基板处理装置、升降机构、半导体器件的制造方法及程序与流程

1.本发明涉及在半导体器件的制造工序中处理基板的基板处理装置、升降机构、半导体器件的制造方法及程序。


背景技术：

2.在半导体元件的制造工序中的基板(晶圆)的热处理中，例如使用立式基板处理装置。在立式基板处理装置中，由基板保持件将多个基板沿垂直方向排列而进行保持，并将基板保持件搬入处理室内。之后，在将处理室加热的状态下向处理室内导入处理气体，从而对基板进行薄膜形成处理。例如专利文献1中记载有一种基板处理装置，其使向处理室喷出气体的气体喷出口以如相对于基板处理面沿垂直方向至少横跨多片基板那样的尺寸设为狭槽状。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2003-297818号公报


技术实现要素：

6.本发明提供一种技术，其在同时处理多个基板的情况下能够提高形成于各个基板的膜的厚度均匀性。
7.根据本发明的一个方式例如提供一种基板处理装置，具备：基板保持件，其具有将多个基板沿上下方向隔开间隔地保持的基板支承件、和对配置在由该基板支承件保持的多个基板之间的多个隔板进行支承的隔板支承部；反应管，其在该基板支承件保持有多个基板的状态下容纳基板保持件；第一驱动部，其沿上下方向驱动基板保持件而使该基板保持件相对于反应管内部进出；第二驱动部，其与基板保持件一起由该第一驱动部在上下方向上进行驱动，以在基板保持件插入反应管内部的状态下使基板保持件旋转，并沿上下方向驱动基板支承件和隔板支承部中的某一方而使由基板支承件保持的多个基板与由隔板支承部支承的多个隔板之间的间隔变化；加热部，其设于反应管的周围并加热基板；具有喷嘴的气体供给部，该喷嘴形成有对由容纳在反应管内部的基板保持件的基板支承件保持的多个基板供给气体的孔；排气部，其将从该气体供给部供给的气体从反应管排出；和控制部，其在驱动第一驱动部而将基板保持件插入反应管内部的状态下控制气体供给部和第二驱动部，使得一边驱动第二驱动部以使多个基板或多个隔板与形成于喷嘴的供给气体的多个孔的上下方向上的相对位置根据预先设定的条件而变化，一边向多个基板供给气体。
8.发明效果
9.根据本发明，在同时处理多个基板的情况下能够控制基板上的气体浓度的分布，并能提高形成于各个基板的膜的厚度均匀性。
10.另外，根据本发明，在同时处理多个基板的情况下，通过控制基板上的气体浓度的分布来处理基板，能够谋求要供给的材料气体的高效化，并能减少材料气体的浪费以降低
成本。
附图说明
11.图1是表示在实施例1的基板处理装置中将搭载有基板的晶舟搬入移载室的状态的处理室和收纳室的概略剖视图。
12.图2是表示在实施例1的基板处理装置中使搭载有基板的晶舟上升而将其搬入处理室的状态的处理室和收纳室的概略剖视图。
13.图3是表示实施例1的基板处理装置的处理室内的基板与隔板之间的间隔的基板和隔板的剖视图。
14.图4是表示将实施例1的基板处理装置的处理室内的基板与隔板之间的间隔切换后的基板表面上的材料气体浓度的分布的图表。
15.图5是将实施例1的基板处理装置的处理室内的基板的表面上的材料气体的浓度分布可视化显示的图，且是表示基板与隔板之间的间隔如图3的(c)所示设定得较宽的情况下的基板的表面上的材料气体的浓度分布的、基板的立体图。
16.图6是表示实施例1的基板处理装置的控制器的构成例的框图。
17.图7是表示实施例1的半导体器件制造工序的概况的流程图。
18.图8是表示实施例1的基板处理装置的cpu所读入的工艺配方(process recipe)的一例的工艺配方一览表。
19.图9是表示实施例2的基板处理装置的概略构成的概略剖视图。
20.图10是表示实施例3的基板处理装置概略构成的概略剖视图。
21.图11是表示实施例4的基板处理装置概略构成的概略剖视图。
具体实施方式
22.本发明涉及一种基板处理装置，其具备：晶舟，其载置多个基板；多个隔板，其与晶舟分开构成，并配置在载置于晶舟的基板各自的上部；隔板支承件，其具有支承多个隔板的支承部；和第一升降机构，其使晶舟升降，还具备第二升降机构，其使基板与隔板的上下方向上的位置关系变更。
23.以下，基于附图来详细说明本发明的实施方式。在用于说明本实施方式的所有附图中，具有相同功能的构成标注相同的附图标记，且原则上省略其重复的说明。
24.但是，本发明并不限定于以下所示的实施方式的记载内容来进行解释。只要是本领域技术人员，就可以很容易理解在不脱离本发明的思想或趣旨的范围内能够变更其具体构成。
25.实施例1
26.使用图1及图2说明实施例1的基板处理装置的构成。
27.[基板处理装置100]
[0028]
基板处理装置100具备：沿铅垂方向延伸的圆筒形状的反应管110；设置在反应管110的外周的作为加热部(炉体)的加热器101；和构成气体供给部的气体供给用喷嘴120。加热器101由沿上下方向划分为多个区并能对每个区分别设定温度的区域加热器构成。
[0029]
反应管110例如由石英或sic等材料形成。反应管110的内部通过未图示的排气机
构从构成排气部的排气管130排气。反应管110的内部相对于外部空气由未图示的机构气密密封。
[0030]
在此，即使构成为在反应管110的内部具备第二反应管，也能适用本发明的技术。
[0031]
气体供给用喷嘴(以下有时也简写为喷嘴)120形成有向反应管110的内部供给气体的多个孔121。
[0032]
通过形成在气体供给用喷嘴120上的多个孔121向反应管110的内部导入原料气体、反应气体及惰性气体(载运气体)。
[0033]
原料气体、反应气体、惰性气体(载运气体)分别从未图示的原料气体供给源、反应气体供给源及惰性气体供给源由未图示的质量流量控制器(mfc：mass flow controller)调节流量，并从形成于喷嘴120的多个孔121被供给至反应管110的内部。
[0034]
反应管110的内部由未图示的排气机构从形成在集流管111上的排气管130排气至真空。
[0035]
[腔室180]
[0036]
腔室180经由集流管111设置在反应管110的下部，并具备收纳室500。在收纳室500内，通过未图示的移载机将基板10经由基板搬入口310载置(搭载)于基板支承件(晶舟)300，或通过移载机将基板10从基板支承件(以下有时也简写为晶舟)300取出。
[0037]
在此，腔室180由sus(不锈钢)或al(铝)等金属材料构成。
[0038]
腔室180内部具备：基板支承件(晶舟)300；隔板支承部200；以及构成第一驱动部的上下方向驱动机构部400，其在上下方向和旋转方向上驱动基板支承件(晶舟)300和隔板支承部200(将它们统称为基板保持件)。
[0039]
[基板支承部]
[0040]
基板支承部至少由基板支承件(晶舟)300构成，在收纳室500内部由未图示的移载机经由基板搬入口310进行基板10的转移，或将所转移的基板10搬送到反应管110的内部来进行在基板10的表面上形成薄膜的处理。需要说明的是，也可以认为基板支承部包括隔板支承部200。
[0041]
如图1及图2所示，隔板支承部200在支承于基部201与顶板204之间的支柱202上以规定间距固定有多片圆板状的隔板203。如图1及图2所示，基板支承件(晶舟)300具有如下构成：在基部301上支承有多个支承杆302，并由该多个支承杆302以规定间隔支承有多个基板10。
[0042]
在基板支承件(晶舟)300内，由支承于基部301上的多个支承杆302以规定间隔载置有多个基板10。由该支承杆302支承的多个基板10之间通过以规定间隔固定(支承)在由隔板支承部200支承的支柱202上的圆板状的隔板203而分隔开。在此，隔板203配置在基板10的上部和下部中的某一方或双方。
[0043]
载置于基板支承件(晶舟)300上的多个基板10的规定间隔与固定在隔板支承部200上的隔板203的上下间隔相同。另外，隔板203的直径与基板10的直径相比形成得较大。
[0044]
晶舟300利用多个支承杆302在垂直方向上以多层的方式支承多片、例如五片基板10。该在垂直方向上以多层的方式支承的基板10的上下间隔例如设定为60mm左右。构成晶舟300的基部301及多个支承杆302例如由石英或sic等材料形成。需要说明的是，虽然在此示出了晶舟300内支承有五片基板10的例子，但并不限于此。例如，也可以以能够支承5～50
片左右基板10的方式构成晶舟300。此外，隔板支承部200的隔板203也称为分隔件。
[0045]
隔板支承部200和基板支承件(晶舟)300通过上下方向驱动机构部400而在反应管110与收纳室500之间的上下方向、及围绕由基板支承件(晶舟)300支承的基板10的中心的旋转方向上驱动。
[0046]
如图1及图2所示，构成第一驱动部的上下方向驱动机构部400作为驱动源而具备上下驱动用马达410、旋转驱动用马达430、和作为沿上下方向驱动基板支承件(晶舟)300的基板支承件升降机构的具备线性致动器的晶舟上下机构420。
[0047]
作为隔板支承部升降机构的上下驱动用马达410通过旋转驱动滚珠丝杠411而使与滚珠丝杠412旋合的螺母412沿着滚珠丝杠412上下移动。由此，能够使隔板支承部200和基板支承件(晶舟)300与供螺母412固定的底板402一起在反应管110与收纳室500之间沿上下方向驱动。底板402也固定在与导向轴414卡合的滚珠导轨415上，并构成为能够沿着导向轴414在上下方向上顺畅移动。滚珠丝杠411与导向轴414的上端部和下端部分别固定在固定板413和416上。此外，隔板支承部升降机构也可以包括用于传递上下驱动用马达410的动力的部件。
[0048]
旋转驱动用马达430和具备线性致动器的晶舟上下机构420构成第二驱动部，并固定在由侧板403支承于底板402上的作为盖体的底座凸缘(base flange)401上。通过使用侧板403，能够抑制从上下机构或旋转机构等出来的颗粒扩散。要覆盖的形状构成为筒状或柱状。在盖形状的一部分或底面上设有与移载室连通的孔。通过连通的孔而将盖形状内部构成为与移载室内的压力相同的压力。
[0049]
另一方面，也可以使用支柱来代替侧板403。在该情况下，上下机构和旋转机构的维护变得容易。
[0050]
旋转驱动用马达430驱动与安装在顶端部的齿部431卡合的旋转传动带432，从而旋转驱动与旋转传动带432卡合的支承件440。支承件440利用基部201支承隔板支承部200，并经由旋转传动带432而被旋转驱动用马达430驱动，由此，使隔板支承部200和晶舟300旋转。
[0051]
支承件440利用真空密封件444使其与底座凸缘401的内筒部分4011之间分隔开，并利用轴承445将其下部以能够相对于底座凸缘401的内筒部分4011旋转的方式进行引导。
[0052]
具备线性致动器的晶舟上下机构420沿上下方向驱动轴421。在轴421的顶端部分安装有板422。板422经由轴承423与固定在晶舟300的基部301上的支承部441连接。通过支承部441经由轴承423与板422连接，当由旋转驱动用马达430旋转驱动隔板支承部200时，晶舟300也能与隔板支承部200一起旋转。
[0053]
另一方面，支承部441经由线性引导轴承442而被支承于支承件440上。通过设为这种构成，在由具备线性致动器的晶舟上下机构420沿上下方向驱动轴421的情况下，能够相对于固定在隔板支承部200上的支承件440而相对地沿上下方向驱动固定在晶舟300上的支承部441。
[0054]
这样，通过将支承件440与支承部441构成为同心状，能够简化使用旋转驱动用马达430的旋转机构的构造。另外，晶舟300与隔板支承部200的旋转的同步化控制变得容易。
[0055]
但是，本实施例并不限于此，也可而将支承件440与支承部441分开配置而不是构成为同心状。
[0056]
固定在隔板支承部200上的支承件440与固定在晶舟300上的支承部441之间由真空波纹管443连接。
[0057]
在作为盖体的底座凸缘401的上表面设置有真空密封用的o形圈446，如图2所示，通过上下驱动用马达410驱动而使底座凸缘401的上表面上升至被腔室180推压的位置，由此能够使反应管110的内部保持气密。
[0058]
此外，真空密封用的o形圈446并不一定是必需的，也可以不使用真空密封用的o形圈446而是通过使底座凸缘401的上表面推抵腔室180来使反应管110的内部保持气密。进一步地，真空波纹管443也并不一定必须设置。
[0059]
在如上所述的构成中，在由上下驱动用马达410驱动而如图2所示地使底座凸缘401的上表面上升到被腔室180推压为止、并将基板支承部插入反应管110的内部的状态下，通过形成在气体供给用喷嘴120上的多个孔121向反应管110的内部导入原料气体或反应气体、又或惰性气体(载运气体)。
[0060]
形成在气体供给用喷嘴120上的多个孔121的间距与载置于晶舟300上的基板10的上下间隔及固定在隔板支承部200上的隔板203的上下间隔相同。
[0061]
在此，在底座凸缘401的上表面推抵腔室180的状态下，固定在隔板支承部200的支柱202上的隔板203的高度方向上的位置是固定的，相对于此，通过驱动具备线性致动器的晶舟上下机构420而使固定在晶舟300的基部301上的支承部441上下移动，能够改变由晶舟300支承的基板10相对于隔板203的高度方向上的位置。由于形成在气体供给用喷嘴120上的孔121的位置也是固定的，所以也能改变由晶舟300支承的基板10相对于孔121的高度方向上的位置(相对位置)。
[0062]
即，相对于如图3的(a)所示的搬送的基准位置关系，驱动具备线性致动器的晶舟上下机构420沿上下方向调节由晶舟300支承的基板10的位置，由此能够将与形成于喷嘴120的孔121与隔板203之间的位置关系设为：如图3的(b)所示地使基板10的位置高于搬送位置(起始位置)10-1而缩小与上侧的隔板2032之间的间隙g1，或如图3的(c)所示地使基板10的位置低于搬送位置(起始位置)10-1而扩大与上侧的隔板2032之间的间隙g2。
[0063]
这样，通过改变基板10相对于形成于喷嘴120的孔121的位置，能够改变从孔121喷出的气流1211与基板10的位置关系。
[0064]
图4表示在以如图3的(b)所示地升高基板10的位置而缩小与上侧的隔板2032之间的间隙g1的状态以及如图3的(c)所示地降低基板10的位置而扩大与上侧的隔板2032之间的间隙g2的状态、从形成于喷嘴120的孔121供给二氯化硅气体(sicl2)的情况下对形成于基板10的表面的膜的面内分布进行模拟而得到的结果。
[0065]
在图4中，narrow(窄)所示的点列510表示在图3的(b)那样的状态、即、升高基板10的位置而缩小与上侧的隔板2032之间的间隙g1并使基板10高于从孔121喷出的气流1211的位置的状态下成膜的情况。在该情况下，在基板10的周边部会形成比较厚的膜，从而成为形成在基板10的中央部分的膜的厚度比周边部薄的凹状的膜厚分布。
[0066]
相对于此，wide(宽)所示的点列520表示在图3的(c)那样的状态、即、降低基板10的位置而扩大与上侧的隔板2032之间的间隙g2并使基板10低于从孔121喷出的气流1211的位置的状态下成膜的情况。在该情况下，成为基板10的中央部分与周边部相比形成有比较厚的膜的凸状的膜厚分布。
[0067]
由此可知，通过改变基板10的位置，形成在基板10的表面上的薄膜在基板10的面内分布会发生变化。
[0068]
图5表示在将基板10与隔板2032及形成于喷嘴120的孔121的关系设定为如图3的(c)所示的位置关系的情况下，通过模拟实验而求得的从箭头611的方向供给二氯化硅气体(sicl2)时的基板10的表面上的sicl2气体的分压的分布结果。图4的膜厚分布相当于图5的a-a’截面上的膜厚分布。
[0069]
如图5所示，在将基板10与隔板2032及形成于喷嘴120的孔121的关系设定为如图3的(c)所示的位置关系的情况下，在从离形成于喷嘴120上的孔121近的部分到基板10的中心部分为止的用深色显示的部分中，sicl2气体的分压变得比较高。另一方面，在从形成于喷嘴120上的孔121离开的基板10的周边部分中，sicl2气体的分压变得比较低。
[0070]
在该状态下，通过驱动旋转驱动用马达430以旋转驱动支承件440，从而使隔板支承部200和晶舟300旋转，并使由晶舟300支承的基板10旋转，由此，能够减少基板10的周向上的膜厚的偏差(膜厚分布)。
[0071]
[控制器]
[0072]
如图1所示，基板处理装置100与控制各部分的动作的控制器260连接。
[0073]
图6表示控制器260的概况。作为控制部(控制机构)的控制器260构成为具备cpu(central processing unit：中央处理器)260a、ram(random access memory：随机存取存储器)260b、存储装置260c、和输入输出接口(i/o接口)260d的计算机。ram260b、存储装置260c和i/o接口260d构成为能够经由内部总线260e与cpu260a进行数据交换。在控制器260上例如能够连接构成为触摸面板等的输入输出装置261、和外部存储装置262。
[0074]
存储装置260c例如由闪存、hdd(hard disk drive：硬盘驱动器)等构成。在存储装置260c内，以能够读取的方式储存有记载了控制基板处理装置的动作的控制程序、或后述的基板处理的步骤和条件等的工艺配方及数据库等。
[0075]
需要说明的是，工艺配方被组合成能够使控制器260执行后述的基板处理工序中的各步骤并得出规定结果，并作为程序发挥功能。
[0076]
以下，也将该程序配方和控制程序等仅统称为程序。需要说明的是，当在本说明书中使用程序这个词语时，有仅单独包括程序配方的情况、仅单独包括控制程序的情况、或包括这两者的情况。另外，ram260b构成为能够暂时保持由cpu260a读取的程序和数据等的存储区域(工作区)。
[0077]
i/o接口260d与基板搬入口310、上下驱动用马达410、具备线性致动器的晶舟上下机构420、旋转驱动用马达430、加热器101、质量流量控制器(未图示)、温度调节器(未图示)、真空泵(未图示)等连接。
[0078]
此外，本发明中的“连接”还包含各部分通过物理线缆而连接的意思，但也包含各部分的信号(电子数据)能够直接或间接地发送/接收的意思。例如，也可以在各部分之间设有转发信号的机械材料、转换或运算信号的机械材料。
[0079]
cpu260a构成为，读取来自存储装置260c的控制程序且执行，并根据来自控制器260的操作指令的输入等而从存储装置260c读取工艺配方。而且，cpu260a构成为，以按照所读取的工艺配方的内容的方式控制基板搬入口310的开闭动作、上下驱动用马达410的驱动、具备线性致动器的晶舟上下机构420及1240的驱动、旋转驱动用马达430的旋转动作、向
加热器101的电力供给动作等。
[0080]
此外，控制器260并不限于构成为专用计算机的情况，也可以构成为通用计算机。例如，准备储存有上述程序的外部存储装置(例如磁带、软盘或硬盘等磁盘、cd或dvd等光盘、mo等光磁盘、usb存储器或存储卡等半导体存储器)262，并使用该外部存储装置262向通用计算机安装程序等，由此能够构成本实施方式的控制器260。
[0081]
此外，用于向计算机供给程序的手段并不限于经由外部存储装置262供给的情况。例如，也可以使用网络263的(互联网或专用线路)等通信手段供给程序，而不经由外部存储装置262。此外，存储装置260c和外部存储装置262构成为计算机可读取的记录介质。以下，也将它们仅统称为记录介质。需要说明的是，当在本说明书中使用记录介质这个词语时，有仅单独包括存储装置260c的情况、有仅单独包括外部存储装置262的情况、或包括这两者的情况。
[0082]
[基板处理工序(成膜工序)]
[0083]
接着，使用图7对利用图1及图2说明的基板处理装置在基板上形成膜的基板处理工序(成膜工序)进行说明。
[0084]
本发明能够适用于成膜工艺及蚀刻工艺中的任一项，但作为半导体器件(器件)的制造工序的一道工序而说明在基板10上形成薄膜的工序的一例，即形成sio2(氧化硅)层的工序。形成sio2层等膜的工序在上述基板处理装置100的反应管110的内部执行。如上所述，制造工序的执行通过图6的控制器260的cpu260a的程序执行来进行。
[0085]
在基于本实施方式的基板处理工序(半导体器件的制造工序)中，首先，由上下驱动用马达410进行驱动而如图2所示使底座凸缘401的上表面上升到推抵腔室180为止，并将基板支承部插入反应管110的内部。
[0086]
其次，在该状态下，通过由具备线性致动器的晶舟上下机构420沿上下方向驱动轴421，而将载置于晶舟300上的基板10相对于隔板203的高度(间隔)从图3的(a)所示的初始状态设定成如图3的(b)所示地使基板10上升而缩小基板10与隔板203的间隔g1的状态、或如图3的(c)所示地使基板10下降而扩大基板10与隔板203的间隔g2的状态，由此，将基板10相对于隔板203的高度(隔板203与基板10的间隔)调节成所希望的值。
[0087]
在该状态下，具有以下工序：
[0088]
(a)从气体供给用喷嘴120对容纳在反应管110的内部的基板10供给si2cl6(六氯化二硅)气体的工序；
[0089]
(b)将反应管110的内部的残留气体除去的工序；
[0090]
(c)从气体供给用喷嘴120对容纳在反应管110的内部的基板10供给o2(氧气)(或o
3(
臭氧)或h2o(水))的工序；和
[0091]
(d)将反应管110的内部的残留气体除去的工序，
[0092]
多次重复上述工序(a)～(d)而在基板10上形成sio2层。
[0093]
另外，在多次重复执行上述工序(a)～(d)的期间内、或上述工序(a)和(c)中，利用旋转驱动用马达430对通过旋转传动带432与旋转驱动用马达430连接的支承件440进行旋转驱动，同时使基板10相对于隔板203的高度(间隔)在如图3的(b)所示地使基板10上升而缩小基板10与隔板203的间隔g1的状态、和如图3的(c)所示地使基板10下降而扩大基板10与隔板203的间隔g2的状态之间周期性地变化，而进行执行。由此，能够使形成在基板10上
的膜的膜厚均匀。
[0094]
需要说明的是，当在本说明书中使用“基板”这个词语时，有表示“基板本身”的情况、和表示“基板与形成在其表面上的规定的层或膜等的层叠体(集合体)”的情况(即，包括形成在表面上的规定的层或膜等而称为基板的情况)。另外，当在本说明书中使用“基板的表面”这个词语时，有表示“基板本身的表面(露出面)”的情况、和表示“形成在基板上的规定的层或膜等的表面、即作为层叠体的基板的最表面”的情况。
[0095]
此外，在本说明书中使用“基板”这个词语的情况也与使用“晶圆”这个词语的情况同义。
[0096]
接着，按照图7所示的流程图来说明具体的成膜工序的例子。
[0097]
(工艺条件设定)：s701
[0098]
首先，cpu260a读入存储装置260c内存储的工艺配方及相关数据库，并设定工艺条件。也可以代替存储装置260c而经由网络获得工艺配方及相关数据库。
[0099]
图8表示cpu260a读入的工艺配方800的一例。作为工艺配方800的主要项目而具有气体流量810、温度数据820、处理循环次数830、晶舟高度840、晶舟高度调节时间间隔850等。
[0100]
在气体流量810中，有原料气体流量811、反应气体流量812、载运气体流量813等项目。作为温度数据820，有通过加热器101而得到的反应管110的内部的加热温度821。
[0101]
如图3的(b)及图3的(c)说明的那样，在晶舟高度840中包括基板10与隔板203的间隔的最小值(g1)和最大值(g2)的设定值。
[0102]
晶舟高度调节时间间隔850设定在将基板10与隔板203的间隔维持在如图3的(b)所示的最小值的时间及维持在如图3的(c)所示的最大值的时间之间进行切换的时间间隔。即，将基板10的表面与隔板203的间隔(相对于喷嘴120的气体供给用的孔121的位置的基板10的位置)在如图3的(b)那样设定的情况与如图3的(c)那样设定的情况之间交替切换并同时进行处理，从而在基板10上形成薄膜。由此，能够在基板10的表面上形成具有中心部分与外周部分的膜厚大致相同的平坦的膜厚分布的薄膜。
[0103]
(基板搬入)：s702
[0104]
在将晶舟300收纳于收纳室500内的状态下，驱动上下驱动用马达410以旋转驱动滚珠丝杠411，并间距输送晶舟300，从而经由收纳室500的基板搬入口310将新的基板10一片一片地搭载到晶舟300内进行保持。
[0105]
当新的基板10向晶舟300上的搭载完成时，在关闭基板搬入口310而使收纳室500内部相对于外部密闭的状态下，驱动上下驱动用马达410以旋转驱动滚珠丝杠411并使晶舟300上升，从而将晶舟300从收纳室500搬入反应管110的内部。
[0106]
此时，由上下驱动用马达410抬升的晶舟300的高度基于在s701中读入的工艺配方而被设定为：其与从喷嘴120通过形成在反应管110的管壁上的孔123向反应管110的内部供给的气体的吹出位置(喷嘴120的顶端部分的高度)之间的高度方向上的位置之差是如图3的(b)或图3的(c)所示的状态。
[0107]
(压力调节)：s703
[0108]
在晶舟300被搬入反应管110的内部的状态下，通过未图示的真空泵从排气管130对反应管110的内部进行真空排气，从而将反应管110的内部调节成所希望的压力。
[0109]
(温度调节)：s704
[0110]
在通过未图示的真空泵进行了真空排气的状态下，基于在步骤s704中读入的配方来通过加热器101对反应管110的内部进行加热，以使反应管110的内部成为所希望的压力(真空度)。此时，基于未图示的温度传感器检测出的温度信息来反馈控制向加热器101供给的通电量，以使反应管110的内部成为所希望的温度分布。加热器101对反应管110的内部的加热至少在直到针对基板10的处理完成为止的期间内持续进行。
[0111]
另外，当由加热器101进行加热而导致基板升温时，缩小间距(基板10的背面与基板10的下侧的隔板203的间隔)(图3的(c)的状态)。该间距的缩小至少进行到原料气体供给前为止。在供给原料气体之后，扩大间距。另外，也可以使间距在原料气体供给时与在反应气体供给时不同。进一步地，也可以使间距在原料气体(反应气体)的供给过程中可变。又进一步地，基板支承件与隔板支承部相对地沿上下方向移动的动作时机能够任意设定。
[0112]
[sio2层形成工序]：s705
[0113]
接着，为了例如形成sio2层作为第一层而执行以下详细步骤。
[0114]
(原料气体供给)：s7051
[0115]
首先，通过对旋转驱动用马达430进行旋转驱动以经由旋转传动带432使支承件440旋转，从而使由支承件440支承的隔板支承部200和晶舟300旋转。
[0116]
在维持该晶舟300旋转的状态下，使作为原料气体的si2cl6气体以流量调节的状态从喷嘴120的孔121向反应管110的内部流动。被供给至反应管110的原料气体中的、未对基板10的表面上的反应做出贡献的气体被从排气管130排出。
[0117]
在此，就搭载于晶舟300上的基板10的表面相对于喷嘴120的孔121及隔板支承部200的隔板203的相对位置(高度)而言，基于在步骤s701中读入的工艺配方来使具备线性致动器的晶舟上下机构420工作而沿上下方向驱动轴421，由此，使晶舟以规定的时间间隔上下移动，从而能够在多个位置(例如图3的(b)所示的位置和图3的(c)所示的位置)之间切换。
[0118]
通过从喷嘴120的孔121向反应管110的内部导入si2cl6气体，对搭载于晶舟300上的基板10供给si2cl6气体。作为一例，要供给的si2cl6气体的流量设定在0.002～1slm(standard liter per minute：每分钟的标准升)的范围内，更优选为0.1～1slm的范围。
[0119]
此时，n2(氮)气体或ar(氩)气体等惰性气体与si2cl6气体一起作为载运气体被供给至反应管110的内部，并被从排气管130排出。载运气体的具体流量设定在0.01～5slm的范围内，更优选为0.5～5slm的范围。
[0120]
载运气体的n2气体经由喷嘴120被供给至反应管110的内部，并被从排气管130排出。此时，加热器101的温度设定为使得基板10的温度例如成为250～550℃的范围内的温度那样的温度。
[0121]
在反应管110的内部流动的气体仅为si2cl6气体和n2气体，通过向反应管110供给si2cl6气体，在基板10(表面的底膜)上会形成例如厚度从不足一个原子层到数个原子层左右的含si层。
[0122]
(原料气体排出)：s7052
[0123]
在以规定时间经由喷嘴120向反应管110的内部供给作为原料气体的si2cl6气体并在基板10的表面上形成含si层之后，停止si2cl6气体的供给。此时，通过未图示的真空泵对
反应管110的内部进行真空排气，并将残留在反应管110内的未反应或对含si层形成做出贡献后的si2cl6气体从反应管110的内部排除。
[0124]
此时，维持来自喷嘴120的作为载运气体的n2气体向反应管110的内部的供给。n2气体作为吹扫气体发挥作用，能够提高将残留在反应管110的内部的未反应或对含si层形成做出贡献后的si2cl6气体从反应管110的内部排除的效果。
[0125]
(反应气体供给)：s7053
[0126]
在将反应管110的内部的残留气体除去后，在驱动旋转驱动用马达430以维持晶舟300旋转的状态下，将作为反应气体的o2气体从喷嘴120供给至反应管110的内部，并将未对反应做出贡献的o2气体从排气管130排出。由此，对基板10供给o2。具体要供给的o2气体的流量设定在0.2～10slm的范围内，更优选为1～5slm的范围。
[0127]
此时，作为n2气体的供给已停止的状态而使n2气体不与o2气体一起被供给至反应管110的内部。即，由于o2气体未被n2气体稀释就被供给至反应管110的内部，所以能够提高sio2层的成膜率。此时的加热器101的温度设定为与si2cl6气体供给步骤相同的温度。
[0128]
在此，就搭载于晶舟300上的基板10的表面相对于喷嘴120的孔121及隔板支承部200的隔板203的相对位置(高度)而言，与步骤s7051同样地，基于在步骤s701中读入的工艺配方来使具备线性致动器的晶舟上下机构420工作而沿上下方向驱动轴421，由此，使晶舟以规定的时间间隔上下移动，从而能够在多个位置(例如图3的(b)所示的位置和图3的(c)所示的位置)之间切换。
[0129]
此时，在反应管110的内部流动的气体仅为o2气体。o2气体与在原料气体(si2cl6)供给步骤(s7051)中形成于基板10上的含si层的至少一部分进行置换反应。当进行置换反应时，含si层所包含的si会与o2气体所包含的o结合，从而在基板10上形成包含si和o的sio2层。
[0130]
(残留气体排出)：s7054
[0131]
在形成sio2层之后，停止从喷嘴120向反应管110的内部供给o2气体。而且，通过与步骤s7052相同的处理步骤，将残留在反应管110的内部的未反应或对sio2层的形成做出贡献后的o2气体、和反应副产物从反应管110的内部排除。
[0132]
(实施规定次数)
[0133]
通过将依次进行步骤s705中的上述详细步骤s7051～步骤s7055的循环进行一次以上(规定次数(n次))，在基板10上会形成规定厚度(例如0.1～2nm)的sio2层。上述循环优选重复多次，例如优选进行10～80次左右，更优选进行10～15次左右。
[0134]
这样，基于在步骤s701中读入的工艺配方来使具备线性致动器的晶舟上下机构420工作而沿上下方向驱动轴421，由此，使晶舟以规定的时间间隔上下移动，从而在多个位置(例如图3的(b)所示的位置和图3的(c)所示的位置)之间切换，同时，通过重复执行原料气体供给工序(s7051)和反应气体供给工序(s7053)，能够在基板10的表面上形成具有均匀的膜厚分布的薄膜。
[0135]
此外，在上述所说明的例子中，说明了在原料气体供给工序(s7051)和反应气体供给工序(s7053)中利用旋转驱动用马达430使搭载有基板10的晶舟300旋转的例子，但也可以在残留气体排出工序(s7052和s7054)的期间内持续旋转。
[0136]
(后吹扫(after purge))：s706
[0137]
在将上述步骤s705的一系列工序重复执行规定次数之后，从喷嘴120向反应管110的内部供给n2气体，并将其从排气管130排出。n2气体作为吹扫气体发挥作用，由此，利用惰性气体对反应管110的内部进行吹扫，并将残留在反应管110的内部的气体和副产物从反应管110内除去。
[0138]
(基板搬出)：s707
[0139]
之后，驱动上下驱动用马达410而将滚珠丝杠411向反方向旋转驱动，从而使隔板支承部200和晶舟300从反应管110下降，并将搭载有基板10的晶舟300搬送至收纳室500，该基板10的表面上形成有规定厚度的薄膜。
[0140]
在收纳室500内，将形成有薄膜的基板10从晶舟300经由基板搬入口310取出到收纳室500的外部，从而结束基板10的处理。
[0141]
在上述所说明的例子中，说明了在基板10上形成sio2膜的例子，但本实施例并不限于此。例如，也能形成si3n4(氮化硅)膜或tin(氮化钛)膜来代替sio2膜。另外，并不限于这些膜。例如，也能适用于由w、ta、ru、mo、zr、hf、al、si、ge、ga等或这些元素的同族元素构成的单个元素的膜、这些元素与氮的化合物膜(氮化膜)、和这些元素与氧的化合物膜(氧化膜)等。此外，当形成这些膜时，能够使用上述含卤素气体和包含卤族元素、氨基、环戊烷基、氧(o)、碳(c)、烷基等中的至少任一种的气体。
[0142]
根据本实施例，能够一边与基板10的表面积和成膜类型相应地使基板10与成膜气体供给用喷嘴120的孔121的位置关系基于预先设定的条件变化，一边进行成膜，因此，能够提高在载置于晶舟300上的基板10上形成的薄膜的膜厚分布在面内的均匀性。
[0143]
作为本发明的适用例而说明了成膜处理工序，但本发明并不限于此，也能适用于蚀刻工艺。
[0144]
在将本发明适用于蚀刻工艺的情况下，通过使具备线性致动器的晶舟上下机构420工作而沿上下方向驱动轴421，在将基板10与基板10上侧的隔板203的间隔缩小的状态(图3的(b)的状态)下供给蚀刻气体，由此，能够进行ded(depo etch depo：沉积-蚀刻-沉积)处理中的e处理。在此，ded处理是指重复进行成膜处理和蚀刻处理并形成规定的膜的处理。上述e处理是指蚀刻处理。
[0145]
另外，在蚀刻气体的供给过程中，通过扩大基板10与基板10上侧的隔板203的间隔(图3的(c)的状态)，能够调节蚀刻的基板面内均匀性。
[0146]
在本发明中，作为基板10与基板10上侧的隔板203的间隔调节的参数，有膜厚分布、温度、气体流量、压力、时间、气体种类、基板的表面积等。在使用膜厚分布信息作为参数的情况下，将膜厚测定装置设于基板处理装置内，并基于膜厚测定结果来变更基板10与基板10上侧的隔板203的间隔。
[0147]
另外，也可以利用传感器检测气体的分解量，并基于分解量数据使基板10与基板10上侧的隔板203的间隔发生变更。
[0148]
实施例2
[0149]
图9表示实施例2的基板处理装置900的构成。对与实施例1相同的构成标注相同的附图标记并省略说明。但是，在图9所示的构成中，关于实施例1中所说明的加热器101、反应管110、气体供给用喷嘴120、集流管111、排气管130及控制器260的构成，由于与实施例1相同，所以省略它们的显示。
[0150]
以下情况与实施例1相同：通过上下方向驱动机构部400将在反应管110与收纳室500之间的上下方向上驱动本实施例的隔板支承部200和基板支承件(晶舟)300；利用旋转驱动用马达9451旋转驱动支承件9440并将其在围绕由基板支承件(晶舟)300支承的基板10的中心的旋转方向上进行驱动；以及，利用具备线性致动器的晶舟上下机构9420经由轴9421沿上下方向驱动板9422，从而相对于固定在隔板支承部200上的支承件9440而将固定在晶舟300上的支承部9441相对地在上下方向上进行驱动。
[0151]
在本实施例的基板处理装置900中，与实施例1中所说明的基板处理装置100的构成不同的是：利用上下方向驱动机构部400使隔板支承部200和基板支承件(晶舟)300上升，在使底座凸缘9401夹着o形圈446推抵腔室180的状态下，具备能够分别独立调节隔板支承部200和基板支承件(晶舟)300的高度的机构部。
[0152]
即，在本实施例的基板处理装置900中，如图9所示，具备晶舟上下机构9460，其具备用于使隔板支承部200相对于基板支承件(晶舟)300独立地上下移动的第二线性致动器。利用具备该第二线性致动器的晶舟上下机构9460经由轴9461沿上下方向驱动板9462，以使隔板支承部200相对于基板支承件(晶舟)300独立地上下移动。
[0153]
板9462夹着旋转密封机构9423与利用基部201支承隔板支承部200的支承件9440连接。
[0154]
具备线性致动器的晶舟上下机构9420和具备第二线性致动器的晶舟上下机构9460固定在由侧板9403支承于底板9402上的底座凸缘9401上。
[0155]
旋转驱动用马达9430安装在由具备第二线性致动器的晶舟上下机构9460沿上下方向驱动的板9462上。
[0156]
旋转驱动用马达9430驱动与安装在顶端部的齿部9431卡合的旋转传动带9432，从而旋转驱动与旋转传动带9432卡合的支承件9440。支承件9440利用基部201支承隔板支承部200，并经由旋转传动带9432而被旋转驱动用马达9430驱动，由此，使隔板支承部200和晶舟300旋转。
[0157]
根据本实施例的基板处理装置900的构成，能够相对于如图1及图2所示的形成于喷嘴120的孔121来独立调节载置于晶舟300上的基板10的高度方向上的位置、和固定在隔板支承部200上的隔板203的高度方向上的位置。
[0158]
由此根据本实施例，能够一边与基板10的表面积和成膜类型相应地相对于形成于喷嘴120的孔121来独立调节载置于晶舟300上的基板10的高度方向上的位置、和固定在隔板支承部200上的隔板203的高度方向上的位置，一边进行成膜，因此能够提高在载置于晶舟300上的基板10上形成的薄膜的膜厚分布在面内的均匀性。
[0159]
实施例3
[0160]
图10表示实施例3的基板处理装置1000的构成。对与实施例1相同的构成标注相同的附图标记，并省略说明。
[0161]
在本实施例的基板处理装置1000中，与实施例1中所说明的基板处理装置100的构成不同的是：与实施例1的说明相反地构成为使基板支承件(晶舟)3001相对于隔板支承部2001独立地上下移动。
[0162]
在本实施例的隔板支承部2001和基板支承件(晶舟)3001中，以下情况与实施例1相同：由上下方向驱动机构部400在反应管110与收纳室500之间的上下方向、及围绕由基板
支承件(晶舟)300支承的基板10的中心的旋转方向上进行驱动；以及，利用具备线性致动器的晶舟上下机构9420经由轴9421沿上下方向驱动板9422，从而相对于固定在隔板支承部200上的支承件9440而将固定在晶舟300上的支承部441相对地在上下方向上进行驱动。
[0163]
即，本实施例构成为：由具备线性致动器的晶舟上下机构1420使基板支承件(晶舟)3001相对于隔板支承部2001独立地上下移动。
[0164]
具备线性致动器的晶舟上下机构1420沿上下方向驱动轴1421。在轴1421的顶端部分安装有板1422。板1422经由轴承1423与固定在隔板支承部2001的基部3011上的支承部1441连接。
[0165]
另一方面，支承部1441经由线性引导轴承1442而被支承于支承件1440上。支承件1440使其上表面与基板支承件(晶舟)3001的基部3011连接，并由真空密封件1444将其与底座凸缘1401的内筒部分14011之间分隔开，且其下部由轴承1445以能够相对于底座凸缘1401的内筒部分14011旋转的方式引导。
[0166]
通过设为这种构成，在由具备线性致动器的晶舟上下机构1420沿上下方向驱动轴1421的情况下，能够相对于固定在晶舟3001上的支承部1441而将固定在隔板支承部2001上的隔板2031相对地在上下方向上进行驱动。
[0167]
另外，通过支承部1441经由轴承1423与板1422连接，当由旋转驱动用马达1430旋转驱动晶舟3001时，隔板支承部2001也能与晶舟3001一起旋转。
[0168]
固定在隔板支承部2001上的支承部1441与固定在晶舟300上的支承件1440之间由真空波纹管1443连接。
[0169]
根据本实施例的基板处理装置1000的构成，在相对于形成于喷嘴120的孔121而使载置于晶舟3001上的基板10的高度不变(固定)的状态下，能够对固定在隔板支承部2001上的隔板2031的高度方向上的位置进行调节。
[0170]
由此，根据本实施例，能够一边与基板10的表面积和成膜类型相应地使覆盖基板10的上表面和下表面的隔板2031与成膜气体供给用喷嘴120的孔121的位置关系基于预先设定的条件变化，一边进行成膜，因此，能够提高在载置于晶舟3001上的基板10上形成的薄膜的膜厚分布在面内的均匀性。
[0171]
实施例4
[0172]
图11表示实施例4的基板处理装置1100的构成。对与实施例1相同的构成标注相同的附图标记，并省略说明。
[0173]
在本实施例的基板处理装置1100中，相对于实施例1中所说明的基板处理装置100的构成而构造为，能够使用未图示的真空排气机构对收纳室5001内部进行真空排气。由此，无需使用在实施例1中如图2所说明的那种o形圈446将反应管110与收纳室500之间真空密封，能够在基板处理过程中使底座凸缘401的高度发生变化。
[0174]
其结果是，在本实施例中，不仅能够如实施例1所说明的那样在基板10的处理过程中相对于隔板支承部200改变基板支承件(晶舟)300的高度，还能针对基板支承件(晶舟)300和隔板支承部200而将它们相对于形成在气体供给用喷嘴120上的孔121的高度方向上的位置一起进行改变。
[0175]
在实施例1中，对与用图1及图2所说明的构成相同的部分标注相同的附图标记，并省略说明。
[0176]
在本实施例中，如图11所示，将上下方向驱动机构部4001配置在收纳室5001的外部，并由真空波纹管417将固定在上下方向驱动机构部4001上且通过上下方向驱动机构部4001而在上下方向上位移的板4021与收纳室5001之间连接，从而构成为能够将收纳室5001内部密闭并进行真空密封。
[0177]
即，作为通过侧壁4031覆盖由底座凸缘1401与板1422夹着的空间而能够相对于收纳室5001确保内部的气密性的构造，在通过从侧壁4031延伸的管4023及4022使由底座凸缘1401、板1422和侧壁4031包围而成的空间成为大气压的状态下，能够维持收纳室5001内部的真空状态。
[0178]
对通过侧壁4031覆盖由底座凸缘1401与板1422夹着的空间所得到的空间进行利用，能够设置用于进行升降/旋转机构的电线等的连接或用于连接未图示的真空密封保护用的冷却水等的构成等。
[0179]
根据本实施例，不仅能够在基板10的处理过程中相对于隔板支承部200改变基板支承件(晶舟)300的高度，还能针对基板支承件(晶舟)300和隔板支承部200而将它们相对于形成在气体供给用喷嘴120上的孔121的高度方向上的位置一起进行改变，因此，能够在基板10的处理过程中将固定在隔板支承部200上的隔板203相对于形成在气体供给用喷嘴120上的孔121的高度、和载置于基板支承件(晶舟)300上的基板10的高度分开控制。
[0180]
由此，根据本实施例，能够提高在载置于晶舟300上的基板10上形成的薄膜的膜厚分布在面内的均匀性。
[0181]
如以上所说明的那样，根据本发明，能够实现一种根据基板表面积和成膜类型来使基板与成膜气体供给用喷嘴的位置关系发生变化、并在基板上形成均匀的膜的方法。
[0182]
进一步地，根据本发明而构成为：成膜气体供给用喷嘴相对于反应室固定，且将基板设置为多层的基板支承件(晶舟)通过上下方向驱动机构部而上下移动。在为了气体切断或压力切断而需要将进行成膜处理的反应室与位于反应室之下的收纳室分隔开的情况下，通过o形圈密封来进行分隔，并由与基板支承件的上下动作(喷嘴位置关系可变)的行程对应的伸缩式密封构造(波纹管)进行密封。另一方面，在装载区(收纳室500内)与反应室(反应管110内)为同等压力的情况下，不进行o形圈密封，且反应室与真空装载区(收纳室500内)成为相通的空间。在该情况下，从真空装载区供给惰性气体并施加压力梯度来进行气体切断。
[0183]
另外，根据本发明，通过在成膜过程中使基板旋转，能够在接近基板表面的位置和远离基板表面的位置对从成膜气体供给用喷嘴喷射的成膜气体进行调节，从而一边使晶圆表层的气体流速可变一边进行供给，能够调节直到易发生气相反应的成膜气体到达晶圆表层并对成膜做出贡献为止的分解状态。
[0184]
根据以上所说明的本发明，提供一种半导体器件的制造方法，其在将多片基板沿上下方向隔开间隔地重叠并保持于基板支承件上的状态下，由上下方向驱动机构部驱动该基板支承件而将其容纳到反应管内部，由围绕在反应管的周围配置的加热部对由容纳在反应管内部的基板支承件保持的基板进行加热，并通过重复以下两点而在多个基板上形成薄膜：从气体供给用喷嘴的多个孔向由容纳在反应管内部的所述基板支承件保持的所述基板供给原料气体，并将所供给的原料气体从反应管排出；以及，从气体供给用喷嘴的多个孔向基板供给反应气体，并将所供给的反应气体从反应管排出，在该半导体器件的制造方法中，
由上下驱动部来控制容纳在反应管内的基板支承件的高度，并根据预先设定的条件来调节由基板支承件保持的多片基板与气体供给用喷嘴的多个孔的间隔(高度)，在该状态下，从气体供给用喷嘴的多个孔供给原料气体和供给反应气体。
[0185]
另外，在本发明中，从以与由基板支承件保持的多片基板的上下方向上的间隔相同的间隔配置的、气体供给用喷嘴的多个孔供给原料气体和反应气体。
[0186]
进一步地，在本发明中，由上下方向驱动机构部来控制容纳在反应管内的基板支承件的高度，并使由基板支承件保持的多片基板与多个气体供给用喷嘴的间隔(高度)变化，在该情况下，重复从气体供给用喷嘴的多个孔供给原料气体和供给反应气体。
[0187]
＜本发明的优选方式＞
[0188]
以下，记载了本发明的优选方式。
[0189]
[附记1]
[0190]
提供一种基板处理装置，具备：
[0191]
载置多个基板的基板支承件；
[0192]
多个隔板，其与基板支承件分开构成，并配置在所述基板各自的上部；
[0193]
具有支承所述多个隔板的支承部的隔板支承部；和
[0194]
升降基板支承件的基板支承件升降机构，
[0195]
还具有控制部，其对基板支承件升降机构进行控制，以使基板与隔板的上下方向上的位置关系变更。
[0196]
[附记2]
[0197]
在附记1所述的装置中，
[0198]
具有升降隔板支承部的隔板支承部升降机构。
[0199]
[附记3]
[0200]
在附记2所述的装置中，
[0201]
控制部使基板支承件升降机构和隔板支承部升降机构中的某一方升降，以变更隔板与基板的上下方向上的位置关系。
[0202]
[附记4]
[0203]
在附记2所述的装置中，
[0204]
所述基板支承件升降机构的升降轴与所述隔板支承部升降机构的升降轴构成为同心状。
[0205]
这样地以同心状构成各升降轴，由此能够简化旋转机构的构造。
[0206]
另外，基板支承件的旋转与隔板支承部的旋转的同步化控制变得容易。需要说明的是，基板支承件升降机构的升降轴是指支承部9441。另外，隔板支承部升降机构的升降轴是指支承件9440。
[0207]
[附记5]
[0208]
在附记2所述的装置中，
[0209]
所述基板支承件升降机构的升降轴配置在所述隔板支承部升降机构的升降轴之中。
[0210]
[附记6]
[0211]
在附记2所述的装置中，
[0212]
所述隔板支承部升降机构的升降轴配置在所述基板支承件升降机构的升降轴之中。
[0213]
[附记7]
[0214]
在附记2所述的装置中，
[0215]
所述基板支承件升降机构的驱动部构成为也使所述隔板支承部升降机构的驱动部升降。
[0216]
[附记8]
[0217]
在附记2所述的装置中，
[0218]
在处理室的下方设有搬送室，
[0219]
搬送室的下方端部由所述基板支承件升降机构和所述隔板支承部升降机构密闭。
[0220]
[附记9]
[0221]
在附记2所述的装置中，
[0222]
具有支承隔板支承部的盖体，
[0223]
处理基板的处理室的下端由所述盖体封闭。
[0224]
[附记10]
[0225]
在附记2所述的装置中，
[0226]
具有支承基板支承件的盖体，
[0227]
处理基板的处理室的下端由所述盖体封闭。
[0228]
[附记11]
[0229]
在附记1所述的装置中，
[0230]
所述隔板的直径构成为大于所述基板的直径。
[0231]
[附记12]
[0232]
在附记1所述的装置中，
[0233]
所述隔板的面积构成为大于所述基板的面积。
[0234]
[附记13]
[0235]
在附记1所述的装置中，
[0236]
所述控制部基于基板与隔板之间的距离数据来控制基板支承件升降机构和隔板支承部升降机构中的某一方或双方。
[0237]
在此，距离数据是实际距离、规定距离的n倍等。在此，距离数据记录在ram260b或存储装置260c等内。
[0238]
[附记14]
[0239]
在附记1所述的装置中，
[0240]
所述控制部基于设定膜厚数据来驱动基板支承件升降机构和隔板支承部升降机构中的某一方或双方，以使所述基板的上表面与所述隔板的距离发生变更。
[0241]
在此，设定膜厚数据包括膜厚信息、膜厚分布、膜厚的均匀性、中心与外周的膜厚差
±
x％、实际的膜厚数据等中的任一项，是与配方数据不同的数据。也可以经由网络获取这些数据。另外，设定膜厚数据与距离的关系参照至少表示膜厚(也可以包含温度、气体流量、压力、供给时间、气体种类、基板的表面积等数据)与间距的关系的数据表来决定。或者，也可以使用规定的函数来计算。在该情况下，基于设定膜厚数据和关系数据来计算间距(第
一升降机构的位置)。在此所示的设定膜厚数据、数据表等数据记录在ram260b或存储装置260c等内。
[0242]
[附记15]
[0243]
在附记1所述的装置中，
[0244]
所述控制部对所述基板支承件升降机构和隔板支承部升降机构中的某一方或双方进行控制，以使所述基板的上表面与所述隔板的距离小于搬送位置(起始位置)。
[0245]
[附记16]
[0246]
在附记1所述的装置中，
[0247]
所述控制部对所述基板支承件升降机构和隔板支承部升降机构中的某一方或双方进行控制，以使所述基板的上表面与所述隔板的距离大于搬送位置(起始位置)。
[0248]
[附记17]
[0249]
在附记1所述的装置中，
[0250]
使基板在升温时的间距可变。
[0251]
在该情况下，当由加热器101加热而升温时，缩小间距(基板10的背面与基板10下侧的隔板203的间隔)(图3的(c)的状态)。该间距的缩小至少进行到原料气体供给前为止。
[0252]
还可以使间距在原料气体供给时与在反应气体供给时不同。
[0253]
还可以使间距在原料气体(反应气体)的供给过程中可变。
[0254]
还能够任意设定基板支承件与隔板支承部的动作时机。
[0255]
[附记18]
[0256]
在附记17所述的装置中，
[0257]
当基板升温时，使基板背面与隔板的距离比进行处理时更接近。
[0258]
[附记19]
[0259]
在附记17所述的装置中，
[0260]
在隔板上具有基板支承部的缺口，
[0261]
隔板也可以支承基板。
[0262]
附图标记说明
[0263]
100、900、1000、1100-基板处理装置，101-加热器，110-反应管，120-气体供给用喷嘴，121-孔，200-隔板支承部，203-隔板，260-控制器，300-基板支承件(晶舟)，400-上下方向驱动机构部，500-收纳室。