一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法与流程

技术特征：
1.一种提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：在n型层和多量子阱层之间的位错端开启v形坑，生长应力调控层；升高温度，减小生长速率，在应力调控层上面生长电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的v形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层的v形坑平台和侧壁电导率不同，从而调控电子在电导率调控层的v形坑附近的输运途径。2.根据权利要求1所述的提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述应力调控层与电导率调控层的生长温度不一致，应力调控层的生长温度在800-1000度之间，电导率调控层的生长温度在850-1050度之间，电导率调控层的生长温度比应力调控层的生长温度高。3.根据权利要求1所述的提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述应力调控层与电导率调控层的生长速率不一致，应力调控层的生长速率在1-1.5a/s之间，电导率调控层的生长速率在0.01-0.05a/s之间。4.根据权利要求1所述的提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述应力调控层生长时掺si，生长电导率调控层时不掺si。5.根据权利要求1所述的提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述电导率调控层的v形坑平台和侧壁的氮化物半导体材料为al
x
ga
1-x
n，其中0≤x≤1。6.根据权利要求1所述的提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述电导率调控层的v形坑平台和侧壁的氮化物半导体材料生长的厚度比值为r，其中0≤r≤0.3。7.根据权利要求1所述的提高gan基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述电导率调控层的v形坑平台和侧壁的氮化物半导体材料的掺杂和生长速率同时调控。

技术总结
本发明公开了一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，本发明通过在n型层和多量子阱层之间生长应力调控层和电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的V形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层V形坑平台和侧壁电导率不同，调控电子在V形坑附近的输运途径。本发明通过调整V形坑平台和侧壁的厚度或掺杂浓度来调控其电导率，不引入新的制造工序，不增加LED的制造成本且不影响制造的合格率来调控载流子在有源区的输运途径，从而提高GaN基LED的发光效率和可靠性。性。性。


技术研发人员：王小兰 吴海锋 张建立 高江东 潘拴 郑畅达 莫春兰
受保护的技术使用者：南昌硅基半导体科技有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/4/22