半导体器件和方法与流程

技术特征：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成从半导体衬底延伸的第一鳍和第二鳍；沿着所述第一鳍的第一侧壁、所述第二鳍的第二侧壁和所述半导体衬底的顶表面沉积衬里层，所述衬里层由氮浓度在5％至30％的范围内的氮氧化硅形成；在所述衬里层上沉积填充材料，所述填充材料由硅形成；对所述衬里层和所述填充材料进行退火，所述退火将所述填充材料转换为氧化硅，所述退火将所述衬里层的氮浓度降低到1％至5％的范围；以及使所述衬里层和所述填充材料凹陷以在所述第一鳍和所述第二鳍之间形成隔离区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述衬里层和所述填充材料进行退火减小了所述衬里层的厚度。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述退火之前的所述衬里层的厚度在至的范围内，并且在所述退火之后的所述衬里层的厚度在至的范围内。4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述衬里层包括：将所述半导体衬底放置在沉积室中；执行原子层沉积ald循环，包括：将六氯乙硅烷引入到所述沉积室中；从所述沉积室清除所述六氯乙硅烷；将氧引入到所述沉积室中；从所述沉积室清除所述氧；将氨引入到所述沉积室中；以及从所述沉积室清除所述氨；以及重复所述ald循环。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述六氯乙硅烷在所述沉积室中保持在5秒至120秒的范围内的持续时间，所述氧在所述沉积室中保持在5秒至100秒的范围内的持续时间，所述氨在所述沉积室中保持在5秒至100秒的范围内的持续时间，并且所述ald循环重复5至100次。6.根据权利要求4所述的方法，其中，引入六氯乙硅烷、引入氧和引入氨各自在450℃至700℃的范围内的温度下执行。7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述衬里层和所述填充材料进行退火包括：在400℃至750℃的范围内的温度下执行湿法退火工艺，并且持续时间在1小时至5小时的范围内。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述湿法退火工艺利用通过原位蒸汽生成issg产生的蒸汽来执行。9.一种形成半导体器件的方法，包括：形成从半导体衬底延伸的第一鳍和第二鳍；利用原子层沉积ald工艺来沉积第一电介质材料，以沿着所述第一鳍的第一侧壁、所述第二鳍的第二侧壁和所述半导体衬底的顶表面形成衬里层；利用可流动化学气相沉积fcvd工艺来沉积第二电介质材料，以在所述衬里层上形成填
充材料，所述第二电介质材料与所述第一电介质材料不同，所述衬里层的一部分在所述fcvd工艺期间被转换为所述第二电介质材料；以及使所述衬里层和所述填充材料凹陷以在所述第一鳍和所述第二鳍之间形成隔离区域。10.一种半导体结构，包括：第一鳍，从衬底延伸；第二鳍，从所述衬底延伸；隔离区域，在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述隔离区域包括：主层，为氧化硅；以及衬里层，为氮浓度在1％至5％的范围内的氮氧化硅，所述衬里层被设置在所述主层与所述第一鳍、所述第二鳍和所述衬底中的每一者之间，所述衬里层和所述主层的顶表面是共面的。

技术总结
本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从半导体衬底延伸的第一鳍和第二鳍；沿着第一鳍的第一侧壁、第二鳍的第二侧壁和半导体衬底的顶表面沉积衬里层，衬里层由氮浓度在5％至30％的范围内的氮氧化硅形成；在衬里层上沉积填充材料，该填充材料由硅形成；对衬里层和填充材料进行退火，退火将填充材料转换为氧化硅，退火将衬里层的氮浓度降低到1％至5％的范围；以及使衬里层和填充材料凹陷以在第一鳍和第二鳍之间形成隔离区域。域。域。


技术研发人员：高琬贻 李思屏 张哲豪 陈俊纮 卢永诚 徐志安
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2022/5/20