向排列。具体制程过程中，将所述上基板10和所述下基板30相互对应的一侧涂覆一层所述液晶配向层70，对所述液晶配向层70进行摩擦或光配向工艺后，在所述下基板30显示区域的玻璃边缘涂覆一圈封框胶，在该封框胶内的所述液晶配向层70上滴液晶，在真空环境下将所述上基板10和所述下基板30对位贴合，在紫外线光照设和加热调节下，封框胶固化，形成玻璃基液晶相位调制装置。
76.综上所述，本发明通过对多晶硅层33重掺杂后使其具有导电性，使得第一绝缘层34作为介质形成第一储存电容、钝化层36作为介质形成第二储存电容、有机平坦层38作为介质形成第三储存电容，第二绝缘层50作为介质形成第四储存电容，增大了储存电容的容量，避免tft漏电流影响产生pixel电极电压降严重，确保器件的工作性能，解决了现有技术中的液晶显示装置由于储存电容较小，导致tft漏电流影响产生pixel电极电压降的技术问题。
77.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。