一种液晶显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种液晶显示装置，包括上基板与下基板，以及设于两者之间的液晶层，其特征在于，所述下基板包括下玻璃基板、设于所述下玻璃基板与所述液晶层之间的薄膜晶体管结构、设于所述薄膜晶体管结构与所述液晶层之间的有机平坦层、设于所述有机平坦层与所述液晶层之间的像素电极，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述有机平坦层一侧依次设置的多晶硅层、第一绝缘层、第一公共电极、钝化层、金属层；其中，所述金属层包括源极和漏极，所述源极电性连接所述多晶硅层，所述漏极电性连接所述像素电极和所述多晶硅层，所述多晶硅层正对所述源极和所述漏极的部分经重掺杂后具有导电性，所述薄膜晶体管结构还包括设于所述源极和所述漏极之间的栅极，且所述栅极与所述金属层处于不同层；所述多晶硅层的重掺杂部分与所述第一公共电极之间的交叠区域形成第一储存电容，所述第一公共电极与所述漏极之间的交叠区域形成第二储存电容。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管结构还包括自所述有机平坦层远离所述像素电极一侧依次设置的第二公共电极和第二绝缘层，所述第二公共电极与所述漏极之间的交叠区域形成第三储存电容，所述像素电极与所述第二公共电极之间的交叠区域形成第四储存电容。3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述源极和所述漏极分别通过一引脚依次穿过所述钝化层和所述第一绝缘层连接所述多晶硅层，所述像素电极通过一引脚依次穿过所述有机平坦层、第二公共电极及所述第二绝缘层连接所述漏极。4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管结构还包括自所述有机平坦层朝向所述像素电极一侧依次设置的第二公共电极和第二绝缘层，所述漏极与所述第二公共电极之间的交叠区域形成第三储存电容，所述第二公共电极与所述像素电极之间的交叠区域形成第四储存电容。5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，所述源极和所述漏极分别通过一引脚依次穿过所述钝化层和所述第一绝缘层连接所述多晶硅层，所述像素电极通过一引脚依次穿过所述第二绝缘层、第二公共电极及有机平坦层连接所述漏极。6.根据权利要求2或4所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二绝缘层的材质为二氧化硅或氮化硅的一种。7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶层为电控双折射(ecb)型排列方式。8.根据权利要求2或4所述的液晶显示装置，其特征在于，所述下基板还包括缓冲层，所述缓冲层设于所述下玻璃基板与所述多晶硅层之间。9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶层朝向所述上基板及所述下基板的表面分别设有液晶配向层。10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板以及自所述上玻璃基板朝向所述液晶层一侧设置的第三公共电极。

技术总结
本发明提供了一种液晶显示装置，包括上基板与下基板，以及设于两者之间的液晶层；下基板包括下玻璃基板、设于下玻璃基板与液晶层之间的薄膜晶体管结构、设于薄膜晶体管结构与液晶层之间的有机平坦层、设于有机平坦层与液晶层之间的像素电极，薄膜晶体管结构包括自下玻璃基板朝向有机平坦层一侧依次设置的多晶硅层、第一绝缘层、第一公共电极、钝化层、金属层；其中，多晶硅层正对所述源极和所述漏极的部分经重掺杂后具有导电性。解决了现有技术中的液晶显示装置由于储存电容过小，像素电极因薄膜晶体管漏电导致电位保持率不足，像素电极电压下降明显，从而影响显示装置的工作性能。从而影响显示装置的工作性能。从而影响显示装置的工作性能。


技术研发人员：荣誉东 霍英东
受保护的技术使用者：南昌虚拟现实研究院股份有限公司
技术研发日：2022.03.14
技术公布日：2022/6/4