一种近红外荧光粉及包含该荧光粉的光学装置的制作方法

技术特征：
1.一种近红外荧光粉，其特征在于，所述近红外荧光粉包含组成式a
2-x-d-m
sr
x
d
d
e
1-g-y
g
g
o
z
:ycr，mm的无机化合物，其中,a元素为ca、ba、mg、zn中的一种或两种；d元素为la、gd、tb、y、lu中的一种或两种；e元素为hf、ge、si中的一种或两种；g元素为ga、in、sc、al、ce、bi中的一种或两种；m元素为li、na、k中的一种或两种；其中0<x≤0.2，0<d≤0.2，0≤g≤0.1，3.7≤z≤4.3，0<y≤0.1，0≤m≤0.2，所述近红外荧光粉具有立方晶系的ca2geo4晶体结构。2.根据权利要求1所述的近红外荧光粉，其特征在于a元素为ca和ba元素，ba占据a元素的摩尔百分比为i，0％<i≤10％。3.根据权利要求2所述的近红外荧光粉，其特征在于0<x≤0.12。4.根据权利要求1所述的近红外荧光粉，其特征在于e元素为hf和ge元素，hf占据e元素的摩尔百分比为j，0％<j≤8％。5.根据权利要求3或4所述的近红外荧光粉，其特征在于g元素为ce、bi中的一种元素，0<g≤0.1。6.根据权利要求5所述的近红外荧光粉，其特征在于g＝4/3y。7.根据权利要求6所述的近红外荧光粉，其特征在于d元素为y、gd、lu中的一种，0<d≤0.07。8.根据权利要求7所述的近红光荧光粉，其特征在于，m元素为li、na、k中的一种，m＝d。9.一种发光装置，包含光源和发光材料，其特征在于，所述发光材料包含如权利要求1-8中任一项所述的近红外荧光粉。10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述光源为发射峰值波长范围为400-460nm或者600-660nm的半导体芯片，所述发光材料还包含发射波长范围为500-780nm的可见光荧光粉以及发射波长范围为780-1550nm的近红外荧光粉。

技术总结
本发明涉及一种近红外荧光粉及包含该荧光粉的光学装置，近红外荧光粉发射峰值位置位于1270-1330nm。一方面，该近红外荧光粉可以被蓝光、可见光激发，尤其是可以匹配蓝光芯片，能够丰富近红外荧光粉的发射覆盖波段，尤其在峰值位置在1270-1330nm区间内具有宽发射光谱，具有发光效率更高的优势，能够有效应用于环境光源、医食检测、水质检测以及半导体材料对位检测等应用场景；另一方面，该近红外荧光粉在红外区域具有吸收，适于制作油墨，用于防伪材料。发光装置中，在配合近红外荧光粉的基础上，同时使用发射波长范围为500-780nm的可见光荧光粉以及发射波长范围为780-1550nm的近红外荧光粉，使得该发光装置具有更加高效率的近红外发射以及针对上述应用的独特光谱。外发射以及针对上述应用的独特光谱。外发射以及针对上述应用的独特光谱。


技术研发人员：刘荣辉 高彤宇 薛原 刘元红 陈晓霞 孙志聪
受保护的技术使用者：有研稀土高技术有限公司 河北雄安稀土功能材料创新中心有限公司
技术研发日：2021.12.15
技术公布日：2022/4/26