基板处理装置以及基板处理方法与流程

1.本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。基板例如为半导体晶圆、液晶显示器用基板、有机el(electroluminescence：电致发光)用基板、fpd(flat panel display：平板显示器)用基板、光学显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、太阳能电池用基板。


背景技术：

2.专利文献1公开了一种基板处理装置。以下，用括号标明专利文献1中记载的附图标记。基板处理装置具有旋转卡盘(spin chuck)(41)、第一杯(cup)(10)、第二杯(20)以及第三杯(30)。旋转卡盘(41)保持半导体晶圆(100)。旋转卡盘(41)能够旋转。第一杯(10)、第二杯(20)以及第三杯(30)分别接住从半导体晶圆(100)飞散的处理液。第一杯(10)、第二杯(20)以及第三杯(30)分别能够在铅垂方向上移动。
3.基板处理装置具有头部(60)、喷嘴(82)以及喷嘴(84)。头部(60)将硫酸与过氧化氢水的混合溶液(sulfuric acid hydrogen peroxide mixture：硫酸过氧化氢混合液)供给至半导体晶圆(100)。喷嘴(82)将纯水供给至半导体晶圆(100)。喷嘴(84)将包含氨水与过氧化氢水的处理液供给至半导体晶圆(100)。以下，将硫酸与过氧化氢水的混合溶液称为“spm”。将包含氨水与过氧化氢水的处理液称为“sc1(standard clean-1：第一标准清洗液)”。
4.基板处理装置具有处理腔室(50)。处理腔室(50)容纳旋转卡盘(41)、第一杯(10)、第二杯(20)、第三杯(30)、头部(60)、喷嘴(82)以及喷嘴(84)。
5.在头部(60)对半导体晶圆(100)供给spm时，在第一杯(10)与第二杯(20)之间接住spm。第一杯(10)配置在比第二杯(20)高的位置。具体而言，第一杯(10)配置在第一位置。在第一杯(10)位于第一位置时，第一杯(10)的上端与处理腔室(50)的上壁接触。第二杯(20)配置在比由旋转卡盘(41)保持的半导体晶圆(100)低的位置。
6.在喷嘴(84)对半导体晶圆(100)供给sc1时，在第一杯(10)与第二杯(20)之间接住sc1。第一杯(10)配置在比第二杯(20)高的位置。具体而言，第一杯(10)配置在比第一位置低的第二位置。在第一杯(10)位于第二位置时，第一杯(10)的上端不与处理腔室(50)的上壁接触。
7.在喷嘴(82)对半导体晶圆(100)供给纯水时，在第二杯(20)与第三杯(30)之间接住纯水。第二杯(20)配置在比第三杯(30)高的位置。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：日本特开2015-177014号公报


技术实现要素：

11.发明要解决的问题
12.近年来，基板逐渐薄型化以及大口径化。当基板的厚度变薄且基板的直径变大时，基板的翘曲量显著地变大。因此，以往的基板处理装置有时难以适当地回收处理液。
13.本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种能够适当地处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。
14.用于解决问题的手段
15.为了达成这样的目的，本发明采用以下结构。即，本发明的基板处理装置，具有：
16.处理单元，处理基板，以及
17.控制部，控制所述处理单元；
18.所述处理单元具有：
19.基板保持部，以水平姿势保持基板，
20.旋转驱动部，旋转所述基板保持部，
21.处理液供给部，对被所述基板保持部保持的基板供给处理液，
22.液体回收部，包括液体导入口以及两个以上的防护罩，所述防护罩以围绕所述基板保持部的侧方的方式配置，所述液体导入口由所述防护罩划分，并对被所述基板保持部保持的基板开放，以及
23.防护罩驱动部，使至少一个以上的所述防护罩在铅垂方向上移动；
24.所述控制部根据被所述基板保持部保持的基板的形状控制所述防护罩驱动部，从而改变所述液体导入口的上端的高度位置以及所述液体导入口的下端的高度位置中的至少某一者。
25.处理单元具有基板保持部、旋转驱动部、处理液供给部、液体回收部以及防护罩驱动部。基板保持部保持基板。旋转驱动部旋转基板保持部。由此，被基板保持部保持的基板旋转。处理液供给部对被基板保持部保持的基板供给处理液。处理液从基板飞散。液体回收部回收从基板飞散的处理液。液体回收部包括两个以上的防护罩。各个防护罩以围绕基板保持部的侧方的方式配置。液体回收部进一步包括液体导入口。液体导入口由防护罩划分。液体导入口对被基板保持部保持的基板开放。液体导入口将从基板飞散的处理液导入至液体回收部。防护罩驱动部使至少一个以上的防护罩在铅垂方向上移动。至少一个以上的防护罩在铅垂方向上移动，由此能够改变液体导入口的上端的高度位置以及液体导入口的下端的高度位置。
26.控制部控制处理单元。控制部根据被基板保持部保持的基板的形状控制防护罩驱动部。由此，控制部改变液体导入口的上端的高度位置以及液体导入口的下端的高度位置中的至少某一者。因此，能够根据基板保持部所保持的基板的形状将液体导入口调整至适当的高度位置。因此，不管被基板保持部保持的基板的形状如何，液体回收部都能够适当地回收从基板飞散的处理液。因此，处理单元能够适当地处理基板。
27.如上所述，本发明的基板处理装置能够适当地处理基板。
28.在上述基板处理装置中，优选所述控制部根据位于基板的周缘部的内侧的基板的主部的厚度来改变所述液体导入口的所述上端的所述高度位置。
29.由此，不管基板的主部的厚度如何，液体回收部都能够适当地回收从基板飞散的处理液。因此，不管基板的主部的厚度如何，处理单元都能够适当地处理基板。
30.优选地，在上述基板处理装置中，被所述基板保持部保持的基板的所述主部具有
第一厚度时的所述液体导入口的所述上端比被所述基板保持部保持的所述基板具有比所述第一厚度大的第二厚度时的所述液体导入口的所述上端高。
31.在主部具有第一厚度的情况下，基板较薄。在较薄的基板被基板保持部保持时，液体导入口的上端配置在较高的位置。因此，液体回收部能够适当地回收从基板飞散的处理液。在主部具有第二厚度的情况下，基板较厚。在较厚的基板被基板保持部保持时，液体导入口的上端配置在较低的位置。因此，液体回收部能够适当地回收从基板飞散的处理液。因此，处理单元能够适当地处理较薄的基板以及较厚的基板双方。
32.优选地，在上述基板处理装置中，基板包括：
33.第一基板，具有凹部，所述凹部通过使位于基板的周缘部的内侧的基板的主部比基板的所述周缘部凹陷而形成，以及
34.第二基板，不具有所述凹部；
35.所述控制部根据被所述基板保持部保持的基板是所述第一基板以及所述第二基板中的哪一者，来改变所述液体导入口的所述上端的所述高度位置。
36.不论基板是第一基板以及第二基板中的哪一者，液体回收部都能够适当地回收从基板飞散的处理液。因此，处理单元能够适当地处理第一基板以及第二基板双方。
37.在上述基板处理装置中，优选所述第一基板被所述基板保持部保持时的所述液体导入口的所述上端比所述第二基板被所述基板保持部保持时的所述液体导入口的所述上端高。
38.在第一基板被基板保持部保持的情况下，液体导入口的上端配置在较高的位置。因此，液体回收部能够适当地回收从第一基板飞散的处理液。在第二基板被基板保持部保持的情况下，液体导入口的上端配置在较低的位置。因此，液体回收部能够适当地回收从第二基板飞散的处理液。
39.在上述基板处理装置中，优选所述控制部根据下述情况来改变所述液体导入口的所述上端的所述高度位置：被所述基板保持部保持的基板是否具有上凹部，所述上凹部通过位于基板的周缘部的内侧的基板的主部比基板的所述周缘部凹陷而形成在所述基板的上表面；以及所述处理液供给部是否对被所述基板保持部保持的基板的所述上表面供给处理液。
40.被基板保持部保持的基板是否具有上凹部是对从基板飞散的处理液的方向造成影响的事项。处理液供给部是否对被基板保持部保持的基板的上表面供给处理液也是对从基板飞散的处理液的方向造成影响的事项。控制部考虑双方的事项来改变液体导入口的上端的高度位置。因此，能够将液体导入口的上端调整至适当的高度位置。因此，液体回收部能够适当地回收从基板飞散的处理液。
41.在此，上表面是基板被基板保持部保持时朝向上方的基板的面。上凹部是形成在基板的上表面的凹部。凹部通过基板的主部比基板的周缘部凹陷而形成。
42.优选地，在上述基板处理装置中，被所述基板保持部保持的基板具有所述上凹部且所述处理液供给部对被所述基板保持部保持的基板的所述上表面供给处理液时的所述液体导入口的所述上端比被所述基板保持部保持的基板不具有所述上凹部时的所述液体导入口的所述上端高。
43.被所述基板保持部保持的基板具有所述上凹部且所述处理液供给部对基板的所
述上表面供给处理液时的所述液体导入口的所述上端比所述处理液供给部未对被所述基板保持部保持的基板的所述上表面供给处理液时的所述液体导入口的所述上端高。
44.在被基板保持部保持方基板具有上凹部时，基板的周缘部中的上表面配置在比基板的主部中的上表面高的位置。在被基板保持部保持的基板不具有上凹部时，基板的上表面大致平坦。更详细而言，基板的周缘部的上表面配置在与基板的主部中的上表面大致相同的高度位置。在处理液供给部对被基板保持部保持的基板的上表面供给处理液时，处理液沿着基板的上表面流动。在处理液供给部未对被基板保持部保持的基板的上表面供给处理液时，处理液不会沿着基板的上表面流动。
45.将被基板保持部保持的基板具有上凹部且处理液供给部对被基板保持部保持的基板的上表面供给处理液的情况简称为“第一上处理条件”。在第一上处理条件中，处理液沿着基板的上表面从主部向周缘部朝上方流动。因此，在第一上处理条件中，处理液容易从基板向上方飞散。在第一上处理条件中，液体导入口的上端配置在较高的位置。因此，即使是第一上处理条件，液体回收部也能够适当地回收从基板飞散的处理液。
46.在基板不具有上凹部时，与第一上处理条件相比，处理液难以从基板向上方飞散。在基板不具有上凹部时，与第一上处理条件相比，液体导入口的上端配置在低的位置。因此，即使在被基板保持部保持的基板不具有上凹部时，液体回收部也能够适当地回收从基板飞散的处理液。
47.在处理液供给部未对基板的上表面供给处理液时，与第一上处理条件相比，处理液难以从基板向上方飞散。在处理液供给部未对基板的上表面供给处理液时，与第一上处理条件相比，液体导入口的上端配置在低的位置。因此，即使在处理液供给部未对被基板保持部保持的基板的上表面供给处理液时，液体回收部也能够适当地回收从基板飞散的处理液。
48.在上述基板处理装置中，优选所述处理液供给部未对被所述基板保持部保持的基板的所述上表面供给处理液时的所述液体导入口的所述上端比所述处理液供给部对被所述基板保持部保持的基板的所述上表面供给处理液时的所述液体导入口的所述上端还低。
49.与处理液供给部对基板的上表面供给处理液时相比，在处理液供给部未对基板的上表面供给处理液时，处理液难以从基板向上方飞散。与处理液供给部对基板的上表面供给处理液时相比，在处理液供给部未对基板的上表面供给处理液时，液体导入口的上端配置在低的位置。因此，在处理液供给部未对被基板保持部保持的基板的上表面供给处理液时，液体回收部能够更适当地回收从基板飞散的处理液。
50.在上述基板处理装置中，优选所述控制部根据下述情况来改变所述液体导入口的所述下端的所述高度位置：被所述基板保持部保持的基板是否具有下凹部，所述下凹部通过位于基板的周缘部的内侧的基板的主部比基板的所述周缘部凹陷而形成在所述基板的下表面；以及所述处理液供给部是否对被所述基板保持部保持的基板的所述下表面供给处理液。
51.被基板保持部保持的基板是否具有下凹部是对从基板飞散的处理液的方向造成大的影响的事项。处理液供给部是否对被基板保持部保持的基板的下表面供给处理液也是对从基板飞散的处理液的方向造成大的影响的事项。控制部考虑双方的事项来改变液体导入口的下端的高度位置。因此，能够将液体导入口的下端调整至适当的高度位置。因此，液
体回收部能够适当地回收从基板飞散的处理液。
52.在此，下表面是基板被基板保持部保持时朝向下方的基板的面。下凹部是形成在基板的下表面的凹部。凹部通过基板的主部比基板的周缘部凹陷而形成。
53.优选地，在上述基板处理装置中，被所述基板保持部保持的基板具有所述下凹部且所述处理液供给部对被所述基板保持部保持的基板的所述下表面供给处理液时的所述液体导入口的所述下端比被所述基板保持部保持的基板不具有所述下凹部时的所述液体导入口的所述下端低。
54.被所述基板保持部保持的基板具有所述下凹部且所述处理液供给部对被所述基板保持部保持的基板的所述下表面供给处理液时的所述液体导入口的所述下端比所述处理液供给部未对被所述基板保持部保持的基板的所述下表面供给处理液时的所述液体导入口的下端低。
55.在被基板保持部保持的基板具有下凹部时，基板的周缘部中的下表面配置在比基板的主部中的下表面低的位置。在被基板保持部保持的基板不具有下凹部时，基板的下表面大致平坦。更详细而言，基板的周缘部的下表面配置在与基板的主部中的下表面大致相同的高度位置。在处理液供给部对被基板保持部保持的基板的下表面供给处理液时，处理液沿着基板的下表面流动。在处理液供给部未对被基板保持部保持的基板的下表面供给处理液时，处理液不会沿着基板的下表面流动。
56.将被基板保持部保持的基板具有下凹部且处理液供给部对被基板保持部保持的基板的下表面供给处理液的情况简称为“第一下处理条件”。在第一下处理条件中，处理液沿着基板的下表面从主部向周缘部朝下方流动。因此，在第一下处理条件中，处理液容易从基板向下方飞散。在第一下处理条件中，液体导入口的下端配置在较低的位置。因此，即使是第一下处理条件，液体回收部也能够适当地回收从基板飞散的处理液。
57.在基板不具有下凹部时，与第一下处理条件相比，处理液难以从基板向下方飞散。在基板不具有下凹部时，与第一下处理条件相比，液体导入口的下端配置在高的位置。因此，即使在被基板保持部保持的基板不具有下凹部时，液体回收部也能够适当地回收从基板飞散的处理液。
58.在处理液供给部未对基板的下表面供给处理液时，与第一下处理条件相比，处理液难以从基板向下方飞散。在处理液供给部未对基板的下表面供给处理液时，与第一下处理条件相比，液体导入口的下端配置在高的位置。因此，即使在处理液供给部未对被基板保持部保持的基板的下表面供给处理液时，液体回收部也能够适当地回收从基板飞散的处理液。
59.优选地，在上述基板处理装置中，
60.基板包括凹部，所述凹部通过位于基板的周缘部的内侧的基板的主部比基板的所述周缘部凹陷而形成；
61.所述控制部根据基板的所述主部相对于基板的所述周缘部的深度来改变所述液体导入口的所述上端的所述高度位置以及所述液体导入口的所述下端的所述高度位置中的至少某一者。
62.由此，不管基板的主部相对于基板的周缘部的深度如何，液体回收部都能够适当地回收从基板飞散的处理液。因此，不管基板的主部相对于基板的周缘部的深度如何，处理
单元都能够适当地处理基板。
63.优选地，在上述基板处理装置中，基板包括：
64.凹部，通过位于基板的周缘部的内侧的基板的主部比基板的所述周缘部凹陷而形成；以及
65.壁部，形成在基板的所述周缘部与基板的所述主部之间；
66.所述控制部根据所述壁部的角度来改变所述液体导入口的所述上端的所述高度位置以及所述液体导入口的所述下端的所述高度位置中的至少某一者。
67.由此，不管壁部的角度如何，液体回收部都能够适当地回收从基板飞散的处理液。因此，不管壁部的角度如何，处理单元都能够适当地处理基板。
68.优选地，在上述基板处理装置中，所述基板保持部具有：
69.板(plate)，
70.支撑部，从所述板的上表面向上方突出，与基板的下表面接触，并在比所述板的所述上表面高的位置支撑基板，以及
71.气体吹出口，形成在所述板的所述上表面，对所述板的所述上表面与被所述支撑部支撑的基板的所述下表面之间吹出气体，并将基板向下方吸引。
72.基板保持部具有板、支撑部以及气体吹出口。由此，基板保持部能够适当地保持基板。
73.优选地，在上述基板处理装置中，所述控制部具有：
74.存储部，存储与所述液体导入口的所述上端的所述高度位置以及所述液体导入口的所述下端的所述高度位置中的至少某一者有关的多个设定值，以及
75.设定部，根据被所述基板保持部保持的基板的形状，在存储于所述存储部的多个所述设定值之间切换。
76.控制部具有存储部以及设定部。由此，控制部能够适当地决定液体导入口的上端的高度位置以及液体导入口的下端的高度位置中的至少某一者。
77.本发明为一种基板处理方法，具有下述步骤：
78.由基板保持部以水平姿势保持基板，
79.以围绕所述基板保持部的侧方的方式配置的防护罩根据被所述基板保持部保持的基板的形状在铅垂方向上移动，从而改变液体导入口的上端的高度位置以及所述液体导入口的下端的高度位置中的至少某一者，所述液体导入口由所述防护罩划分，并对被所述基板保持部保持的基板开放，以及
80.旋转所述基板保持部，对被所述基板保持部保持的基板供给处理液，且利用所述防护罩接住通过所述液体导入口的处理液。
81.在基板处理方法中，防护罩根据被基板保持部保持的基板的形状在铅垂方向上移动。由此，根据被基板保持部保持的基板的形状来改变液体导入口的上端的高度位置以及液体导入口的下端的高度位置中的至少某一者。在此，液体导入口由防护罩划分。液体导入口对被基板保持部保持的基板开放。因此，能够根据被基板保持部保持的基板的形状将液体导入口调整至适当的高度位置。具体而言，不管被基板保持部保持的基板的形状如何，都能够将液体导入口配置在适当的高度位置以使从基板飞散的处理液通过液体导入口。因此，不管被基板保持部保持的基板的形状如何，都能够利用防护罩接住从基板飞散的处理
液。因此，能够适当地处理基板。
82.如上所述，本发明的基板处理方法能够适当地处理基板。
83.发明的效果
84.根据本发明的基板处理装置以及基板处理方法，能够适当地处理基板。
附图说明
85.图1是第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
86.图2是基板处理装置的控制框图。
87.图3是基板的俯视图。
88.图4中的(a)是a型基板的剖视图，图4中的(b)是b型基板的剖视图，图4中的(c)是c型基板的剖视图。
89.图5是示意性地示出处理单元的结构的图。
90.图6是示出控制部的控制以及处理单元的动作的顺序的流程图。
91.图7中的(a)以及(b)分别是示意性地示出处理单元的图。
92.图8是示出第二实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的顺序的流程图。
93.图9是示意性地示出第三实施方式的处理单元的结构的图。
94.图10是示出第三实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的顺序的流程图。
95.图11中的(a)至(f)分别是示意性地示出处理单元的图。
96.图12是基板的剖视图。
97.图13是示意性地示出变形实施方式的处理单元的图。
98.图14中的(a)至(d)分别是示出防护罩的配置示例的图。
99.图15是示意性地示出变形实施方式的处理单元的图。
具体实施方式
100.以下，参照附图说明本发明的基板处理装置。
101.[第一实施方式]
[0102]
[基板处理装置的概要]
[0103]
图1是第一实施方式的基板处理装置的俯视图。基板处理装置1对基板(例如半导体晶圆)w进行处理。
[0104]
基板w例如为半导体晶圆、液晶显示器用基板、有机el(electroluminescence：电致发光)用基板、fpd(flat panel display：平板显示器)用基板、光学显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板或者太阳能电池用基板。
[0105]
基板处理装置1具有分度器(indexer)部2。分度器部2具有多个(例如四个)承载器(carrier)载置部3。各个承载器载置部3分别载置一个承载器c。承载器c容纳多片基板w。承载器c例如为foup(front opening unified pod：前开式晶圆传送盒)。
[0106]
承载器c具有条形码(bar-code)(未图示)。条形码例如为用于识别承载器c的识别符号(identifier)。条形码例如为用于识别承载器c内的基板w的识别符号。条形码例如附加于承载器c的外表面。
[0107]
分度器部2具有条形码读取器(bar-code reader)4。条形码读取器4读取附加于被
载置于承载器载置部3的承载器c的条形码。条形码读取器4例如被安装在承载器载置部3。
[0108]
分度器部2具有搬运机构5。搬运机构5能够对被载置于各个承载器载置部3的承载器c进行访问(access)。搬运机构5将基板w搬运至被载置于承载器载置部3的承载器c。搬运机构5具有手部(hand)5a以及手部驱动部5b。手部5a以水平姿势支撑一片基板w。手部驱动部5b与手部5a连结。手部驱动部5b移动手部5a。例如，手部驱动部5b将手部5a在水平方向上平行移动。例如，手部驱动部5b将手部5a在铅垂方向上平行移动。例如，手部驱动部5b将手部5a绕着旋转轴线旋转移动。手部5a的旋转轴线例如与铅垂方向平行。
[0109]
分度器部2具有是否存在检测部6。是否存在检测部6检测手部5a是否正在支撑基板w。即，是否存在检测部6检测搬运机构5是否正在搬运基板w。是否存在检测部6例如安装于手部5a。
[0110]
基板处理装置1具有处理区块11。处理区块11与分度器部2连接。
[0111]
处理区块11具有载置部12。载置部12载置多片基板w。
[0112]
处理区块11具有形状检测部13。形状检测部13检测被载置于载置部12的基板w的形状。形状检测部13例如为拍摄基板w的成像传感器(imaging sensor)。成像传感器例如为一维成像传感器或者二维成像传感器。形状检测部13例如安装于载置部12。
[0113]
处理区块11具有多个处理单元14。各个处理单元14处理一片基板w。
[0114]
处理区块11具有搬运机构15。搬运机构15能够对载置部12以及全部的处理单元14进行访问。搬运机构15将基板w搬运至载置部12以及处理单元14。搬运机构15具有手部15a以及手部驱动部15b。手部15a以水平姿势支撑一片基板w。手部驱动部15b与手部15a连结。手部驱动部15b将手部15a移动。例如，手部驱动部15b将手部15a在水平方向上平行移动。例如，手部驱动部15b将手部15a在铅垂方向上平行移动。例如，手部驱动部15b将手部15a绕着旋转轴线旋转移动。手部15a的旋转轴线例如与铅垂方向平行。
[0115]
处理区块11具有是否存在检测部16。是否存在检测部16检测手部15a是否正在支撑基板w。即，是否存在检测部16检测搬运机构15是否正在搬运基板w。是否存在检测部16例如安装于手部15a。
[0116]
载置部12配置在搬运机构5与搬运机构15之间。搬运机构5也可以对载置部12进行访问。搬运机构5将基板w搬运至载置部12。载置部12载置在搬运机构5与搬运机构15之间被搬运的基板w。
[0117]
基板处理装置1具有输入部17。用户能够将信息输入至输入部17。输入部17例如安装在分度器部2的外面。
[0118]
基板处理装置1具有控制部18。控制部18获取条形码读取器4、是否存在检测部6、16以及形状检测部13的检测结果。控制部18获取输入到输入部17的信息。控制部18控制搬运机构5、15以及处理单元14。
[0119]
图2是基板处理装置1的控制框图。控制部18与条形码读取器4、是否存在检测部6、16、形状检测部13、输入部17、搬运机构5、15以及处理单元14以能够通信的方式连接。控制部18具有存储部18a、设定部18b以及驱动电路18c。存储部18a预先储存各种信息。存储于存储部18a的信息例如为与搬运机构5、15以及处理单元14的动作条件有关的设定值。存储于存储部18a的信息例如为用于处理基板w的处理程式(processing recipe)(处理程序)。存储于存储部18a的信息例如为用于识别各个基板w的信息。设定部18b基于从条形码读取器
4、是否存在检测部6、16、形状检测部13以及输入部17所取得的信息以及预先存储于存储部18a的信息，设定搬运机构5、15以及处理单元14的动作条件。驱动电路18c基于由设定部18b所设定的动作条件，将驱动命令输出至搬运机构5、15以及处理单元14。
[0120]
控制部18例如通过执行各种处理的中央运算处理装置(cpu(central processing unit：中央处理单元))、成为运算处理的作业区域的ram(random access memory：随机存取内存)、固定硬盘等存储介质等所实现。
[0121]
说明基板处理装置1的动作示例。搬运机构5从承载器载置部3上的承载器c将基板w搬运至载置部12。搬运机构15从载置部12将基板w搬运至处理单元14。处理单元14处理基板w。搬运机构15从处理单元14将基板w搬运至载置部12。搬运机构5从载置部12将基板w搬运至承载器载置部3上的承载器c。
[0122]
[基板w的形状]
[0123]
图3为基板w的俯视图。说明基板w的基本的形状。基板w具有薄的平板形状。在俯视观察时，基板w具有大致圆形状。基板w具有周缘部22以及主部23。主部23为位于周缘部22的内侧的基板w的部分。半导体器件(semiconductor device)形成于主部23。图3用虚线简单地示出周缘部22与主部23之间的交界。
[0124]
基板处理装置1能够处理不同形状的基板w。以下，例示形状不同的三种基板w。为了简便，将形状不同的三种基板w分别称为a型基板wa、b型基板wb以及c型基板wc。
[0125]
图4中的(a)为a型基板wa的剖视图。a型基板wa为包括凹部24且不包括玻璃制的保护板的基板w，该凹部24通过使主部23比周缘部22凹陷而形成。凹部24例如通过研削处理(研磨(grinding)处理)而形成。a型基板wa也可以仅由基板主体21所构成。或者，a型基板wa除了包括基板主体21之外，也可以进一步包括树脂被膜、树脂带、树脂片以及树脂膜中的至少任一种。
[0126]
图4中的(b)为b型基板wb的剖视图。b型基板wb为包括凹部24且包括玻璃制的保护板25的基板w。具体而言，b型基板wb包括基板主体21以及保护板25。保护板25例如贴附于基板主体21。b型基板wb也可以进一步包括树脂被膜、树脂带、树脂片以及树脂膜中的至少任一种。
[0127]
图4中的(c)为c型基板wc的剖视图。c型基板wc为不包括凹部24的基板w。c型基板wc的周缘部22以及主部23都是平坦的。c型基板wc也可以仅由基板主体21所构成。或者，c型基板wc除了包括基板主体21之外，也可以进一步包括树脂被膜、树脂带、树脂片以及树脂膜以及保护板25中的至少任一种。
[0128]
a型基板wa的主部23比b型基板wb的主部23薄。a型基板wa的主部23比c型基板wc的主部23薄。a型基板wa的刚性比b型基板wb以及c型基板wc的刚性低。a型基板wa比b型基板wb以及c型基板wc容易翘曲。
[0129]
具体而言，a型基板wa的主部23具有厚度ta1。b型基板wb的主部23具有厚度tb1。c型基板wc的主部23具有厚度tc1。厚度ta1比厚度tb1小。厚度ta1比厚度tc1小。厚度ta1例如为10μm以上且200μm以下。厚度tb1例如为800μm以上且1200μm以下。厚度tc1例如为600μm以上且1000μm以下。
[0130]
a型基板wa的周缘部22具有厚度ta2。b型基板wb的周缘部22具有厚度tb2。c型基板wc的周缘部22具有厚度tc2。厚度ta2比厚度tb2小。厚度ta2例如与厚度tc2相同。厚度ta2例
如为600μm以上且1000μm以下。厚度tb2例如为1400μm以上且2200μm以下。厚度tc2例如为600μm以上且1000μm以下。
[0131]
a型基板wa以及b型基板wb为本发明中的第一基板的示例。c型基板wc为本发明中的第二基板的示例。以下，将a型基板wa以及b型基板wb适当地统称为“第一基板w1”。将c型基板wc适当地称为“第二基板w2”。
[0132]
a型基板wa为本发明中的薄基板的示例。b型基板wb以及c型基板wc为本发明中的厚基板的示例。以下，将a型基板wa适当地称为“薄基板wp”。将b型基板wb以及c型基板wc适当地称为“厚基板wq”。
[0133]
[处理单元的结构]
[0134]
图5为示意性地示出处理单元14的结构的图。处理单元14具有基板保持部31、旋转驱动部35、处理液供给部41以及液体回收部50。基板保持部31保持一片基板w。基板保持部31以水平姿势保持基板w。旋转驱动部35旋转基板保持部31。处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w供给处理液。液体回收部50回收从基板w飞散的处理液。
[0135]
基板保持部31具有板32。板32具有大致圆盘形状。板32具有上表面32a。上表面32a大致水平。上表面32a大致平坦。
[0136]
旋转驱动部35与板32的下部连结。旋转驱动部35将板32绕着旋转轴线a旋转。旋转轴线a与铅垂方向平行。旋转轴线a穿过板32的中心。更具体而言，旋转驱动部35具有旋转轴35a。旋转轴35a在铅垂方向上延伸。旋转轴35a配置在旋转轴线a上。旋转轴35a连接于板32的下部。旋转驱动部35进一步具有未图示的马达。马达与旋转轴35a连结。马达将旋转轴35a绕着旋转轴线a旋转。
[0137]
基板保持部31进一步具有多个端缘接触销33。端缘接触销33也称为机械式卡盘(mechanical chuck)。端缘接触销33安装于板32。端缘接触销33从板32的上表面32a向上方突出。各个端缘接触销33也可以相对于板32旋转。各个端缘接触销33也可以具有能够相对于板32移动的可动部。各个端缘接触销33与基板w的端缘接触。在端缘接触销33与基板w的端缘接触时，各个端缘接触销33也可以进一步地将基板w的端缘朝向基板w的中心按压。端缘接触销33在比板32的上表面32a高的位置保持基板w。在端缘接触销33保持基板w时，基板w的中心位于旋转轴线a上。在旋转驱动部35旋转板32时，端缘接触销33与板32一体地旋转。在旋转驱动部35旋转基板保持部31时，端缘接触销33不会相对于与端缘接触销33接触的基板w滑动。在旋转驱动部35旋转基板保持部31时，被基板保持部31保持的基板w也与板32一体地旋转。
[0138]
处理液供给部41具有第一喷嘴42。第一喷嘴42喷出处理液。第一喷嘴42向下方喷出处理液。第一喷嘴42配置于比被基板保持部31保持的基板w高的位置。第一喷嘴42对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液。
[0139]
处理单元14具有未图标的喷嘴移动机构。喷嘴移动机构将第一喷嘴42移动至处理位置与退避位置。图4用虚线示出了位于处理位置的第一喷嘴42。图4用实线示出了位于退避位置的第一喷嘴42。处理位置为被基板保持部31保持的基板w的上方的位置。在第一喷嘴42位于处理位置时，在俯视观察时，第一喷嘴42与被基板保持部31保持的基板w重叠。在第一喷嘴42位于退避位置时，在俯视观察时，第一喷嘴42不与被基板保持部31保持的基板w重叠。
[0140]
处理液供给部41具有第一配管43。第一配管43对第一喷嘴42供给处理液。第一配管43具有第一端以及第二端。第一配管43的第一端与处理液供给源44连接。第一配管43的第二端与第一喷嘴42连接。
[0141]
处理液供给部41具有第二喷嘴45。第二喷嘴45喷出处理液。第二喷嘴45将处理液向上方喷出。第二喷嘴45配置于比被基板保持部31保持的基板w低的位置。第二喷嘴45对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液。
[0142]
例如，第二喷嘴45形成于板32。第二喷嘴45形成于板32的上表面32a。第二喷嘴45配置于板32的上表面32a的中央部。第二喷嘴45配置于旋转轴线a上。在俯视观查时，第二喷嘴45与被基板保持部31保持的基板w重叠。
[0143]
处理液供给部41具有第二配管46。第二配管46对第二喷嘴45供给处理液。第二配管46的一部分也可以形成于板32的内部。第二配管46的一部分也可以配置于旋转轴35a的内部。第二配管46具有第一端以及第二端。第二配管46的第一端与处理液供给源47连接。第二配管46的第二端与第二喷嘴45连接。
[0144]
第二喷嘴45所喷出的处理液也可以与第一喷嘴42所喷出的处理液相同。第二喷嘴45所喷出的处理液也可以与第一喷嘴42所喷出的处理液不同。
[0145]
处理单元14具有流量调整部48。流量调整部48调整处理液供给部41对基板w供给的处理液的流量。流量调整部48具有第一流量调整部48a以及第二流量调整部48b。第一流量调整部48a设置于第一配管43。第一流量调整部48a调整第一喷嘴42所喷出的处理液的流量。第二流量调整部48b设置于第二配管46。第二流量调整部48b调整第二喷嘴45所喷出的处理液的流量。第一流量调整部48a与第二流量调整部48b分别包括例如流量调节阀。第一流量调整部48a与第二流量调整部48b分别包括例如开闭阀。
[0146]
液体回收部50具有第一防护罩51以及第二防护罩52。第一防护罩51以及第二防护罩52分别接住处理液。第一防护罩51以及第二防护罩52分别以围绕基板保持部31的侧方的方式配置。第一防护罩51具有以旋转轴线a为中心(母线)的大致圆筒形状。第二防护罩52也具有以旋转轴线a为中心的大致圆筒形状。第二防护罩52配置在第一防护罩51的外侧方向。第一防护罩51配置在第二防护罩52的内侧方向。
[0147]“内侧方向”为朝向旋转轴线a的方向。“内侧方向”为接近旋转轴线a的方向。“外侧方向”为与内侧方向相反的方向。
[0148]
第一防护罩51固定地设置。第二防护罩52设置成能够在铅垂方向上移动。第二防护罩52能够相对于基板保持部31在铅垂方向上移动。
[0149]
第一防护罩51具有铅垂部53。铅垂部53为以旋转轴线a为中心的环状的周壁。铅垂部53在铅垂方向上延伸。铅垂部53的内径在整个铅垂方向上大致固定。
[0150]
第一防护罩51具有倾斜部54。倾斜部54为以旋转轴线a为中心的环状的周壁。倾斜部54与铅垂部53连接。倾斜部54从铅垂部53向上方及内侧方向延伸。倾斜部54的内径朝向上方减少。
[0151]
倾斜部54具有上缘54a。上缘54a具有以旋转轴线a为中心的环形状。上缘54a配置在比板32的上表面32a低的位置。上缘54a配置在接近板32的位置。
[0152]
第二防护罩52具有铅垂部55。铅垂部55为以旋转轴线a为中心的环状的周壁。铅垂部55配置在铅垂部53的外侧方向。铅垂部55在铅垂方向上延伸。铅垂部55的内径在整个铅
垂方向上大致固定。铅垂部55的内径比铅垂部53的内径大。
[0153]
第二防护罩52具有倾斜部56。倾斜部56为以旋转轴线a为中心的环状的周壁。倾斜部56配置在倾斜部54的上方。倾斜部56与铅垂部55连接。倾斜部56从铅垂部55向上方及内侧方向延伸。倾斜部56的内径朝向上方减少。
[0154]
倾斜部56具有上缘56a。上缘56a配置在上缘54a的上方。上缘56a具有以旋转轴线a为中心的环形状。上缘56a的内侧方向呈开放。
[0155]
第一防护罩51以及第二防护罩52分别为本发明的防护罩的一个示例。
[0156]
液体回收部50具有回收空间57。回收空间57由第一防护罩51以及第二防护罩52来划分。回收空间57为形成于第一防护罩51与第二防护罩52之间的空间。回收空间57包括倾斜部54的上方以及倾斜部56的下方的空间。回收空间57包括铅垂部53的外侧方向以及铅垂部55的内侧方向的空间。回收空间57具有以旋转轴线a为中心的环形状。回收空间57以围绕被基板保持部31保持的基板w的侧方的方式配置。回收空间57配置在被基板保持部31保持的基板w的外侧方向。
[0157]
液体回收部50具有液体导入口58。图5用虚线示出液体导入口58。液体导入口58为用于使处理液进入回收空间57的开口。液体导入口58相对于被基板保持部31保持的基板w呈开放。换言之，液体导入口58将回收空间57相对于基板w开放。从基板w飞散的处理液通过液体导入口58进入回收空间57。
[0158]
液体导入口58由第一防护罩51以及第二防护罩52来划分。更详细而言，液体导入口58由倾斜部54的上缘54a以及倾斜部56的上缘56a来划分。液体导入口58配置在倾斜部54的上缘54a的上方以及倾斜部56的上缘56a的下方。液体导入口58为曲面，连结倾斜部54的上缘54a以及倾斜部56的上缘56a。液体导入口58具有以旋转轴线a为中心的环形状。液体导入口58以围绕被基板保持部31保持的基板w的侧方的方式配置。液体导入口58配置在被基板保持部31保持的基板w的外侧方向。
[0159]
液体导入口58具有上端58t以及下端58b。第二防护罩52规定上端58t。第二防护罩52的上缘56a相当于上端58t。第一防护罩51规定下端58b。第一防护罩51的上缘54a相当于下端58b。
[0160]
液体回收部50具有杯59。杯59配置于第一防护罩51以及第二防护罩52的下方。第一防护罩51以及第二防护罩52所接住的处理液流落至杯59中。杯59具有槽部59a。槽部59a向上方开放。槽部59a环状地连接。第一防护罩51的铅垂部53插入至槽部59a。第二防护罩52的铅垂部55也插入至槽部59a。
[0161]
处理单元14具有未图标的排出管。排出管与杯59连接。更具体而言，排出管与槽部59a的底部连接。排出管排出杯59内的处理液。
[0162]
处理单元14具有防护罩驱动部60。防护罩驱动部60具有防护罩驱动机构62。防护罩驱动机构62在铅垂方向上移动第二防护罩52。防护罩驱动部60不移动第一防护罩51。防护罩驱动机构62包括例如电动马达。
[0163]
上缘56a(即，上端58t)能够通过防护罩驱动部60从比板32的上表面32a低的位置移动至比被基板保持部31保持的基板w高的位置。
[0164]
处理单元14具有形状检测部67。形状检测部67检测被载置于基板保持部31的基板w的形状。形状检测部67例如为用于拍摄基板w的成像传感器。成像传感器例如为一维成像
传感器或者二维成像传感器。形状检测部67例如配置在基板保持部31的上方。
[0165]
参照图2。控制部18进一步与形状检测部67、旋转驱动部35、流量调整部48以及防护罩驱动部60以能够通信的方式连接。控制部18获取形状检测部67的检测结果。控制部18控制旋转驱动部35、流量调整部48(48a、48b)以及防护罩驱动部60(防护罩驱动机构62)。
[0166]
具体而言，设定部18b在设定动作条件时进一步考虑从形状检测部67取得的信息。驱动电路18c向旋转驱动部35、流量调整部48(48a、48b)以及防护罩驱动部60(防护罩驱动机构62)输出驱动命令。
[0167]
[第一实施方式的处理单元14的动作示例]
[0168]
在第一实施方式的处理单元14的动作示例中，控制部18根据基板w的主部23的厚度来改变液体导入口58的上端58t的高度位置。
[0169]
图6是示出控制部18的控制以及处理单元14的动作的顺序的流程图。
[0170]
步骤s1
[0171]
条形码读取器4读取附加于承载器c的条形码。条形码读取器4将条形码读取器4的检测结果输出至控制部18。形状检测部13检测载置于载置部12的基板w的形状。形状检测部67检测被基板保持部31保持的基板w的形状。形状检测部13、67将形状检测部13、67的检测结果输出至控制部18。
[0172]
步骤s2
[0173]
控制部18获取条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果。控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果，判定被基板保持部31保持的基板w的形状。具体而言，设定部18b确定基板w的主部23的厚度。
[0174]
此外，即使在从承载器c搬出基板w之后，控制部18也将基板w的位置与基板w的形状相关联并进行管理。具体而言，控制部18管理搬运机构5、15在各个时刻中搬运的基板w的形状。控制部18管理在各个时刻中载置于载置部12的基板w的形状。控制部18管理在各个时刻中被基板保持部31保持的基板w的形状。控制部18为了管理基板w的位置以及基板w的形状，控制部18也可以适当地参照形状检测部13、67的检测结果以及是否存在检测部6、16的检测结果。
[0175]
步骤s3
[0176]
控制部18(具体而言为设定部18b)根据被基板保持部31保持的基板w的形状，决定液体导入口58的上端58t的高度位置。以下，将液体导入口58的上端58t的高度位置简称为“上高度位置ht”。
[0177]
例如，存储部18a预先存储第一上设定值vta以及第二上设定值vtb。第一上设定值vta以及第二上设定值vtb分别为与上高度位置ht有关的设定值。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一上设定值vta以及第二上设定值vtb之间切换。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，选择第一上设定值vta以及第二上设定值vtb中的某一者。
[0178]
第一上设定值vta以及第二上设定值vtb分别规定上高度位置ht。将由第一上设定值vta所规定的上高度位置ht记载为第一上高度位置hta，将由第二上设定值vtb所规定的上高度位置ht记载为第二上高度位置htb。第一上高度位置hta比第二上高度位置htb高。因此，设定部18b选择第一上设定值vta的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为
第一上高度位置hta的情况。设定部18b选择第二上设定值vtb的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为第二上高度位置htb的情况。
[0179]
第一上设定值vta以及第二上设定值vtb为本发明中的设定值的示例。
[0180]
为了改变上高度位置ht，控制部18考虑被基板保持部31保持的基板w的形状。控制部18所考虑的基板w的形状例如为被基板保持部31保持的基板w的主部23的厚度。
[0181]
例如，被基板保持部31保持的基板w的主部23具有第一厚度时，控制部18决定为第一上设定值vta。例如，被基板保持部31保持的基板w的主部23具有比第一厚度大的第二厚度时，控制部18决定为第二上设定值vtb。
[0182]
例如，被基板保持部31保持的基板w的主部23具有比基准值rv小的厚度时，控制部18决定为第一上设定值vta。被基板保持部31保持的基板w的主部23具有比基准值rv大的厚度时，控制部18决定为第二上设定值vtb。
[0183]
基准值rv预先存储在存储部18a中。设定部18b比较被基板保持部31保持的基板w的主部23的厚度与基准值rv。由此，设定部18a选择第一上设定值vta以及第二上设定值vtb中的某一者。
[0184]
优选地，基准值rv比a型基板wa的主部23的厚度ta1大且比b型基板wb的主部23的厚度tb1以及c型基板wc的主部23的厚度tc1小。优选地，例如，基准值rv例如大于200μm且小于600μm。由此，当基板w为a型基板wa时，控制部18能够决定为第一上设定值vta。换言之，基板w为薄基板wp时，控制部18能够决定为第一上设定值vta。基板w为b型基板wb或者c型基板wc时，控制部18能够决定为第二上设定值vtb。换言之，基板w为厚基板wq时，控制部18能够决定为第二上设定值vtb。
[0185]
控制部18所考虑的基板w的形状是例如被基板保持部31保持的基板w属于薄基板wp以及厚基板wq中的哪一者。
[0186]
例如，被基板保持部31保持的基板w为薄基板wp时，控制部18选择第一上设定值vta。例如，被基板保持部31保持的基板w为厚基板wq时，控制部18选择第二上设定值vtb。
[0187]
控制部18所考虑的基板w的形状是例如被基板保持部31保持的基板w属于a型基板wa、b型基板wb以及c型基板wc中的哪一者。
[0188]
例如，被基板保持部31保持的基板w为a型基板wa时，控制部18选择第一上设定值vta。例如，被基板保持部31保持的基板w为b型基板wb或者c型基板wc时，控制部18选择第二上设定值vtb。
[0189]
步骤s4
[0190]
控制部18控制处理单元14。控制部18基于所决定的上高度位置ht控制防护罩驱动部60。具体而言，驱动电路18c基于所切换的设定值驱动防护罩驱动部60。例如，在设定部18b已选择第一上设定值vta的情况下，驱动电路18c基于第一上设定值vta对防护罩驱动机构62发出驱动命令。例如，在设定部18b已选择第二上设定值vtb的情况下，驱动电路18c基于第二上设定值vtb对防护罩驱动机构62发出驱动命令。
[0191]
步骤s5
[0192]
处理单元14根据控制部18的控制对基板w进行处理。具体而言，基板保持部31保持基板w。防护罩驱动部60使第二防护罩52在铅垂方向上移动。由此，液体导入口58的上端58t配置在所决定的上高度位置ht。
[0193]
更具体而言，在设定部18b已选择第一上设定值vta的情况下，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hta。在设定部18b已选择第二上设定值vtb的情况下，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htb。这样，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的主部23的厚度来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w是薄基板wp还是厚基板wq来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w为a型基板wa、b型基板wb以及c型基板wc中的哪一者来改变上高度位置ht。
[0194]
图7中的(a)以及图7中的(b)是示意性地示出处理单元14的图。在图7的(a)中，a型基板wa被保持于基板保持部31。在图7的(b)中，b型基板wb或者c型基板wc被保持于基板保持部31。
[0195]
参照图7中的(a)。例如，当被基板保持部31保持的基板w为a型基板wa时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hta(即，由第一上设定值vta所规定的上高度位置ht)。例如，当被基板保持部31保持的基板w为薄基板wp时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hta。
[0196]
参照图7中的(b)。例如，当被基板保持部31保持的基板w为b型基板wb或者c型基板wc时，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htb(即，由第二上设定值vtb所规定的上高度位置ht)。例如，当被基板保持部31保持的基板w为厚基板wq时，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htb。
[0197]
如图所示，第二上高度位置htb比第一上高度位置hta低。像这样，第二防护罩52根据被基板保持部31保持的基板w的形状在铅垂方向上移动。通过第二防护罩52的移动，改变上高度位置ht。
[0198]
接着，旋转驱动部35旋转基板保持部31，流量调整部48打开。由此，一边旋转被基板保持部31保持的基板w，一边使处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w供给处理液。具体而言，第一喷嘴42以及第二喷嘴45中的至少某一个喷嘴对基板w喷出处理液。处理液从被基板保持部31保持的基板w向外侧方向飞散。飞散的处理液被液体回收部50回收。具体而言，处理液通过液体导入口58而进入至回收空间57。第一防护罩51以及第二防护罩52接住进入至回收空间57的处理液，并将处理液引导至杯59中。
[0199]
参照图7中的(b)。与a型基板wa相比，b型基板wb以及c型基板wc具有高的刚性。与a型基板wa相比，b型基板wb以及c型基板wc难以翘曲。当b型基板wb以及c型基板wc的任一者被保持于基板保持部31时，b型基板wb以及c型基板wc大致水平。因此，处理液容易从b型基板wb以及c型基板wc水平地飞散。即，处理液难以从b型基板wb以及c型基板wc向上方飞散。
[0200]
如上所述，第二上高度位置htb比第一上高度位置hta低。相对于处理液所飞散的范围，液体导入口58的上端58t不会无意义地过高。因此，暂时被导入至回收空间57的处理液难以通过液体导入口58返回至回收空间57的外部。更详细而言，处理液难以从回收空间57通过液体导入口58返回至被基板保持部31保持的基板w。从b型基板wb以及c型基板wc飞散的处理液难以再次地附着于b型基板wb以及c型基板wc。这样，当b型基板wb或者c型基板wc被保持于基板保持部31时，液体回收部50能够适当地回收处理液。因此，处理单元14能够品质良好地对b型基板wb以及c型基板wc进行处理。
[0201]
参照图7中的(a)。a型基板wa被保持于基板保持部31时，与b型基板wb以及c型基板
wc相比，a型基板wa大幅翘曲。具体而言，a型基板wa向下方凸地弯曲。a型基板wa的周缘部22向外侧方向以及上方倾斜。因此，处理液容易从a型基板wa飞散至上方。处理液容易从a型基板wa飞散至较高的位置。
[0202]
如上所述，第一上高度位置hta比第二上高度位置htb高。因此，即使在处理液已从a型基板wa飞散至较高的位置的情况下，液体导入口58也能够将处理液切实地导入至回收空间57。这样，即使a型基板wa被保持于基板保持部31，液体回收部50也能够适当地回收处理液。因此，处理单元14能够品质良好地对a型基板wa进行处理。
[0203]
[第一实施方式的效果]
[0204]
旋转驱动部35旋转基板保持部31，由此，被基板保持部31保持的基板w旋转。处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w供给处理液。处理液从被基板保持部31保持的基板w飞散。液体回收部50回收从基板w飞散的处理液。液体回收部50包括第一防护罩51以及第二防护罩52。第一防护罩51以及第二防护罩52以围绕基板保持部31的侧方的方式配置。液体回收部50进一步包括液体导入口58。液体导入口58被第一防护罩51以及第二防护罩52所划分。液体导入口58相对于被基板保持部31保持的基板w开放。液体导入口58将从基板w飞散的处理液导入至液体回收部50。防护罩驱动部60使第二防护罩52在铅垂方向上移动。第二防护罩52在铅垂方向上移动，从而能够改变上高度位置ht。
[0205]
控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来控制防护罩驱动部60。由此，控制部18改变上高度位置ht。因此，能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状将液体导入口58调整至适当的高度位置。因此，不管被基板保持部31保持的基板w的形状如何，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。因此，处理单元14能够适当地处理基板w。
[0206]
如上所述，本发明的基板处理装置1能够适当地处理基板w。
[0207]
控制部18具有存储部18a以及设定部18b。存储部18a存储第一上设定值vta以及第二上设定值vtb。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状而在第一上设定值vta与第二上设定值vtb之间进行切换。因此，控制部18能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状来适当地决定上高度位置ht。控制部18能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状来适当地改变上高度位置ht。
[0208]
处理单元14对基板w进行处理(步骤s5)。处理单元14所进行的基板w的处理方法具有三个步骤。在第一步骤中，通过基板保持部31以水平姿势保持基板w。在第二步骤中，第二防护罩52根据被基板保持部31保持的基板w的形状在铅垂方向上移动，由此改变上高度位置ht。在第三步骤中，旋转基板保持部31，对被基板保持部31保持的基板w供给处理液，且利用第一防护罩51以及第二防护罩52接住通过液体导入口58的处理液。因此，处理单元14能够适当地处理基板w。
[0209]
控制部18根据基板w的主部23的厚度改变上高度位置ht。因此，不管基板w的主部23的厚度如何，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。因此，不管基板w的主部23的厚度如何，处理单元14都能够适当地处理基板w。
[0210]
当被基板保持部31保持的基板w的主部23具有第一厚度时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hta。当被基板保持部31保持的基板w具有比第一厚度大的第二厚度时，液体导入口58的上端58t配置在比第一上高度位置hta低的第二上高度位置htb。这
样，在主部23具有第一厚度的基板w被保持于基板保持部31的情况下，液体导入口58的上端58t配置在较高的位置。因此，液体回收部50能够适当地回收从基板w飞散的处理液。进而，在主部23具有第二厚度的基板w被保持于基板保持部31的情况下，液体导入口58的上端58t配置在较低的位置。因此，液体回收部50能够适当地回收从基板w飞散的处理液。这样，即使在基板w较薄的情况下以及基板w较厚的情况下中的任一情况下，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。因此，处理单元14能够适当地处理主部23具有第一厚度的基板w以及主部23具有第二厚度的基板w双方。
[0211]
处理单元14具有形状检测部67。形状检测部67检测基板w的形状。控制部18获取形状检测部67的检测结果。控制部18基于形状检测部67的检测结果来判定被基板保持部31保持的基板w的形状。因此，控制部18能够适当地确定被基板保持部31保持的基板w的形状。例如，控制部18能够适当地确定基板w的主部23的厚度。
[0212]
基板处理装置1具有条形码读取器4。条形码读取器4读取附加于承载器c的条形码。控制部18获取条形码读取器4的检测结果。控制部18基于条形码读取器4的检测结果来判定基板w的形状。因此，控制部18能够适当地确定基板w的形状。
[0213]
基板处理装置1具有形状检测部13。形状检测部13检测基板w的形状。控制部18获取形状检测部13的检测结果。控制部18基于形状检测部13的检测结果来判定基板w的形状。因此，控制部18能够适当地确定基板w的形状。
[0214]
[第二实施方式]
[0215]
参照附图，说明第二实施方式的基板处理装置1。此外，对于与第一实施方式相同的结构，赋予相同的附图标记并省略详细说明。
[0216]
第二实施方式的基板处理装置1具有与第一实施方式的基板处理装置1大致相同的结构。第二实施方式的处理单元14执行与第一实施方式的处理单元14不同的动作。以下，例示第二实施方式的处理单元14的动作。
[0217]
[第二实施方式的处理单元14的动作示例]
[0218]
在第二实施方式的处理单元14的动作示例中，控制部18根据基板w是否具有凹部24来改变上高度位置ht。即，控制部18根据基板w为第一基板w1以及第二基板w中的哪一个基板来改变上高度位置ht。
[0219]
图8是示出控制部18的控制以及处理单元14的动作的顺序的流程图。
[0220]
步骤s11
[0221]
步骤s11与第一实施方式的步骤s1大致相同。即，条形码读取器4读取附加于承载器c的条形码。形状检测部13、67分别检测基板w的形状。条形码读取器4以及形状检测部13、67将条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果输出至控制部18。
[0222]
步骤s12
[0223]
控制部18获取条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果。控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果来判定被基板保持部31保持的基板w的形状。具体而言，设定部18b确定基板w是否具有凹部24。设定部18b确定基板w为第一基板w1以及第二基板w2中的哪一者。
[0224]
步骤s13
[0225]
控制部18(具体而言为设定部18b)根据被基板保持部31保持的基板w的形状来决
定上高度位置ht。
[0226]
例如，存储部18a预先存储第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd。第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd分别为与上高度位置ht有关的设定值。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd之间切换。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状来选择第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd中的某一者。
[0227]
第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd分别规定上高度位置ht。将由第一上设定值vtc所规定的上高度位置ht称为第一上高度位置htc。将由第二上设定值vtd所规定的上高度位置ht称为第二上高度位置htd。第一上高度位置htc比第二上高度位置htd高。因此，设定部18b选择第一上设定值vtc的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为第一上高度位置htc的情况。设定部18b选择第二上设定值vtd的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为第二上高度位置htd的情况。
[0228]
第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd为本发明的设定值的示例。
[0229]
为了改变上高度位置ht，控制部18考虑被基板保持部31保持的基板w的形状。控制部18所考虑的基板w的形状例如为被基板保持部31保持的基板w是否具有凹部24。
[0230]
例如，当被基板保持部31保持的基板w具有凹部24时，控制部18决定为第一上设定值vtc。当被基板保持部31保持的基板w不具有凹部24时，控制部18决定为第二上设定值vtd。
[0231]
控制部18所考虑的基板w的形状例如为被基板保持部31保持的基板w属于第一基板w1以及第二基板w2中的哪一者。
[0232]
例如，当被基板保持部31保持的基板w为第一基板w1时，控制部18决定为第一上设定值vtc。当被基板保持部31保持的基板w为第二基板w2时，控制部18决定为第二上设定值vtd。
[0233]
控制部18所考虑的基板w的形状例如为被基板保持部31保持的基板w属于a型基板wa、b型基板wb以及c型基板wc中的哪一者。
[0234]
例如，当被基板保持部31保持的基板w为a型基板wa或者b型基板wb时，控制部18决定为第一上设定值vtc。当被基板保持部31保持的基板w为c型基板wc时，控制部18决定为第二上设定值vtd。
[0235]
步骤s14
[0236]
控制部18控制处理单元14。控制部18基于所决定的上高度位置ht控制防护罩驱动部60。具体而言，驱动电路18c基于所切换的设定值驱动防护罩驱动部60。例如，在设定部18b选择了第一上设定值vtc的情况下，驱动电路18c基于第一上设定值vtc对防护罩驱动机构62发出驱动命令。例如，在设定部18b选择了第二上设定值vtd的情况下，驱动电路18c基于第二上设定值vtd对防护罩驱动机构62发出驱动命令。
[0237]
步骤s15
[0238]
处理单元14根据控制部18的控制对基板w进行处理。具体而言，基板保持部31保持基板w。防护罩驱动部60使第二防护罩52在铅垂方向上移动。由此，液体导入口58的上端58t配置在所决定的上高度位置ht。
[0239]
更具体而言，在设定部18b选择了第一上设定值vtc的情况下，液体导入口58的上
端58t配置在第一上高度位置htc。在设定部18b选择了第二上设定值vtd的情况下，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htd。这样，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w是否具有凹部24来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w为第一基板w1以及第二基板w2中的哪一个基板来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w为a型基板wa、b型基板wb以及c型基板wc中的哪一者来改变上高度位置ht。
[0240]
当被基板保持部31保持的基板w具有凹部24时，液体导入口58的上端58t被调整至第一上高度位置htc(即，由第一上设定值vtc所规定的上高度位置ht)。当被基板保持部31保持的基板w为第一基板w1时，液体导入口58的上端58t被调整至第一上高度位置htc。被基板保持部31保持的基板w为a型基板wa或者b型基板wb时，液体导入口58的上端58t被调整至第一上高度位置htc。
[0241]
当被基板保持部31保持的基板w不具有凹部24时，液体导入口58的上端58t被调整至第二上高度位置htd(即，由第二上设定值vtd所规定的上高度位置ht)。当被基板保持部31保持的基板w为第二基板w2时，液体导入口58的上端58t被调整至第二上高度位置htd。当被基板保持部31保持的基板w为c型基板wc时，液体导入口58的上端58t被调整至第二上高度位置htd。
[0242]
接着，一边由旋转驱动部35使基板保持部31旋转，一边由处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w供给处理液。液体回收部50回收从基板w飞散的处理液。
[0243]
第一基板w1具有凹部24。第二基板w2不具有凹部24。因此，处理液从第一基板w1飞散的范围有可能变得比处理液从第二基板w2飞散的范围大。处理液从第一基板w飞散的范围有可能变得比处理液从第二基板w2飞散的范围高。
[0244]
如上所述，第一上高度位置htc比第二上高度位置htd高。因此，不论被基板保持部31保持的基板w为第一基板w1以及第二基板w2中的哪一个基板，液体导入口58都能够将从基板w飞散的处理液切实地导入至回收空间57。
[0245]
[第二实施方式的效果]
[0246]
与第一实施方式同样地，在第二实施方式中，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来控制防护罩驱动部60，由此改变上高度位置ht。因此，能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状，将液体导入口58调整至适当的高度位置。因此，不管被基板保持部31保持的基板w的形状如何，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。因此，处理单元14能够适当地处理基板w。即，基板处理装置1能够适当地处理基板w。
[0247]
在第二实施方式中，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w为第一基板w1以及第二基板w2中的哪一者来改变上高度位置ht。因此，不论基板w为第一基板w1以及第二基板w2中的哪一者，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。因此，处理单元14能够适当地处理第一基板w1以及第二基板w2双方。
[0248]
当第一基板w1被保持于基板保持部31时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置htc。当第二基板w2被保持于基板保持部31时，液体导入口58的上端58t配置在比第一上高度位置htc低的第二上高度位置htd。这样，在第一基板w1被保持于基板保持部31的情况下，液体导入口58的上端58t配置在较高的位置。因此，液体回收部50能够适当地回
收从第一基板w1飞散的处理液。在第二基板w2被保持于基板保持部31的情况下，液体导入口58的上端58t配置在较低的位置。因此，液体回收部50能够适当地回收从第二基板w2飞散的处理液。
[0249]
存储部18a存储第一上设定值vtc以及第二上设定值vtd。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一上设定值vtc与第二上设定值vtd之间切换。因此，控制部18能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状来适当地改变上高度位置ht。
[0250]
[第三实施方式]
[0251]
参照附图，说明第三实施方式的基板处理装置1。此外，对于与第一实施方式相同的结构，赋予相同的附图标记并省略详细说明。
[0252]
第三实施方式的处理单元14与第一实施方式的处理单元14不同。具体而言，在第三实施方式的处理单元14中，能够调整液体导入口58的下端58b的高度位置。以下，例示第三实施方式的处理单元14的结构以及动作。
[0253]
[第三实施方式的处理单元14的结构]
[0254]
图9是示意性地示出处理单元14的结构的图。第一防护罩51被设置成能够在铅垂方向上移动。第一防护罩51能够相对于基板保持部31在铅垂方向上移动。防护罩区动部60在铅垂方向上移动第一防护罩51以及第二防护罩52双方。
[0255]
防护罩驱动部60除了具有防护罩驱动机构62之外，还具有防护罩驱动机构61。以下，为了方便，将防护罩驱动机构61称为第一防护罩驱动机构61，将防护罩驱动机构62称为第二防护罩驱动机构62。第一防护罩驱动机构61在铅垂方向上移动第一防护罩51。第二防护罩驱动机构62在铅垂方向上移动第二防护罩52。第一防护罩驱动机构61以及第二防护罩驱动机构62能够彼此独立地动作。第一防护罩驱动机构61例如包括电动马达。第二防护罩驱动机构62例如包括电动马达。
[0256]
第一防护罩51以及第二防护罩52能够彼此独立地在铅垂方向上移动。然而，第一防护罩51的倾斜部54的上缘54a始终比第二防护罩52的倾斜部56的上缘56a低。
[0257]
控制部18控制防护罩驱动部60。具体而言，控制部18控制第一防护罩驱动机构61以及第二防护罩驱动机构62。
[0258]
[第三实施方式的处理单元14的动作示例]
[0259]
在第三实施方式的处理单元14的动作示例中，控制部18根据配置有凹部24的基板w的部位以及被供给处理液的基板w的部位来决定液体导入口58的高度位置。控制部18除了决定上高度位置ht之外，还决定液体导入口58的下端58b的高度位置。
[0260]
图10是示出控制部18的控制以及处理单元14的动作的顺序的流程图。
[0261]
步骤s21
[0262]
步骤s21与第一实施方式的步骤s1大致相同。即，条形码读取器4读取附加于承载器c的条形码。形状检测部13、67分别检测基板w的形状。条形码读取器4以及形状检测部13、67将条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果输出至控制部18。
[0263]
步骤s22
[0264]
控制部18获取条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果。控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果来判定被基板保持部31保持的基板w的形状。具体而言，设定部18b确定被基板保持部31保持的基板w是否在基板w的上表面具有凹部
24。设定部18b确定被基板保持部31保持的基板w是否在基板w的下表面具有凹部24。
[0265]
以下，将形成于基板w的上表面的凹部24特别称为“上凹部24a”。将形成于基板w的下表面的凹部24特别称为“下凹部24b”。上凹部24a朝向上方。上凹部24a向上方开放。下凹部24b朝向下方。下凹部24b向下方开放。
[0266]
进而，控制部18确定处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液。控制部18确定处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液。
[0267]
步骤s23
[0268]
控制部18(具体而言为设定部18b)根据被基板保持部31保持的基板w的形状来决定上高度位置ht。
[0269]
例如，存储部18a预先存储第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg。第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg分别为与上高度位置ht有关的设定值。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg之间切换。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状来选择第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg中的某一者。
[0270]
第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg分别规定上高度位置ht。将由第一上设定值vte所规定的上高度位置ht称为第一上高度位置hte。将由第二上设定值vtf所规定的上高度位置ht称为第二上高度位置htf。将由第三上设定值vtg所规定的上高度位置ht称为第三上高度位置htg。第一上高度位置hte比第二上高度位置htf高。第二上高度位置htf比第三上高度位置htg高。因此，设定部18b选择第一上设定值vte的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为第一上高度位置hte的情况。设定部18b选择第二上设定值vtf的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为第二上高度位置htf的情况。设定部18b选择第三上设定值vtg的情况相当于控制部18将上高度位置ht的目标决定为第三上高度位置htg的情况。
[0271]
第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg为本发明的设定值的示例。
[0272]
为了改变上高度位置ht，控制部18考虑被基板保持部31保持的基板w的形状。控制部18所考虑的基板w的形状例如为被基板保持部31保持的基板w是否具有上凹部24a。进而，控制部18考虑处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液。
[0273]
例如，当被基板保持部31保持的基板w具有上凹部24a且处理液供给部41对基板w的上表面供给处理液时，控制部18决定为第一上设定值vte。当被基板保持部31保持的基板w不具有上凹部24a且处理液供给部41对基板w的上表面供给处理液时，控制部18决定为第二上设定值vtf。当处理液供给部41未对基板w的上表面供给处理液时，控制部18决定为第三上设定值vtg。
[0274]
进而，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来决定液体导入口58的下端58b的高度位置。以下，将液体导入口58的下端58b的高度位置简称为“下高度位置hb”。
[0275]
例如，存储部18a预先存储第一下设定值vba以及第二下设定值vbb。第一下设定值vba以及第二下设定值vbb分别为与下高度位置hb有关的设定值。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一下设定值vba以及第二下设定值vbb之间切换。设定部
18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状来选择第一下设定值vba以及第二下设定值vbb中的某一者。
[0276]
第一下设定值vba以及第二下设定值vbb分别规定下高度位置hb。将由第一下设定值vba所规定的下高度位置hb称为第一下高度位置hba。将由第二下设定值vbb所规定的下高度位置hb称为第二下高度位置hbb。第一下高度位置hba比第二下高度位置hbb低。因此，设定部18b选择第一下设定值vba的情况相当于控制部18将下高度位置hb的目标决定为第一下高度位置hba的情况。设定部18b选择第二下设定值vbb的情况相当于控制部18将下高度位置hb的目标决定为第二下高度位置hbb的情况。
[0277]
第一下设定值vba以及第二下设定值vbb为本发明的设定值的示例。
[0278]
为了改变下高度位置hb，控制部18考虑被基板保持部31保持的基板w的形状。控制部18所考虑的基板w的形状例如为被基板保持部31保持的基板w是否具有下凹部28b。进而，控制部18考虑处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液。
[0279]
例如，当被基板保持部31保持的基板w具有下凹部24b且处理液供给部41对基板w的下表面供给处理液时，控制部18决定为第一下设定值vba。当被基板保持部31保持的基板w不具有下凹部24b时，控制部18决定为第二下设定值vbb。当处理液供给部41未对基板w的下表面供给处理液时，控制部18也决定为第二下设定值vbb。
[0280]
步骤s24
[0281]
控制部18控制处理单元14。控制部18基于所决定的上高度位置ht以及下高度位置hb控制防护罩驱动部60。更详细而言，控制部18基于所决定的上高度位置ht来控制第二防护罩驱动机构62。控制部18基于所决定的下高度位置hb来控制第一防护罩驱动机构61。
[0282]
具体而言，驱动电路18c基于所切换的设定值来驱动防护罩驱动部60。例如，在设定部18b选择了第一上设定值vte的情况下，驱动电路18c基于第一上设定值vte对第二防护罩驱动机构62发出驱动命令。例如，在设定部18b选择了第二上设定值vtf的情况下，驱动电路18c基于第二上设定值vtf对第二防护罩驱动机构62发出驱动命令。例如，在设定部18b选择了第三上设定值vtg的情况下，驱动电路18c基于第三上设定值vtg对第二防护罩驱动机构62发出驱动命令。例如，在设定部18b选择了第一下设定值vba的情况下，驱动电路18c基于第一下设定值vba对第一防护罩驱动机构61发出驱动命令。例如，在设定部18b选择了第二下设定值vbb的情况下，驱动电路18c基于第二下设定值vbb对第一防护罩驱动机构61发出驱动命令。
[0283]
步骤s25
[0284]
处理单元14根据控制部18的控制对基板w进行处理。具体而言，基板保持部31保持基板w。第二防护罩驱动机构62使第二防护罩52在铅垂方向上移动。由此，液体导入口58的上端58t配置在所决定的第一上高度位置hte、第二上高度位置htf以及第三上高度位置htg中的某一个位置。第一防护罩驱动机构61使第一防护罩51在铅垂方向上移动。由此，液体导入口58的下端58b配置在第一下高度位置hba或者第二下高度位置hbb。
[0285]
更具体而言，在设定部18b选择了第一上设定值vte的情况下，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hte。在设定部18b选择了第二上设定值vtf的情况下，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htf。在设定部18b选择了第三上设定值vtg的情况下，液体导入口58的上端58t配置在第三上高度位置htg。在设定部18b选择了第一下设定值
vba的情况下，液体导入口58的下端58b配置在第一下高度位置hba。在设定部18b选择了第二下设定值vbb的情况下，液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb。这样，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来改变上高度位置ht以及下高度位置hb。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w是否具有上凹部24a以及处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液来改变上高度位置ht。例如，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w是否具有下凹部24b以及处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液来改变下高度位置hb。
[0286]
图11中的(a)至图11中的(f)是示意性地示出处理基板w的处理单元14的图。在图11中的(a)至图11中的(f)中，当第一喷嘴42未喷出处理液时，省略第一喷嘴42的图示。因此，在图11中的(c)以及图11中的(f)中，第一喷嘴42未喷出处理液。在图11中的(a)至图11中的(f)中，当第二喷嘴45未喷出处理液时，省略第二喷嘴45的图示。因此，在图11中的(a)以及图11中的(d)中，第二喷嘴45未喷出处理液。
[0287]
参照图11中的(a)以及图11中的(b)。当被基板保持部31保持的基板w具有上凹部24a且处理液供给部41对基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hte(即，由第一上设定值vte所规定的上高度位置ht)。
[0288]
参照图11中的(d)以及图11中的(e)。当被基板保持部31保持的基板w不具有上凹部24a且处理液供给部41对基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htf(即，由第二上设定值vtf所规定的上高度位置ht)。
[0289]
参照图11中的(c)以及图11中的(f)。当处理液供给部41未对基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第三上高度位置htg(即，由第三上设定值vtg所规定的上高度位置ht)。
[0290]
参照图11中的(e)以及图11中的(f)。当被基板保持部31保持的基板w具有下凹部24b且处理液供给部41对基板w的下表面供给处理液时，液体导入口58的下端58b配置在第一下高度位置hba(即，由第一下设定值vba所规定的下高度位置hb)。
[0291]
参照图11中的(a)、图11中的(b)以及图11中的(c)。当被基板保持部31保持的基板w不具有下凹部24b时，液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb(即，由第二下设定值vbb所规定的下高度位置hb)。
[0292]
参照图11中的(a)以及图11中的(d)。当处理液供给部41未对基板w的下表面供给处理液时，液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb。
[0293]
如图所示，第一上高度位置hte比第二上高度位置htf高。第二上高度位置htf比第三上高度位置htg高。第一下高度位置hba比第二下高度位置hbb低。
[0294]
接着，一边由旋转驱动部35使基板保持部31旋转，一边由处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w供给处理液。液体回收部50回收从基板w飞散的处理液。
[0295]
参照图11中的(a)至图11中的(c)。当被基板保持部31保持的基板w具有上凹部24a时，基板w的周缘部22的上表面配置在比基板w的主部23的上表面高的位置。
[0296]
参照图11中的(d)至图11中的(f)。当被基板保持部31保持的基板w不具有上凹部24a时，基板w的上表面大致平坦。更详细而言，基板w的周缘部22的上表面配置在与基板w的主部23的上表面大致相同的高度位置。
[0297]
参照图11中的(a)、图11中的(b)、图11中的(d)以及图11中的(e)。当处理液供给部
41对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，处理液沿着基板w的上表面从主部23向周缘部22流动。
[0298]
参照图11中的(a)以及图11中的(b)。当被基板保持部31保持的基板w具有上凹部24a且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，处理液沿着基板w的上表面从主部23向周缘部22朝上流动。因此，处理液容易从基板w向上方飞散。处理液容易从基板w向高的位置飞散。液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hte。第一上高度位置hte比较高。因此，液体导入口58能够将处理液适当地导入至回收空间57。
[0299]
参照图11中的(d)以及图11中的(e)。当被基板保持部31保持的基板w不具有上凹部24a且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，处理液沿着基板w的上表面从主部23向周缘部22大致水平地流动。因此，处理液难以从基板w向上方飞散。处理液难以从基板w向高的位置飞散。液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htf。第二上高度位置htf比第一上高度位置hte低。因此，液体导入口58能够将处理液适当地导入至回收空间57。
[0300]
参照图11中的(c)以及图11中的(f)。当处理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，处理液不会沿着基板w的上表面流动。因此，处理液难以从基板w向上方进一步地飞散。处理液难以从基板w向高的位置进一步地飞散。液体导入口58的上端58t配置在第三上高度位置htg。第三上高度位置htg比第一上高度位置hte低。进而，第三上高度位置htg比第二上高度位置htf低。因此，液体导入口58能够将处理液适当地导入至回收空间57。
[0301]
参照图11中的(d)至图11中的(f)。当被基板保持部31保持的基板w具有下凹部24b时，基板w的周缘部22的下表面配置在比基板w的主部23的下表面低的位置。
[0302]
参照图11中的(a)至图11中的(c)。当被基板保持部31保持的基板w不具有下凹部24b时，基板w的下表面大致平坦。更详细而言，基板w的周缘部22的下表面配置在与基板w的主部23的下表面大致相同的高度位置。
[0303]
参照图11中的(b)、图11中的(c)、图11中的(e)以及图11中的(f)。当处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，处理液沿着基板w的下表面从主部23向周缘部22流动。
[0304]
参照图11中的(e)以及图11中的(f)。当被基板保持部31保持的基板w具有下凹部24b且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，处理液沿着基板w的下表面从主部23向周缘部22朝下流动。因此，处理液容易从基板w向下方飞散。处理液容易从基板w向低的位置飞散。液体导入口58的下端58b配置在第一下高度位置hba。第一下高度位置hba比较低。因此，液体导入口58能够将处理液适当地导入至回收空间57。
[0305]
参照图11中的(b)以及图11中的(c)。当被基板保持部31保持的基板w不具有下凹部24b且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，处理液沿着基板w的下表面从主部23向周缘部22大致水平地流动。因此，处理液难以从基板w向下方飞散。处理液难以从基板w向低的位置飞散。液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb。第二下高度位置hbb比第一下高度位置hba高。因此，液体导入口58能够将处理液适当地导入至回收空间57。
[0306]
参照图11中的(a)以及图11中的(d)。当处理液供给部41未对被基板保持部31保持
的基板w的下表面供给处理液时，处理液不会沿着基板w的下表面流动。因此，处理液难以从基板w向下方进一步地飞散。处理液难以从基板w向低的位置进一步地飞散。液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb。第二下高度位置hbb比第一下高度位置hba高。因此，液体导入口58能够将处理液适当地导入至回收空间57。
[0307]
[第三实施方式的效果]
[0308]
与第一实施方式同样地，在第三实施方式中，控制部18也根据被基板保持部31保持的基板w的形状来控制防护罩驱动部60，由此改变上高度位置ht。进而，在第三实施方式中，控制部18根据被基板保持部31保持的基板w的形状来控制防护罩驱动部60，由此改变下高度位置hb。因此，能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状，将液体导入口58调整至更适当的高度位置。因此，不管被基板保持部31保持的基板w的形状如何，液体回收部50都能够更适当地回收从基板w飞散的处理液。因此，处理单元14能够更适当地处理基板w。即，基板处理装置1能够更适当地处理基板w。
[0309]
存储部18a存储第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一上设定值vte、第二上设定值vtf以及第三上设定值vtg之间切换。存储部18a存储第一下设定值vba以及第二下设定值vbb。设定部18b根据被基板保持部31保持的基板w的形状，在第一下设定值vba以及第二下设定值vbb之间切换。因此，控制部18能够适当地决定上高度位置ht以及下高度位置hb双方。因此，控制部18能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状来适当地改变上高度位置ht以及下高度位置hb。
[0310]
处理单元14对基板w进行处理(步骤s25)。处理单元14所进行的基板w的处理方法具有三个步骤。在第一步骤中，通过基板保持部31以水平姿势保持基板w。在第二步骤中，第一防护罩51以及第二防护罩52根据被基板保持部31保持的基板w的形状而在铅垂方向上移动，由此改变上高度位置ht以及下高度位置hb。在第三步骤中，旋转基板保持部31，对被基板保持部31保持的基板w供给处理液，且利用第一防护罩51以及第二防护罩52接住通过液体导入口58的处理液。因此，处理单元14能够更适当地处理基板w。
[0311]
被基板保持部31保持的基板w是否具有上凹部24a是对从基板w飞散的处理液的方向造成影响的事项。处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液也是对从基板w飞散的处理液的方向造成影响的事项。控制部18考虑双方的事项来改变上高度位置ht。因此，控制部18能够将液体导入口58的上端58t调整至适当的高度位置。因此，液体回收部50能够适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0312]
当被基板保持部31保持的基板w具有上凹部24a且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hte。当被基板保持部31保持的基板w不具有上凹部24a时，液体导入口58的上端58t配置在第二上高度位置htf或者第三上高度位置htg。当处理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第三上高度位置htg。第一上高度位置hte比第二上高度位置htf以及第三上高度位置htg高。因此，当被基板保持部31保持的基板w具有上凹部24a且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体回收部50能够适当地回收从基板w飞散的处理液。当被基板保持部31保持的基板w不具有上凹部24a时，液体回收部50也能够适当地回收从基板w飞散的处理液。当处
理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体回收部50也能够适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0313]
当处理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第三上高度位置htg。当处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体导入口58的上端58t配置在第一上高度位置hte或者第二上高度位置htf。第三上高度位置htg比第一上高度位置hte以及第二上高度位置htf低。因此，当处理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的上表面供给处理液时，液体回收部50能够更适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0314]
被基板保持部31保持的基板w是否具有下凹部24b是对从基板w飞散的处理液的方向造成大的影响的事项。处理液供给部41是否对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液也是对从基板w飞散的处理液的方向造成大的影响的事项。控制部18考虑双方的事项来改变下高度位置hb。因此，控制部18能够将液体导入口58的下端58b调整至适当的高度位置。因此，液体回收部50能够适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0315]
当被基板保持部31保持的基板w具有下凹部24b且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，液体导入口58的下端58b配置在第一下高度位置hba。当被基板保持部31保持的基板w不具有下凹部24b时，液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb。当处理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，液体导入口58的下端58b配置在第二下高度位置hbb。第一下高度位置hba比第二下高度位置hbb低。因此，当被基板保持部31保持的基板w具有下凹部24b且处理液供给部41对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，液体回收部50能够适当地回收从基板w飞散的处理液。当被基板保持部31保持的基板w不具有下凹部24b时，液体回收部50也能够适当地回收从基板w飞散的处理液。当处理液供给部41未对被基板保持部31保持的基板w的下表面供给处理液时，液体回收部50也能够适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0316]
本发明并未限定于第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式，能够以下述方式进行变形来实施。
[0317]
在第一实施方式以及第二实施方式中，控制部18改变上高度位置ht。在第三实施方式中，控制部18改变上高度位置ht以及下高度位置hb。然而，不限定于此。控制部18也可以改变上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者。
[0318]
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，作为改变液体导入口58的高度位置的因素，例示主部23的厚度、有无凹部24、配置有凹部24的基板w的部位、被供给处理液的基板w的部位。然而，不限定于此。例如，改变液体导入口58的高度位置的因素也可以为凹部24的尺寸、凹部24的形状。例如，为了改变上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者，控制部18所考虑的基板w的形状也可以为凹部24的尺寸、凹部24的形状。例如，控制部18根据凹部24的尺寸、凹部24的形状来改变液体导入口58的高度位置。
[0319]
图12为基板w的剖视图。控制部18也可以根据深度d来改变上高度位置ht以及下高度位置hb的至少某一者。在此，深度d为主部23相对于周缘部22的深度。更详细而言，深度d相当于周缘部22的高度位置与主部23的高度位置之差。深度d也可以称为“凹部24的深度”。深度d是对从基板w飞散的处理液的方向造成影响的事项。例如，被基板保持部31保持的基板w具有第一深度时的液体导入口58的上端58t也可以比被基板保持部31保持的基板w具有
比第一深度小的第二深度时的液体导入口58的上端58t高。例如，上高度位置ht也可以随着深度d变大而变高。根据本变形实施方式，不管凹部24的深度d如何，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0320]
参照图12。基板w具有凹部24以及壁部26。壁部26形成于周缘部22与主部23之间。更详细而言，壁部26从周缘部22的内缘延伸至主部23的外缘。在基板w未翘曲的状态下，周缘部22以及主部23为水平，壁部26不是水平。控制部18也可以根据壁部26的角度θ来改变上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者。在此，壁部26的角度θ例如为壁部26相对于水平线的角度。壁部26的角度为对从基板w飞散的处理液的方向造成影响的事项。例如，被基板保持部31保持的基板w的壁部26以第一角度倾斜时的液体导入口58的上端58t也可以比被基板保持部31保持的基板w的壁部26以比第一角度小的第二角度倾斜时的液体导入口58的上端58t高。例如，上高度位置ht也可以随着壁部26的角度变大而变高。根据本变形实施方式，不管壁部26的角度θ如何，液体回收部50都能够适当地回收从基板w飞散的处理液。
[0321]
在第一实施方式以及第二实施方式中，防护罩驱动部60仅使第二防护罩52移动。然而，不限定于此。防护罩驱动部60也可以使第一防护罩51以及第二防护罩52中的至少某一者移动。例如，防护罩驱动部60也可以使第一防护罩51移动。由此，控制部18能够改变下高度位置hb。
[0322]
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，液体回收部50所具有的防护罩的数量为两个。然而，不限定于此。液体回收部50也可以具有三个以上的防护罩。
[0323]
图13是示意性地示出变形实施方式的处理单元14的图。此外，对于与实施方式相同的结构，赋予相同的附图标记并省略详细说明。
[0324]
在变形实施方式的处理单元14中，液体回收部50除了具有第一防护罩51以及第二防护罩52之外，还具有第三防护罩81以及第四防护罩82。第三防护罩81以及第四防护罩82分别接住处理液。第三防护罩81及第四防护罩82分别以围绕基板保持部31的侧方的方式配置。第三防护罩81及第四防护罩82具有以旋转轴线a为中心的大致圆筒形状。第三防护罩81被配置在第二防护罩52的外侧方向。第四防护罩82配置在第三防护罩81的外侧方向。
[0325]
第三防护罩81以及第四防护罩82具有与第一防护罩51以及第二防护罩52大致相同的结构。即，第三防护罩81具有铅垂部83以及倾斜部84。铅垂部83配置在铅垂部55的外侧方向。倾斜部84配置在倾斜部56的上方。倾斜部84具有上缘84a。第四防护罩82具有铅垂部85以及倾斜部86。铅垂部85配置在铅垂部83的外侧方向。倾斜部86配置在倾斜部84的上方。倾斜部86具有上缘86a。
[0326]
第一防护罩51、第二防护罩52、第三防护罩81以及第四防护罩82分别为本发明的防护罩的示例。
[0327]
防护罩驱动部60除了具有第一防护罩驱动机构61以及第二防护罩驱动机构62之外，还具有第三防护罩驱动机构63以及第四防护罩驱动机构64。第三防护罩驱动机构63在铅垂方向上移动第三防护罩31。第四防护罩驱动机构64在铅垂方向上移动第四防护罩82。第一防护罩51、第二防护罩52、第三防护罩81以及第四防护罩82彼此独立且能够在铅垂方向上移动。然而，第一防护罩51的倾斜部54的上缘54a始终比第二防护罩52的倾斜部56的上缘56a低。第二防护罩52的倾斜部56的上缘56a始终比第三防护罩81的倾斜部84的上缘84a低。第三防护罩81的倾斜部84的上缘84a始终比第四防护罩82的倾斜部86的上缘86a低。
[0328]
图14中的(a)、图14中的(b)、图14中的(c)、图14中的(d)是分别示出防护罩的配置示例的图。图14中的(a)至(d)省略了处理液供给部41以及防护罩驱动部60等图示。
[0329]
参照图14中的(a)。上缘86a配置在比被基板保持部31保持的基板w高的位置。上缘84a、56a、54a配置在比板32的上表面32a低的位置。第三防护罩81以及第四防护罩82划分回收空间57a以及液体导入口58a。第四防护罩82规定液体导入口58a的上端58ta。第四防护罩82的上缘86a相当于液体导入口58a的上端58ta。第三防护罩81规定液体导入口58a的下端58ba。第三防护罩81的上缘84a相当于液体导入口58a的下端58ba。
[0330]
参照图14中的(b)。上缘86a、84a配置在比被基板保持部31保持的基板w高的位置。上缘56a、54a配置在比板32的上表面32a低的位置。第二防护罩52以及第三防护罩81划分回收空间57b以及液体导入口58b。第三防护罩81规定液体导入口58b的上端58tb。第三防护罩81的上缘84a相当于液体导入口58b的上端58tb。第二防护罩52规定液体导入口58b的下端58bb。第二防护罩52的上缘56a相当于液体导入口58b的下端58bb。
[0331]
参照图14中的(c)。上缘86a、84a、56a配置在比被基板保持部31保持的基板w高的位置。上缘54a配置在比板32的上表面32a低的位置。第一防护罩51以及第二防护罩52划分回收空间57c以及液体导入口58c。第二防护罩52规定液体导入口58c的上端58tc。第二防护罩52的上缘56a相当于液体导入口58c的上端58tc。第一防护罩51规定液体导入口58c的下端58bc。第一防护罩51的上缘54a相当于液体导入口58c的下端58bc。
[0332]
参照图14中的(d)。上缘86a、84a、56a、54a配置在比被基板保持部31保持的基板w高的位置。第一防护罩51划分回收空间57d以及液体导入口58d。回收空间57d配置在第一防护罩51的倾斜部54的下方且第一防护罩51的铅垂部53的内侧方向。第一防护罩51规定液体导入口58d的上端58td。第一防护罩51的上缘54a相当于液体导入口58d的上端58td。然而，第一防护罩51、第二防护罩52、第三防护罩81以及第四防护罩82都未规定液体导入口58d的下端58bd。
[0333]
将液体导入口58a、58b、58c、58d适当地统称为液体导入口58。将上端58ta、58tb、58tc、58td适当地统称为上端58t。将下端58ba、58bb、58bc、58bd适当地统称为下端58b。
[0334]
如上所述，规定液体导入口58的上端58t的防护罩也可以在第一防护罩51、第二防护罩52、第三防护罩81以及第四防护罩82之间切换。规定液体导入口58的下端58b的防护罩也可以在第一防护罩51、第二防护罩52以及第三防护罩81之间切换。液体导入口58的下端58b也可以不由防护罩规定。
[0335]
根据本变形实施方式，液体导入口58在液体导入口58a、58b、58c、58d之间切换。因此，能使用从多个液体导入口58a、58b、58c、58d中选择的一个液体导入口来回收从基板w飞散的处理液。回收空间57在回收空间57a、57b、57c、57d之间切换。因此，能使用从多个回收空间57a、57b、57c、57d中选择的一个回收空间来回收从基板w飞散的处理液。因此，当处理液供给部41使用多种处理液时，液体回收部50能够分离回收多种处理液。
[0336]
在上述第一实施方式中，上高度位置ht从两个高度位置(具体而言为第一上高度位置hta以及第二上高度位置htb)中选择。换言之，在上述第一实施方式中，上高度位置ht以两个阶段变化。然而，不限定于此。上高度位置ht也可以从三个以上的高度位置中选择。换言之，上高度位置ht也可以以三个阶段以上变化。或者，也可以无阶段地调整上高度位置ht。例如，上高度位置ht也可以随着主部23的厚度变小而变高。下高度位置hb的决定以及调
整也可以同样地变更。
[0337]
在上述第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，基板保持部31具有端缘接触销33。然而，不限定于此。例如，也可以从基板保持部31省略端缘接触销33。例如，基板保持部31也可以由所谓的伯努利卡盘(bernoulli chuck)或者伯努利夹持器(bernoulli gripper)来保持基板w。
[0338]
图15是示意性地示出变形实施方式的处理单元14的图。此外，对于与第一实施方式相同的结构，赋予相同的附图标记并省略详细说明。
[0339]
基板保持部31具有多个固定销91。固定销91支撑基板w。各个固定销91固定于板32。各个固定销91不能相对于板32移动。各个固定销91不能相对于板32旋转。各个固定销91不具有能够相对于板32移动的可动部。
[0340]
固定销91从板32的上表面32a向上方突出。固定销91与基板w的下表面接触。更详细而言，固定销91与基板w的周缘部22的下表面接触。由此，固定销91在比板32的上表面32a高的位置支撑基板w。被固定销91支撑的基板w配置在比上表面32a高的位置。
[0341]
固定销91不与基板w的上表面接触。固定销91容许基板w相对于固定销91向上方移动。固定销91不与基板w的端缘接触。固定销91自身容许基板w相对于固定销91滑动。这样，固定销91自身不保持基板w。
[0342]
基板保持部31具有气体吹出口93。气体吹出口93形成在板32的上表面32a。在俯视观察时，气体吹出口93配置在与被固定销91支撑的基板w重叠的位置。气体吹出口93向上方吹出气体。气体吹出口93对板32的上表面32a与被固定销91支撑的基板w的下表面之间吹出气体。气体吹出口93从被固定销91支撑的基板w的下方的位置对基板w吹出气体。气体被供给至板32的上表面32a与被固定销91支撑的基板w的下表面之间。气体沿着被固定销91支撑的基板w的下表面流动。由此，气体吹出口93吸引基板w。具体而言，气体沿着基板w的下表面流动，由此形成负压。即，基板w的下表面所承受的气压比基板w的上表面所承受的气压小。根据伯努利原理，向下的力作用于基板w。即，基板w向下方被吸引。基板w朝向气体吹出口93以及板32被吸引。作用于基板w的吸引力随着气体吹出口93所吹出的气体的流量变大而变大。然而，气体吹出口93不与基板w接触。板32也不与基板w接触。
[0343]
气体吹出口93将基板w向下方吸引且固定销91与基板w的下表面接触，由此，基板w被支撑且被保持在规定的位置。由于作用于基板w的吸引力，基板w不会相对于固定销91在水平方向上滑动。这样，基板保持部31保持基板w。
[0344]
气体吹出口93例如具有多个第一吹出口94。第一吹出口94配置在第二喷嘴45的外侧方向。第一吹出口94配置在比固定销91靠旋转轴线a的内侧方向的位置。在俯视观察时，第一吹出口94排列在绕着旋转轴线a的圆周上。
[0345]
固定销91是本发明的支撑部的示例。
[0346]
处理单元14具有第一气体供给路径96。第一气体供给路径96对第一吹出口94供给气体。第一气体供给路径96的一部分形成在板32的内部。第一气体供给路径96具有第一端以及第二端。第一气体供给路径96的第一端与气体供给源98连接。第一气体供给路径96的第二端与第一吹出口94连接。被供给至第一吹出口94的气体例如为氮气或空气。被供给至第一吹出口94的气体例如为高压气体或者压缩气体。
[0347]
处理单元14具有吹出调整部101。吹出调整部101调整气体吹出口93所吹出的气体
的流量。具体而言，吹出调整部101设置于第一气体供给路径96。吹出调整部101调整被供给至第一吹出口94的气体的流量。
[0348]
在本变形实施方式中，气体吹出口93也可以进一步具有：第二吹出口，配置于板32的上表面32a的中央部。吹出调整部101也可以个别地调整第一吹出口94所吹出的气体的流量以及第二吹出口所吹出的气体的流量。
[0349]
在本变形实施方式中，气体吹出口93也可以进一步地通过第二喷嘴45将气体向上方吹出。吹出调整部101也可以个别地调整第一吹出口94所吹出的气体的流量以及通过第二喷嘴45所吹出的气体的流量。
[0350]
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，处理液供给部41对基板w的上表面供给处理液。然而，并不限定于此。处理液供给部41也可以不对基板w的上表面供给处理液。处理液供给部41也可以仅对基板w的下表面供给处理液。在本变形实施方式中，控制部18也可以不改变上高度位置ht而仅改变下高度位置hb。
[0351]
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，处理液供给部41对基板w的下表面供给处理液。然而，不限定于此。处理液供给部41也可以不对基板w的下表面供给处理液。处理液供给部41也可以仅对基板w的上表面供给处理液。在本变形实施方式中，控制部18也可以不改变下高度位置hb而仅改变上高度位置ht。
[0352]
在上述第一实施方式中，控制部18选择第一上设定值vta以及第二上设定值vtb中的任一者。然而，不限定于此。例如，存储部18a也可以存储包括第一上设定值vta的第一处理程式以及包括第二上设定值vtb的第二处理程式。在本变形实施方式中，控制部18也可以选择第一处理程式以及第二处理程式中的任一者。根据本变形实施方式，控制部18也能够适当地决定上高度位置ht。同样地，在第二实施方式以及第三实施方式中，控制部18也可以从存储于存储部18a的多个处理程式中选择一个处理程式。
[0353]
在上述第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果来判定基板w的形状。然而，不限定于此。例如，控制部18也可以基于条形码读取器4以及形状检测部13、67中的任一者的检测结果来判定基板w的形状。
[0354]
在上述第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、67的检测结果来判定基板w的形状。然而，不限定于此。
[0355]
例如，基板处理装置1也可以具有：基板信息检测部(未图示)，读取附加于基板w的基板信息。在本变形实施方式中，控制部18也可以基于基板信息检测部的检测结果来判定基板w的形状。在此，附加于基板w的基板信息例如为印刷于基板w上的识别码。基板信息检测部例如为读取器。
[0356]
在上述第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，控制部18也可以进一步从基板处理装置1的外部设备获取信息。基板处理装置1的外部设备例如为主计算机(host computer)。在本变形实施方式中，在控制部18从外部设备获取信息之前，控制部18也可以例如将条形码读取器4的检测结果发送至外部设备。在本变形实施方式中，在控制部18从外部设备获取信息之前，控制部18也可以例如将形状检测部13、67的检测结果以及是否存在检测部6、16的检测结果发送至外部设备。
[0357]
以下，例示控制部18从外部设备获取的信息。
[0358]
例如，控制部18也可以从基板处理装置1的外部设备获取与基板w的形状有关的信息(以下称为基板形状信息)。控制部18也可以基于从外部设备获取的基板形状信息来确定基板w的形状。
[0359]
基板形状信息也可以例如为直接表示基板w的形状的信息。直接表示基板w的形状的信息例如为直接表示基板w的主部23的厚度、基板w的凹部24的深度d以及基板w的壁部26的角度θ中的至少某一个的信息。例如，直接表示基板w的形状的信息也可以包括直接表示基板w是否具有凹部24的信息。例如，直接表示基板w的形状的信息也可以包括直接表示是否在基板w的上表面形成有凹部24的信息。例如，直接表示基板w的形状的信息也可以包括直接表示是否在基板w的下表面形成有凹部24的信息。在控制部18已获取直接表示基板w的形状的信息的情况下，控制部18不进行用于判定基板w的形状的步骤(例如步骤s2、s12、s22)。
[0360]
基板形状信息也可以为间接表示基板w的形状的信息。在控制部18已获取间接表示基板w的形状的信息的情况下，控制部18进行基于间接地表示基板w的形状的信息来判定基板w的形状的步骤(例如步骤s2、s12、s22)。
[0361]
例如，控制部18也可以从基板处理装置1的外部设备获取与上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者相关的信息(以下称为液体回收条件信息)。在此，液体回收条件信息根据被基板保持部31保持的基板w的形状而设定。控制部18也可以基于从外部设备所获取的液体回收条件信息来决定上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者。根据本变形实施方式，控制部18也能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状来改变上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者。在本变形实施方式中，控制部18也可以不进行用于判定基板w的形状的步骤(例如步骤s2、s12、s22)。
[0362]
液体回收条件信息也可以为直接指定上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者的信息。
[0363]
直接指定上高度位置ht的信息也可以例如包括上设定值。在液体回收条件信息包括上设定值的情况下，控制部18决定为液体回收条件信息所包括的上设定值。在液体回收条件信息包括上设定值的情况下，控制部18基于液体回收条件信息所包括的上设定值来改变上高度位置ht。
[0364]
直接指定下高度位置hb的信息也可以例如包括下设定值。在液体回收条件信息包括下设定值的情况下，控制部18决定为液体回收条件信息所包括的下设定值。在液体回收条件信息包括下设定值的情况下，控制部18基于液体回收条件信息所包括的下设定值来改变下高度位置hb。
[0365]
液体回收条件信息也可以为间接指定上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者的信息。
[0366]
间接指定上高度位置ht的信息也可以例如包括识别上设定值的上设定值识别信息。在本变形实施方式中，存储部18a存储多个上设定值。而且，控制部18从存储于存储部18a的多个上设定值中确定由上设定值识别信息所指定的上设定值。而且，控制部18决定为所确定的上设定值。控制部18基于所确定的上设定值来改变上高度位置ht。
[0367]
间接指定上高度位置ht的信息也可以例如包括识别处理程式的程式识别信息。在本变形实施方式中，存储部18a存储多个处理程式。而且，控制部18从存储于存储部18a的多
个处理程式中确定由程式识别信息所指定的处理程式。而且，控制部18决定为所确定的处理程式所包括的上设定值。控制部18基于所决定的上设定值来改变上高度位置ht。
[0368]
间接地指定下高度位置ht的信息也可以例如包括识别下设定值的下设定值识别信息。在本变形实施方式中，存储部18a存储多个下设定值。而且，控制部18从存储于存储部18a的多个下设定值中确定由下设定值识别信息所指定的下设定值。而且，控制部18决定为所确定的下设定值。控制部18基于所决定的下设定值来改变下高度位置hb。
[0369]
间接指定下高度位置hb的信息也可以例如包括识别处理程式的程式识别信息。在本变形实施方式中，存储部18a存储多个处理程式。而且，控制部18从存储于存储部18a的多个处理程式中确定由程式识别信息所指定的处理程式。而且，控制部18决定为所确定的处理程式所包括的下设定值。控制部18基于所决定的下设定值来改变下高度位置hb。
[0370]
在上述第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，控制部18也可以进一步从输入部17获取信息。例如，使用者也可以对输入部17输入基板形状信息。控制部18基于被输入至输入部17的基板形状信息来确定基板w的形状。被输入至输入部17的基板形状信息也可以例如为直接表示基板w的形状的信息。被输入至输入部17的基板形状信息也可以例如为间接表示基板w的形状的信息。
[0371]
例如，使用者也可以对输入部17输入液体回收条件信息。在此，被输入至输入部17的液体回收条件信息根据被基板保持部31保持的基板w的形状而设定。控制部18也可以基于被输入至输入部17的液体回收条件信息来决定上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者。被输入至输入部17的液体回收条件信息也可以例如为直接指定上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者的信息。被输入至输入部17的液体回收条件信息也可以例如为间接指定上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者的信息。根据本变形实施方式，控制部18也能够根据被基板保持部31保持的基板w的形状来改变上高度位置ht以及下高度位置hb中的至少某一者。在本变形实施方式中，控制部18也可以不进行用于判定基板w的形状的步骤(例如步骤s2、s12、s22)。
[0372]
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，处理液供给部41所具有的第一喷嘴42的数量为一个。然而，不限定于此。处理液供给部41所具有的第一喷嘴42的数量也可以为多个。
[0373]
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中，处理液供给部41所具有的第二喷嘴45的数量为一个。然而，不限定于此。处理液供给部41所具有的第二喷嘴45的数量也可以为多个。
[0374]
在第一实施方式以及第二实施方式中，第一防护罩51以及第二防护罩52不与杯59连接。然而，不限定于此。第一防护罩51以及第二防护罩52中的任一者也可以与杯59连接。第一防护罩51以及第二防护罩52中的任一者也可以与罩59一体地形成。第一防护罩51以及第二防护罩52中的任一者也可以无法与杯59分离。
[0375]
在上述实施方式中，设置于处理区块11的搬运机构15的数量为一个。然而，不限定于此。设置于处理区块11的搬运机构15的数量也可以为两个以上。也可以根据处理区块11中的搬运机构15的数量增加处理单元14的个数。
[0376]
对于上述实施方式以及各个变形实施方式，也可以进一步将各个结构置换或组合成其他变形实施方式的结构等来适当地进行变更。
[0377]
附图标记说明
[0378]
1：基板处理装置、
[0379]
2：分度器部、
[0380]
3：承载器载置部、
[0381]
4：条形码读取器、
[0382]
5：搬运机构、
[0383]
11：处理区块、
[0384]
12：载置部、
[0385]
13：形状检测部、
[0386]
14：处理单元、
[0387]
17：输入部、
[0388]
18：控制部、
[0389]
18a：存储部、
[0390]
18b：设定部、
[0391]
18c：驱动电路、
[0392]
21：基板主体、
[0393]
22：周缘部、
[0394]
23：主部、
[0395]
24：凹部、
[0396]
24a：上凹部、
[0397]
24b：下凹部、
[0398]
25：保护板、
[0399]
26：壁部、
[0400]
31：基板保持部、
[0401]
32：板、
[0402]
32a：上表面、
[0403]
33：端缘接触销、
[0404]
35：旋转驱动部、
[0405]
41：处理液供给部、
[0406]
42：第一喷嘴、
[0407]
45：第二喷嘴、
[0408]
48：流量调整部、
[0409]
50：液体回收部、
[0410]
51：第一防护罩(防护罩)、
[0411]
52：第二防护罩(防护罩)、
[0412]
53：铅垂部、
[0413]
54：倾斜部、
[0414]
54a：上缘、
[0415]
55：铅垂部、
[0416]
56：倾斜部、
[0417]
56a：上缘、
[0418]
57、57a、57b、57c、57d：回收空间、
[0419]
58、58a、58b、58c、58d：液体导入口、
[0420]
58t、58ta、58tb、58tc、58td：上端、
[0421]
58b、58ba、58bb、58bc：下端、
[0422]
59：杯、
[0423]
59a：槽部、
[0424]
60：防护罩驱动部、
[0425]
61：防护罩驱动机构(第一防护罩驱动部)、
[0426]
62：防护罩驱动机构(第二防护罩驱动部)、
[0427]
63：第三防护罩驱动机构、
[0428]
64：第四防护罩驱动机构、
[0429]
67：形状检测部、
[0430]
81：第三防护罩(防护罩)、
[0431]
82：第四防护罩(防护罩)、
[0432]
83：铅垂部、
[0433]
84：倾斜部、
[0434]
84a：上缘、
[0435]
85：铅垂部、
[0436]
86：倾斜部、
[0437]
86a：上缘、
[0438]
91：固定销(支撑部)、
[0439]
93：气体吹出口、
[0440]
94：第一吹出口、
[0441]
101：吹出调整部、
[0442]
a：旋转轴线、
[0443]
c：承载器、
[0444]
d：主部相对于周缘部的深度(凹部的深度)、
[0445]
ht：上高度位置(液体导入口的上端的高度位置)、
[0446]
hta、htc、hte：第一上高度位置、
[0447]
htb、htd、htf：第二上高度位置、
[0448]
htg：第三上高度位置、
[0449]
hb：下高度位置(液体导入口的下端的高度位置)、
[0450]
hba：第一下高度位置、
[0451]
hbb：第二下高度位置、
[0452]
ta1：a型基板的主部的厚度、
[0453]
tb1：b型基板的主部的厚度、
[0454]
tc1：c型基板的主部的厚度、
[0455]
vta、vtc、vte：第一上设定值(设定值)、
[0456]
vtb、vtd、vtf：第二上设定值(设定值)、
[0457]
vtg：第三上设定值(设定值)、
[0458]
vba：第一下设定值(设定值)、
[0459]
vbb：第二下设定值(设定值)、
[0460]
w：基板、
[0461]
w1：第一基板、
[0462]
w2：第二基板、
[0463]
wa：a型基板、
[0464]
wb：b型基板、
[0465]
wc：c型基板、
[0466]
wp：薄基板、
[0467]
wq：厚基板、
[0468]
θ:壁部的角度。