一种应用于OLED面板的IGZO背板结构及制造方法与流程

一种应用于oled面板的igzo背板结构及制造方法
技术领域
1.本发明涉及oled显示技术领域，具体涉及一种应用于oled面板的igzo背板结构及制造方法。


背景技术：

2.目前市面上oled面板主要使用ltps驱动背板，ltps具有电子迁移率大的优点，意味着更小的元件尺寸可达到与其他半导体tft相同的开态电流，则像素驱动电路可以制作的更小，分辨率也更高。虽然ltps的电子迁移率大，但是漏电流也大，因此显示时电容需要频繁充电保持驱动oled元件的电流稳定，驱动功耗较高，不适用于低频刷新。除此之外，ltps背板的制造成本也较高，且均匀性表现不佳不适用于大尺寸面板的制造。
3.igzo背板较ltps 电子迁移率低，想达到与ltps相同开态电流，需要更大尺寸元件，单个子像素驱动电路更大，则分辨率也较低。但是igzo的漏电流却更小，因此驱动功耗更低。由于制备工艺与已经非常成熟的非晶硅背板技术相似，因此可对原有非晶硅背板产线改造后生产igzo面板，生产成本较ltps背板更便宜，并且由于均匀性好igzo 背板可适用于电视，电脑等大尺寸显示屏，具有很广的应用前景。


技术实现要素：

4.为克服现有技术中的不足，本发明的目的在于提供一种应用于oled面板的igzo背板结构及制造方法，能够改善igzo oled面板分辨率低的缺点。
5.为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种应用于oled面板的igzo背板结构，其包括基板sub；所述基板sub上设有金属层m0，金属层m0用于接收ovdd讯号；所述基板sub上还设有绝缘层pv，绝缘层pv覆盖金属层m0；所述绝缘层pv上设有半导体层igzo；所述igzo半导体层上设有金属层m0.5，金属层m0.5与金属层m0连接；所述绝缘层pv上还设有绝缘层gi，绝缘层gi覆盖金属层m0.5和半导体层igzo；所述绝缘层gi上设有金属层m1，金属层m1用于接收scan扫描讯号；所述绝缘层gi上还设有绝缘层ip，绝缘层ip覆盖金属层m1；所述绝缘层ip上设有金属层m2，金属层m2与金属层m0.5形成储存电容，且金属层m2分别与半导体层igzo和金属层m1连接；所述绝缘层ip上还设有有机平坦层op，有机平坦层op覆盖金属层m2；所述有机平坦层op上设有阳极金属层anode，阳极金属层anode与金属层m2连接，阳极金属层anode用于接收ovdd电压讯号；所述有机平整层op上还设有画素定义层pdl，该画素定义层pdl在阳极金属层anode处设有开口。
6.进一步的，所述绝缘层pv上设有pv洞，金属层m0.5通过pv洞与金属层m0连接。
7.进一步的，所述绝缘层ip上设有ip洞，金属层m2通过ip洞分别与半导体层igzo和金属层m1相连接。
8.进一步的，所述有机平坦层op上设有op洞，阳极金属层anode通过op洞与金属层m2连接。
9.本发明一种应用于oled面板的igzo背板结构的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）在基板sub上镀上金属层m0；2）镀上绝缘层pv覆盖金属层m0；3）在绝缘层pv上镀上半导体层igzo；4）绝缘层pv上打pv洞；5）在半导体层igzo上镀上金属层m0.5，金属层m0.5通过pv洞与金属层m0连接；6）镀上绝缘层gi覆盖金属层m0.5和半导体层igzo；7）在绝缘层gi上镀上金属层m1；8）镀上绝缘层ip覆盖金属层m1；9）在绝缘层ip上打ip洞；10）在绝缘层ip上镀上金属层m2，金属层m2与金属层m0.5形成储存电容，金属层m2通过ip洞分别与半导体层igzo和金属层m1相连接；11）镀上有机平坦层op覆盖金属层m2；12）有机平坦层op打op洞；13）在有机平坦层op上镀上阳极金属层anode，阳极金属层anode通过op洞与金属层m2相连；14）在有机平整层op上镀上画素定义层pdl，并在阳极金属层anode处开口。
10.本发明采用以上技术方案，通过专用金属层别制作讯号走线，减小像素驱动电路占用的平面空间，进而减小像素面积，使单位面积下可容纳更多的像素，从而提高面板的分辨率，同时能发挥igzo背板低漏电流、低功耗和低成本的优点。
附图说明
11.以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明；图1为本发明应用于oled面板的igzo背板结构的示意图；图2为本发明应用于oled面板的igzo背板结构的制造流程。
具体实施方式
12.请参照图1，本发明一种应用于oled面板的igzo背板结构，其包括基板sub；基板sub上设有金属层m0，金属层m0用于接收ovdd讯号；基板sub上还设有绝缘层pv，绝缘层pv覆盖金属层m0；绝缘层pv上设有半导体层igzo；igzo半导体层上设有金属层m0.5，金属层m0.5与金属层m0连接；绝缘层pv上还设有绝缘层gi，绝缘层gi覆盖金属层m0.5和半导体层igzo；绝缘层gi上设有金属层m1，金属层m1用于接收scan扫描讯号；
绝缘层gi上还设有绝缘层ip，绝缘层ip覆盖金属层m1；绝缘层ip上设有金属层m2，金属层m2与金属层m0.5形成储存电容，且金属层m2分别与半导体层igzo和金属层m1连接；绝缘层ip上还设有有机平坦层op，有机平坦层op覆盖金属层m2；有机平坦层op上设有阳极金属层anode，阳极金属层anode与金属层m2连接，阳极金属层anode用于接收ovdd电压讯号；有机平整层op上还设有画素定义层pdl，该画素定义层pdl在阳极金属层anode处设有开口。
13.进一步的，绝缘层pv上设有pv洞，金属层m0.5通过pv洞与金属层m0连接。
14.进一步的，绝缘层ip上设有ip洞，金属层m2通过ip洞分别与半导体层igzo和金属层m1相连接。
15.进一步的，有机平坦层op上设有op洞，阳极金属层anode通过op洞与金属层m2连接。
16.请参照图2，本发明一种应用于oled面板的igzo背板结构的制造方法，制造方法包括以下步骤：1）在基板sub上镀上金属层m0；2）镀上绝缘层pv覆盖金属层m0；3）在绝缘层pv上镀上半导体层igzo；4）绝缘层pv上打pv洞；5）在半导体层igzo上镀上金属层m0.5，金属层m0.5通过pv洞与金属层m0连接；6）镀上绝缘层gi覆盖金属层m0.5和半导体层igzo；7）在绝缘层gi上镀上金属层m1；8）镀上绝缘层ip覆盖金属层m1；9）在绝缘层ip上打ip洞；10）在绝缘层ip上镀上金属层m2，金属层m2与金属层m0.5形成储存电容，金属层m2通过ip洞分别与半导体层igzo和金属层m1相连接；11）镀上有机平坦层op覆盖金属层m2；12）有机平坦层op打op洞；13）在有机平坦层op上镀上阳极金属层anode，阳极金属层anode通过op洞与金属层m2相连；14）在有机平整层op上镀上画素定义层pdl，并在阳极金属层anode处开口。
17.本发明具有以下有益效果：（1）在显示效果方面，将ovdd讯号放置在底层，使不必与其他金属走线争抢平面空间，可有效减小像素驱动电路的面积，增大单位面积的像素数量，从而增大了分辨率；（2）在设计方面，将ovdd讯号走线放置在底层，空间增大，方便其他金属走线和tft元件放置的规划。
18.上面结合附图对本发明的实施加以描述，但是本发明不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式是示意性而不是加以局限本发明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实
施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。