一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法

技术特征：
1.一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在光滑的衬底上制备第一层有机薄膜；2)利用等离子体刻蚀连续刻蚀第一层有机薄膜，等离子体放电功率范围20-200瓦，等离子体气压为1-30帕斯卡；刻蚀发生在有机薄膜表面，产生的气态碎片将被抽走，有机薄膜厚度逐步减小，进而改变有机薄膜的镜面反射光谱；3)通过薄膜转移或真空蒸镀手段在刻蚀后的第一层有机薄膜上制备第二层有机薄膜，并继续利用等离子体刻蚀连续刻蚀第二层有机薄膜，重复步骤3)，形成多层有机薄膜，并将有机薄膜光谱颜色调控至设定的范围。2.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，步骤1)中，衬底为玻璃衬底。3.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，步骤1)中，第一层有机薄膜的厚度为20-200纳米，表面粗糙度5nm以下。4.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，有机薄膜的镜面反射光谱采用紫外-可见光谱仪测试得到，其中，测试模式为反射模式。5.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，利用等离子体刻蚀连续刻蚀单层有机薄膜时，根据有机薄膜上、下表面反射光的相干原理即增透、增反膜原理，随着有机薄膜厚度的变化，所得到的镜面反射光谱也将发生变化，即有机薄膜光谱颜色发生变化。6.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，有机薄膜采用的材料为在紫外-可见光区具有强反射特征峰的材料，选择有机半导体材料。7.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，等离子体为氧、氩、氮或空气等离子体。8.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，多层有机薄膜的粗糙度在5nm以下。9.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，其特征在于，多层有机薄膜的总厚度小于500nm。

技术总结
本发明公开了一种利用等离子体刻蚀调控有机薄膜光谱颜色的方法，包括以下步骤：1)在光滑的玻璃衬底上制备第一层有机薄膜；2)利用等离子体刻蚀连续刻蚀第一层有机薄膜；刻蚀发生在有机薄膜表面，产生的气态碎片将被真空泵抽走，有机薄膜厚度逐步减小，进而改变有机薄膜的镜面反射光谱；3)通过薄膜转移或真空蒸镀手段在刻蚀后的第一层有机薄膜上制备第二层有机薄膜，并继续利用等离子体刻蚀连续刻蚀第二层有机薄膜，重复步骤3)，形成多层有机薄膜，并将有机薄膜光谱颜色调控至设定的范围。本发明基于对未来市场印刷包装及色彩识别等行业需求的预判，在未来诸多与光谱颜色相关的领域中能够得到应用，如条码印刷、无人驾驶图像识别等。别等。别等。


技术研发人员：鲁广昊 沈子超 江以航 俞金德 朱远惟 卜腊菊
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/4/29