切割系统以及切割方法与流程

1.本发明涉及使用了等离子体的基板的切割系统以及切割方法。


背景技术：

2.作为将基板分割来制作多个元件芯片的方法，提出了以下方法：在通过保护层来覆盖了基板之后，将保护层图案化并形成掩模，接下来，对从掩模露出的基板进行等离子体蚀刻(专利文献1)。
3.在先技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：jp特表2015-519732号公报


技术实现要素：

[0006]-发明要解决的课题-[0007]
通过等离子体蚀刻而制作的元件芯片经由形成保护层的工序、将保护层图案化的工序、等离子体蚀刻的工序等的多个工序而制作。因此，若通过各工序而制作的保护层、掩模的形状、蚀刻量等存在偏差，则元件芯片的形状以及品质不稳定。
[0008]-解决课题的手段-[0009]
本发明的一方面涉及一种切割系统，具备：保护层形成装置，在基板的表面形成保护层；图案化装置，将所述保护层图案化来形成掩模；等离子体处理装置，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定装置，获取从包含与所述保护层有关的第1加工数据、与所述掩模有关的第2加工数据以及与所述元件芯片有关的第3加工数据的组选择的至少一个加工数据；和控制部，基于按每个装置而确定的方案(recipe)，使从包含所述保护层形成装置、所述图案化装置以及所述等离子体处理装置的组选择的至少一个装置进行动作，所述控制部基于获取到的所述至少一个加工数据之中的至少一个，判断是否变更所述方案，在需要所述方案的变更的情况下，变更所述方案的至少一个，基于被变更的所述方案使从包含所述保护层形成装置、所述图案化装置以及所述等离子体处理装置的组选择的至少一个装置进行动作。
[0010]
本发明的另一方面涉及一种切割方法，具备：保护层形成工序，基于第1方案，在基板的表面形成保护层；图案化工序，基于第2方案，将所述保护层图案化并形成掩模；等离子体处理工序，基于第3方案，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定工序，对从包含与所述保护层有关的第1加工数据、与所述掩模有关的第2加工数据以及与所述元件芯片有关的第3加工数据的组选择的至少一个加工数据进行获取；方案变更工序，基于获取的所述至少一个加工数据之中的至少一个，判断是否变更从包含所述第1方案、所述第2方案以及所述第3方案的组选择的至少一个方案，在需要所述至少一个方案的变更的情况下，变更所述至少一个方案；和反馈工序，将变更后的所述至少一个方案反馈至所述至少一个方案所对应的工序的控制。在该切割方法的第1例中，所述至少一个方
案是所述第1方案，在需要所述第1方案的变更的情况下，在所述反馈工序中，将变更后的所述第1方案反馈至所述保护层形成工序的控制。在该切割方法的第2例中，所述至少一个方案是所述第2方案，在需要所述第2方案的变更的情况下，在所述反馈工序中，将变更后的所述第2方案反馈至所述图案化工序的控制。在该切割方法的第3例中，所述至少一个方案是所述第3方案，在需要所述第3方案的变更的情况下，在所述反馈工序中，将变更后的所述第3方案反馈至所述等离子体处理工序的控制。
[0011]
本发明的另一方面涉及切割方法，具备：保护层形成工序，基于第1方案，在基板的表面形成保护层；图案化工序，基于第2方案，将所述保护层图案化并形成掩模；等离子体处理工序，基于第3方案，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定工序，对与所述保护层有关的第1加工数据、与所述掩模有关的第2加工数据以及与所述元件芯片有关的第3加工数据的至少一个进行获取；第1方案变更工序，基于获取的所述第1加工数据、所述第2加工数据以及所述第3加工数据的至少一个判断是否变更所述第1方案，在需要所述第1方案的变更的情况下，变更所述第1方案；和第1反馈工序，将变更后的所述第1方案反馈至所述保护层形成工序的控制。
[0012]
本发明的又一方面涉及一种切割方法，具备：保护层形成工序，基于第1方案，在基板的表面形成保护层；图案化工序，基于第2方案，将所述保护层图案化并形成掩模；等离子体处理工序，基于第3方案，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定工序，对与所述保护层有关的第1加工数据、与所述掩模有关的第2加工数据以及与所述元件芯片有关的第3加工数据的至少一个进行获取；第2方案变更工序，基于获取到的所述第1加工数据、所述第2加工数据以及所述第3加工数据的至少一个判断是否变更所述第2方案，在需要所述第2方案的变更的情况下，变更所述第2方案；和第2反馈工序，将变更后的所述第2方案反馈至所述图案化工序的控制。
[0013]
本发明的又一方面涉及一种切割方法，具备：保护层形成工序，基于第1方案，在基板的表面形成保护层；图案化工序，基于第2方案，将所述保护层图案化来形成掩模；等离子体处理工序，基于第3方案，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定工序，对与所述保护层有关的第1加工数据、与所述掩模有关的第2加工数据以及与所述元件芯片有关的第3加工数据的至少一个进行获取；第3方案变更工序，基于获取到的所述第1加工数据、所述第2加工数据以及所述第3加工数据的至少一个来判断是否变更所述第3方案，在需要所述第3方案的变更的情况下，变更所述第3方案；和第3反馈工序，将变更后的所述第3方案反馈至所述等离子体处理工序的控制。
[0014]
本发明的又一方面涉及一种切割方法，具备：保护层形成工序，基于第1方案，在基板的表面形成保护层；图案化工序，基于第2方案，将所述保护层图案化来形成掩模；等离子体处理工序，基于第3方案，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定工序，获取与所述掩模有关的第2加工数据；第3方案变更工序，基于获取到的所述第2加工数据来判断是否变更所述第3方案，在需要所述第3方案的变更的情况下，变更所述第3方案；和前馈(feed forward)工序，将变更后的所述第3方案前馈至所述等离子体处理工序的控制。
[0015]-发明效果-[0016]
通过本发明，得到的元件芯片的品质提高。
[0017]
在附加的权利要求中记载了本发明的新的特征，但关于结构以及内容这两者，通过结合本发明的其他目的以及特征，对附图进行比较的以下的详细说明而能够更好地理解本发明。
附图说明
[0018]
图1是表示本发明的实施方式所涉及的切割系统的结构的一个例子的框图。
[0019]
图2是表示本发明的实施方式所涉及的切割系统的结构的另一例的框图。
[0020]
图3是表示本发明的实施方式所涉及的切割系统的结构的又一例的框图。
[0021]
图4是表示由本发明的实施方式所涉及的控制部进行的处理的一个例子的流程图。
[0022]
图5是表示由本发明的实施方式所涉及的控制部进行的处理的另一例的流程图。
[0023]
图6是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式i-a进行说明的流程图。
[0024]
图7是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式i-b进行说明的流程图。
[0025]
图8是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式i-c进行说明的流程图。
[0026]
图9是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式ii-a进行说明的流程图。
[0027]
图10是示意性地表示第2加工数据超过基于目标数据而设定的允许范围的情况下的图案化工序后的基板(第m片)的一部分的剖视图。
[0028]
图11是示意性地表示第2加工数据超过基于目标数据而设定的允许范围的情况下的等离子体处理工序后的基板(第m片)的一部分的剖视图。
[0029]
图12是示意性地表示使用变更后的第2方案而图案化的基板(第m n片)的一部分的剖视图。
[0030]
图13是示意性地表示进行了等离子体处理的基板(第m n片)的一部分的剖视图。
[0031]
图14是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式ii-b进行说明的流程图。
[0032]
图15是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式iii-a进行说明的流程图。
[0033]
图16是示意性地表示基于变更后的第3方案而进行等离子体处理的基板(第m n片)的一部分的剖视图。
[0034]
图17是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式iii-b进行说明的流程图。
[0035]
图18是示意性地表示基于变更后的第3方案而进行等离子体处理的基板(第m片)的一部分的剖视图。
[0036]
图19是对本发明的实施方式所涉及的切割方法的方式iii-c进行说明的流程图。
[0037]
图20是示意性地表示进行了等离子体处理的基板(第m片)的一部分的剖视图。
具体实施方式
[0038]
等离子体蚀刻中使用的方案(蚀刻条件)通常通过分析蓄积的庞大的加工数据而确定。该加工数据通过按照每个作为蚀刻的对象的基板而改变蚀刻条件并反复加工而得到。确定的方案(recipe)被输入到等离子体处理装置，基于此来进行等离子体蚀刻。等离子体蚀刻通常对相同种类的多个基板连续地进行。
[0039]
上述方案的确定是在被设定为目标的状态的掩模形成在基板上这一前提下进行的。但是，在实际的加工中，掩模的状态可能与设定值不一致。例如，实际的图案化宽度可能
比设定值大。该情况下，若以根据过去的加工数据而确定的方案进行等离子体蚀刻，则基板的蚀刻量变得过剩，得到的元件芯片的品质降低。
[0040]
此外，即使如方案那样设定蚀刻条件，由于所使用的装置的内部的状态、部件的随时间的变化，也可能不能进行所希望的蚀刻。
[0041]
因此，在本实施方式中，基于与实际形成的掩模的形状有关的数据来变更蚀刻条件，对等离子体处理装置进行反馈控制或者前馈控制。此外，在本实施方式中，包含如下方式：基于与实际形成的掩模的形状有关的数据来变更保护层形成条件，对保护层形成装置进行反馈控制的方式；以及基于与实际形成的掩模的形状有关的数据来变更图案化条件，对图案化装置进行反馈控制的方式。
[0042]
进一步地，本实施方式包含如下方式：基于与实际制作的元件芯片有关的数据来变更保护层形成条件，对保护层形成装置进行反馈控制的方式；基于与实际制作的元件芯片有关的数据来变更图案化条件，对图案化装置进行反馈控制的方式；以及基于与实际制作的元件芯片有关的数据来变更蚀刻条件，对等离子体处理装置进行反馈控制的方式。通过进行上述的前馈控制以及反馈控制的至少一个，得到的元件芯片的品质提高。
[0043]
通过反馈控制以及前馈控制，使用与实际形成的掩模有关的数据以及/或者与进行蚀刻处理而得到的元件芯片有关的数据，变更方案，该变更方案被应用于切割处理。由此，能够效率良好地制造品质高的元件芯片。
[0044]
变更方案的生成能够使用用于方案生成的算法来自动地进行。变更方案向各装置的应用也可通过控制部来自动地进行。因此，工序数被削减，生产性提高。
[0045]
a.切割系统
[0046]
本实施方式所涉及的切割系统具备：保护层形成装置、图案化装置、等离子体处理装置、测定装置和控制部。
[0047]
保护层形成装置基于第1方案，在基板的表面形成保护层。图案化装置基于第2方案，将保护层图案化并形成掩模。等离子体处理装置基于第3方案，对从掩模露出的基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片。测定装置获取从包含与保护层有关的第1加工数据、与掩模有关的第2加工数据以及与元件芯片有关的第3加工数据的组选择的至少一个加工数据。控制部对从包含保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的组选择的至少一个装置进行控制。
[0048]
(控制部)
[0049]
控制部详细地生成方案，判断是否需要方案的变更，变更方案，以最佳的方案使各装置进行动作。
[0050]
是否变更方案是基于获取的至少一个加工数据(获取的第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据)之中的至少一个而判断的。例如，在任一加工数据超过基于目标数据而设定的允许范围的情况下，判断为需要方案的变更。所谓目标数据，是指与作为目的的掩模以及元件芯片有关的各种数据。使用的加工数据是1个以上即可。是否需要方案的变更的判断中也可以使用多个加工数据。多个加工数据可以是2个以上的第1加工数据，可以是2个以上的第2加工数据，可以是2个以上的第3加工数据，也可以是这些加工数据的组合。
[0051]
被变更的方案并不被特别限定，是从包含第1方案、第2方案以及第3方案的组选择的至少一个方案(以下，有时简称为方案。)。对最影响加工数据与目标数据的偏差的工序进
行控制的方案被变更即可。
[0052]
第1、第2或者第3加工数据超过允许范围的重要因素之一是保护层的不良情况。该情况下，第1方案被变更。并且，保护层形成装置被反馈控制，以使得基于变更后的第1方案而在之后处理的其他的基板形成保护层。
[0053]
第2或者第3加工数据超过允许范围的重要因素之一是不适当的图案化。该情况下，第2方案被变更。并且，图案化装置被反馈控制，以使得之后处理的其他的基板基于变更后的第2方案而被图案化。
[0054]
第3加工数据超过允许范围的重要因素之一是不适当的等离子体蚀刻。该情况下，第3方案被变更。并且，等离子体处理装置被反馈控制，以使得之后处理的其他的基板基于变更后的第3方案而被等离子体处理。
[0055]
即使在第2加工数据超过允许范围的情况下，通过变更等离子体处理时的方案，也能够使第3加工数据收敛于允许范围内。即，通过对适合于形成的掩模的蚀刻条件进行再设定，可能得到高品质的元件芯片。该情况下，等离子体处理装置被反馈控制或者被前馈控制，以使得第3方案被变更，基板基于变更后的第3方案而被等离子体处理。
[0056]
在控制部，除了保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置，例如也连接输入部。输入部例如被设置于各装置。向输入部输入例如目标数据、第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个。目标数据的输入由操作员进行。上述加工数据的输入可以由操作员进行，也可以从测定装置自动地进行。
[0057]
持有控制部所连接的服务器的管理者、保护层形成装置的所有者、图案化装置的所有者、等离子体处理装置的所有者可以分别不同。上述的服务器与各装置通过计算机网络而连接。若向输入部输入必要的数据，则向服务器发送该数据。控制部从服务器读取必要的数据，根据需要来进行运算等，基于其结果来使各装置进行远程动作。
[0058]
控制部例如具备存储部、运算部、装置控制部。
[0059]
在存储部连接保存有用于生成方案的信息的第1数据库。第1数据库中，保存被蓄积的过去的加工数据、与作为蚀刻的对象的基板有关的基板数据、与保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的至少一个有关的设备数据。
[0060]
蓄积加工数据是蚀刻条件、与该蚀刻条件相关联的元件芯片的蚀刻速率、蚀刻深度、所形成的槽的宽度、纵横比等。基板数据是批次编号、基板的材料、搭载的元件的种类等。设备数据是装置的规格、最终的维护日、处理历史、处理时的日志数据等。
[0061]
若切割处理开始，则运算部首先基于第1数据库中保存的各种数据、由输入部输入的目标数据，对作为对象的基板生成最佳的方案(初始方案)。但是，第1方案、第2方案以及第3方案的任一者也可以提前确定。该情况下，生成被确定的方案以外的初始方案。所确定的方案也可以被输入至输入部。输入的目标数据被保存于第1数据库。
[0062]
若切割处理进行，向输入部输入第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个，则运算部基于第1数据库中保存的各种数据、新输入的加工数据，判断是否变更初始方案。若判断为需要初始方案的变更，则控制部生成变更方案，变更初始方案。初始方案以及变更方案的生成中使用规定的算法。
[0063]
由运算部生成的方案作为第2数据库被保存于存储部。第2数据库中，保存由运算部生成的初始方案以及变更方案。第2数据库中保存的方案能够与第1数据库一起，利用于
变更方案的生成以及其他种类的基板的初始方案的生成。
[0064]
装置控制部基于生成的初始方案或者变更方案，使保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置进行动作。
[0065]
(模拟器)
[0066]
切割系统也可以还具备模拟器。模拟器基于第2加工数据以及第3方案，计算与元件芯片的加工形状有关的预测数据。预测数据被保存于作为第3数据库的存储部。模拟器使用的第3方案可以是初始方案，也可以是变更方案。模拟器例如具备计算机。上述服务器也可以具备模拟器(即，模拟功能)。
[0067]
模拟器还能够利用于生成第3方案。例如，使用模拟器，基于第2加工数据以及蓄积加工数据，预测多个所得到的元件芯片的加工形状。并且，运算部分别计算被预测的元件芯片的多个加工形状与所希望的加工形状之差，考虑这些差来生成最佳的第3方案。该第3方案取代初始的第3方案，被用于等离子体处理。
[0068]
此外，预测数据能够利用于判断等离子体处理装置的异常的有无。例如，在由模拟器计算的预测数据与作为实测值的第3加工数据之差的绝对值超过规定的阈值的情况下，能够判断为等离子体处理装置中存在异常。该情况下，希望进行装置的维护。另一方面，在预测数据与第3加工数据之差的绝对值小于阈值的情况下，能够判断为等离子体处理装置中不存在异常。该情况下，也可以进一步利用模拟器，如上述那样生成第3方案。该第3方案取代初始的第3方案，用于等离子体处理。
[0069]
(报告部)
[0070]
在本实施方式中，在切割系统设置报告部，使其通知维护时期。
[0071]
具体地说，在具备模拟器的切割系统中，在预测数据与作为实测值的第3加工数据的差的绝对值大于预先设定的阈值的情况下，控制部使用规定的算法，确定作为原因的装置是保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的哪个，并且计算维护时期。计算结果通过报告部而通知给各装置的所有者或者操作员。另一方面，在预测数据与作为实测值的第3加工数据的差的绝对值为预先设定的阈值以下的情况下，使控制部判断是否如上述那样生成变更方案。阈值通常被设定为超过目标数据的允许范围。
[0072]
报告部例如具备用于显示维护时期的显示部、或者通知维护时期到来的声音发生部。报告部通过显示或者声音，将维护时期通知给各装置的所有者或者操作员。报告部还能够通知其他信息。报告部可以设置于掩模形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的任一者，也可以设置于具备控制部的服务器。
[0073]
(订购部)
[0074]
切割系统也可以还具备自动订购装置的部件的订购部。控制部使报告部通知原因装置的维护时期，并且使订购部订购原因装置的部件。由此，能够进行切割系统的预见性保养，生产性提高。
[0075]
(保护层形成装置)
[0076]
保护层形成装置只要能够在基板的表面形成保护层，就并不被特别限定。作为保护层形成装置，例如举例旋涂机、喷涂机、模涂机、层压机等。
[0077]
作为第1方案，例如举例掩模材料的种类、掩模材料的涂敷量、涂敷速度等。
[0078]
(图案化装置)
[0079]
图案化装置只要能够将保护层图案化，就并不被特别限定。图案化装置根据保护层的材料而适当选择即可。在保护层包含感光性树脂的情况下，能够通过曝光装置来图案化。在保护层包含其他树脂的情况下，能够通过激光加工装置来图案化。
[0080]
在使用曝光装置的情况下，作为第2方案，举例曝光量、焦点深度等。
[0081]
在使用激光加工装置的情况下，作为第2方案，举例激光输出、扫描速度、脉冲宽度、频率等。
[0082]
(等离子体处理装置)
[0083]
等离子体处理装置只要能够将从掩模露出的基板等离子体蚀刻，就并不被特别限定。等离子体处理装置例如具备：反应室；使反应室产生等离子体的等离子体产生部；和被设置于反应室的内部并载置基板的载置台。等离子体产生部例如包含：被设置于反应室的上部的电极；和将等离子体产生用气体(工艺气体)提供给反应室内部的工艺气体源。在向反应室提供工艺气体的状态下，通过向上述的电极提供高频电力，从而在反应室内产生等离子体。
[0084]
作为第3方案，举例反应室内的压力、工艺气体的种类、流量、高频电力的大小、高频的频率、处理时间等。
[0085]
(测定装置)
[0086]
测定装置只要能够获取与保护层有关的第1加工数据、与掩模有关的第2加工数据以及与元件芯片有关的第3加工数据的至少一个，就不被特别限定。作为测定装置，例如举例光学式形状测定装置、扫描型电子显微镜(sem)等。
[0087]
作为第1加工数据，举例保护层的膜厚、其偏差、表示保护层的表面的状态的参数等。表示保护层的表面的状态的参数中，例如包含保护层表面的针孔的有无、粗糙度(平坦性)等。此外，在基板在表面具备凹凸的情况下，表示保护层的表面的状态的参数中，包含与基于保护层的凹凸的覆盖状态有关的数据。
[0088]
作为第2加工数据，举例图案化宽度或其偏差、掩模的厚度或其偏差、表示掩模的表面的状态的参数等。在表示掩模的表面的状态的参数中，例如包含掩模表面的针孔的有无、粗糙度(平坦性)等。此外，在基板在表面具备凹凸的情况下，在表示掩模的表面的状态的参数中，包含与基于掩模的凹凸的覆盖状态有关的数据。
[0089]
作为第3加工数据，举例表示对元件芯片的表面进行覆盖的掩模的表面的状态的参数、表示元件芯片的端面中的形状的参数、相邻的元件芯片间的距离或其偏差等。表示对元件芯片的表面进行覆盖的掩模的表面的状态的参数中，例如包含掩模表面的针孔的有无、粗糙度(平坦性)等。此外，在基板在表面具备凹凸的情况下，表示对元件芯片的表面进行覆盖的掩模的表面的状态的参数中，包含与基于掩模的凹凸的覆盖状态有关的数据。
[0090]
在表示元件芯片的端面中的形状的参数中，例如包含形成于端面的毛细管的高度、宽度、形成于端面的空隙的大小、数量、端面的倾斜角度、缺口的大小等。相邻的元件芯片间的距离中，例如包含掩模侧的元件芯片间的距离、与掩模相反的一侧的元件芯片间的距离。
[0091]
与凹凸的覆盖状态有关的数据中，具体地说，包含覆盖凹部的保护层或掩模(以下，有时称为保护层等。)的厚度、覆盖凸部的保护层等的厚度、或者覆盖凹部与凸部的保护层等的厚度之比。
[0092]
(基板)
[0093]
作为蚀刻的对象的基板并不被特别限定。例如举例电子设备的制造中使用的基板、在基板上形成电路的电路基板、在电路基板安装有电子部件的安装基板、半导体基板等。在基板的表面，也可以配置凸块、焊盘电极等。该情况下，基板的表面能够具备凹凸。
[0094]
图1是表示本实施方式所涉及的切割系统的结构的一个例子的框图。
[0095]
切割系统1000a具备：控制部100、保护层形成装置200、图案化装置300、等离子体处理装置400、测定装置500和输入部600。
[0096]
向输入部600输入与被蚀刻加工的对象基板有关的目标数据d00、第1加工数据d01、第2加工数据d02、第3加工数据d03。第1加工数据d01、第2加工数据d02以及第3加工数据d03的至少任一个被输入即可。第1加工数据d01是由测定装置500获取的与形成的保护层有关的数据。第2加工数据d02是由测定装置500获取的与形成的掩模有关的数据。第3加工数据d03是由测定装置500获取的与形成的元件芯片有关的数据。对第1加工数据d01、第2加工数据d02以及第3加工数据d03进行获取的测定装置可以相同也可以不同。
[0097]
控制部100具备存储部101、运算部102、装置控制部103。存储部101中保存第1数据库db01、第2数据库db02。第1数据库db01中保存蓄积加工数据、基板数据、设备数据。第2数据库db02中保存运算部102中生成的初始方案以及变更方案。
[0098]
在运算部102中，生成第1方案、第2方案以及第3方案的至少一个。这里生成的方案可以是初始方案，也可以是变更方案。
[0099]
装置控制部103基于生成的初始方案或者变更方案，使保护层形成装置200、图案化装置300以及等离子体处理装置400的至少一个进行动作。
[0100]
图2是表示本实施方式所涉及的切割系统的结构的另一例的框图。
[0101]
切割系统1000b除了具备模拟器700、以及在存储部101中还保存第3数据库db03以外，具有与图1所示的切割系统1000a同样的结构。
[0102]
模拟器700基于输入到输入部600的第2加工数据d02、保存于第2数据库db02的第3方案，计算与元件芯片有关的预测数据。运算部102计算由模拟器700计算的预测数据与作为实测值的第3加工数据d03之差，基于该差来生成变更方案。由模拟器700计算的预测数据被保存于第3数据库db03。
[0103]
图3是表示本实施方式所涉及的切割系统的结构的另一例的框图。
[0104]
切割系统1000c除了具备报告部800以及订购部900以外，具有与图2所示的切割系统1000b同样的结构。
[0105]
运算部102计算由模拟器700计算的预测数据与作为实测值的第3加工数据d03之差，判断该差的绝对值是否超过阈值。在差的绝对值超过阈值的情况下，运算部102还进行运算，确定原因装置并且计算维护时期。维护时期通过报告部800而通知给原因装置的所有者或操作员。在差的绝对值为阈值以下的情况下，判断是否生成变更方案。
[0106]
订购部900根据需要来向制造商订购原因装置的部件。
[0107]
图4是表示由本实施方式所涉及的控制部进行的处理的一个例子的流程图。
[0108]
开始切割处理，向输入部输入目标数据(s01)。控制部读取第1数据库中保存的蓄积加工数据，基于蓄积加工数据和目标数据，生成适合于作为对象的基板的初始方案(s02)。生成的初始方案被保存于第2数据库。并且，各装置基于初始方案而进行动作，基于
初始方案，基板被加工。(s03)。
[0109]
进行切割处理，获取从由各装置加工的基板获取的加工数据、即第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个(s04)。控制部基于目标数据以及各加工数据，判断是否变更初始方案(s05)。若判断为不需要初始方案的变更，则各装置被控制为基于初始方案而进行动作(s06)。另一方面，若判断为需要初始方案的变更，则控制部生成变更方案，变更初始方案(s07)。各装置被控制为基于变更方案而进行动作(s08)。初始方案以及变更方案的生成中使用规定的算法。生成的变更方案被保存于第2数据库。
[0110]
图5表示由本实施方式所涉及的控制部进行的处理的另一例的流程图。图5表示设置有模拟器的情况。
[0111]
开始切割处理，向输入部输入目标数据(s01)。控制部读取第1数据库中保存的蓄积加工数据，基于蓄积加工数据和目标数据，生成适合于作为对象的基板的初始方案(s02)。生成的初始方案被保存于第2数据库。并且，各装置基于初始方案而进行动作，基于初始方案，基板被加工。(s03)。
[0112]
进行切割处理，若获取第2加工数据以及第3加工数据的双方(s04)，则控制部读取第2数据库中保存的第3方案，启动模拟器。模拟器基于第2加工数据以及第3方案，计算与元件芯片有关的预测数据(s05)。预测数据被保存于第3数据库。
[0113]
接下来，对计算出的预测数据与作为实测值的第3加工数据之差进行计算(s06)。控制部判断该差的绝对值是否为设定的阈值内(s07)。若判断为差的绝对值是阈值内，则判断是否变更第3方案(s08)。以后的步骤(s09～s11)与图4所示的步骤s06～s08同样地进行。
[0114]
另一方面，若判断为差的绝对值不是阈值内，则控制部使用规定的算法，确定原因装置，计算维护时期(s12)。然后，控制部对报告部进行控制以使得向操作员通知原因装置的维护时期(s13)。
[0115]
b.切割方法
[0116]
本实施方式所涉及的切割方法具备：保护层形成工序，基于第1方案，在基板的表面形成保护层；图案化工序，基于第2方案，将保护层图案化并形成掩模；等离子体处理工序，基于第3方案，对从掩模露出的基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定工序，获取与保护层有关的第1加工数据、与掩模有关的第2加工数据以及与元件芯片有关的第3加工数据的至少一个；方案变更工序，基于第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个来判断是否变更方案，在需要方案的变更的情况下，变更上述的任一个方案；和反馈工序，将变更后的方案反馈至对应的工序的控制。在第3方案被变更的情况下，变更后的方案也可以被前馈。
[0117]
在第1方案被变更的情况下，变更后的方案被反馈至保护层形成装置，之后进行的保护层形成工序根据变更后的第1方案而执行。在第2方案被变更的情况下，变更后的方案被反馈至图案化装置，之后进行的图案化工序根据变更后的第2方案而执行。在第3方案被变更的情况下，变更后的方案被反馈至或者前馈至等离子体处理装置。在反馈的情况下，之后的进行的等离子体处理工序根据变更后的第3方案而执行。在前馈的情况下，本次等离子体处理工序根据变更后的第3方案而执行。
[0118]
以下，将本实施方式所涉及的切割方法分为判断第1方案的变更的方式i、判断第2方案的变更的方式ii、判断第3方案的变更的方式iii来进行说明。示例的方式通过上述的
切割系统而执行。但是，本实施方式所涉及的切割方法并不限定于此。
[0119]
[方式i]
[0120]
本方式基于第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个，判断是否变更第1方案。
[0121]
(方式i-a)
[0122]
在本方式中，使用与在第m片(m为1以上的整数)的基板形成的掩模有关的第2加工数据，判断是否变更对保护层的形成工序进行控制的第1方案。变更后的第1方案被反馈至第m n片(n为1以上的整数)的基板的保护层形成工序。图6是对本方式进行说明的流程图。
[0123]
(1)目标数据的输入
[0124]
向与控制部连接的输入部，输入目标数据(st001)。
[0125]
运算部使用规定的算法，根据目标数据以及第1数据库等来生成第1方案、第2方案以及第3方案的至少一个(st002)。生成的初始方案被保存于第2数据库。
[0126]
(2)保护层的形成
[0127]
基于第1方案，在第m片的基板的表面形成保护层(st003)。
[0128]
保护层例如包含聚酰亚胺等的热固化性树脂、酚醛树脂等的光致抗蚀剂、或者丙烯酸树脂等的水溶性抗蚀剂等的所谓的抗蚀剂材料。保护层例如通过在将抗蚀剂材料成型为片状后将该片贴附于层叠基板、或者使用旋涂或喷涂等的方法来将抗蚀剂材料的原料液涂敷于基板而形成。
[0129]
保护层的厚度并不被特别限定，但优选是通过之后工序的等离子体蚀刻不会被完全除去的程度。保护层的厚度例如是计算等离子体蚀刻中保护层被蚀刻的合计的量(厚度)、并成为该蚀刻量以上。保护层的厚度例如是5μm以上且60μm以下。
[0130]
从操作性的观点出发，优选在保护层形成工序以后，基板在由支承构件支承的状态下被处理。支承构件例如是树脂薄膜。支承构件的外周例如被固定于金属制的框架。
[0131]
(3)图案化
[0132]
基于第2方案来将保护层图案化，形成掩模(st004)。由此，基板的一部分从掩模露出。
[0133]
掩模例如通过利用光刻法来去除由光致抗蚀剂形成的保护层之中、与应由基板的蚀刻去除的区域(分割区域)对应的区域而形成。也可以通过激光划线来去除由热固化性树脂或者水溶性抗蚀剂形成的保护层之中基板的分割区域。在图案化中，也可以与保护层一起去除基板的一部分。
[0134]
(4)第2加工数据的获取
[0135]
获取与形成的掩模有关的第2加工数据(st005)。
[0136]
在本方式中，作为第2加工数据，获取掩模的厚度。
[0137]
(5)等离子体蚀刻
[0138]
第m片的基板的从掩模露出的部分基于第3方案而被等离子体蚀刻(st006)。由此，形成多个元件芯片，针对第m片的基板的切割处理结束。
[0139]
(6)第1方案的变更
[0140]
判断上述中获取的第2加工数据是否为允许范围内(st007)。具体地说，比较作为实测值的掩模的厚度与目标数据中的掩模的厚度，判断能否允许。
[0141]
若判断为第2加工数据超过基于目标数据而设定的允许范围，则控制部生成新的第1方案(st008)，变更第1方案。变更后的第1方案被用于针对第m n片的基板的保护层的形成工序(st011)。由此，形成具有规定的厚度的掩模，能够抑制等离子体蚀刻中元件芯片的表面直接暴露于等离子体而受到损伤。
[0142]
另一方面，若判断为第2加工数据是允许范围内，则第1方案不变更，对第m n片的基板应用初始的第1方案。
[0143]
对第m n片之后的基板，也与上述同样地形成掩模，判断是否需要第1方案的变更(st012～st015)。然后，根据需要，变更第1方案(st016)。
[0144]
(方式i-b)
[0145]
本方式除了变更后的第1方案被反馈至第m片的基板的保护层形成以外，与方式i-a同样。由此，能够以较高的成品率得到高品质的元件芯片。
[0146]
本方式能够应用于掩模通过激光加工以外的方法而图案化的情况。这是因为，在激光加工中，图案化时，基板的一部分能够被除去。在通过其他方法而图案化的情况下，将掩模暂时全部除去，基于变更后的第1方案，在第m片的基板再次形成保护层即可。图7是说明本方式的流程图。
[0147]
在本方式中，在执行针对第m片的基板的等离子体处理之前，判断第2加工数据是否为允许范围内(st006)。若判断为第2加工数据超过允许范围，则变更第1方案(st007)。变更后的第1方案被用于针对第m片的基板的保护层的再形成。另一方面，若判断为第2加工数据是允许范围内，则第1方案不被变更，使用初始方案来执行针对第m片的基板的等离子体处理(st008)。
[0148]
(方式i-c)
[0149]
本方式除了使用与由第m片的基板制作的元件芯片有关的第3加工数据以外，与方式i-a同样。变更后的第1方案被反馈至第m n片的基板的保护层形成。图8是对本方式进行说明的流程图。
[0150]
在本方式中，在等离子体蚀刻后，获取与制作的元件芯片有关的第3加工数据(st006)。作为第3加工数据，例如获取覆盖元件芯片的表面的掩模的厚度。作为实测值的掩模的厚度与目标数据中的掩模的厚度进行比较，判断能否允许(st007)。在不能允许的情况下，第1方案被变更(st008)。变更后的第1方案被用于针对第m n片的基板的保护层的形成。由此，形成具有所希望的厚度的掩模。
[0151]
另外，在方式i-a以及方式i-b中，说明了使用掩模的厚度作为第2加工数据的情况，但并不限定于此。在基板的表面存在基于凸块、焊盘电极等的凹凸的情况下，也可以使用与凹凸的覆盖状态有关的数据，作为第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个。
[0152]
在使用具有凹凸的基板的情况下，覆盖凸部的保护层等的厚度容易比凹部薄。因此，可能覆盖凸部的掩模在蚀刻中被全部除去，凸部直接暴露于等离子体并受到损伤。通过使用与凹凸的覆盖状态有关的数据作为第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个来变更第1方案，能够以充分厚度的保护层等覆盖凸部。因此，得到的元件芯片的品质提高。
[0153]
此外，在方式i-a、方式i-b以及方式i-c中，使用第2加工数据或者第3加工数据，但
也可以使用第1加工数据来判断是否需要方案变更。该情况下，在进行了保护层的形成之后，获取与形成的保护层有关的第1加工数据。作为第1加工数据，优选为保护层的厚度。
[0154]
[方式ii]
[0155]
本方式基于第2加工数据以及/或者第3加工数据，判断是否变更第2方案。
[0156]
(方式ii-a)
[0157]
在本方式中，使用与在第m片的基板形成的掩模有关的第2加工数据，判断是否变更对图案化工序进行控制的第2方案。除此以外的方面，方式ii-a与方式i-a同样。变更后的第2方案被反馈至第m n片的基板的图案化。图9是对本方式进行说明的流程图。
[0158]
在本方式中，作为第2加工数据，例如获取图案化宽度。对作为实测值的图案化宽度与目标数据中的图案化宽度进行比较，判断能否允许。
[0159]
图10是示意性地表示第2加工数据超过基于目标数据而设定的允许范围的情况下的、图案化工序后的第m片的基板的一部分的剖视图。在基板10的一个主面，形成掩模30。基板10的另一个主面贴附于支承构件40并被支承。在第m片的基板10，图案化宽度w比目标值w0大，超过允许范围(w＞＞w0)。
[0160]
若基于初始方案来对第m片的基板进行等离子体处理，则蚀刻量变多，元件芯片间的距离变大。在基板被支承构件支承的情况下，支承构件作为停止层而发挥功能。因此，通过过剩的等离子体处理，元件芯片的支承构件侧的端面大幅进入内侧。
[0161]
图11是示意性地表示第2加工数据超过基于目标数据而设定的允许范围的情况下的、等离子体处理工序后的第m片的基板的一部分的剖视图。由第m片的基板制作多个元件芯片20。元件芯片20间的掩模30侧的距离d1和支承构件40侧的距离d2均比目标值d0大，超过允许范围(d1、d2＞＞d0)。进一步地，元件芯片20的支承构件40侧的端面进入内侧，元件芯片20间的距离d2比距离d1大。这表示元件芯片20的端面的垂直性较低。
[0162]
因此，在将第m n片的基板图案化时，使用变更后的第2方案。由此，图案化宽度收敛于允许范围内，成为适合于之后的等离子体处理的值。因此，多个元件芯片的形状变得均匀，端面的垂直性也提高。
[0163]
图12是示意性地表示使用变更后的第2方案而图案化的第m n片的基板的一部分的剖视图。图案化宽度w收敛于目标值w0的允许范围内(w≈w0)。
[0164]
图13是示意性地表示被等离子体处理的第m n片的基板的一部分的剖视图。元件芯片20间的掩模30侧的距离d1和与掩模30相反的一侧的距离d2均是目标值d0的允许范围内(d1、d2≈d0)。进一步地，元件芯片20间的距离d2与距离d1的差也较小(d1≈d2)，元件芯片20的端面的垂直性提高。
[0165]
(方式ii-b)
[0166]
本方式除了使用与元件芯片有关的第3加工数据以外，与方式ii-a同样。变更后的第2方案被反馈至第m n片的基板的图案化。图14是对本方式进行说明的流程图。
[0167]
在本方式中，等离子体蚀刻之后，获取与制作的元件芯片有关的第3加工数据(st006)。作为第3加工数据，例如获取相邻的元件芯片间的距离。对作为实测值的元件芯片间的距离与目标数据中的元件芯片间的距离进行比较，判断能否允许(st007)。在不能允许的情况下，第2方案被变更(st008)。变更后的第2方案被用于针对第m n片的基板的保护层的形成。由此，图案化宽度成为适合于之后的等离子体处理的值。因此，元件芯片间的距离
被适当化。
[0168]
[方式iii]
[0169]
本方式基于第2加工数据以及/或者第3加工数据，判断是否变更第3方案。
[0170]
(方式iii-a)
[0171]
在本方式中，使用与在第m片的基板形成的掩模有关的第2加工数据，判断是否变更对等离子体处理工序进行控制的第3方案。除此以外的方面，方式iii-a与方式i-a同样。变更后的第3方案被反馈至第m n片的基板的等离子体处理。图15是对本方式进行说明的流程图。
[0172]
在本方式中，作为第2加工数据，例如获取图案化宽度，与目标数据中的图案化宽度进行比较。但是，在本方式中，即使在作为实测值的图案化宽度w超过目标值w0的允许范围的情况下(w＞＞w0)，也允许该图案化，并变更第3方案。换句话说，通过在适合于较宽的图案化宽度的条件下进行等离子体处理，从而提高元件芯片的品质。
[0173]
但是，根据变更后的第3方案而制作的元件芯片需要收敛于目标数据的允许范围内。因此，在进行针对第m n片的基板的等离子体处理之前，也可以使模拟器基于第2加工数据以及预定变更的第3方案，计算与元件芯片有关的预测数据。在预测数据收敛于目标值的允许范围内的情况下，采用预定变更的第3方案。另一方面，在预测数据超过目标值的允许范围的情况下，使运算部生成收敛于目标值的允许范围内的方案，并进一步对预定变更的第3方案进行变更。
[0174]
在此，若掩模的形状从目标大幅偏离等、第2加工数据与目标值的偏差量过大，则运算部可能不能生成收敛于目标值的允许范围内的第3方案。该情况下，作为不是能够允许的图案化，通过报告部等而通知该情况。进一步地，也可以根据需要，变更与掩模有关的第2方案。变更后的第2方案被反馈至第m n片的基板的掩模形成。或者，也可以将在第m片的基板形成的掩模全部除去，基于变更后的第2方案，在第m片的基板再次形成保护层以及掩模。
[0175]
图16是示意性地表示基于变更后的第3方案而进行等离子体处理的第m n片的基板的一部分的剖视图。元件芯片20间的掩模30侧的距离d1和与掩模30相反的一侧的距离d2均与目标值d0为相同程度(d1、d2≈d0)。进一步地，元件芯片20间的距离d2与距离d1的差也较小。
[0176]
(方式iii-b)
[0177]
本方式除了变更后的第3方案被前馈至第m片的基板的等离子体处理以外，与方式iii-a同样。图17是对本方式进行说明的流程图。
[0178]
在本方式中，基于与第m片的基板有关的第2加工数据而变更的第3方案被用于针对相同的第m片的基板的等离子体处理。由此，能够以较高的成品率而得到高品质的元件芯片。
[0179]
在本方式中，也与方式iii-a同样地，作为第2加工数据，获取图案化宽度，与目标数据中的图案化宽度进行比较。在作为实测值的图案化宽度w超过目标值w0的允许范围的情况下(w＞＞w0)，变更第3方案。由此，进行适合于较宽的图案化宽度的等离子体处理，元件芯片的品质提高。
[0180]
图18是示意性地表示基于变更后的第3方案而进行等离子体处理的第n片的基板的一部分的剖视图。元件芯片20间的掩模30侧的距离d1和与掩模30相反的一侧的距离d2均
与目标值d0为相同程度(d1、d2≈d0)。进一步地，元件芯片20间的距离d2与距离d1的差也较小。
[0181]
(方式iii-c)
[0182]
本方式除了使用与元件芯片有关的第3加工数据以外，与方式iii-a同样。变更后的第3方案被反馈至第m n片的基板的等离子体处理。图19是对本方式进行说明的流程图。
[0183]
在本方式中，作为第3加工数据，例如获取在元件芯片的端面形成的空隙的大小、数量、端面的倾斜角度。对表示这些元件芯片的端面处的形状的参数的实测值与目标数据中的上述参数进行比较，判断能否允许。
[0184]
图20是示意性地表示被等离子体处理的第m片的基板的一部分的剖视图。元件芯片20间的距离d2比距离d1小，端面的垂直性降低。因此，在对第m n片的基板进行等离子体处理时，使用变更后的第3方案。由此，等离子体处理被适当化。因此，端面的垂直性提高。
[0185]
以上，举例具体的方式来对本实施方式所涉及的切割方法进行说明，但本实施方式所涉及的切割方法并不限定于此。
[0186]
例如，在上述的各方式中，表示了基于第2加工数据以及第3加工数据的任一个来判断是否需要方案的变更的情况，但判断的手法并不限定于此。是否需要方案的变更也可以基于第2加工数据以及第3加工数据这两者的数据来判断。例如，在第2加工数据与目标数据的差较大、但第3加工数据良好的情况下，能够判断为不需要方案的变更。另一方面，在第2加工数据良好、但第3加工数据与目标数据的差较大的情况下，能够判断为方案需要变更。
[0187]
产业上的可利用性
[0188]
通过本发明的切割系统以及切割方法，得到的元件芯片的品质提高，因此本发明的切割系统以及切割方法可适当地用于制造各种元件芯片。
[0189]
针对本发明，对当前时刻优选的实施方式进行了说明，但并不是限定性地解释这样的公开。通过阅读上述公开，各种变形以及改变对于属于本发明的技术领域中的本领域技术人员而言是显而易见的。因此，附加的权利要求书应解释为在不脱离本发明的实际精神以及范围的情况下包含全部的变形以及改变。
[0190]-符号说明-[0191]
1000a、1000b、1000c：切割系统
[0192]
100：控制部
[0193]
101：存储部
[0194]
102：运算部
[0195]
103：装置控制部
[0196]
200：保护层形成装置
[0197]
300：图案化装置
[0198]
400：等离子体处理装置
[0199]
500：测定装置
[0200]
600：输入部
[0201]
700：模拟器
[0202]
800：报告部
[0203]
900：订购部
[0204]
10：基板
[0205]
20：元件芯片
[0206]
30：掩模
[0207]
40：支承构件
[0208]
d00：目标数据
[0209]
d01：第1加工数据
[0210]
d02：第2加工数据
[0211]
d03：第3加工数据
[0212]
db01：第1数据库
[0213]
db02：第2数据库。