技术特征：
1.一种半导体纳米粒子集合体，其为具有含有in和p的芯和1层以上的壳的芯/壳型半导体纳米粒子的集合，其中，在所述半导体纳米粒子集合体分散在分散介质中的状态下利用450nm的激发光进行激发时的发射光谱(λ1)的峰波长(λ
1max
)在605～655nm之间，所述发射光谱(λ1)的半值宽度(fwhm1)为43nm以下，对于构成所述半导体纳米粒子集合体的半导体纳米粒子利用445nm的激发光进行激发而得到的每1个粒子的发射光谱(λ2)满足以下的条件(1)～(3)的全部：(1)发射光谱(λ2)的半值宽度(fwhm2)的平均值为28nm以下，(2)发射光谱(λ2)的峰波长(λ
2max
)的标准差(sd1)为10nm以上30nm以下，(3)发射光谱(λ2)的半值宽度(fwhm2)的标准差(sd2)为12nm以下。2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半值宽度(fwhm1)为38nm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半值宽度(fwhm2)的平均值为25nm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述标准差(sd2)为7nm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半值宽度(fwhm1)为35nm以下，所述半值宽度(fwhm2)的平均值为24nm以下，所述标准差(sd2)为6nm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半导体纳米粒子集合体的量子效率(qy)为80％以上。7.根据权利要求6所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半导体纳米粒子集合体的量子效率(qy)为85％以上。8.根据权利要求7所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半导体纳米粒子集合体的量子效率(qy)为90％以上。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半导体纳米粒子至少含有in、p、zn、se和卤素，所述半导体纳米粒子中，以原子计，p、zn、se和卤素相对于in的各摩尔比为p：0.20～0.95，zn：11.00～50.00，se：7.00～25.00，卤素：0.80～15.00。10.一种半导体纳米粒子集合体分散液，其通过将权利要求1～9中任一项所述的半导体纳米粒子集合体分散在有机分散介质中而得到。11.一种半导体纳米粒子集合体组合物，其通过将权利要求1～9中任一项所述的半导体纳米粒子集合体分散在单体或预聚物中而得到。12.一种半导体纳米粒子集合体固化膜，其通过将权利要求1～9中任一项所述的半导体纳米粒子集合体分散在高分子基体中而得到。
技术总结
本发明涉及一种半导体纳米粒子集合体，其为具有含有In和P的芯和1层以上的壳的芯/壳型半导体纳米粒子的集合，其中，半导体纳米粒子集合体的发射光谱(λ1)的峰波长(λ
技术研发人员：梅田直树 城户信人 三津家由子 佐佐木洋和
受保护的技术使用者：昭荣化学工业株式会社
技术研发日：2020.12.04
技术公布日：2022/5/10
再多了解一些
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